Теллурид индия

Фотопроводники. Окись, сульфид, селенид и теллурид индия являются фотопроводниками, причем селенид, по-видимому, наиболее перспективен. [c.241]

Системы III—VI. Данные по этой группе систем трудно обобщить. Теллуриды индия и галлия плавятся с небольшим изменением или вовсе без изменения удельного сопротивления и имеют отрицательные температурные коэффициенты удельного сопротивления в твердом и жидком состояниях их удельные сопротивления в жидком состоянии высоки. Так же ведут себя теллуриды и селениды таллия, удельное сопротивление которых в жидком состоянии лежит между 3-10 и 10 мком-см. Сульфиды в жидком состоянии имеют такое же или более высокое удельное сопротивление. Эти жидкости, сходные с некоторыми другими сульфидами, явно ведут себя в жидком состоянии как собственные полупроводники и вырождаются, как только со- [c.133]

ТЕПЛОТЫ, ЭНТРОПИИ И ИЗОБАРНЫЕ ПОТЕНЦИАЛЫ ОБРАЗОВАНИЯ ТЕЛЛУРИДОВ индия, по ДАННЫМ ГЕРАСИМОВА И ДР. [119, 120], [c.97]

Таблица 153 ТЕПЛОТЫ ОБРАЗОВАНИЯ ТЕЛЛУРИДОВ ИНДИЯ

Эти данные по давлению пара теллуридов индия являются единственными. [c.274]

Селенид кадмия Сульфид кадмия Сульфид свинца Теллур Теллурид висмута кадмия свинца рубидия цезия Титанат бария Фторид лития Фосфид индия Хлорид серебра [c.576]

Технические полупроводники могут быть разбиты на четыре группы 1) кристаллы с атомной решеткой (графит, кремний, германий) и с молекулярной решеткой (селен, теллур, сурьма, мышьяк, фосфор) 2) различные окислы меди, цинка, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, никеля и др. 3) сульфиды (сернистые соединения), селениды (соединения с селеном), теллуриды (соединения с теллуром) свинца, меди, кадмия и др. 4) химические соединения некоторых элементов третьей группы периодической таблицы элементов (алюминий, галий, индий) с элементами пятой группы (фосфор, сурьма, мышьяк) и др. К числу полупроводников относятся некоторые органические материалы, в частности полимеры, имеющие соответствующую полупроводникам по ширине запрещенную энергетическую зону. Особенности свойств некоторых органических полупроводников, как гибкость, возможность получения пленок при достаточно большой механической прочности, заставляют считать их перспективными. [c.276]

Наиболее благоприятными термоэлектрическими свойствами обладают полупроводящие интерметаллические соединения, такие как теллурид свинца, сурьмянистый индий, селенид свинца и др. [c.50]

Применяются также фотосопротивления из селенистого и теллуристого свинца [Л. 721]. Селенистый кадмий дает поликристал-лические слои, в некоторых условиях с максимальной чувствительностью при 0,72 лтм, простирающейся за 1 мкм [Л. 722]. Были предложены также сульфиды, селениды и теллуриды свинца, олова, индия, таллия, кадмия, висмута, сурьмы [Л. 723], германия [Л. 724] и т. д. Мы могли бы широко распространить эти указания на фотоэлементы, о которых имеются многочисленные статьи [Л. 45, 46, 725—730]. [c.359]

В основе работы фоторезисторов лежит изменение электропроводности чувствительного слоя при его облучении. Этот тип преобразователя характеризуется малыми размерами и массой, малыми напряжениями питания при высокой интегральной чувствительности и возможностью работы в более широком спектральном диапазоне. В тоже время их отличает повышенная инерционность, значительная зависимость параметров и характеристик от температуры, относительно невысокая линейность характеристики свет—сигнал . Наибольшее распространение получили фоторезисторы на основе собственных полупроводников для видимой области — сульфида кадмия для ближней инфракрасной области — сульфида свинца для диапазона 3—14 мкм — селенида свинца, монокристаллов антимония индия, теллурида кадмия и др. Широко используются также примесные фоторезисторы, (легированные различными примесями кремний и германий). Подробные сведения о параметрах фоторезисторов имеются в специальной литературе [2]. [c.205]

Ряд соединений индия (окись, сульфид, селенид, теллурид, антимонид, арсенид и др.) являются полупроводниками. Они могут быть использованы в качестве термоэлементов. Так, термоэлементы, изготовленные из арсенида или фосфида индия, способны работать при высоких температурах. [c.429]

Технические полупроводники могут быть разбиты на четыре группы 1) кристаллы с атомной решеткой (углерод-графит, кремний, германий) и с молекулярной решеткой (селен, теллур, сурьма, мышьяк, фосфор) 2) различные окислы меди, цинка, кадмия,титана, молибдена, вольфрама, никеля и др. 3) сульфиды (сернистые соединения), селениды (соединения с селеном), теллуриды (соединения с теллуром) свинца, меди, кадмия и др. 4) химические соединения некоторых элементов третьей группы периодической таблицы элементов (алюминий, галлий, индий) с элементами пятой группы (фосфор, сурьма, мышьяк) и некоторые соединения элементов пятой группы (сурьма) и второй группы (магний, цинк и др.). [c.282]

