Электронов диффузия в электронах

Электронов диффузия в ударном фронте 493 [c.552]

При добавлении небольших количеств иона Li+ к ZnO, который является полупроводником п-типа, концентрация электронов снижается в соответствии с требованием сохранения электронейтральности, а концентрация промежуточных ионов цинка возрастает в соответствии с законом действия масс — см. уравнение (3). Это облегчает диффузию межузельных ионов Zn . Следовательно, L+ повышает скорость окисления цинка, т. е. влияние Li+ здесь противоположно его влиянию при добавлении в NiO. Ионы по тем же причинам снижают скорость окисления цинка, что подтверждается следующими данными [28] (/ = 390 °С, ро = = 0,1 МПа) [c.198]

Обсудим сначала результат, полученный Андерсоном. Использовав потенциал вида 2), Андерсон поставил следующую задачу. Предположим, что в момент времени /=0 электрон помещен в одну из ям. Что произойдет при t- oo Существует ли конечная вероятность того, что электрон при О К продиффундирует на большое расстояние, или вероятность найти электрон на большом расстоянии экспоненциально убывает с расстоянием и в таком случае диффузии нет [c.357]

Теплопроводность представляет собой процесс распространения теплоты при непосредственном соприкосновении отдельных частиц тела, имеющих различные температуры. Этот вид переноса теплоты может происходить в любых телах, но механизм переноса теплоты зависит от агрегатного состояния тела. В жидкостях и твердых телах — диэлектриках — перенос теплоты осуществляется путем непосредственной передачи теплового движения молекул и атомов соседним частицам вещества. В газообразных телах распространение теплоты теплопроводностью происходит посредством диффузии молекул и атомов, а также за счет обмена энергией при соударении молекул. В металлах распространение теплоты происходит в основном в результате диффузии свободных электронов и упругих колебаний кристаллической решетки, причем последнее имеет второстепенное значение. [c.89]

Механизм распространения теплоты теплопроводностью зависит от физических свойств тела в газообразных телах перенос теплоты теплопроводностью происходит в результате соударения молекул между собой в металлах — путем диффузии свободных электронов в капельных жидкостях и твердых телах-диэлектриках — путем упругих волн (упругие колебания кристаллической решетки). [c.270]

При этом в газах перенос энергии осуществляется путем диффузии молекул и атомов, а в жидкостях и твердых телах-диэлектриках — путем упругих волн. В металлах перенос энергии в основном осуществляется путем диффузии свободных электронов, а роль упругих колебаний кристаллической решетки здесь второстепенна. [c.8]

Диффузия — движение частиц среды, приводящее к необратимому переносу вещества или к установлению равновесного распределения концентраций частиц данного сорта в среде. В качестве диффундирующих частиц рассматривают молекулы, атомы, электроны проводимости, дырки, нейтроны и другие частицы. Диффузия в твердых веществах приводит к переносу атомов на расстояния, превышающие межатомные расстояния для данного вещества. [c.108]

Следует также учесть, что примеси внедрения являются электронными донорами по отношению к титану (Эванс). Увеличение электронной концентрации может привести к возрастанию сил связи в кристаллической решетке и энергии образования вакансий. Как предполагал Кристиан, параметры диффузии в титане и его сплавах меняются в зависимости от количества эффективно свободных электронов, приходящихся на один атом, Исследования методом авторадиографии (например, (293]) косого среза показали, что увеличение концентрации кислорода в титановых сплавах (технический титан, титан с 5% А1, титан с 12% Мп) приводит к замедлению диффузии никеля на 1—2 порядка. Правда, в данном случае диффузия исследовалась не в а-, а в р-области при 1000—1075° С. [c.347]

Превышение температуры электронов над температурой газа определяется по уравнению баланса энергии для электронов, которое в пренебрежении процессами диффузии, электронной теплопроводности и излучения имеет вид [c.526]

В обычных сварочных дугах при атмосферном давлении наибольшее влияние продольное магнитное поле оказывает на диффузионную составляющую скорости ионов и электронов. Скорость диффузии их направлена по радиусу от центра дуги к периферии, где температура и концентрация меньше (рис. 2,39). В связи с тем что скорости диффузии в квазинейтральном столбе дуги равны Ve Vi, а масса те< .гт, импульсы, передаваемые нейтральным частицам от ионов, будут в тысячи раз больше, чем от электронов. Поэтому плазма столба дуги придет во вращательное движение, соответствующее движению в магнитном поле ионов. Столб дуги будет вращаться против часовой стрелки. [c.84]

