Спектр низкотемпературный

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

Для получения информации о процессах деформации, фазовых переходах, разрушении и других используют энергетический спектр экзоэлектронов. Эмиссия электронов, т. е. вылет электронов с поверхности металла, может быть вызвана различными причинами. Низкотемпературную эмиссию электронов раз.лич-ной природы объединяет экзоэлектронная эмиссия . К этому же методу относится метод анализа состояния поверхности с помощью измерения работы выхода электронов. Работа выхода чувствительна к фазовым превращениям, изменению напряженного состояния. [c.112]

Согласно данным рентгеноструктурного анализа, в структуре стеклоуглерода не наблюдается трехмерного упорядочения. Это подтверждается и характером рентгеновских фотоэмиссионных спектров [41]. В низкотемпературных марках стеклоуглерода предполагается существование кислородных мостиков. Все это позволяет пред- [c.32]

Спектр излучения низкотемпературной (напр., газоразрядной) П. состоит из отд. спектральных линий (линейчатый спектр). В газосветных трубках наряду с ионизацией происходит и обратный процесс — рекомбинация ионов и электронов, дающая т. н. рекомбинационное излучение со спектром в виде широких полос. [c.599]

Распределение собственных колебаний при наличии ограничений со стороны низких частот обсуждали авторы [276, 277]. Они предложили сходные выражения, описываюш ие число собственных колебаний л(со) прямоугольной частицы с учетом ее геометрических характеристик. Полученное в [277] выражение для п (й) в несколько модифицированном виде применено в [278] для описания размерного эффекта на низкотемпературной теплоемкости. Согласно [276], функция распределения частот (со) фононного спектра малой частицы прямоугольной формы с ребрами Lj, L , имеет вид [c.79]

Первые, наиболее низкотемпературные пики высвечивания в ультрафиолетовой и видимой областях спектра, судя по имеющимся данным, не совпадают. Отсюда необходимо допустить, что они обусловлены различными центрами захвата с близкими, но все же различными значениями энергии тепловой активации. [c.126]

В работе [2] исследовались нерегулярные бегущие страты в низкотемпературной плазме, получаемой в положительном столбе тлеющего газового разряда [2171. На границе самовозбуждения страты имеют во времени синусоидальную форму, а затем, по мере удаления от границы, их спектр обогащается и становится сплошным. Пример зависимости от времени интенсивности бокового свечения разряда, характеризующей форму страт в данной части трубки, показан на рис. 9.128, а. Спектр этого свечения приведен на рис. 9.128,6. Обработка полученных сигналов [c.382]

Данные табл. 4 воспроизведены из работы [42], за исключением численных значений для самых горячих звезд, которые взяты из работы [58] и относятся, собственно говоря, к следующему разделу, так как частично связаны с теорией ионизации. Значения температур для наиболее холодных звезд недостоверны вследствие наличия полос поглощения в их спектрах. Радиометрические измерения, которые при таких температурах являются более надежными, дают для звезд-гигантов класса Мб значения более низкие, чем приведенные в табл. 4 (около 2350°). До какой степени полосы поглощения могут искажать цвета низкотемпературных звезд, можно видеть на примере красной углеродной звезды V в созвездии Гончих Псов. Обычное определение цветовой температуры по цветовому показателю дает для этой звезды значение 750°, в то время как истинная температура, вероятно, близка к 2000°. [c.394]

Широкий спектр охватываемых вопросов при изучении этой проблемы был связан с недостаточностью литературных данных об эффекте хрупкого разрушения материалов в контакте с жидкометаллическими средами, а также порой прямо противоположным его объяснением в некоторых известных работах. Как правило, эти работы направлены на решение частных задач и относятся, в основном к изучению монокристаллов, чистых металлов и низколегированных сталей и сплавов в контакте с жидкостями или легкоплавкими средами. Существующие методики разработаны главным образом для низкотемпературных испытаний. Вместе с тем, указанная проблема была и остается до сих пор предметом внимания мно- [c.465]

О ЦЕЛЕСООБРАЗНОЙ СПЕКТРАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОЙ ПИРОМЕТРИИ В ИНФРАКРАСНЫХ СПЕКТРАХ РАЗРЕЖЕННЫХ ПЛАМЕН И НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ, ПОЛУЧЕННОЙ ПРИ СЖИГАНИИ УГЛЕВОДОРОДНЫХ ТОПЛИВ [c.188]

