Индий и галлий

Системы III—VI. Данные по этой группе систем трудно обобщить. Теллуриды индия и галлия плавятся с небольшим изменением или вовсе без изменения удельного сопротивления и имеют отрицательные температурные коэффициенты удельного сопротивления в твердом и жидком состояниях их удельные сопротивления в жидком состоянии высоки. Так же ведут себя теллуриды и селениды таллия, удельное сопротивление которых в жидком состоянии лежит между 3-10 и 10 мком-см. Сульфиды в жидком состоянии имеют такое же или более высокое удельное сопротивление. Эти жидкости, сходные с некоторыми другими сульфидами, явно ведут себя в жидком состоянии как собственные полупроводники и вырождаются, как только со- [c.133]

Радиоактивные изотопы фосфора, железа, меди, серебра, кадмия и цинка присутствуют каждый в макроскопическом количестве (последние три —от серебряной пайки мишени). Кроме того, имеются заметные следы радиоактивных изотопов кобальта, никеля, марганца, индия и галлия, полученные в результате побочных реакций. Этот список не включает радиоактивных изотопов, которые могут появиться в результате бомбардировки примесей в мишени. Химическая загрязненность продукта может быть причиной серьезных трудностей, особенно [c.253]

Переработка возгонов возможна разными способами и зависит от их состава. Помимо окиси цинка, составляющей основную массу, в возгонах присутствуют свинец (5%), медь (1%), кадмий (0,1%)-и таллий 10-2%) индия и галлия обычно бывает не более 10- —10 2%- Цифры даны средние, они лишь характеризуют порядок величин. [c.227]

В химии под металлами понимают определенную группу элементов, расположенную в левой части Периодической таблицы Д. И. Менделеева (табл. 1). Элементы этой группы, вступая в химическую реакцию с элементами, являющимися неметаллами, отдают им свои внешние, так называемые валентные электроны. Это является следствием того, что у металлов внешние электроны непрочно связаны с ядром кроме того, на наружных электронных оболочках электронов немного (всего 1—2), тогда как у неметаллов электронов много (5—8). Все элементы, расположенные левее галлия, индия и таллия — металлы, а правее мышьяка, сурьмы и висмута — неметаллы.. Элементы, расположенные в группах П1В, IVB и VB, могут относиться и к металлам (In, Т1, Sn, РЬ, Sb, Bi), и к неметаллам (С, N, Р, As, О, S) и занимать промежуточное положение (Ga, Si, Ge, Se, Те). [c.11]

Гц при приложении к кристаллу постоянного электрического поля. Этот эффект Ганна наблюдали позднее в фосфиде галлия, фосфиде индия и ряде других полупроводников. Он тоже связан с изменением подвижности носителей заряда в сильных полях. Однако механизм изменения ц отличен от рассмотренного выше. [c.257]

Сплавы индия с галлием, имеющие температуру плавления ниже нормальной, используют как жидкие проводниковые материалы для нанесения электродов на различные диэлектрические и полупроводниковые материалы. [c.35]

Алюминий, галлий, индий и таллий в атмосфере сухого воздуха устойчивы вследствие образования оксидной пленки, особенно у алюминия однако у таллия пленка оксида Т О лишь замедляет процесс дальнейшего окисления. Эти металлы реагируют с галогенами, а при нагревании— и с другими элементами. [c.49]

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

В кристаллах с ионной или частично ионной связью, например в полупроводниках типа А преобладающим является рассеяние на оптических колебаниях решетки, так как эти колебания приводят к появлению сильного электрического поля при смещении подрешетки положительных ионов относительно подрешетки отрицательных ионов. Как показывает теория, для такого рассеяния подвижность свободных носителей заряда растет с ростом <у). Это означает, что с увеличением <и> взаимодействие электронов с решеткой ослабляется. Поэтому с ростом поля электронный газ сильно разогревается. При этом в арсениде галлия, фосфиде индия и некоторых других полупроводниках наблюдается эфс )ект дрейфовой нелинейности нового типа. Впервые он был открыт Ганном в арсениде галлия и назван эффектом Ганна. [c.195]

