Решетка кристаллическая базис

Рассмотрим более подробно внутреннюю структуру кристаллов. Для ее описания удобно воспользоваться понятием кристаллической решетки. Различают простые решетки (решетки Бравэ) и решетки с базисом. [c.12]

Рис. 1.26. Кристаллическая структура хлористого цезия. Пространственной решеткой является простая кубическая решетка, а базис состоит из иона Сз+ с координатами ООО и иона С1- с координа-I 1 1 тами у у у-

Кристаллические структуры. Описать кристаллические структуры гексагонального 7.пО и Ы Лз. Определить используемую кристаллическую решетку и базис. [c.58]

КУБИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ ПРИМИТИВНАЯ ЯЧЕЙКА, ЯЧЕЙКА ВИГНЕРА — ЗЕЙТЦА И УСЛОВНАЯ ЯЧЕЙКА КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ И РЕШЕТКИ С БАЗИСОМ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ ПЛОТНОУПАКОВАННАЯ СТРУКТУРА И СТРУКТУРА ТИПА АЛМАЗА СТРУКТУРЫ ТИПА ХЛОРИДА НАТРИЯ, ХЛОРИДА ЦЕЗИЯ И ЦИНКОВОЙ ОБМАНКИ [c.76]

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА. РЕШЕТКА С БАЗИСОМ [c.86]

Чтобы еще раз убедиться в справедливости наших рассуждений, полезно взять периодическую таблицу химических элементов и посмотреть, какова кристаллическая структура веществ, которые в твердом состоянии не обладают тепло- и электропроводностью. Оказывается, что они либо имеют четную валентность, либо их кристаллическую структуру (например, у галогенов) можно представить в виде решетки с базисом из четного числа атомов. Это подтверждает сформулированное выше общее правило. [c.227]

См. также Кристаллические системы Типы решеток Бравэ Решетка обратная см. Обратная решетка Решетка прямая 195 Решетка с базисом 186, 87 [c.438]

Упорядочение атомов в сплавах. Этот тип переходов встречается очень часто в сплавах металлов, а иногда и неметаллов. Сущность этого перехода можно уяснить из следующих соображений. Пусть, например, в кристалле сплава состава АзВ, кристаллическая решетка которого выше некоторой критической температуры Тс, называемой обычно точкой Кюри — Курнакова, является, скажем, ГЦК решеткой, ниже этой температуры атомы А перемещаются преимущественно в центры граней (а-позиции), а атомы В — в вершины кубов (р-позиции). Это будет означать, что выше Тс атомы разного сорта будут размещаться по узлам ГЦК решетки неупорядоченно (хаотически), а ниже — избирательно, упорядоченным образом. При этом решетка превратится из ГЦК решетки в простую кубическую, но с базисом, состоящим из трех а и одного р узлов. В результате такого перехода изменится симметрия кристалла. Нередко изменение симметрии сопровождается и объемными изменениями. Очевидно, что в этом случае переход может быть н непрерывным и скачкообразным, т. е. быть переходом как I, так и II рода. Несколько подробнее эти переходы будут рассмотрены далее на основе статистической теории. [c.261]

Титановые а-сплавы имеют гексагональную плотноупакованную кристаллическую решетку, отличающуюся высокой анизотропией упругих, пластических и прочностных свойств. Наименьшим сопротивлением сдвигу обладают плоскости с максимальной атомной плотностью. У л-титана и большинства его сплавов наибольшая атомная плотность наблюдается в плоскости призмы- ЮЮ , она составляет 1,260 аТома на ячейку. В плоскости базиса атомная плотность значительно [c.17]

Механические свойства бериллия связаны со способом его изготовления, однако в основном они зависят от наличия у него гексагональной плотно-упакованной кристаллической решетки, характеризующейся высокой степенью ориентации. При комнатной температуре напряжение излома по плоскости базиса меньше напряжений сдвига по плоскостям призмы 10 10 [31]. Следовательно, при комнатной температуре бериллий подвержен излому по плоскости основания, хотя он обладает значительным удлинением по плоскостям призмы при любой степени чистоты, даже при содержании до 2% присадок других элементов. [c.62]

