Параметр расстройки

Конкретный вид свободных колебаний, описываемых (8.36), зависит от начальных условий. При нарушении строгой симметрии р Фри- Степень асимметрии зададим параметром расстройки Av=(vi—V2)/2, где = + p )l2. [c.161]

Если в упаковке существует некоторый азимутальный порядок, то нарушения функции распределения будут общего типа (сдвиг + +нарушения сетки + изгибы), которые были разобраны нами в предыдущем параграфе, с относительными параметрами расстройки, меньшими, чем при вращении, т. е. с А/а приблизительно 0,01 — 0,03. При этом снизится вклад в общую интенсивность (97) первого члена и возрастает роль второго — межмолекулярного рассеяния, на слоевых линиях возникнут максимумы интерференционной функции 21(8)22(8). [c.305]

Искажения первого и второго рода в упаковках цепных молекул, различные с геометрической точки зрения, различны и с точки зрения состояния полимерного вещества. Структуры первого рода и нри больших отклонениях атомов от идеальных положений характеризуются наличием дальнего порядка, т. е. это кристалл, хотя и расстроенный. Структуры второго рода характеризуются лишь ближним порядком, т. е. это состояние (главным образом в направлении, перпендикулярном осям молекул, определяющем их взаимную укладку), служит аналогом жидкого, аморфного состояния. В то же время вдоль оси текстуры это как бы одномерное кристаллическое состояние. Формально можно рассматривать постепенное увеличение порядка в структурах с искажениями второго рода (уменьшение параметров расстройки), но в действительности более или менее строгое упорядочение с сохранением искажений второго рода вряд ли возможно, так как при этом, как и в процессах кристаллизации, произойдет фазовый переход и тип искажений станет иным — первого рода. [c.355]

Используя параметр расстройки = (ш — и лоренцеву функ- [c.31]

Рис. 1.6. Вещественная и мнимая части восприимчивости в зависимости от параметра расстройки X для лоренцевой линии.

На рис. 15.1 показаны графики зависимостей безразмерной амплитуды А от параметра расстройки при [c.233]

Объединяя (6.4.128) и (6.4.130) и вводя параметр расстройки о, определяемый соотношением [c.316]

Здесь введены обозначения а = р1к — коэффициент расстройки, или относительная частота возмущающей силы Ь = п1к -- относительный коэффициент затухания. Коэффициент динамичности зависит от параметров ги Ь. Исследуем его изменение в зависимости от изменения г при фиксированных значениях Ь. [c.446]

Как отмечалось в 4.1, в консервативной нелинейной системе установление стационарной амплитуды характеризуется уменьшением до нуля величины вкладываемой энергии и реализуется за счет изменения средних значений нелинейных реактивных параметров (емкости или индуктивности). В диссипативной же системе достижение энергетического баланса и соответственно установление стационарной амплитуды происходит при отличных от нуля вложениях энергии и может осуществляться не только за счет эффективной расстройки системы, связанной с изменением среднего значения одного из реактивных параметров системы, но при наличии в возбуждаемой системе нелинейного затухания и путем изменения величины потерь. Если в возбуждаемой системе значения L и С не зависят от величин тока и напряжения, а эффективные потери растут с увеличением амплитуд колебаний быстрее, чем квадрат последней, что соответствует возрастанию величины R или нагрузки с увеличением тока (это весьма легко реализовать, например, за счет термических эффектов), то можно ввести в рассмотрение медленно меняющееся затухание и представить дело так, как будто с ростом амплитуды возбужденных колебаний увеличивается наклон прямой, проходящей через вершины областей неустойчивости, и области неустойчивости поднимаются вверх (см. рис. 4.3, б). Это будет происходить до тех пор, пока изображающая точка, ранее находившаяся внутри одной из областей неустойчивости, не окажется на ее границе, что будет свидетельствовать о наступлении энергетического баланса. [c.161]

Величина оптимального зазора меняется в зависимости от параметра I, называемого коэффициентом расстройки, выражающего отношение частот собственных колебаний о ударной массы на пружинах и вынужденных колебаний с частотой вращения эксцентриков [c.32]

В случае синусоидальной электродвижущей силы е = Ej sin ( Лр Д -о) t амплитудные значения тока и напряжений на реактивных элементах выражают чере параметры и обобщенную расстройку [c.554]

