Потенциал-деформационное взаимодействи

ПОТЕНЦИАЛ-ДЕФОРМАЦИОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ультразвука с электронами проводимости — см. Взаимодействие ультразвука с электронами проводимости. [c.267]

Потенциал-деформационное взаимодействие 53, 267 Преломление звука 267 [c.399]

Зная а, можно найти и потенциал эффективного деформационного взаимодействия [6] FQ (с точностью до константы) [c.306]

На рис. 3 изображены два шара, катящихся по плоскости с близкими скоростями. Если шары соединятся, то произойдет взаимодействие (равновесное), в результате шары обменяются количеством движения. В этом случае скорость движения — потенциал, а количество движения — координата состояния. Никаких других явлений не произойдет и в результате взаимодействия изменится только одна координата. Если скорости шаров резко различаются, то явление удара сопровождается не только обменом количеством движения, а и деформационными, тепловыми и волновыми процессами, — в этом случае (неравновесное взаимодействие) изменяется много координат состояния. [c.16]

Деформационный потенциал (34.13) определяет в координатном представлении оператор энергии взаимодействия электронов с длинноволновыми акустическими колебаниями. [c.225]

Взаимодействие электрона с продольными акустическими колебаниями характеризуется потенциальной энергией (деформационный потенциал (34.13)) [c.234]

Потенциал-деформационное взаимодействие обусловлено зонной структурой твёрдых тел и возникает вследствие того, что деформация кристаллич. решётки приводит к локальным изменениям ширины заиреш,ённой зоны полупроводника (см. Деформационный потенциал). В результате под действием волны образуются области пониженной и повышенной плотности зарядов, между к-рыми возникает электрич. поле, действующее на электроны проводимости. Сила потенциал-деформационного взаимодействия пропорциональна квадрату волнового вектора звуковой волны [c.53]

Помимо пьезополупроводниковых кристаллов, для У. у. можно применить и обычные полупроводниковые кристаллы (напр., германий, кремний), в к-рых имеет место потенциал-деформационное взаимодействие волны с носителями заряда (см. Взаимодействие ультразвука с электронами проводи- [c.356]

При обсуждении сегрегации примесей на дислокациях в связи с проблемой деформационного старения Коттрелл и Билби [22] указывали, что потенциал ф взаимодействия между дислокацией и атомом примеси вызовет результирующий дрейфовый поток, в котором этот атом имеет среднюю скорость дрейфа, в DIkT) раз превышающую градиент потенциала ф. Авторы I [c.264]

Другое предположение, самосогласованный потенциал Бардина, основывается на гипотезе, что в металлах ионные остовы при колебаниях смещаются как целое, однако газ электронов проводимости перестраивается в зависимости от моментальных положений ионов решетки. Для взаимодействия с одним выделенным электроном это означает только экранирование потенциала неменяющегося ионного остова электронным газом. Эго экранирование может быть учтено, если каждую компоненту Фурье потенциала электронного взаимодействия разделить на диэлектрическую проницаемость (13.12), зависящую от волнового числа. Мы здесь не будем останавливаться на не очень простом вычислении вероятности перехода (49.14) для этого случая для более детального обсуждения всех трех предположений Нордгейма, Блоха и Бардина—о виде потенциала сошлемся на изложение Брауэра [9], Хауга [11.И] и Займана [20]. Кроме того, надо рассмотреть еще одно предположение, которое для полупроводников играет наибольшую опь,—деформационный потенциал. [c.199]

Установленная, в наших опытах деформационная мнкроэлект-рохимическая гетерогенность области пачки линий скольжения (рис. 74) указывает на ускорение анодного растворения пластически деформируемого металла в активном состоянии потенциал линий скольжения существенно отрицательнее потенциала остальной поверхности металла следовательно, механохимическая активность линий скольжения значительно выше активности взаимодействия с агрессивной средой ненарушенной поверхности металла. [c.183]

Как следует из выражения (147), в отличие от механохимиче-ского эффекта потенциал деформации зависит только от пространственно-геометрических параметров, т. е. от размера скоплений п, и не зависит от упрочнения Дт, которое может быть различным в зависимости от природы и характера сил сопротивления пере мещению дислокаций. Вместе с тем, зависимость потенциала деформации от упругого взаимодействия дислокаций должна обусловить его чувствительность к дислокационной субструктуре на различных стадиях деформации увеличить эффект при образовании плоских дислокационных скоплений на стадии интенсивного деформационного упрочнения и уменьшить его при образовании субграниц и ячеистых субструктур на стадии динамического возврата. [c.98]

Теория, учитывающая одновременное взаимодействие электрона с оптическими и акустическими ветвями колебаний без использования континуальной модели и адиабатического приближения, развивалась в работе Суми и Тоязавы [132] на основе метода фейнмановских интегралов. Было показано, что резкое изменение состояния полярона (наблюдаемое при увеличении связи) от почти свободного типа (Р) к самозахваченному типу (5) вызывается взаимодействием малого радиуса (деформационный потенциал акустических колебаний), а не дальнодействующим взаимодействием (поле электрической поляризации оптических колеба иий). Такое резкое изменение должно наблюдаться только при малом отношении средней энергии фононов к энергетической ширине электронной зоны в жесткой решетке, т. е. при 7< 1. При 7 5з1 почти свободное состояние Р практически не отличается от самозахваченного состояния 5. [c.256]

При этом, определив = У [дЕ дУ), мы ввели константу деформационного потенциала. Так как 5 параллельно д, то вновь появляется оператор взаимодействия, похожий на (49.9), в котором, однако, величину электрои-фононной связи определяют уже не компоненты Фурье некоторого потенциала, а константа деформационного потенциала. [c.200]

Используйте приближение деформационного потенциала для расчета времени релаксации т( ) в случае взаимодействия между электропами и А-фононаии в певырождениом полупроводнике с параболической зоной проводимости. Как велик показатель степени г в т(Е) = гоЕ [c.171]

Имеется определенный успех и в теории проводимости и рассеяния в режиме квантования в тонких пленках. Демиховский и Тавгер [126] рассмотрели случай невырожденной полупроводниковой пленки с зеркальными поверхностями. Они рассчитали деформационный потенциал рассеяния электронов в основном состоянии. Следуя этому расчету, Иогансен [127] рассмотрел электроны в ряде состояний в пленке (в которой осуществляется размерное квантование), рассеивающиеся на фононах (см. выше), на поверхностных неровностях и при электрон-электрон-ном взаимодействии. Во второй статье Безака [121] явление переноса рассматривается методом матрицы плотности при полностью диффузном или полностью зеркальном рассеянии на поверхности. Общий подход к теории явлений переноса в тонких пленках был развит Дьюком [102]. [c.146]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...