Ферми (в термодинамическом равновесии положение уровня Ферми в р-области совпадает с его положением в п-области), 1 — дно зоны проводимости, 2 — вершина валентной зоны. Основными носителями заряда в р-области являются дырки их концентрация много больше концентрации электронов проводимости. В п-области наблюдается обратная картина там основными носителями являются электрощ>1 проводимости. Диффузии электронов проводимости из области с высокой их концентрацией (п-области) в область с низкой концентрацией (в / -область) препятствует потен- [c.180]

В металлах перенос теплоты осуществляется главным образом вследствие диффузии свободных электронов. Доля упругих колебании крпсталлнческо решетки в общем процессе переноса теплоты незначительна из-за огромной иодвижности электронов ( электронного газа ). По этой же причине теплопроводность металлов значительно выше диэлектриков и других веществ. При повышении температуры колебание кристаллической решетки не только способствует переносу энергии, но в то же время создает помехи движению электронного газа , что сказывается на электро-и теплопроводности металлов. Теплопроводность чистых металлов (кроме алюминия) с повышением температуры уменьшается, особенно резко теплопроводность снижается при наличии примесей, что объясняется увеличением структурных неоднородностей, которые препятствуют направленному движению электронов и приводят к их рассеиванию. В отличие от металлов теплопроводность сплавов с возрастанием температуры увеличивается. [c.64]

Солнечные батареи. Действие солнечной батареи основано на возбуждении электронов валентной зоны кристаллических тел при освещении тела солнечным светом. В солнечных батареях используются полупроводниковые материалы (рис. 8.53). При столкновении фотона с электроном, происходящем в тонком слое полупроводника р-типа, освобожденный электрон диффундирует в глубь кристалла, где находится полупроводник п-типа, а образовавшаяся в р-полупроводнике дырка перемещается в противоположном направлении. Если толщина слоя полупроводника р-тип2 меньше длнны диффузии электронов (равной примерно 10" см), то во внешней цепи возникает электрический ток, значение которого тем больше, чем больше площадь освещаемой поверхности. Наиболее часто в солнечных батареях используют кремний, легированный в микроскопических количествах бором, с тем чтобы обеспечить проводимость для положительно заряженных дырок, и фосфором (для проводимости электронов). [c.575]

Теплопроводность опре деляется тепловым движением микрочастиц тела, т. е. движением микроструктурных частиц вещества (молекул, атомов, ионов, электронов). Обмен энергией между движущимися частицами происходит в результате непосредственных столкновений их при этом молекулы более нагретой части тела, обладающие большей энергией, сообщают долю ее соседним частицам, энергия которых меньше. В газах перенос энергии происходит путем диффузии молекул и атомов, в жидкостях и твердых диэлектриках — путем упругих волн. В металлах перенос энергии осуществляется колеблющимися ионами решетки и диффузией свободных электронов ( электронным газом ) значение упругих колебаний кристаллической рещетки в этом случае не имеет большого значения. [c.134]

Методом вращающегося диска изучалась кинетика взаимодействия титана с расплавом стекла в атмосфере аргона (в стекле содержится 5% СиО), Регистрируемой величиной служило изменение электропроводности расплава в ходе химического взаимодействия, фиксируемое через 1, 2, 3, 4 ч. Приведенная на рис. 3 кинетическая кривая характерна для диффузионно-химического типа взаимодействия. Восстановление ионов меди сопровождается образованием купротитанатов в процессе гетеродиффузии, при восстановлении меди отмечается ее диффузия в металлический титан и растворение в расплаве прочих продуктов взаимодействия, электропроводность расплава уменьшается, что может быть связано с уменьшением доли электронной проводимости за счет смещения электронного баланса системы [c.228]

Микроморфология разрущения в зоне магистральной трещины носит двойственный характер. В основном разрущение идет по границам зерен за счет образования клиновидных трещин. С другой стороны, в зоне клиновидных трещин впереди фронта магистральной трещины и рядом с ней имеется значительное количество пор ползучести. В металле диска далее по периметру вне зоны видимой трещины и микротрещин имеются зародыщи пор, выявляемые методами оптической и электронной микроскопии. Следовательно, в зоне концентрации напряжений идет процесс порообразования. При периодических перегрузках, которые могут иметь место в пусковой период работы ротора, в металле, пораженном порами, происходит образование клиновидных межзеренных трещин в пределах зерна. В устье трещины за счет ускорения процессов диффузий в поле повышенных напряжений и межзеренного проскальзывания происходит образование крупных карбидов и снижается трещиностойкость стали. В дальнейшем процесс разрушения идет с ускорением и завершается смешанным разрушением. [c.47]

