Формирование положительного электрода

Формирование положительного электрода [c.136]

Рис. 4-16. Схема элементарных химических и электродных процессов на первой (а) и на второй (б) стадиях формирования положительного электрода

После намазки пасту в решетках уплотняют давлением, высушивают и формируют (подвергают электрохимической обработке). В процессе формирования, представляющем собой заряд при особых условиях, паста переходит в пористую активную массу. После формирования активная масса положительного электрода почти полностью состоит из двуокиси свинца, а отрицательного — из губчатого свинца. [c.10]

После точки D скорость роста защитной пленки превышает скорость ее химического растворения и начинается процесс формирования пленки, что приводит к аномальному уменьшению анодного тока при смеш,ении потенциала в положительную сторону. Процесс формирования защитной пленки завершается в точке Е при потенциале полной пассивности Доля поверхности электрода, покрытой защитной пленкой, и степень запассивирован-ности а в интервале потенциалов могут быть оценены [c.316]

Можно предположить какие факторы способствуют достижению максимального технологического эффекта - это условия для опережающего хода функции E(t) в твердом теле у потенциального электрода и торможения разрядного процесса у другого электрода. Решающее значение имеет выравнивание электрического поля в разрядном промежутке за счет внедрения объемного заряда и выноса на электроды потенциала земли при их заземлении. Чем раньше и эффективнее происходит внедрение разряда у потенциального электрода и раньше завершается формирование канала сквозного пробоя, тем меньшее развитие получает процесс у заземленного электрода, вследствие чего выше технологический эффект. В отношении этого условия вариант с положительной полярностью импульса (рис. 1.10а) предпочтительней, так как разрядный процесс у потенциального электрода начинается раньше, вынос потенциала на головку кистевого разряда приводит к резкому скачку напряженности поля в твердом теле и началу в нем разрядного процесса. Наоборот, внедрение объемного заряда в жидкость и на поверхность образца при отрицательной полярности импульса (рис. .10г,(),е) приводит к особенно значительному выравниванию электрического поля, снижению напряженности поля в твердом теле и сдерживанию развития разряда в нем. [c.28]

При приподнятом заземленном электроде (рис.1.10б,е) условия для формирования канала сквозного пробоя в твердом теле наихудшие, особенно на импульсах положительной полярности (рис. 1.1 Об). В данном случае при отсутствии выноса потенциала земли на поверхность образца геометрия электрического поля изменяется в сторону его вытеснения из твердого тела в жидкостную прослойку. В результате этого кистевой разряд от потенциального электрода перекрывает значительную часть разрядного промежутка. На импульсах положительной полярности финальная стадия разряда происходит через жидкостный промежуток без внедрения. [c.29]

После прохождения точки D (при потенциале Еп) скорость анодного роста защитной пленки уже превышает скорость ее химического растворения и начинается процесс формирования защитной пленки. Это и является причиной появления аномального хода анодной кривой, т. е. уменьшения анодного тока при смещении потенциала в положительную сторону. Процесс формирования защитной пленки завершается в точке Р при потенциале полной пассивности Ел.п. когда вся поверхность электрода покрыта сплошным 22 [c.22]

С ростом экспозиции экранирование внешнего поля увеличивается настолько, что в определенной части кристалла возникает область слабого поля, в которой Е (х, t) 0. Эту область называют узким горлом, поскольку прохождение через нее электронов, возбуждаемых светом, затруднено. Подходя к узкому горлу, фотоэлектроны замедляются и рекомбинируют. Происходит компенсация наиболее удаленной от электрода части положительного заряда там, где образуется узкое горло. Это ведет к тому, что толщина положительно заряженного слоя кристалла уменьшается и в свою очередь область узкого горла сдвигается в направлении отрицательного электрода. Одновременно вблизи электрода продолжает увеличиваться плотность положительного заряда. Эти процессы носят нелинейный характер и относятся ко второму этапу формирования внутреннего поля в кристалле, динамика которого изучалась теоретически в [4.50]. В нашем рассмотрении для простоты предположим, что все фотоэлектроны покидают область положительного заряда, поскольку узкое горло, связанное с границей положительного заряда, имеет координату Хо (t) С Lq. При таком предположении плотность положительного заряда [c.68]