Возбуждают параллельный колебательный контур обычно пентоды, анодная цепь которых почти не влияет на резонансные свой чз контура (фиг. 1). Поэтому внешнее воздействие на параллельные контуры задают генератором тока — источником синусоидального тока с бесконечно большим внутренним сопротивлением. Z параллельного контура выражают через параметры и обобщенную расстройку [c.554]

Коэффициент усиления РУ с одиночным и связанными контурами в зависимости от расстройки и параметров схемы определяется по формулам [c.573]

Важное значение имеет вопрос о расстройке демпфера, т. е. об отклонении его параметров от оптимальных расчетных. На рис. 10 построены зависимости для силы от величины демпфирования при оптимальной жесткости (кривая 1) и от величины жесткости демпфера при оптимальном демпфировании (кривая 2). Из рис. 10 видно, что при уменьшении демпфирования по сравнению с оптимальным амплитуды силы растут более резко, чем при его увеличении. И наоборот, при уменьшении жесткости силы уменьшаются крайне незначительно и резко растут при ее увеличении. Анализ показал, что оптимальный демпфер обеспечивает минимальное рассеяние энергии в демпфере. [c.143]

Специфика инерционного динамического гашения, связанная с осуществлением условий антирезонанса, приводит к тому, что по обе стороны от настроечной частоты пружинного гасителя возникают резонансные частоты (рис. 2), поэтому расстройка системы с гасителем, вызванная, например, изменением частоты возбуждения или параметров системы, может полностью изменить ситуацию, приведя к опасной раскачке. Чувствительность системы к указанной расстройке определяется зависимостью собственных частот системы с гасителем сОу (/= 1,2) от параметров системы. Выражение для 1,2 собственных частот получается, если приравнять нулю знаменатель в (4) при Рг = 0 и разрешить полученное уравнение относительно со, обозначив со через со . [c.329]

В световодах с сильным двулучепреломлением нельзя пренебречь расстройкой групповых скоростей между быстрой и медленной поляризационными компонентами входного импульса. Такая расстройка должна расщепить солитон на отдельные компоненты вдоль обеих осей при условии, что угол входной поляризации 0 не совпадает с О или 90°. Продолжают ли эти компоненты удаляться друг от друга или остаются поблизости , зависит от начальных параметров. Эффект расстройки групповых скоростей исследовался при численном рещении уравнений (7.1.28) и (7.1.29). Если предположить 2х = Рг,. = Pj и использовать безразмерные переменные из разд. 5.2, эти уравнения приобретают вид [42] [c.191]

Этот раздел посвящен важному случаю, когда членами со вторыми производными в уравнениях (7.4.1) и (7.4.2) можно пренебречь в предположении, что L L[,. Расстройка групповых скоростей учитывается через параметр d(Lyy < L). Поскольку форма импульсов не меняется, уравнения (7.4.1) и (7.4.2) можно решить аналитически. Общее решение имеет вид [c.199]

Потерями в световоде мы пренебрегли, полагая UjL 1 (/= 1 или 2). Второй член в уравнении (7.4.20) описывает расстройку групповых скоростей обоих импульсов. Выбор плюса или минуса зависит от знака параметра d, определенного в (7.4.3). [c.206]

Ак задано уравнением (10.5.2) после замены Юр на oj. Параметр х-это остаточная расстройка волновых векторов, возникающая при oi Юр. Члены, пропорциональные у, связаны с процессами ФСМ и ФКМ и, вообще говоря, должны учитываться. [c.312]

Статистические исследования синхронно-накачиваемых лазеров показали, что основным дестабилизирующим фактором, влияющим на воспроизводимость выходных параметров, является нестабильность периода следования импульсов накачки, эквивалентная флуктуирующей расстройке длин резонаторов. Этот вывод хорошо согласуется с результатами экспериментов 27]. [c.253]

В некоторых случаях в схеме касательного синхронизма целесообразно фокусировать накачку [16, 166, 169, 170, 175, 177]. При этом угол фокусировки, конечно, должен быть не слишком велик, чтобы условие касательного синхронизма нарушалось для крайних лучей накачки не слишком сильно. Лучевой анализ позволяет и в этом случае оценить основные параметры преобразователя. Волновая расстройка как функция угла ф1г, под которым идет данный ИК-луч, дается формулой (рис. 2.4, а) [c.49]

Основными параметрами в выписанных выше выражениях являются соотношение интенсивностей пучков накачки г, константа связи 7/ и частотная расстройка между сигнальной волной и волнами накачки (бГо)-Рассмотрим по порядку влияние всех этих факторов. [c.90]