По форме ЭЯ и соответственно по совокупности элементов симметрии ПР делятся на семь сингоний, или систем (рис. 5.2, табл. 5.1 и 5.2). Эти сингонии в свою очередь подразделяются на три категории, различающиеся но числу единичных направлений высшая (кубическая), средняя (гексагональная, тетрагональная, ромбоэдрическая), низшая (ромбическая, моноклинная, триклинная) сингонии. Из 14 решеток Бравэ семь простых (или примитивных), т. е. таких, которые строятся осе-выми трансляциями к узлам в вершинах параллелепипедов повторяемости, а семь сложных, т. е. таких, которые строятся трансляциями к точкам, находящимся либо в центрах граней ЭЯ (базо- и гранецентрированные ячейки), либо в центре объема ЭЯ (объемноцентрированные ячейки, см. рис. 5.2). Сложные ячейки характеризуются так называемым базисом. Базис представляет координаты минимального числа узлов, трансляцией которых строится пространственная решетка (табл. 5.3). В применении к кристаллическим структурам сложных веществ определение базиса включает координаты частиц с указанием их химической природы. Целесообразно оставить понятия пространственная решетка или кристаллическая решетка за решетками Бравэ (абстрактный, математический образ кристалла), а для действительных струк- [c.96]

ЧИСЛО основных периодов кристаллической решетки, называют решеткой Бравэ кристалла. Таким образом, каждый атом базиса определяет свою решетку Бравэ, а вся сложная кристаллическая решетка как бы состоит из вдвинутых друг в друга ji простых решеток Бравэ. [c.23]

Важными характеристиками кристаллической решетки являются коэффициент компактности, координационное число, базис. [c.19]

Базис кристаллической решетки - это таблица координат атомов, принадлежащих элементарной ячейке, рассматриваемой в пространственных координатных осях. Базис простой кубической решетки (0,0,0), ОЦК - (0,0,0 1/2,1/2,1/2), ГЦК-(0,0,0 1/2,0,1/2 0,1/2,1/2 1/2,1/2,0). [c.20]

Что такое базис кристаллической решетки [c.22]

Основная причина низкой пластичности и анизотропии свойств магния и его сплавов — их кристаллическая структура. Магний имеет г. п, решетку с отношением осей с/а = 1,624, что близко к теоретическому значению. Поэтому деформация его при обычных температурах происходит практически целиком за счет скольжения по плоскостям базиса (0001) в направлении <1120> [245], Наличие только базисной плоскости скольжения в поликристалличе-ском материале резко ухудшает условия совместной деформации зерен и обусловливает низкую пластичность. Ограниченность систем скольжения, а также наличие текстуры в магниевых сплавах — причина высокой анизотропии их механических свойств. [c.117]

Высокая пластичность титана при 20° С по сравнению с пластичностью других металлов (Мд, 2п, Сс1), имеющих подобную (гексагональную) кристаллическую решетку, обусловлена наличием сравнительно большого числа (примерно 30) возможных систем. скольжения и двойникования. Так, при 20° С в титане имеется 12 систем скольжения (рис. 11) три призматические плоскости первого порядка (1010), шесть пирамидальных плоскостей первого порядка (1011), три плоскости базиса (0001) и 18 плоскостей двойникования. Предполагают, что одной из причин высокой пластичности титана является различие отношений осей решетки с/а у него и у магния, кадмия, цинка. Отношение с/а для идеаль- [c.54]