СС ) основании исследования спектра 81СС замороженного в матрице [1287а], был заново интерпретирован спектр газа, что позволило получить для А-состояния Г2= 230, Гз= 1016 и для Д -состояния У2= 300, Гз = 853 см-1. 6) полосы впервые наблюдались в спектрах низкотемпературных углеродных звезд [813]. [c.604]

Для иллюстрации на рис, 42 и 43 представлены соответственно временнбй ход е тах(0 и стационарный спектр низкотемпературной фотолюминесценции, измеренные при Г = 2 К в структуре с квантовой ямой 2П(, вСёо гЗе /гпЗе шириной 20 А. Остальные экспериментальные данные, включающие временною кинетику интегральной фотолюминесценции 7(г), вре- [c.156]

Звезды Вольфа — Райе — звезды высокой светимости (порядка 10 /, ) с очень яркими и широкими эмиссионными линиями, отличаются присутствием в спектрах одновременно линий высокоионизованных ионов (Г Ю К) и сравнительно низкотемпературного континуума [Ги (1-н2) 10 К]. Представляют собой массивные (около 10 Mq) звезды на конечных стадиях эволюции, интенсивно теряющие массу (10 —lO jVf0 в год) в виде мощного звездного ветра. Известно около 300 таких объектов в нашей и соседних галактиках. [c.1212]

Qo=36 ккал1моль, Y=4 10 см . Изложенные выше результаты показывают, что закономерность Андраде для скорости ползучести на первой стадии — переходная от низкотемпературной (in = ) к высокотемпературной зависимости (m=I/2). Интересно, что переход от т = 2/3 к т = 1/2 происходит в очень узком интервале Т, при этом промежуточные значения не наблюдаются. Для малых деформаций т=1/2, а при дальнейшем росте е значение т увеличивается до т = 2/3. Наблюдались и обратные переходы в зависимости от того, насколько значение температуры испытания было близко к соответствующему значению То. Аналогичные результаты получены на свинце в работе [5]. По-видимому, это связано с тем, что энергетический спектр потенциальных барьеров, блокирующих движущиеся дислокации, является в данном случае [c.201]

Отражением изменений в фононном спектре наноматериалов является и уменьшение температуры плавления. Понижение температуры плавления с уменьшением размера частиц уже давно было отмечено многими исследователями, но лишь в последнее время такие экспериментальные данные стали появляться для наноматериалов, пока, правда, преимушественно для сравнительно низкотемпературных систем (1п —Ре, 1п—А1, В] —8102, РЬ—А1). Для однокомпонентных наноматериалов проведение таких экспериментов осложняется интенсивной рекристаллизацией при предплавильных температурах и соответственно исчезновением наноструктуры. Зависимость температуры плавления от размера кристаллитов легкоплавкого компонента в перечисленных [c.63]

Однако существенным недостатком указанных работ, по нашему мнению, является тот факт, что при этом не обращается внимание на низкотемпературный источник образования данного типа дефектов. Хотя разрушение, как уже упоминалось, очень часто происходит именно при низкотемпературной обработке или после ее проведешя (скрайбирование, резка, шлифовка, полировка, термокомпрессия контактов и др.), все авторы, как правило, считают причиной его именно высокотемпературные процессы — режим выращивания, отжиги и пр. Не отрицая важную роль этих процессов в природе появления данных дефектов, однако необходимо учитывать тот факт, что именно силовые низкотемпературные воздействия (особенно циклические - резка, шлифовка, полировка) могут, во-первых, в существенной мере трансформировать спектр ростовых и высокотемпературных кластеров (увеличивать, например, в размерах один тип дефектов и уменьшать другой) и, во-вторых, создавать дополнительно свой чисто деформационный спектр, который в ряде случаев в зависимости от технологических режимов низкотемпературной обработки может даже существенно превосходить по своему отрицательному влиянию на механические и электрические свойства материала спектр исходных дефектов в материале. Таким образом, для решения указанной проблемы необходимо учитывать не только высокотемпературный канал возникновения данных дефектов, но и низкотемпературный, на который, к сожалению, в настоящее время не обращается серьезного внимания. Именно с учетом этого фактора необходимо выбирать оптимальные режимы низкотемпературной обработки полупроводниковых материалов и особенно связанные с циклическим силовым воздействием [368- 371]. [c.246]