Методика измерений была тщательно отработана в различных условиях эксперимента [6—8]. Удовлетворительное согласие полученных данных при опробовании метода на Hg и 8п [6] позволяет считать метод вполне надежным. В последнее время на двух установках, работающих по принципу метода узкой перемычки , измерена теплопроводность, число Лоренца, температурный коэффициент электросопротивления Hg и системы ртутно-индиевых амальгам шести разных процентных составов в интервале температур (293—600° К), твердого и жидкого олова в интервале температур (293—1100° К), свинца высокой чистоты (293—1100° К), галлия (280—700° К), индия (293—900° К), теллура (293—1000° К), теллурида [c.148]

Индий образует соединения с другими металлами, например селеном, теллуром, сурьмой и мышьяком, а также с неметаллическими элементами — кислородом, водородом, азотом, серой, фосфором и галогенами. Многие Из этих соединений, в том числе фосфид, арсенид, антимонид, окись, сульфид, селенид и теллурид индия, являются полупроводниками. В последние годы проведены многочисленные исследования, посвященные изучению этих соединений, особеннофосфида,арсенида и антнмонида иидия. [c.229]

По данным [67] сплавы с 10—30 ат.% 1п, закаленные из жидкого состояния, были аморфными. Сплавы индия с теллуром обычно готовят методом прямого сплавления индия и теляура в эвакуированных кварцевых ампулах. Для получения теллуридов индия зачастую используют и другие методы (например, взаимодействие теллуроводо-рода с индием, его окислами или безводными солями), описанные в обзорных работах [68—69]. [c.510]

Термохимические данные по теллуридам индия противоречивы. Впервые их термохимические свойства исследовались Герасимовым и др. [119, 120] при 300—420° С методом измерения э. д. с. электрохимических ячеек. In и Те в этом исследовании имели чистоту 99,99%. Авторами были рассчитаны термохимические величины для реакций образования различных теллуридов индия из твердого теллура и жидкого индия (табл. 152). Эти значения существенно расходятся скалориметрическими данными, приведенными в табл. 153. Калориметрические данные по InTe в свою очередь также расходятся между собой. Предпочтение следует отдать данным Хана и Бурова [106], рекомендованным также в справочниках Кубашевского [27] и Вагмана [123]. [c.97]

Соединения селена и теллура с индием, галлием, мышьяком, сурьмой и фосфором применяют в электронике для получения новых полупроводниковых материалов, работающих при более высоких температурах, чем кремний и германий [437]. Халькогениды (селениды и теллуриды) индия, являясь полупроводниками, могут применяться в качестве фотопроводников, термистеров и резистеров [438, 439]. Они служат для определения температуры и силы света в виде полупроводниковых радиодеталей применяются в различных радиосхемах [4 40]. [c.274]

На рис. 2 приведены фототермоионизац. спектры чистых образцов Ge и Si. Линии в спектрах относятся к техноло-гически неконтролируемым остаточным кол-вам примесей и примесных комплексов, В образце Ge (рис. 2, а) суммарная концентрация акцепторов jVa = 6-10 см , доноров Л д = 9 10 см -, темп-ра образца Г=6,5 К, разрешение 0,03 см . В образце Si (рис. 2,6) Л л=10 м 10 см , Т= 1 К, разрешение 0,25 см . Кроме анализа чистоты Ge и Si Ф. с, используется также для исследования локализованных состояний и анализа примесей в арсениде галлия, фосфиде индия, теллуриде кадмия, ПП алмазе и др. Чистые полупроводники AjB, содержат больше остаточных примесей, чем Ge и Si. Для устранения эффектов, связанных с перекрытием состояний близко расположенных атомов примеси, приводящих к сильному уширению и даже исчезновению линий в спектрах, исследуемые образцы помещают в маги, гголе, к-рое сжимает основное и возбуждённое состояния, увеличивает энергии связи электронов и снимает перекрытие состояний. [c.362]

Электросопротивление полупроводников обычно сильно зависит от температуры. К числу приборов и устройств, принципы работы которых основаны на свойствах полупроводников, относятся полупроводниковые триоды (транзисторы), многие типы выпрямителей, модуляторов, детекторов, термисторов и фотоэлементов. В этой главе мы рассмотрим главные физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности германия и кремния, Другихми важными кристаллами являются закись меди (СигО), селен (Se), теллурид свинца (РЬТе), сульфид свинца (PbS), карбид кремния (Si ), антимонид индия (InSb), арсенид галлия (GaAs) и графит (С). [c.380]

Используются несколько типов фотопреобразователей (ФП) кремний монокристалли-ческий (22 долл. США/Вт КПД модуля - 15%), поликристаллический (5 12%), аморфный (8 5%), арсенид галлия (50 22%), теллурид кадмия (фосфид индия арсенид галлия - кремния диселенид меди - индия). Ведущими типами ФП сейчас являются монокристаллический (МК) и поликристаллический (ПК) кремний, объем выпуска которых около 70%. [c.11]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...