Гексагональное строение кристаллической решетки магния и его сплавов обусловливает некоторые особенности процесса деформации и свойств получаемых полуфабрикатов. При 20° С этот металл малопластичен, так как в гексагональной системе скольжение (сдвиг) происходит только по одной плоскости базиса (см. рис. 11). При нагревании выше 200—225° С появляются новые (дополнительные) плоскости и направления скольжения (плоскости пирамиды первого ряда первого порядка), что сопровождается резким повышением пластичности металла. Поэтому все виды обработки давлением сплавов магния, включая листовую штамповку, осуществляют при нагревании сплавов. Благодаря ограниченному числу плоскостей скольжения гексагональной решетки магния и пониженной скорости протекающих в нем диффузионных процессов, технологическая пластичность магния и его сплавов, в отличие от сплавов алюминия, сильно зависит от скорости деформации. [c.131]

Существенной характеристикой кристаллической структуры является также число атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку — базис решетки. [c.89]

В практических расчетах почти всегда удается использовать ортогональные базисы, поскольку кристаллические решетки мало отличаются от кубических или тетрагональных (имеется в виду, что и гексагональная решетка дана в тетрагональных геях). Поскольку. нет необходимости в применении смешанных матриц 0i или P i, вместо [c.10]

Основными характеристиками пространственных кристаллических решеток являются базис решетки и ее координационное число. [c.100]

Многие свойства металлов, и в первую очередь их плотность, определяются координационным числом и базисом решетки чем больше координационное число и базис, тем больше плотность металла. Отсюда следует, что ]]аиболее компактными решетками являются гранецентрированная кубическая решетка (К12) и гексагональная плотноупакованная решетка (Г12). Следовательно, металлы, имеющие эти типы кристаллических решеток, обладают наибольшей плотностью. Такими металла.ми являются -железо, магний, цинк и др. [c.101]

Базис кристаллической решетки составляют атомы, принадлежащие одной элементарной ячейке. Учитывая повторяемость элементарных кристаллических ячеек по всему объему кристалла, можно определить число атомов, приходящихся на долю каждой ячейки. В зависимости от типа решетки это число будет разным. Например, в объемноцентрированной кубической решетке каждый из восьми атомов, находящихся в узлах элементарной ячейки, входит в состав восьми других элементарных ячеек. Только атом, расположенный в центре, принадлежит данной элементарной ячейке. Таким образом, на долю каждой элементарной ячейки приходится два атома (8 8 -+-1=2). В гранецентрированной кубической решетке восемь атомов, находящихся в узлах элементарной ячейки, входят также в состав восьми других элементарных ячеек, а каждый из шести атомов, расположенных в центрах граней, принадлежит одновременно двум элементарным ячейкам. Следовательно, на одну элементарную ячейку гранецентрированной кубической решетки приходится четыре атома (8 84-6 2 = 4). Базис решетки в первом случае равен 2, а во втором — 4. [c.32]

Кристаллическая решетка базис 128 [c.1194]

Упрочнение металлов и сплавов связано либо с усилением всех связей между атомами, либо с усилением наиболее слабых связей, лимитирующих прочность кристаллических тел. Происходящее при этом изменение энергии ( г), длины ( /) и характера химической связи сопровождается малыми изменениями атомных радиусов Ri), межплоскостных расстояний ( г) и параметров (а,) кристаллической решетки или же ее базиса (а,). [c.51]

Рис. 1.24. Кристаллическая структура хлористого натрия. Пространственной решеткой является грапецентрирован-ная кубическая решетка, а базис состоит из иона N3+ с координатами ООО

Мы вынуждены описывать г. п. у. структуру п структуру типа алмаза как решетки с базисол из-за присущего им геометрического расположения точек решетки. Однако решетку с базисом приходится использовать и для описания таких кристаллических структур, в которых атомы или ионы находятся лишь в точках решетки Бравэ, но полная трансляционная симметрия решетки Бравэ тем не менее отсутствует, поскольку [c.91]