Согласно (4.49), в отсутствие инжекции поле вблизи отрицательного электрода неограниченно возрастает с увеличением экспозиции. Очевидно, что такое невозможно в реальной ситуации. В [4.52, 4.53] показано, что поле у электрода с напряженностью в несколько сот кВ/см вызывает заметную инжекцию электронов с электрода в кристалл BSO. После того как поле достигает такой напряженности, инжекция оказывает существенное влияние на дальнейшее формирование поля и заряда, что является основной особенностью третьего этапа их эволюции под воздействием записывающего света. На этом этапе инжекция сначала замедляет, а затем полностью останавливает рост плотности положительного заряда в приэлектродной области. Последнее в свою очередь стабилизирует поле у контакта и, следовательно, ток инжекции, который устанавливается равным фототоку в кристалле. Отрицательный заряд с контакта частично компенсирует положительный заряд в приэлектродной области. В результате этого поле в области узкого горла возрастает, что позволяет заметной части электронов проникать через узкое горло в примыкающую часть кристалла. За узким горлом электроны захватываются на ловушки и образуют отрицательно заряженную область кристалла. Таким образом, формируется двойной заряженный слой положительный заряд располагается непосредственно у поверхности кристалла, а отрицательный — за узким горлом электрического поля. Двойной заряженный слой не экранирует внешнего поля, поэтому на третьем этапе на достаточном удалении от отрицательного электрода возрастает до величины, близкой к [c.70]

О характере влияния адсорбированных молекул воды, равно как и кислорода, на заряд поверхности металла можно судить по величинам измеряемых потенциалов металлов под адсорбированными слоями влаги. Скорчеллетти [71] обнаружил, что разность потенциалов между каплей ртути и железным образцом, покрытым ранее сформированным слоем ржавчины, возрастаете увеличением относительной влажности воздуха. В последующем электрохимическими методами удалось измерить величины потенциалов железа, цинка, меди и алюминия под адсорбированными слоями влаги по отношению к стандартным электродам сравнения [72]. Характерной особенностью является то, что в первый период формирования адсорбционного слоя влаги потенциалы мета-лов лежат в положительной области, достигая значений от [c.162]

Дуговая автоматическая сварка порошковой проволокой с принудительным формированием сварного шва— вид сварки, при котором дуга горит между электродом (порошковой проволокой) и изделием, а сварной шов формируется с помощью охлаждаемых медных ползунов (рис. 7). Сварка вьшолняется преимущественно в вертикальном и наклонном положении. Имеется положительный опыт сварки в горизонтальном положении на вертикальной плоскости. Возможно появление наружных и внутренних дефектов, связанных с недостаточно хорошим качеством порошковой проволоки и наруш,ени- [c.8]

При аргонодуговой сварке постоянным током неплавящимся электродом используют прямую полярность. Дуга горит устойчиво, обеспечивая хорошее формирование шва. При обратной полярности устойчивость процесса снижается, вольфрамовый электрод перегревается, что приводит к необходимости значительно уменьшить сварочный ток. Вследствие этого производительность сварки снижается. При автоматической и полуавтоматической сварке плавящимся электродом применяется постоянный ток обратной полярности, при котором обеспечивается высокая производительность. Кроме того, при сварке алюминия, магния и их сплавов происходит мощная бомбардировка поверхности сварочной ванны положительными ионами, что наряду с процессом катодного распыления приводит к разрушению пленки оксидов алюминия и магния, облегчая процесс качественной сварки без применения флюсов. [c.85]

Аккумулятор с положительными электродами большой поверхности является наиболее тяжелым, так как положительный электрод этого аккумулятора представляет собой отлитую из мягкого свинца пластину с большим числом тонких ребер. Активная масса образуется из самого свинца посредством химической обработки (формирования). Большое число ребер облегчает доступ кислоты к активной массе. Эти аккумуляторы имеют следующие удельные емкости на единицу веса и объема 5,0—6,0 а-ч кг 13,5—14,5 а-ч1дм . [c.236]