Таким образом, физическая природа интенсификации микропластичес-кого течения в поверхностных слоях материалов и последующего усталостного разрушения при циклических нагрузках должна рассматриваться именно с указанных позиций. При этом следует отметить, что необратимое действие вакансионного насоса при циклировании, создающего спектр приповерхностных источников дислокаций и вызывающего их переползание, обеспечивается не только созданием периодического пересыщения при цикле сжатия и существующим недосыщением на стоках [601, 602], но и различием потенциальных энергетических барьеров на источниках и стоках точечных дефектов, непосредственно на поверхности и в более удаленных от поверхности приповерхностных слоях. Поэтому полученные в главе 7 результаты представляют основу для дальнейшего развития как теоретических, так и экспериментальных исследований в области изучения основных закономерностей эволюции дислокационной структуры при испытаниях на длительную и циклическую прочность и физической природы усталости металлических и неметаллических материалов в различном диапазоне напряжений и температур. Наконец, учитывая результаты работы [586], следует также весьма осторожно относиться к интерпретации низкотемпературных пиков внутреннего трения и помнить, что они могут появиться в ряде случаев именно в силу проявления методических особенностей способа нагружения (использование циклических изгибных или крутильных колебаний с максимальной величиной напряжений вблизи свободной поверхности и присутствием градиента напряжений по сечению кристалла). [c.258]

При совместном низкотемпературном внедрении в инертную матрицу двух металлов с ограниченной взаимной растворимостью или вообще не образующих твердых растворов в массивном состоянии атомы этих металлов могут объединяться в биметаллические кластеры (см. обзор [49], а также [769—772]). Вопрос заключается в том, возникает ли при этом соединение молекулярного типа или один из металлов просто конденсируется на другом. Пока исследованы преимущественно биметаллические димеры. Появление новых полос в оптических спектрах поглощения систем Сг—МО [759], Сг—Ag и Ag—Мо [49] было приписано молекулярно-связанным димерам СгМо, rAg и AgMo. [c.268]

Колебательные спектры таких неупорядоченных систем как стекла и аморфные тела суш ественно отличаются от спектров обычных кристаллов. Плотность колебательных состояний кристаллов в низкоэнергетической области хоропю описывается де-баевским законом (3.20). В отличие от кристаллов в спектрах стекол и аморфных веш еств при энергиях меньгпе 1 К наблюдается постоянная плотность колебательных состояний, а в области энергий 2-10 мэВ (> 15 К) имеется избыточная (по сравнению с дебаевской) плотность колебательных состояний. Эта избыточная плотность состояний наблюдается во всех стеклах и проявляется в низкоэнергетических спектрах неупругого рассеяния нейтронов, низкочастотных спектрах комбинационного рассеяния света (КРС), в спектрах инфракрасного поглош ения, в низкотемпературной теплоемкости и теплопроводности. Согласно модельным представлениям [12-16] колебательные возбуждения, ответственные за избыточную плотность состояний в неупорядоченных телах, локализованы в области, содержаш ей от нескольких десятков до сотни атомов и имеюш ей размер от одного до нескольких нанометров. Таким образом, низкоэнер- [c.183]

Действительно, сопоставление анализа колебательных спектров наночастиц и экспериментальных результатов по фо-нонным спектрам и низкотемпературной теплоемкости наночастиц и наноматериалов (см. раздел 3.3) с наблюдаемыми особенностями низкоэнергетических спектров неупорядоченных тел обнаруживает в обоих случаях более высокую, чем в кристаллах, плотность колебательных состояний в области энергий меньгпе 15 мэВ и, как следствие, более высокую теплоемкость нанокристаллических и неупорядоченных материалов по сравнению с кристаллами. Различие колебательных спектров нано-кристаллнческих и стеклообразных материалов в области низких частот состоит в том, что в стеклах избыточная плотность колебательных состояний выглядит как пик (рис. 6.1), а в нанокристаллических материалах с размером частиц 10 нм — как наплыв (см., например, плотность фононных состояний g uj) для n-Ni рис. 3.12). [c.184]