Идеальный, кристалл можно построить путем бесконечного зако нбмерноТо повторения в пространстве одинаковых структурных единиц. Структурная единица наиболее простых крйсталлЬв (например, меди и серебра) состоит из бдного атома, в более сложных она может содержать несколько атомов или молекул. Кристаллическая структура описывается с помощью периодически повторяющейся в пространстве элементарной- части кристаллической решетки, имеющей фор,му параллелепипеда и называемой элементарной ячейкой, с каждой точкой которой связана некоторая группа атомов. Эта группа атомов, называемая базисом, повторяется в пространстве и образует кристаллическую структуру. [c.50]

В 1982 г. выпущено учебное пособие Практическое рукоаодст-по кристаллографии и кристаллохимии. Методы описания кристаллических многогранников . В настоящем пособии приведены основные методы описания кристаллических структур, включая определение пространственной группы симметрии, правильных систем точек, базиса кристаллической структуры,. символов атомных плоскостей и атомных рядов в кристаллических структурах, метод обратной решетки. Описаны кристалли 4еские методы представления и расчета кристаллических структур, в том числе эпитаксиальных. [c.27]

Титан относится к парамагнитным металлам, магнитная восприимчивость его, по данным различных авторов, составляет при 20°С 3,2 1(7 см /г. Она повышается с возрастанием температуры от —200 до +800°С по линейному закону. Температурный коэффициент в этом интервале составляет 0,0012-10 см /(г-°С). В области а->- 3-превращения наблюдается резкое возрастание восприимчивости. Так же, как и другие физические характеристики, магнитная восприимчивость титана зависит от кристаллографической направленности. Максимум удельной магнитной восприимчивости наблюдается вдоль плоскости призмы параллельно оси с кристаллической решетки, минимум —параллельно плоскости базиса. Легирование а-фазы приводит, как правило, к снижению удельной магнитной восприимчивости. Однако температурная зависимость магнитной восприимчивости в этом случае может отклоняться от линейной. По величине этого отклонения и температурному интервалу, в котором оно происходит, можно судить об образовании интерметаллических соединений или их предвыделений. [c.6]

Описание структурной модели. Результаты представленных в 2.1 экспериментальных исследований, а также приведенные в п. 2.2.1 представления о неравновесных границах зерен являются базисом для разработки структурной модели наноструктурных материалов, полученных ИПД [12, 150, 207]. Предметом этой модели является описание дефектной структуры (типов дефектов, их плотности, распределения) атомно-кристаллического строения наноструктурных материалов, а задачей — объяснение необычных структурных особенностей, наблюдаемых экспериментально высоких внутренних напряжений, искажений и дилатаций кристаллической решетки, разупорядочения наноструктурных интерме-таллидов, образования пересыщенных твердых растворов в сплавах, большой запасенной энергии и других. На этой основе становится возможным объяснение, а также предсказание уникальных свойств наноструктурных материалов (гл. 4 и 5). Вместе с тем, как было показано выше, типичные наноструктуры в сплавах, подвергнутых ИПД, весьма сложны. Более простым является пример чистых металлов, где основным элементом наноструктуры выступают неравновесные границы зерен. Структурная модель металлов, подвергнутых ИПД, может быть представлена следующим образом. [c.99]

На основании изложенных данных можно высказать соображения о причине повышения твердости и износоустойчивости сплавов при различных способах термической или механической их обработки. Упрочнение металлов и сплавов связано либо с усилением всех связей между атомами, либо с усилением наиболее слабых связей, лимитирующих прочность кристаллических тел. Происходящее ири этом изменение энергии Ei, длины L,- и характера химической связи сопровождается малыми изменениями атомных радиусов межплоско-стных расстояний и параметров кристаллической решетки или же ее базиса а... [c.12]