В объеме полупроводника возникают пары элементарных подвижных носителей электрических зарядов отрицательных — свободные электроны и положительных — дырки. Электронным полупроводником (полупроводником типа п) называется такой полупроводник, в котором концентрация свободных электронов преобладает над концентрацией дырок. Электроны в этом случае являются основными носителями зарядов, а дырки — неосновными. Донорами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (пятивалентные атомы мышьяка, сурьмы, фосфора и др.) для получения избытка электронов. Дырочным полупроводником (полупроводником типа р) называется полупроводник, в котором концентрация дырок преобладает над концентрацией электронов. Акцепторами называются примесные атомы, которые вводятся в чистый полупроводник (трехвалентные атомы индия, алюминия, галлия и др.) для создания избытка дырок. Дырки в этом случае являются основными носителями зарядов. [c.348]

Ин()ий — галлий. Описаны легкоплавкие славы галлия с индием, содержащие от 24 до 71 пес.% галлия. Сплавы галлий — индий подвержены постепенному де " ствию влаги. [c.173]

Легкоплавкие сплавы. Разработано большое количество легкоплавких сплавов, содержащих индий 161. Например, при добавлении индия к сплаву Вуда температура плавления сплава понижается на 1,45° на каждый процент добавленного индия. Самую низкую температуру плавления (47°) имеет сплав, содержащий 19,1 96 индия. Эвтектический сплав, содержащий 24% индия и 769 о галлия, плавится при 16 и, следовательно, при комнатной температуре находится в жидком состоянии. [c.240]

Индий, таллий, галлий и германий относятся к рассеянным редким металлам. Первые три из них являются элементами 3-й группы, а германий - 4-й группы периодической системы. [c.69]

Известны псевдосплавы триботехнического назначения на основе меди и бронзы, пропитанные свинцом, оловом, галлией, индием и их сплавами. Лучшие антифрикционные свойства имеют псевдосплавы бронза-олово и бронза- сплав Sn -РЬ. [c.128]

Технология получения редких и рассеянных элементов имеет ряд особенностей, связанных с необходимостью переработки бедного рудного сырья сложного состава. Многие из перечисленных элементов не имеют собственных месторождений и извлекаются из отходов и промежуточных продуктов сернокислотного производства, алюминиевой промышленности, производства цинка, кобальта, никеля, меди и т. д. Указанные сырьевые источники отличаются сложностью химического состава, физическим состоянием и низким содержанием извлекаемого элемента. Это обусловливает разнообразие технологических способов и схем выделения элементов и получения их в химически чистом виде. В большинстве случаев применяют типичные гидрометаллургические методы с получением на первой стадии разбавленных по ценному компоненту растворов с последующим концентрированием его и отделением от примесей. Развитие и совершенствование технологии производства редких и рассеянных элементов не может быть осуществлено без применения метода ионного обмена. Применение ионообменных смол и избирательных неорганических ионообменных материалов дает возможность не только выделить и сконцентрировать тот или иной редкий или рассеянный элемент, очистить его от примесей, но и решить задачи по разделению близких по свойствам элементов лития и натрия, рубидия и цезия, галлия, индия и таллия, селена и теллура, по получению соединений элементов и металлов высокой степени чистоты. [c.114]

Таким образом, сырьевые источники галлия, индия и таллия отличаются многообразием и очень низким содержанием ценных элементов. К этому необходимо добавить сложность химического состава технологических отходов и полупродуктов. Распределение галлия, индия и таллия в процессах переработки рудного сырья по различным технологическим схемам, а также химические методы выделения ценных элементов из промышленных продуктов, достаточно подробно рассмотрены в ряде работ [70, с. 493—633]. [c.123]

Получение соединений галлия, индия и таллия высокой степени чистоты. [c.123]

Для более низких температур необходимо легирование мышьяком, индием, сурьмой, галлием из расчета добавки примерно 10 легирующих атомов на 1 см . Полученный таким образом кристалл размерами 1 мм при 10 К имеет сопротивление 14 Ом и при 1 К — 216 Ом. При температуре около 4 К воспроизводимость легированного германия оценивается в 10 К. [c.162]

Сложной задачей также является подбор и согласование акустически связанного со звукопроводом поглотителя акустической мощности, который обеспечивает отвод тепла в отсутствие акустических возмущений из-за отражения упругих волн- Для этих целей используются, например, эпоксидные смолы с порошкообразными наполнителями, диффузно твердеющие сплавы галлия с медью, никелем и другими металлами, сплавы висмута с индием и свинцом. [c.116]

Определения контактной выносливости стали, покрытой указанными КЭП, на производственном стенде на машине МКВ-3 показали преимущества покрытий Си— M0S2 и медь — фталоцианин меди по сравнению с традиционными антифрикционными покрытиями или материалами (сплавы индия и галлия, твердые смазки и др.). [c.154]