Поворотным моментом в развитии понятия динамической голограммы явилось осознание того важнейшего факта, что в динамической голографической сред записывающие световые пучки сами испытывают дифракцию на записываемой голограмме. Последнее, в частности, существенным образом меняет весь процесс голографической записи, поскольку записываемая голограмма, оказывая влияние на записывающие пучки, изменяет ход своей дальнейшей записи и т. д. Вместе с этим наличие таких эффектов позволяет рассматривать динамические голографические среды как частный случай нелинейно-оптических сред, в которых наблюдается эффект типа рассеяние света на свете [6.4]. Как будет показано ниже, подобный более адекватный подход к ФРК как к динамической голо-графической среде требует отказа от традиционных голографических характеристик типа т] и S и перехода к новым параметрам. В последующем анализе нами в качестве такой универсальной характеристики будет использоваться комплексная константа взаимодействия Y, которая при учете ее зависимости от величины частотной расстройки между записывающими световыми пучками Аю позволяет описывать самый широкий круг явлений динамической голографии. [c.104]

В этом параграфе речь пойдёт о реализации идеи спин-локинга в оптике. Впервые такой вопрос был поставлен и экспериментально реализован в 1986 году А. Зевейлом с коллегами [179]. Оптическому диапазону присущи характерные особенности по сравнению с ЯМР-диапазоном. Первая из них состоит в том, что энергетические оптические расщепления уровней (скажем, ионов в кристалле) определяются внутрикристаллическим и внутриионным полями, а не магнитным полем Но, как это имеет место в ЯМР-диапазоне. Как следствие, при переносе идеи магнитного охлаждения в оптику мы не можем эффективно использовать изменение магнитного поля Щ, но всё же мы можем осуществить варьирование амплитуды электрического поля лазерного излучения и изменение параметра расстройки. [c.173]

Когда ограничение амплитуды осуществляется за счет нелинейного сопротивления при постоянных средних значениях реактивных параметров, форма кривых параметрического резонанса имеет вид, показанный на рис. 4.2]. Здесь характерна симметрия кривой параметрического резонанса и отсутствие неустойчивых ветвей и скачкообразных изменений амплитуды при монотонном изменении расстройки. По-прежнему в качестве оспопного признака параметрического резонанса остается существование конечного инзервала [c.162]

Из этого выражения отчетливо видна несимметрия области параметрического резонанса, о которой речь шла выше. Несимметрию области параметрического резонанса для колебательной системы с нелинейным реактигным параметром и генератором накачки можно объяснить также качественно. Дело в том, что в рассматриваемом нелинейном колебательном контуре при воздействии на него напряжения накачки возникают вынужденные колебания, которые изменяют среднее значение емкости системы, чем и объясняется начальная расстройка контура в отсутствие параметрически возбужденных колебаний (несимметрия и относительно оси ординат). [c.178]

ЯВЛЯЮТСЯ два резонансных пика, что является следствием расслоения собственных частот, которые располагаются между этими резонансными пиками. При больших расстройках два резонансных пика Могут четко проя-виться для точек, где наблюдается максимум амплитуд. Наоборот, при очень малых расстройках два резонансных пика сливаются в один даже в точках, где резонансные амплитуды были минимальны. Искажение резонансных кривых по сравнению с номинальной резонансной кривой требует особой осмотрительности при использовании результат01В тензо-метриравания подобных систем для оценки их демпфирующих характеристик по параметрам резонансной Кривой. [c.177]

Среди нестационарных процессов вынужденного рассеяния Света особое место занимает комбинац. рассеяние (КР), к-рое широко используется для измерения спектроскопич. параметров среды. При КР падающее излучение частоты Шд преобразуется в излучение стоксовой частоты д за счёт возбуждения колебаний среды на частоте Q (Юд = Юд 4- 3). Нестационарное вынужденное КР может быть обусловлено как инерционностью, напр. молекулярных колебаний (конечными временами затухания колебат. энергии Тх и дефазиров-ки Т , см. Двухуровневая система), так и расстройкой групповых скоростей волн накачки Мд и стоксовой волны Цд. Эффекты, связанные с (в конденсир. средах ж с), могут наблюдаться в чистом ви- [c.339]

При идеальных условиях постоянная времени керровского затвора ограничена временем отклика нелинейности 2 4 фс. На практике тем не менее дисперсия в световоде ограничивает постоянную времени до величин от 1 пс до 1 не в зависимости от значения рабочих параметров [13]. Ограничивающий фактор-расстройка групповых скоростей сигнального излучения и излучения накачки. Относительная групповая задержка определяется как [c.181]