Лнизотропш межатомных связей. Она впервые обнаружена Авербахом [85] и выражается в том, что в плоскости базиса сосредоточена металлическая межатомная связь, а между этими плоскостями -ковалентная. Это приводит к аномально низкому значению удельной поверхностной энергии для плоскости базиса (у ооо = 0,232 Дж/м ), что в 4-5 раз меньше, чем для других основных плоскостей. При том, что плоскости базиса удалены друг от друга на расстояния существенно большие, чем плоскости призмы (для бериллия с/а = 1,5671, где с -параметр кристаллической решетки вдоль оси базиса), низкие значения 7 0001 обусловливают появление в бериллии слабого звена для разрушения напряжения связи для базисных плоскостей невелики и составляют всего Ср= УлОоо1/с - 0,232/3,5833 10 650 МПа. [c.277]

Кристаллическ решетку характеризуют следующие основные параметры период, координационное число, базис и коэффициент компактности. [c.6]

Если одинаковые атомы располагаются только в углах элементарной ячейки, кристаллическую решетку называют простой. Поскольку у ячейки восемь вершин и в каждой вершине сходятся восемь ячеек, в простой решетке на элементарную ячейку приходится по одному атому (иону, молекуле). Если же в элементарную ячейку попада ет (fA>l) атомов, одинаковых или различных, решетку называют сложной, а совокупность атомов, приходящихся на элементариую ячейку,— базисом кристаллической решетки. Элементарная ячейка, повторяясь, заполняет всю решетку. При этом каждый атом базиса повторяется с периодами ai, aj, аз. [c.22]

Существенные результаты, необходимые для понимания закономерностей фазо- и кристаллообразования в слоях диффузионного насыщения, были получены в [78], где изучались карбидные слои в поли-кристаллическом текстурированном молибдене с размером зерна 500 мкм и менее 100 мкм. При одинаковой текстуре [100] можно было выявить роль границ зерен в проЦесЬе отбора кристаллов карбида молибдена при их росте. Было установленоj что при насыщении образцов с размером зерна менее 100 мкм поверхностный слой из карбида молибдена имеет преимущественную ориентировку, в которой плоскости базиса решетки параллельны плоскости 100 насыщаемого молибдена. Для крупнозернистых образцов преимущественная ориентировка карбидного слоя развивается таким же образом, как и при насыщении монокристаллов. [c.116]

В кубической объемноцент-рированной решетке (рис. 18, б и 19, а) кроме восьми атомов, находящихся в вершинах куба, имеется один атом внутри решетки, принадлежащий только одной элементарной ячейке. Таким образом, на каждую элементарную ячейку в этом случае приходится два атома. Эта решетка обозначается индексом К8. Базисом кристаллической решетки называют число атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку. Базис характеризует плотность решетки, ибо в каждой решетке кроме объема, занимаемого атомами, остается еще свободное пространство. [c.60]

Рис. 30. Модель кристаллической решетки магния и основные плоскости и направления скольжения АВСОЕ — плоскость базиса (0001) Ов — направление скольжения А ОВ — плоскость пирамиды первого рода первого порядка (1011) А КВ — плоскость пирамиды первого рода второго порядка (1012) 00 — гексагональная ось

Простейщим типом кристаллического построения является кубическая решетка (рис. 3). Но в простой кубической решетке атомы уложены (упакованы) недостаточно плотно. Поэтому стремление атомов занять места, наиболее близкие друг к другу, приводит к образованию новых типов решеток (рис. 4). Кристаллические решетки характеризуют следующие основные параметры период решетки, координационное число, атомный радиус, энергия решетки, базис и коэффициент компактности решетки. Периодом решетки называется расстояние (а, Ь, с) между центрами двух соседних частиц (атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки (см. рис. 3). [c.8]

Кристаллическая структура Число атомов на влементар-ную ячейку Базис решетки Координационное число (к. ч. ) Коэффициент заполнения т1, % [c.184]

В металлах с гексагональной кристаллической решеткой плоскостью скольжения обычно бывает плоскость базиса типа 0001), а направляениями скольжения — направления, совпадающие с диагональю шестиугольника (основания этой ячейки) типа [1001 [c.16]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...