Пропускание света

Использование Ge и Si в полупроводниковых приборах (например, солнечных батареях и инфракрасной оптике) связано с коэффициентом преломления, отражательной способностью и пропусканием света в широком диапазоне длин волн. [c.389]

Очевидно, что пропускание света будет максимальным при <р - тс/4, Лтс/4у. . . [c.208]

В последние годы разработаны способы многослойного покрытия, обеспечивающего особо эффективное просветление в приборах с большим числом преломляющих поверхностей, когда кроме выигрыша в пропускании света нужно избежать заметного изме- [c.218]

Кварц является одноосным кристаллом, так что при пропускании света вдоль оси он должен был бы вести себя как изотропное тело. Однако опыт показал следующую особенность. Пусть (рис. 30.1) параллельный пучок света от источника S, поляризованный при помощи поляризатора Л/j и сделанный приблизительно монохроматическим (светофильтр F), падает на пластинку кристаллического кварца Q, вырезанную перпендикулярно к оптической оси, так что свет распространяется вдоль оси кварца. [c.609]

Коэффициент пропускания света (прозрачность) падает от 91 до 56% лри дозе 5,5-10 зрг/г, хотя визуально наблюдается только легкое помутнение [84]. При постоянной температуре 25° С с увеличением дозы поглощенной энергии 7-излучения (Со ) плексиглас 55 из бесцветного становятся темно-желтым, а при более высоких дозах — коричневым. [c.68]

Для изучения пропускания света свинцово-силикатные стекла подвергались облучению Y-квантами дозой 1-10 эрг г, после чего в течение недели измеряли оптическую плотность [10]. Окрашенное в процессе облучения стекло отбеливалось почти до исходного состояния при облучении светом ртутной лампы. После этого образцы были облучены повторно дозой 10 эрг г. При этом было установлено, что оптическая плотность стекла после второго облучения была выше, чем после первого. Эти результаты согласуются с тем, что оптическая плотность увеличивается экспоненциально с увеличением дозы облучения вплоть до 5-10 эрг г, а после этого изменяется линейно. [c.217]

Итак, если взять сетку с синусоидальным распределением инт ен сивности пропускания света, то коэффициент пропускания света t, представляющий собой отношение интенсивности выходящего из [c.59]

Коэффициент пропускания света для двух сеток, наложенных друг на друга, равен произведению коэффициентов пропускания [c.59]

Если разность шагов двух сеток мала, то ясно, что первый и второй члены в правой части уравнения (2.11) описывают синусоидальную волну, частота которой равна среднему арифметическому частот исходных сеток и которая плавно модулируется косинусоидальным членом. Этот вывод иллюстрируется рис. 25, в, изображающим изменение общего коэффициента пропускания света. Множитель [c.60]

Рассмотрим второй характерный случай образования муаровых полос наложение одинаковых сеток 1 и 2, описываемых одним и тем же уравнением (2.9) и повернутых в плоскости друг относительно друга на небольшой угол 0 (рис. 26). В этом случае коэффициент пропускания света для сетки 1 в основной системе координат I — т [c.60]

Аналогично первому случаю полный коэффициент пропускания света для двух наложенных друг на друга сеток будет [c.61]

Коэффициент пропускания света в случае пакета стекла, составленного из т слоев (плоскостей), если не учитывать количество света, поглощаемого стеклом, может быть определен по формуле [c.460]

Характеристики рассеяния и пропускания света различными дисперсными системами несут в себе подробную информацию [c.6]

При использовании в качестве устройств образцовых перемещений дифракционных решеток — стеклянных пластин с выступами и впадинами с малым шагом, сравнимым с длиной волны света (рис. 9.39, а), может быть получена частота изменения пропускания света, в 2—6 раз большая, чем частота решетки [14]. На рис. 9.39, [c.276]

Явление двойного лучепреломления является оптическим свойством кристаллических тел. При пропускании света через прозрачную кристаллическую пластинку световая волна разлагается на две плоско-поляризованные волны, имеющие взаимно перпендикулярные плоскости колебаний и распространяющиеся внутри кристалла с различными скоростями. [c.19]

Свет Пропускание света Оптич. фильтр 0 [c.47]

Максимальное прохождение достигается в случае использования гладких полированных поверхностей стекла. Замена полированной поверхности на матовую превращает зеркальное отражение в диффузионное и уменьшает вдвое пропускание света. [c.323]