Хотя групповая скорость одинакова для волны накачки и стоксовой волны, их относительная скорость равна 2v , так как они распространяются навстречу друг другу. Релаксационные колебания возникают как следствие этой эффективной расстройки групповых скоростей. Частоту и скорость затухания релаксационных колебаний можно получить, анализируя устойчивость стационарного решения уравнений (9.2.7) и (9.2.8) аналогично тому, как это делалось в разд. 5.1 в случае модуляционной неустойчивости. Действие внешней обратной связи можно учесть, взяв соответствующие граничные условия на концах световода [23]. Такой линейный анализ устойчивости дает также условия, при которых непрерывный сигнал становится неустойчивым. Расс.мотрим небольшое возмущение уровня непрерывного сигнала, затухающее как ехр(-Лг), где комплексный параметр Л можно определить, линеаризуя уравнения (9.2.12) и (9.2.13). Если действительная часть Л положительна, возмущение затухает экспоненциально с релаксационными колебаниями частотой = 1т(Л)/2л. Если же действительная часть h отрицательна, возмущение возрастает со временем и непрерывный сигнал становится неустойчивым. В этом случае ВРМБ ведет к модуляции интенсивностей накачки и стоксова излучения даже в случае непрерывной накачки. На рис. 9.4 показаны области устойчивости и неустойчивости при наличии обратной связи в зависимости от фактора усиления tj L, определенного [c.266]

Вклад материальной дисперсии в расстройку волновых векторов вблизи длины волны нулевой дисперсии, равной в обычных световодах 1,28 мкм, становится малым и меняет свой знак. Волноводный вклад Акц зависит от конструкции световода, но обычно положителен для длин волн близи 1,3 мкм. В ограниченной области длин волн накачки и для определенных значений частотного сдвига расстройка А/сд, может компенсировать величину Ак + Акщ,. На рис. 10.7 показано поведение Ак и Ак - (без учета A/ jvl) для световода с диаметром сердцевины 7 мкм и с разностью показателей преломления 0,006 [15]. Сердцевина легирована германием (мол 6%). Сдвиг частоты зависел от мощности накачки на длине волны и менялся в щироком диапазоне 1 -100 ТГц. Ои также чувствителен к вариациям диаметра сердцевины и разницы показателей преломления. Эти два параметра могут использоваться для подбора частотного сдвига при заданной длине волны накачки [16]. [c.295]

Существенной особенностью лазеров с комбинированной синхронизацией мод оказывается сравнительно слабая зависимость длительности импульса генерации от расстройки длин резонаторов [29]. Это снижает требования к точности настройки резонаторов и стабильности параметров лазера накачки. В области больших отрицательных расстроек длительность импульса практически не меняется при изменении AL, а падает его энергия. При дальнейшем увеличении jALI наступает новый режим генерации — пульсирующий. В этом режиме импульс формируется за 400—500 проходов, затем медленно перемещается вперед во времени и пропадает, далее начинает формироваться новый импульс и процесс повторяется. Импульсов сателлитов, или сложной субструктуры при этом не наблюдается. [c.254]

RED — ввод данных и режима интегрирования исходных уравнений. Входными данными для этой подпрограммы является импульс на входе усилителя. Он может вводиться с магнитной ленты как результат численного расчета излучения задающего генератора с использованием пакета программ IMPOULS, либо таблица экспериментальных данных. Возможен расчет по аппроксимирующим формулам с помощью подпрограммы POW и PHSy описывающих соответственно изменение во времени амплитуды и фазы входного импульса. Кроме формы импульса вводятся параметры, характеризующие наличие или отсутствие фазовой модуляции (в случае задачи когерентного взаимодействия входного импульса со средой) частный случай длительности импульса в соответствии с которым система уравнений (2.21) переходит в систему уравнений (2.22). Входными параметрами являются также число проходов через усиливающую среду, частотная расстройка, нерезонансные потери. В подпрограмме выбирается шаг интегрирования как в пространстве, так и во времени, а также ряд параметров численного интегрирования и управления печатью. [c.113]

Теория стационарной однонаправленной генерации кольцевого ФРК-лазера на двухпучковом смешении [1, 2, 4], основанная на приближении плоских волн, при заданных внешних параметрах (накачке Ii (0), расстройке резонатора AL, потерях за проход (а/ — In Л) и выполнении фазового условия генерации (4.1) определяет безразмерный сдвиг частоты генерации [c.129]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...