По-видимому, мощность дозы оказывает большое влияние на процессы, в ходе которых образцы реагируют с окружающей средой. При облучении на воздухе деструкция вызывается, по-видимому, диффузией кислорода в образцы, что приводит к образованию перекисных и гидроперекис-ных радикалов. Степень влияния этих реакций на физические свойства материалов зависит, вероятно, от скорости диффузии в исходном материале и от геометрии образца. При облучении электронами процесс образования свободных радикалов может оказаться сильнее влияния диффузии кислорода, что приводит к преобладанию реакций сшивания. При облучении у-квантами и в реакторе из-за малой скорости образования свободных радикалов влияние диффузии кислорода на процесс деструкции проявляется в укорачивании цепей и ингибировании процесса сшивания. [c.53]

Механизм роста пленок можно представить в следующем виде. Пленка окисла на металле имеет ионно-кристаллическую структуру, обладающую ионной и электронной проводимостями. В силу этого через пленку диффундируют не атомы, а ионы металла и электроны. Диффузия же через рленку ионрв кислорода, входящиХ [c.224]

Другие эффекты, связанные е разогревом электронов, 1) В сильном электрич. поле электропроводность полупроводников кубич. сингонии становится анизотропной даже в отсутствие магн. поля (в слабых полях она изотропна). Это связаио преим. с разной заселённостью Г. э. долин зоны проводимости. 2) Изменяются коэфф. диффузии и спектральная плотность флуктуаций тока (см- Флуктуации электрические) возникает анизотропия этих величин даже при изотропной зависимости энергии электронов от квазиимпульса (характеристики шума, измеренные вдоль и поперёк тока, разные). 3 Наблюдается эмиссия Г. э. в вакуум из ненагретых полупроводников. 4) Возникает эдс при однородной темп-ре кристалла, но неоднородном разогреве электронов. [c.520]

Даже в простой слабоионизов. плазме в магн. поле перенос частиц не сводится к амбиполярной диффузии. Для её реализации был бы необходим электрич. потенциал, тормозящий во всех направлениях наиб, подвижные частицы (электроны — вдоль В ионы — поперёк В). Такой потенциал, как правило, не удовлетворяет граничным условиям и может реализоваться лишь в исключит, случаях. Поэтому и ур-ние амбиполярной диффузии описывает лишь одномерную эволюцию поперёк В, а также эволюцию профилей вида п(г,г) = = п. г)п г) (г — координата вдоль В, г — поперёк В) в диэлектрич, баллоне или в неограниченной плазме (в последнем случае такой профиль реализуется лишь при очень сильном превышении возмущённой концентрации над фоновой). Характерное диффузионное время жизни при этом [c.570]

Релаксация пучка пробных части полностью ионизованной плазме описывается Фоккв ра — Планка уравнением. При этом происходит ВйР торможение пучка за счёт динамич. трения, так и раэ " мытне пучка по скоростям — диффузия в пространсТ1 е< скоростей. Для быстрых частиц время релаксации оп 1 ределяется их энергией, поэтому хвосты ф-ций распре-. деления релаксируют значительно медленнее, чем теп-н ловые частицы. Торможение и рассеяние пучка быстрых электронов с энергией происходит как на ионах, так и на электронах практически с одним п тем же характерным временем [c.330]

Рентгеновский микроанализ (локальный анализ) участков пробы 1—-3 мкм выполняют с помощью электронного зонда в микроанализаторе. Электронный зонд формируют с помощью электростатич. и магн. фокусировки до сечения диам. 1 мкм. Анализ осуществляют по рентг. излучению образца, к-рое разлагают в спектр с помощью рентг. спектрометра, В этой методе вводят поправки на Z определяемого элемента, поглощение его излучения в пробе и его флуоресценцию, возбуждаемую тормозной компонентой излучения и характеристич. излучениями др. элементов в пробе. Микроанализ применяют при исследованиях взаимной диффузии 2- и 3-компонентных систем, процессов кристаллизации, локальных флуктуациях состава сплавов и т. д. [c.379]

