Травление ионной бомбардировкой

Другим, причем более распространенным, объектом прямого электронно-микроскопического исследования является тонкая фольга, получаемая утонением массивных образцов. Методы утонения — механическое многократное расщепление по плоскости спайности (для слоистых материалов) ионное травление (ионная бомбардировка) расплющивание капли расплава на холодной полированной поверхности хил ическая и электролитическая полировка. Последний метод наиболее универсален и его используют чаще всего. [c.51]

Имеющиеся аморфные покровные пленки можно разрушить химическим или электрохимическим травлением, ионной бомбардировкой или нагревом в вакууме После этого становится видно поверхностное строение покрытия. На рис. 38,6 приведена электронограмма никелевого покрытия, указанного на рис. 38,а, после травления. На рисунке видна поверхностная структура металла, которая имеет отчетливую волокнистую структуру. [c.68]

ТРАВЛЕНИЕ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ [c.46]

Катодное вакуумное травление, по данным работы [881, применяли для выявления структуры стали с 18% Сг и 8% Ni путем ионной бомбардировки. В работе приведены давление газа, напряжение и длительность обработки. [c.138]

Специальные методы подготовки исследуемой поверхности образца применяются для выявления его структурных составляющих. К таким методам относят выявление структуры травлением в растворах, при нагреве до высоких температур, методом ионной бомбардировки и др. [c.43]

Для усиления адгезии и улучшения смачиваемости поверхности склеивания специально обрабатывают. Различают физические и химические операции обработки поверхности. Первые включают шлифование, ионную бомбардировку, обработку режущим инструментом, ультразвуком, растворителями. Вторые предусматривают травление, фосфатирование или анодирование. Физические операции сглаживают грубые неровности на поверхности, удаляют ржавчину и грязь. И физические, и химические операции увеличивают концентрацию центров адгезии. Например, поверхность полиэтилена после облучения электронами содержит свободные радикалы и хорошо склеивается. После химической обработки создаются условия для химического взаимодействия. Так, при вулканизации сырой резины с помощью серы молекулы каучука соединяются химически с медью через серные мостики. Это используют для приклеивания резины к стальным деталям, которые предварительно покрывают слоем латуни для усиления адгезии. Поверхность склеивания неполярных полимеров специально активируют перед склеиванием (или нанесением печатного текста, так как краска лучше приклеивается). [c.396]

Поверхность кристалла по геометрическим и энергетическим причинам является активной зоной, атомы которой обладают повышенным термодинамическим потенциалом. На поверхности осуществляются рост и плавление кристалла, конденсация пара и испарение кристалла, адсорбция атомов из окружающей среды и их диффузия в глубь кристалла. На поверхности происходит химическое взаимодействие кристалла с веществом окружающей среды травление, коррозия, окисление и т. п. Химическая активность некоторых металлов (алюминий) нейтрализуется вследствие образования пассивных окис-ных слоев, атомы которых насыщают разорванные межатомные связи. Через поверхность с помощью ионной бомбардировки (имплантация) в приповерхностный слой кристалла можно ввести атомы любых элементов (примесей). Уж наличие внешней поверхности превращает идеальный кристалл в реальный. [c.112]

Контраст, обусловленный самой структурой, низок, но эффект оттенения, являющийся результатом бомбардировки под острым углом, дает изображение с четким рельефом. Контраст зависит от ионизирующего газа. При ионной бомбардировке возможно травление поверхности (ср. гл. И, с. 46), поэтому энергия ионов должна быть по возможности низкой. [c.20]

В металлографии ионную бомбардировку применяют для избирательного травления, приводящего к образованию рельефа. Так выявляются, например, границы зерен, дислокации, линии скольжения и т, д. [c.46]

Ионное травление применяют главным образом при изучении металлов, используемых в ядерной энергетике, а так же как метод препарирования в электронной микроскопии, благодаря тому, что оно позволяет относительно легко регулировать степень травления. Метод ионной бомбардировки мог бы дать интересные результаты в оптической микроскопии. [c.46]

Катодное травление. Образец устанавливают в специальной герметически закрытой камере (рис. 4) и подвергают бомбардировке положительно заряженными ионами тяжелых инертных газов. При бомбардировке происходит очистка поверхности об- [c.147]

Материал с нужных частей поверхности удаляют путе.м бомбардировки положительными ионами [106, 170, 335]. Травлению подлежат все твердые материалы. Сушествуют два пути реализации этого метода высокочастотный и режим постоянного тока. В последнем случае необходимо нейтрализовать пучок иоиов. [c.527]

При бомбардировке атомами и ионами на поверхности мишени выявляются т. н. фигуры травления. Если облучение производится ионами газа, то в приповерхностном слое мишени могут образовываться пузырьки [c.246]

Выявление микроструктуры чугуна произвддится прежде всего рассмотрением шлифа под микроскопом в нетравленном состоянии. Изучение негравлен-ного образца позволяет определить наличие графита и его форму, наличие пор и неметаллических включений. Дальнейшее изучение структуры проводится на травленом образце. Основными способами выявления микроструктуры чугуна являются химическое травление растворами электрохимическое травление с помощью электротока (электролитическое травление) тепловое травление (окрашивание структуры при нагреве в атмосфере воздуха) ионное травление (ионная бомбардировка металла в вакууме) магнитная металлография. [c.42]