Величина контактного сопротивления зависит от качества контактирующих поверхностей, теплопроводности промежуточной среды (газ, жидкость, порошки) и величины сжимающей нагрузки [39]. Наибольшее снижение дают жидкие металлические смазки (например, эвтектика индия и галлия), но использование их при массовых измерениях не оправдано. Более доступна и универсальна смазка из крем-нийорганического масла марки ПФМС-4. Образцы с шлифованными контактирующими поверхностями при сжимающих нагрузках G = = 1 ч- 5 бар в совокупности с указанной смазкой обычно дают (0,5 н- м -град/вт. Сухие (порошковые) смазки в тех [c.100]

К такому же выводу приходят и авторы работы [ ], изучая изменение инфракрасных спектров поглощения кетонов (ацетон, ме-тилгексилкетон, ацетофенон, бензофенон, циклогексанон) под влиянием хлоридов индия и галлия. При исследовании Р взаимодействия карбонилсодержащих молекул парафинового ряда с галогенидами металлов было также показано образование прочного комплекса со связью О—Ме. Выравнивание сопрян енных валентных связей в органической молекуле при взаимодействии атома металла с л-электронами кислорода карбонила является следствием ослабления С=0-свя-зи [ ]. [c.285]

Арсениды, антимониды и фосфиды индия и галлия получают сплавлением компонентов в вакууме кварцевых труб. [c.250]

Облезин А. Г.. Магнитные свойства и структура сплава ЮНДК15 с оловом, индием и галлием, — Металловед( Ние и термическая обработка металлов, 1969,, № 2, с, 16—19, [c.217]

В табл. 26 значения у для I—III групп непереходных элементов вычислены на основании корреляции ее с валентностью (рис. 138). Так, у индия и галлия значение у должно при этом составлять 150 эрг см , хотя, по данным С. Г. Хаютина [245, с. 730], 7i = 0,3 эрг см . Для элементов IV—VI групп даются грубо ориентировочные значения у с учетом указанной выше поправки на ковалентность у элементов VIb подгруппы у > 150 эрг см у элементов Vb подгруппы у < 150 эрг см и у элементов VI в подгруппы 7 < 150 эрг см . [c.185]

Так как в собственном полупроводнике количество электронов Б зоне проводимости должно быть равно количеству дырок в валентной зоне, то, как легко видеть из рис. 6.1, б, уровень Ферми должен располагаться в этих полупроводниках примерно в середине запрещенной зоны (более точно его положение будет определено ниже). В этом случае условие невырожденности (6.1) будет выполнено, если Egl2 > kT, т. е. если Eg> 2 kT. При комнатной температуре kT = 0,025 эВ. Ширина же запрещенной зоны у полупроводников обычно больше 0,1 эВ (она равна г 0,7 эБ у германия, 1,1 эВ у кремния, 1,35 эВ у арсенида галлия, 0,35 эВ у арсеннда индия, 0,177 эВ у антимонида индия и т. д.). Поэтому электронный газ в собственных полупроводниках является невырожденным и подчиняется статистике Максвелла —Больцмана. Этот вывод справедлив и для дырок, находящихся в валентной зоне. [c.160]

Изменение частоты приложения циклической нагрузки в диапазоне 3—100 Гц практически не влияет на усталость в воздухе гладких образцов из сталей различных классов. В то же время повышение частоты нагружения от 0,003 до 50 Гц увеличивает число циклов до разрушения кадмия и висмута, причем тем больше, чем ниже уровень циклической нагрузки (иногда на два порядка и больше) (Шиба-ров В.В. и др. [184, с. 29—32]), Увеличение частоты нагружения от 50 до 283 Гц резко снижает циклическую долговечность лантана и галлия. Для индия частотный фактор существенно зависит от уровня циклических нагрузок. Сложный характер зависимости частотного фактора авторы объясняют скоростным эффектом, влиянием частоты нагружения на суммарную деформацию и диабантным эффектом. Первый проявляется в значительной степени при низких частотах и несущественно — при высоких. Второй и третий эффекты проявляются в основном при высоких частотах. В зависимости от того, какой эффект вносит больший вклад, сопротивление усталости металлов при повышении частоты нагружения может увеличиваться или уменьшаться. Для алюминиевых сплавов частотный фактор в воздухе также может проявляться с интенсивностью, зависящей от их структурного состояния. [c.116]