Перенос излучения наружу носит диффузионный характер, при к-ром фотоны многократно поглощаются и переизлучаются. Величина потока лучистой энергии внутри С. прямо пропорциональна градиенту темп-ры и обратно пропорциональна коэф. непрозрачности V, = 1/рЯ (р — плотность вещества), характеризующему способность газа поглощать и рассеивать излучение. Однако не на всём пути от центра к поверхности солнечная энергия переносится излучением. На расстоянии примерно 0,7 Дд от центра вещество становится конвективно неустойчивым, и выше этого уровня энергия переносится преим. турбулентными потоками вещества. В конвективной зоне темп-ра невелика по сравнению с темп-рой ядра. В результате увеличивается число электронов, находяпщхся в связанных состояниях в атомах водорода и др. элементов. Это ведёт к увеличению непрозрачности газа, большему сопротивлению диффузии излучения и возрастанию градиента темп-ры. Конвективная неустойчивость наступает, если аос. значение градиента темп-ры станет больше нек-рой критич. величины, называемой адиабатич. градиентом. Скорости конвективных потоков возрастают номере продвижения к поверхности от 10 см/с до 10 см/с. Вблизи поверхности С. на расстоянии 0,999 Л эффективность конвективного теплопереноса резко падает вследствие низкой плотности вещества. Здесь энергия вновь переносится излучением. Вероятно, этот верх, слой конвективной зоны ответствен за наблюдаемую грануляц. структуру поверхности С. [c.590]

Дробовой Ш.—специфич. и наиб, важный вид внутр. естеств. Ш. в электронных приборах. В ЭВП он возникает на поверхности катода вследствие статистич. характера эмиссии электронов и дискретности их заряда. Спектральная плотность тока катода S I) дробового Ш. при работе ЭВП в режиме насыщения определяется соотношением (Шоттки формула) S (/) = e/o, где е—заряд электрона, /о — постоянная составляющая тока. Спектр дробовых Ш. флуктуаций анодного тока, обусловленных дробовым Ш. тока катода, равномерен до весьма высоких значений частот (на к-рых становится существенной конечность времени пролёта электрона от катода к аноду). В силу теплового разброса скоростей эмитируемых электронов дробовой Ш. всегда сопровождается флуктуациями не только тока, но и др. характеристик электронного потока. Элек-трнч. Ш., родственные дробовому III. в ЭВП, наблюдаются и в полупроводниковых приборах. В последних различают Ш., вызванные дрейфом носителей заряда, и Ш., вы- ванные диффузией носителей заряда. [c.479]

Диффузионный режим имеет место при условии, что число Кнудсена для плазмы d/X 1 (d— межэлектродный зазор, X—длина свободного пробега электрона), а к плазме приложено напряжение Uj ниже порога возникновения разряда. Реализуется режим переноса электронов по механизму амбиполярной диффузии в плазме, образующейся за счет поверхностной ионизации (цезия) [28]. [c.521]

Новое направление в области диффузионной металлизации связано с процессом диффузии электронов, ионов, нейтронов в повфхностный слой металла. Бомбардировка электронами с помощью электронной пушки-ускорителя создает сильно нагретый поверхностный слой металла. При остывании получается гладкая оплавленная поверхность с высокопрочными свойствами. В поверхностный слой детали можно направить с большой скоростью ионы более прочного металла и создать на его поверхности улучшенный слой металла, который путем диффундирования проникает на большую глубину. При обычной металлизации это не удается, так как образовавшаяся при нагреве деталей оксидная пленка, или окалина, мешает проникновению атомов вводимого металла. При бомбардировке ионы легко в него проникают. Таким образом, можно обычную углеродистую сталь штамповать требуемого размера и с малой шероховатостью поверхности, а затем облучением создать на ее поверхности слой из другого, более прочного металла. [c.149]

В процессе образования защитных пленок участвуют частицы Ме +, 0 и электроны. Электрически заряженные частицы и электроны перемещаются в кристаллической решетке продуктов коррозии. Зона роста плен1си связана со скоростью движения частиц. Если превалирует скорость диффузии ионов или атомов металла, то образование оксида происходит на внешней поверхности плен1си. Наоборот, если сквозь пленку диффундирует главным образом кислород, то зоной роста пленки будет граница между пленкой и металлом. В [c.50]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронов диффузия в электронах : [c.174] [c.379] [c.34] [c.273] [c.68] [c.187] [c.12] [c.372] [c.582] [c.492] [c.571] [c.665] [c.156] [c.187] [c.550] [c.186] [c.342] [c.533] [c.22] [c.81] [c.88] [c.31] [c.61] [c.110]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...