Такое утверждение, однако, нельзя считать обоснованным, т. к. свободный электрон (или свободная положительная дырка) может рекомбинировать с любой локализованной положительной дыркой или локализованным электроном). Все зависит от поперечных сечений рекомбинации различных дырочных и электронных центров и от соотношения между энергиями их тепловой ионизации. Предполагается, например, что наиболее низкотемпературный пик в видимой области обусловлен освобождением положительных дырок из Ki-центров и их рекомбинацией с F-центрами. Очевидно, что одновременно положительные дырки могут рекомбинировать и с другими электронными центрами, но концентрация f-центров значительно превышает концентрацию остальных электронных центров. Поэтому вероятность встречи положительной дырки с f-цент-ром должна быть больше, чем с другими электронными центрами, вследствие чего процессы рекомбинации положительных дырок с f-центрами будут доминировать. Остальные же пики термовысвечивания как в видимой, так и в ультрафиолетовой областях спектра обусловлены преимущественно термическим освобождением электронов. [c.141]

В настоящее время все больщее значение приобретают химические реакции, протекающие при высоких температурах, в частности высокотемпературная химия и плазмохимия. Исследования молекулярного состава нагретых паров и низкотемпературной плазмы лучще всего вести по их электронным спектрам испускания. [c.133]

Низкотемпературную термолюминесценцию (свечение при нагревании стекловидных растворов, облученных ультрафиолетовыми лучами при 77° К) у целого ряда ароматических соединений наблюдали Линшитц и сотр. [ ]. Свечение сопровождало исчезновение радикала и сольвати-рованпого электрона, которое измеряли по спектрам поглощения. [c.57]

Измерены спектры поглощения облученных ультрафиолетовым светом растворов триптофана и тирозина в 10 М КОН при 77° К. Обнаружены полосы поглощения в области 400—700 ммк, приписываемые радикалу и сольватированному электрону. Приводятся доказательства того, что ответственный за низкотемпературную термолюминесценцию и индуцированную люминесценцию продукт представляет собой пару положительный ион-радикал и сольватированный электрон. [c.63]

Фосфатирование алюминиевой фольги, применено при изготовлении оболочек искусственных спутников и космических ракет, в частности спутника связи типа ЭХО-П [15—17]. Алюминиевая фольга обладает низкотемпературной излучательной способностью е, равной 0,03 и поглощательной способностью в области солнечного спектра — j = 0,18 отношение aj = 6. Подвергая фольгу соответствующей обработке, можно изменить ее оптические и терморадиационные характеристики обработка в 1 н. растворе NaOH снижает отношение ajz от 1 до 0,5. [c.264]

Аллер [3] получил по методу Мензела — Цанстра температуры для трех звезд этого класса, у которых абсорбционные спектры позднего класса (соответствующие температурам 3000—4000°) сочетаются с высоко возбужденными яркими линейчатыми спектрами с запрещенными линиями. Следует заметить, что тот случай когда один и тот же объект излучает одновременно низкотемпературные спектры и спектры, характерные для высокой температуры, представляет собой одну из очередных загадок астрофизики. Вычисленные Адлером температуры сведены в табл. 8. Яркость всех трех звезд периодически меняется, у них возникают вспышки, похожие на вспышки новых звезд. [c.399]

Метод матричной изоляции дает возможность не только ста 1ли-зировать нестабильные частицы и молекулы и изучать их спектры, но и получать многие из них реакциями непосредственно в низкотемпературной матрице или на ее поверхности. Таким пyтeм в частности, были получены рассмотренные в книге нестабильные карбонильные комплексы и координационные соединения переходных металлов с молекулярным азотом в качестве лиганда. [c.6]

Одним из удачных показателей, который наряду с данными о спектрах электронного парамагнитного резонанса весьма четко разграничивает отдельные области низкотемпературных превращений обуглероживающпхся веществ, является упомянутое выше отношение [c.42]

Полимррфные модификации обычно являются фазами различного типа. Области устойчивости полиморфных модификаций и точки перехода между ними определяются фазовыми диаграммами равновесия, расчет которых основан на вычислении термодинамических характеристик, а также спектра колебаний кристаллической решетки для различных модификаций. Низкотемпературную модификацию называют а, а высокотемпературные - р, у, 5 и т.д. [c.70]

Смотреть страницы где упоминается термин Спектр низкотемпературный : [c.240] [c.429] [c.650] [c.107] [c.69] [c.152] [c.636] [c.627] [c.6] [c.221] [c.117] [c.121] [c.123] [c.155] [c.101] [c.191] [c.159] [c.433] [c.375] [c.296]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...