Рис. 23. Коэффициент пропускания света затуманенной атмосферой в толще 860 м

Во многих жидких кристаллах с кручением, прикладывая электрическое поле (или создавая механические напряжения), можно воздействовать на ось с таким образом, чтобы она была направлена вдоль заданного направления (см. разд. 7.7). Приложение электрического поля вдоль направления г будет разрушать такую скрученную структуру (см. разд. 7.7). Это приводит к тому, что Г = О и, согласно (5.4.15), полному пропусканию света. После отключения электрического поля жидкий кристалл восстанавливает свою структуру с кручением и свет блокируется. В этом состоит основной принцип работы светового затвора на жидких кристаллах. [c.159]

Рассмотрим тонкий слой положительного (Де > 0) нематического жидкого кристалла, закрученного на одну четвертую оборота (90°). Этот слой расположен между парой параллельных поляризаторов, оси пропускания которых параллельны оптической оси во входной плоскости. Такая система не пропускает свет, до тех пор пока к ней не приложено электрическое поле. Наложение электрического поля приводит к тому, что локальная ось ориентируется вдоль направления поля (оси г), вследствие чего возникает пропускание света, обусловленное исчезновением двулучепреломления. [c.290]

Если пропускание света областями магнитооптического материала с одним состоянием вектора намагниченности погасить анализатором, то области с другим состоянием вектора намагниченности характеризуются пропусканием [c.80]

На практике тактовая частота посылки электрических сигналов составляла 1,6 МГц. Оптически) импульс включался в момент прохождения последовательности зарядовых пакетов под всеми полупрозрачными электродами, и фиксировалась мгновенная картина пропускания света структурой. При изменении потенциала в области модуляции света в полупроводнике на 30 В пропускание увелич ивалось в 2,7 раза, а эффективность модуляции со- [c.122]

Зивисимость от длины волны коэффициента пропускания света системой до (кривая I) и после просветления двухслойной (кри-ная 2), трехслойной (кривая. 4) пленками [c.219]

ДЛЯ света, прошедшего сложную систему с 44 преломляющими поверхностями, от длины волны. Применение двухслойной пленки позволило резко увеличить пропускание света лишь в центральной области видимого спектра (X 5500А), тогда как трехслойная пленка обеспечила высокое пропускание света в широкой области спектра, причем резко уменьшилось количество рассеянного света. [c.219]

Таким образом, если в падающей волне (х и Ец находятся в одной фазе, то в отраженном свете между взаимно перпендикулярными компонентами х и Ег появится сдвиг фазы, зависящий от ф и п. Следовательно, явление полного внутреннего отражения позволяет получить эллиптически-поляризо-ванный свет, как и пропускание света через кристаллическую пластинку. Разумеется, для осуществления эллиптической поляризации при полном внутреннем отражении надо, чтобы падающий пучок не был естественным, но обладал поляризацией, например, линейной (см. 109). [c.485]

Следующая особенность голограммы относится к передаче распределения освещенности объекта. Пропускание света негативом связано с. зкспозицией Н (освещенностьХ X время) определенной зависимостью, поэтому фотопластинка реагирует на распределение яркостей объекта лищь в относительно узком интервале от до, а следовательно, не позволяет воспроизвести весь диапазон яркостей объекта, который много щире диапазона, соответствующего [c.26]

Если какое-либо прозрачное тело подвергнуть одностороннему сжатию (или растяжению), то в результате такого воздействия образуется своеобразный квазикристалл , оптическая ось которого проходит в направлении действия деформирующей силы. Оптические свойства деформированного таким образом тела соответствуют свойствам одноосного кристалла. При пропускании света в направлении, перпендикулярном к образовавшейся оптической оси, возникает двойное лучепреломление. Это яв- [c.63]

Некоторые типы стекол, например боросиликатный кронглас, бариевый кронглас и свинцовое стекло, защищали от радиационного окрашивания. В обычном состоянии эти стекла темнеют при дозе I-IO эрг1г, а при 1-10 эрг/г становятся почти непригодны. Однако те же стекла с добавкой церия имеют приемлемые оптические свойства после дозы Y-излучения (Со ) 5-10 эрг/г [152]. Опыты с цериевой защитой от окрашивания свинцового и обычного листового стекла указывают, что единственным следствием облучения дозой l-lOi эрг г (в видимой части спектра) было смещение порога пропускания света к несколько большим длинам волн [И]. [c.219]

Применение ЖКК с нематиками связано в основном с электрооптиче-скилш свойствами жвдких кристаллов - способностью изменять пропускание света под действием электрического поля. ЖКК с нематиками являются перспективными материала.ми для построения различных устройств отображения информации (просветных и отраженных дисплеев), создания проекционных систем, разработки систем управления световыми потоками (ослабиге- ти, модуляторы, ограничители мощности, дефлекторы и др.). [c.154]