Процесс формирования активной массы положительного электрода обстоятельно изучался многими исследователями. Разностороннему изучению реакций анодного окисления электродной пасты в двуокись свинца посвящена, в частности, работа [4-26], а также опубликованные в последние годы [4-16], [4-31], [4-32] и [4-33]. Значительное внимание в этих работах уделено проблеме образования а- и Р-модификаций двуокиси свинца в процессе формирования и влиянию свойств пасты, а также условий электролиза на фазовый состав активной массы. Как известно [В-2], соотношение концентраций а- и р-РЬОа в значительной мере определяет начальные емкостные характеристики положительного электрода. [c.136]

Вытягивающий электрод укреплен на керамических стойках (служащих для подсоединения формирующей ионно-оптической системы) и отделен от анода фторопластовым кольцом. Места соединения постоянных магнитов с металлическими частями конструкции уплотнены фторопластовыми прокладками с целью уменьшения газовой нагрузки на вакуумные насосы при работающем источнике ионов. Вся конструкция собрана на фланце для присоединения к вакуумной системе. Катодный узел, совмещенный с трубкой напуска рабочего газа (пропан), также выполнен на разборном фланцевом соединении для возможности замены катода. Система формирования пучка положительных ионов углерода включает в себя фокусирующую одиночную линзу и отклоняющую систему. [c.49]

Окисление металлов электродов при электролизе осложняется наступлением пассивного состояния в результате формирования оксидной пленки. При этом потенциал анода смеш ает-ся в сторону положительных значений. Активность алюминиевого анода в значительной мере зависит от природы и концентрации присутствуюш.их в вбде анионов. Из всех анионов на активность алюминиевого анода более всего влияет хлорид-ион. Сущность активизируюш его действия хлорид-ионов связана с их небольшими геометрическими размерами и легкостью проникновения через пленку, в результате чего она разрушается. Катализация растворения алюминиевого анода хлорид-ионами также объясняется сильным замедлением процесса образования оксидной пленки, связанной с адсорбционным вытеснением кислорода. [c.103]

После прохождения точки D (при потенциале Е ) скорость анодного роста защитной пленки (2) уже превынхает скорость ее химического растворения, и начинается процесс формирования защитной пленки. Это как раз и является причиной появления аномального хода анодной кривой, т. е. уменьшения анодного тока при смещении потенциала в положительную сторону. Процесс формирования защитной пленки завершается в точке Р при потенциале полной пассивности Е а, когда вся поверхность электрода покрыта сплошным слоем окисла. Каждому значению потенциала между и Е п соответствует вполне определенная степень укрытия поверхности пассивирующей пленкой. Приближенно доля поверхности электрода, покрыто защитной пленкой (сс), при любом потенциале между Еа и Епп может быть оценена по отношению а = 1ж/г т,где ж—плотность анодного тока при данном потенциале Ex, i-s — плотность тока для предположительного случая, когда не происходит возникновения защитной пленки и анодная кривая до потенциала Е следует логарифмической (тафе-левской) зависимости. Значение может быть найдено из поляризационной кривой, г т — путем экстраполяции логарифмического участка активного анодного растворения металла до потенциала Ех- [c.44]

Проведенные исследования физического механизма, приводящего к эффекту ДСИ в ПВМС ПРИЗ с кристаллом BSO, позволяют предположить, что основную роль в формировании отклика ПВМС на выключение записывающего света играет инжекция электронов с отрицательного электрода [8.60]. Действительно, в соответствии с результатами, приведенными в разделах 4.6,7.1, величина электрического поля у этого электрода зависит от локальной экспозиции записывающим светом. Сильное электрическое поле в приэлектрод-ной области, возникающее в результате воздействия записывающего света, вызывает увеличение инжекции электронов. К моменту выключения записывающего света величина инжекции локально зависит от экспозиции. После выключения записывающего света инжекция продолжается до тех пор, пока поле в при-электродной области не уменьшится в достаточной степени, причем величина инжектированного заряда будет зависеть от интенсивности записывающего света и различна в разных частях кристалла. Поле этого заряда вызывает модуляцию считывающего света после выключения записывающего, причем оно имеет знак, противоположный знаку поля положительного заряда, формируемого при включении записывающего света. Это определяет изменение знака амплитуды модуляции считывающего света. Поскольку инжектированные электроны захватываются в основном в мелкие ловушки и могут возбуждаться с них в зону проводимости, например, красным счр тывающим светом, то отрицательный заряд релаксирует со временем. [c.183]