Олово обладает значительно меиьшей агрессивностью, чем галлий,, но большей, нежели висмут и тем более чем остальные жидко(Металличеокие теплоносители, Исключается применение в нагревательных установках, работающих на жидком олове, следующих металлов и их сплавов цинка, сурьмы, свинца, алюминия, меди, магния, кадмия, никеля, кобальта, селена, платины, серебра, индия и золота. Ограниченно устойчивы против жидкого олова углеродистые стали, чугун, цирконий (до 500° С), аустен итные и ферритиые нержавеющие стал и (до 400° С), достаточно устойчив ири температурах до 500° С бериллий, а в статических условиях (ио данным Рида [Л. 65]) — вольфрам и стеклю в икор (до [c.118]

С тех пор работы в области ядерной энергетики вызвали повышенный интерес и к другим металлам с особыми свойствами, в частности к галлию, индию и висмуту, как возможным теплоносителям, к очищенному от гафння цирконию, как к весьма коррозиониостойкому конструкционному материалу с малым поперечным сечением захвата тепловых нейтронов, к таким элементам, как гадолиний, гафний и бор, высокое поперечное сечение захвата тепловых нейтронов у которых делает их полезными материалами для регулирующих стержней, и к плутонию, как к ядерному топливу. [c.11]

Кадмий, хром, кобальт, галлий, 1шдий, марганец и таллий получают осаждением из водных растворов. Важное значение электролитическое осаждение имеет и для нанесения покрытий из многих металлов, к числу которых относятся кадмий, хром, кобальт, палладий, платина, родий, индий и вольфрам. Сообщалось об элсктроосаждспии германия из невоДных растворов. [c.20]

Все три элемента подгруппы галлия являются рассеянными. Их минералы встречаются очень редко и представляют только научный интерес. Поэтому сырьевыми источниками галлия, индия и таллия являются технологические отходы и полупродукты от переработки руд цветных металлов. Галлий содержится в рудах месторождений алюминия, цинка, лития (нефелине, сподумене, лепидолите, сфалерите, алуните, бокситах). Значительное скопление галлия наблюдается в цинковой обманке. Содержание галлия в ней редко превышает 0,002%- Содержится галлий и в ископаемых углях. При газификации их галлий вместе с германием концентрируется в пыли (саже). Так, сажа газовых заводов Англии содержит 0,38—0,75% СагОз и 0,28— 1,24% ОеОг. Основным источником галлия в настоящее время являются бокситы, характеризующиеся постоянным и равномерным содержанием галлия, равным 0,002—0,006% и лишь иногда достигающим 0,01%), а также отходы цинкового производства. [c.122]

Основные трудности возникают при решении первой задачи из-за сложности химического состава растворов и низкого содержания в них галлия или индия. Однако в настоящее время промышленностью выпускается ряд ионообменных материалов, которые отличаются селективностью по отношению к ионам галлия, индия и таллия. Большие работы ведутся по синтезу специальных избирательных ионообменников. Так, можно предполагать, что аниониты, содержащие в своем составе группы анилина, хинализарина или ортооксихинолина, будут избирательны по отношению к ионам галлия. Использование анионитов позволит решить одну из важнейших задач по извлечению галлия из алюминатных растворов — одного из основных источников промышленного получения указанного элемента. [c.123]

Окисление легкоплавких металлов. Особенности окнслсння легкоплавких металлов — основ припоев н некоторых их компонентов — обусловлены прежде всего значением теплоты образования нх окислов. По этому важнейшему признаку наименьшим сродством к кислороду обладают индий, ртуть слабым — висмут, свннец, кадмий, германии, а также сурьма и галлий большим сродством — олово и цинк. [c.93]

Индий и таллий обладают высокой стойкостью в щелочах индий не тускнеет на воздухе, по галлий и таллий иа воздухе быстро окисляются с образованием слоя окислов (GajOs и TI2O), замедляющих дальнейшее окисление этих металлов. Индий также относительно стоек во фтористой кислоте при 20 С, а таллий — в соляной кислоте. [c.196]

Для нанесения антифрикционных и при-работочных покрытий используют свинец и его сплавы, медно-оловянные и медно-цинковые сплавы, благородные металлы и их сплавы, редкие металлы (индий и его сплавы, галлий), фосфатированные, а также композиционные покрытия и никелевые сплавы. Условия нанесения их гальваническими методами приводятся в табл. 2-8. [c.590]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...