Упругие постоянные ионных кристаллов

Следствия из отклонений от соотношений Коши-Пуассона. Выше в этой главе мы всюду предполагали, что ионы сферически симметричны и силы их взаимодействия также сферически симметричны. Если бы это предположение выполнялось в точности, три упругие постоянные >) Сц, с,2 и Сц для кубических кристаллов должны были бы [c.108]

В 7.2 и 7.3 представлена общая нелинейная феноменологическая модель с соответствующими нелинейными полевыми и определяющими уравнениями, не зависящая от типа рассматриваемого кристалла. В 7.4 приведены линейные уравнения для упругих ионных кристаллов и показана их обоснованность с точки зрения динамики решеток. В 7.5—7.8 рассматриваются приложения линейной теории, когда введение градиентов поляризации существенно особое внимание здесь уделяется поверхностным эффектам ц эффектам пограничных слоев. В 7.9 даны линеаризованные уравнения для кристаллов сегнетоэлектрика, поведение которых характеризуется наличием постоянной электрической поляризации. [c.434]

Равновесные свойства. Целый ряд равновесных свойств кристаллов, проявляющихся при любой температуре, удается удовлетворительно объяснить лишь при учете ангармонических членов в энергии взаимодействия ионов. Важнейшее из них — эффект теплового расширения. У строго гармонического кристалла равновесные размеры не зависели бы от температуры. На существование ангармонических членов указывает зависимость упругих постоянных от объема и температуры, а также несовпадение адиабатических и изотермических упругих постоянных. [c.116]

Упругие постоянные ионных кристаллов. Методы, указанные в 82, можно,. очевидно, применить к вычислению упругих постоянных хлористого натрия и гидрида лития. Эти вычисления были проделаны только для сжимаемости хлористого натрня. Результаты приводятся в таблице ЬХУП. [c.413]

Неадиабатическое электронно-колебательное взаимодействие. Неадиабатическое электронно-колебательное взаимодействие также приводит к температурному сдвигу и температурному уменьшению времени жизни электронного уровня, тем самым и к уширению чисто-электрон-ной линии и ее колебательных повторений. Неадиабатическое уширение может иметь ярко избирательный характер в случае совпадения энергий некоторых колебательных подуровней двух (и более )электронных состояний, когда возникает ситуация, близкая к состоянию преддиссоциации в молекулах. Расчет для мелких электронных ловушек в полупроводниках, глубина которых сравнима с энергиями предельных оптических фононов и где, следовательно, учесть неадиабатичность необходимо, проведен в работе [130]. Аналогичное рассмотрение выполнено также Кривоглазом [131]. Однако и в случае глубоких локальных состояний электронов в примесных центрах ионных кристаллов неадиабатичность, являющаяся здесь обьпсно малой поправкой, может ярко проявляться из-за чрезвычайной чувствительности чисто-электронной линии в случае малого изменения упругих постоянных при электронном переходе она может играть роль основной причины температурного уширения чисто-электронной линии. Это в особенности существенно в тех случаях, когда поблизости от возбужденного электронного уровня имеются другие электронные состояния, например, если соответствующий электронный уровень расщеплен на компоненты, расстояния между которыми порядка 10" эв. В работе Б. 3. Малкина [93] показано, что, исходя из предположения о неадиабатической связи между возбужденными уровнями Сг , как причине температурного сдвига и уширения / -линии рубина, можно прийти к согласующимся с экспериментом выводам. [c.38]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...