По описанной выше методике были изучены кривые / — т, полученные на положительно заряженной поверхности стали при потенциале ф = —0,15 в. В этих условиях сила тока характеризует скорость реакции ионизации металла (стационарный потенциал стали в 1 н. НаЗО ф т = —0,25 в). Существует определенное различие в характере влияния ингибиторов на реакции восстановления Н3О+ и ионизации металла. В отличие от реакции восстановления НдО" , скорость анодной реакции при добавлении в кислоту органического ингибитора сначала резко уменьшается, а затем увеличивается, достигая стационарной величины. Это подтверждается ходом кривых для сернокислого бутилпиридиния и неионогенного вещества ОП-20 (кривые 1 я 2 на рис. 6), которые указывают на сильную первоначальную адсорбцию веществ на поверхности стального электрода и последующую их десорбцию. Первоначальное резкое уменьшение и последующее увеличение силы тока особенно сильно выражено при добавлении неионогенных поверхностно-активных веществ (рис. 6, кривая 2) меньшее влияние оказывает сернокислый нонилпиридиний (рис. 6, кривая 3). Указанная разница во влиянии органических веществ на катодный процесс восстановления Н3О+ и анодный процесс ионизации металла объясняется, прежде всего, существенным различием в условиях адсорбции этих веществ на поверхности металла при анодной поляризации в раствор непрерывно переходят ионы металла, в то время как при катодной поляризации происходит разряд НдО" . Это и определяет различие в кинетике формирования переходного стационарного слоя на поверхности металла. [c.142]

Основными стадиями производства свинцовых аккумуляторов являются следующие а) отливка рещеток положительных пластин и других деталей из свинцовосурьмяного сплава б) получение свинцового порошка и приготовление пасты в) нанесение пасты, цементация и сушка пластин г) формирование электродов д) сборка аккумуляторов. [c.112]

Означает ли это, что необходимо 2N электродов или полюсов для создания 2Л -муль-типоля Положительный ответ, казалось бы, очевиден. Однако истинный ответ — нет. Рассмотрим, например, два электрода, показанные на рис. 16. Система имеет две плоскости симметрии Конечно. Тогда это квадруполь. Где же недостающие два полюса Они в эквипотенциальной картине. Так как потенциал обращается в нуль на бесконечности, эквипотенциальные линии автоматически формируют квадрупольную картину (с высшими гармониками). На самом деле нет необходимости даже в двух электродах при формировании квадруполя. Две симметрично расположенные щели в одиночном цилиндрическом электроде дадут аналогичный эффект в окрестности щелей [63]. Можно создать даже систему квадруполей, вырезая щели конечной длины в разных плоскостях. Были предложены интересные мультипольные системы, состоящие из малого числа электродов, некоторые из них будут показаны ниже (см. рис. 38). [c.82]

Вольт-амперные характеристики пленок, приведенные на рис. 9, можно рассматривать как кривые, связывающие ионный ток через неизменную пассивную пленку с величиной смещения потенциала от потенциала ее формирования (0,7 1,0 и 1,4 В). Видно, что хорошо соблюдается линейная зависимость логарифма плотности тока от потенциала анода. Вольт-амперные характеристики анодных пленок, сформированных при разных потенциалах, были получены следующим образом. Титановый электрод погружался в раствор (40% H2SO4, 80°С) при потенциале 0,7 1,0 и 1,4 В и выдерживался до установления токов, близких к стационарным. После этого потенциал скачком смещался на некоторую величину Дф до менее положительного значения через 20 с регистрировался ток и потенциал возвращался к исходному значению. Как только ток на электроде принимал первоначальное значение, цикл повторялся для другого значения потенциала и т. д. [48]. [c.28]

Как правило, при погружении титаиа в кислые растворы положительные потенциалы относительно насыщенного каломельного электрода сопутствуют формированию защитного окисла, а при некоторых отрицательных потенциалах могут образовываться пленки гидридов, также обеспечивающие некоторую защиту [12]. В области между потенциалом образования сплошной гид-ридиой плеики и потенциалом, соответствующим формированию защитной окисной пленки, возникают растворимые ионы титана и происходит быстрая коррозия. [c.189]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...