В работе [45] представлены цветные структуры,, полученные вакуумным окислением различных материалов урановых и циркониевых листов, никеля (99,8%), меди, стали (25,13% Сг), циркониевониобиевых сплавов и т. д. Перед началом окисления в камере создают вакуум 10 мм рт. ст. Затем ее тщательно промывают аргоном и при давлении 8-10 мм рт. ст. производят газовый разряд при напряжении 5 кВ и плотности тока 0,2—0,5 мА/см . Аргоно-дуговую бомбардировку продолжают 3—5 мин. При катодном глубоком травлении ионный об- [c.23]

ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ — удаление вещества с поверхности твёрдого тела под действием ионной бомбардировки. Процесс И. т.. эавнсит от интенснвности пучка, вида, энергии и угла падения ионов, а также от материала и состояния мишени. В процессе И. т. вследствие распыления, дофектообразования, имплантации ионов и атомов отдачи меняются элементный состав и структура поверхности происходит обогащение поверхности определ. элементом, кристаллизация или [c.199]

При ионной бомбардировке и распылении поверхности ионами с энергией (1,6—2,4)10 кДж наблюдается преимущественное травление границ зерен подложки и одновременно конденсация микрокапельной фазы. Капли металла, конденсирующиеся на начальной стадии процесса практически на холодную основу, имеют низкую прочность сцепления, так как их скорость невелика, а диффузионные процессы недостаточно эффективны. Вместе с тем формирование слоя на начальной стадии нанесения покрытий в значительной мере определяет свойства и структуру покрытия в целом. При дальнейшей ионной бомбардировке стимулируются диффузионные процессы как за счет температуры, так и вследствие импульса энергии ионной компоненты. В результате конденсированные на стадии ионной бомбардировки макрочастицы прочно сцепляются с основой и становятся центрами, кристаллизации для осаждающего потока частиц в режиме конденсации. На рис. 4.5 показана структура островка —йанли катодного материала, осажденной в режиме ионной бомбардировки. Из рисунка видно, что островок имеет мелкокристаллическую структуру, а зерна — неправильную форму, содержат больщое число дефектов, что связано, очевидно, с высокой скоростью охлаждения и кристаллизации, диффузией и взаимодействием с материалом основы и частицами органических загрязнений, присутствующими на поверхности. [c.123]

Наиболее распространены химические и механические способы очистки поверхности. Дополнительные эффекты достигаются воздействием других видов энергии — электрической (электролитическое обезжиривание и травление, электронная и ионная бомбардировка), звуковой (наложение ультразвуковвго поля), тепловой (обжиг). [c.30]

С помощью отражательного микроскопа пока не получено существенных для металловедения результатов. Однако непрерывное развитие способов травления и очистки по верхности образца (в особенности ионной бомбардировкой) и дальнейшее совершенствование прибора (микродифракция на отражение , регистрация рентгеновского излучения от образца и т. д.) открывают широкие перспективы использования отражательного микроскопа в ближайшие годы. [c.168]

Однако структура тончайших пленок сплавов, кинетика превращений, протекающих в них при термической и химикотермической обработке (кстати, технически нелегко осуществимой), и даже фазовый состав могут быть существенно иными, чем массивных образцов. Большие трудности представляет получение и сохранение определенного химического состава пленок, в частности, в связи с возможными его изменениями при термической обработке. Поэтому в последние годы наряду с возросшим интересом к специфике тонкой структуры пленок, сконденсированных из паров или электроосажденных, наметилась отчетливая тенденция к исследованию пленок, полученных из массивных образцов путем их травления — электролитического, химического или ионной бомбардировкой. Поскольку осуществить однородное (плоское) травление образцов многих металлов и сплавов, особенно со структурными и химическими неоднородностями, практически очень трудно, в ряде работ использован следующий прием 2. Прокатанный или сошлифо-ванный до толщины 0,1—0,2 мм образец — пластинку подвергают локальному полирующему травлению (возможно более медленному) в нескольких точках с помощью подвижных острых электродов — до образования нескольких сквозных отверстий затем травят всю поверхность пластинки до тех пор, пока перемычки между отверстиями не становятся достаточно тонкими для прямого исследования в электронном микроскопе или электронографе. Травление нои- [c.169]

Наиболее удачным, с точки зрения соответствия всем требованиям электронной металлографии, является метод катодного травления металлов в газовом разряде [136 137 138 139]. Этот метод, как известно, состоит в том, что внутри какого-либо эвакуируемого объема (колокол, трубка и т. п.) помещается исследуемый шлиф, являющийся одним из электродов. Второй электрод изготовляют из труднораспыляемого металла (алюминий, тантал, молибден). На электроды подается высокое напряжение, порядка нескольких тысяч вольт, от выпрямителя или трансформатора. В откачанный до 10- —10 mal рт. ст. объем впускается инертный газ (обычно неон) под давлением примерно 0,5 мм. рт. ст. или ниже и зажигается разряд. Бомбардировка поверхности образца положительными ионами при соответственно выбранных режимах приводит к хорошему выявлению структуры. Режим травления зависит от распыляемости металла и природы газа. Время травления меняется от нескольких десятков минут до нескольких часов [3]. [c.135]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...