Оптические свойства наночастиц и пленок уже давно в поле зрения исследователей. Например, развита теория отражения, поглощения и пропускания света металлическими пленками с учетом разных факторов (толщина пленок, угол падения света, отношение толщины пленки к длине волны света и др.). Однако конкретная экспериментальная информация применительно к консолидированным наноматериалам с определенным размером зерна не столь многочисленна и исчерпывается эпизодическими сведениями для оксидов алюминия, иттрия и церия. Так, спеченные образцы из нанокристаллического У20з оказались прозрачными для видимого света, поскольку размеры нанопор были меньше длины световых волн. Обычный спеченный оксид иттрия является оптически непрозрачным. [c.72]

Они имеют противоположные знаки говорят, что плоский участок превратился в антикластическую поверхность. Отношение кривизн равно коэффициенту Пуассона v это обстоятельство было использовано для его экспериментального определения с помощью интерференционных полос, получающихся при пропускании света через пластинку, установленную параллельно плоской грани изгибаемого бруса. [c.388]

Радиационные свойства полупрозрачных материалов определялись различными исследователями на основе решения уравнения переноса излучения как приближенными, так и точными методами. Хорак и Чандрасекар [39] получили точное решение задачи о диффузном отражении полубесконечной атмосферой, а Питтс использовал приближение Эддингтона для исследования отражения и пропускания света слоем неэкспонированной фотоэмульсии. Авторы работы [41] преобразовали уравнение переноса излучения в систему обыкновенных дифференциальных уравнений и рассчитали пропускание излучения слоем конечной толщины. Этим не ограничивается перечень имеющихся в литературе приближенных решений. Точность приближенного решения не может быть установлена без сопоставления с точным результатом. Чандрасекар [1] получил точное решение задачи [c.473]

СВЕТОПРОЗРАЧНОСТИ КОЭФФИЦИЕНТ — отношение интенсивности света, прошедшего без изменепия направления через слой материала толщиной 1 см, к интенсивности падающего света. При этом имеется в виду прохождение света через самое вещество без участия поверхностей, ограничивающих слой. Понятие прозрачности но следует смешивать с понятием пропускания света. Так, для белой бумаги С. к. равен нулю, хотя она и пропускает много света. Для плавленого кварца С. к. равен 0,999 для оптич. стекла 0,990—0,995. Л. с. лрксс. [c.158]

Для света с Я, = 0,547 мкм в кристалле KDP это значение составляет 7,5 кВ, а для кристалла оно равно 3,9 кВ. При его приложении имеет место максимальная модуляция поляризации и амплитуды, поэтому полуволновое напряжение является одной из основных характеристик электрооптических кристаллов. При выключении напряжения пропускание света кристаллом быстро восстанавливается по тому же закону. Частоты модуляции зависят от конкретной реализации прибора п обычно лежат в мегагерцевом диапазоне, [c.18]

Учитывая, что для многих жидких кристаллов ДПтах—0,2. .. 0,4 (1), изменение двулуче реломления в электрическом поле обеспечивает максимальную глубину модуляции интенсивности видимого света уже на толщине слоя 1 мкм. В более толстых ячейках можно получить до нескольких пиков или минимумов пропускания света ячейкой, а однозначное и.з. енение интенсивности (в пределах изменения фазовой задержки Ф = 0. .. я) можно осуществить при незначительном изменении ориентации молекул в части слоя жидкого кристалла. [c.23]

Зависимость пропускания света анализатором от амплитуды электрического поля на образце ЦТСЛ керамики показана на рис. 2.7. Кривая 1 представляет собой о.аии из циклов переполя- сгн- гез ектрической керамики в/бо Зо Гк 1 > сгя е [c.64]

Особенностью прохождения света через пластинку ортоферрита является резкая зависимость регистрируемого за анализатором оптического контраста от угловой апертуры пучка, обуслорлепная двулучепреломлением материала. Действительно, для произвольного направления распространения света формула пропускания света анализатором (2.20) содержит 0F=2f/A sin (Д /2), где Ап— двупреломление материала. Тогда при изменении направления считывающего светового пучка по отношению к оптической оси на 5° контраст падает от 350 почти до О (рис. 2.15). Это накладывает определенные требования на параллельность применяемых световых пучков. [c.81]

Основным недостатком модуляторов является невысокое пропускание света пластикой магнитооптического материала кроме того, имеется некоторая сложность коммутации токовых цепей при токе 1,0. .. 1,2 А и возможность деградации пермаллоевых электродов. Последнее ограничение ослабляется при снижении амплитуды токовых импульсов, которое в свою очередь возможно при уменьшении намагниченности насыщения магнитооптического материала и при уменьшении толщины образца [21]. Но в последнем случае ухудшаются характеристики модуляции света — эффективность и стабильность переключения, оптический контраст. [c.83]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...