Экстра-плоскость

Краевая дислокация может быть представлена как линия (край) экстраплоскости, которая вставлена в решетку (см. рнс. 1.22, а, кубическая решетка [13]) и. изъята из нее. Краевые дислокации находятся внутри решетки и исчезают прн выходе на поверхность кристалла (образуя там уступ). В пространстве, окружающем краевую дислокацию, решетка искажена за счет вставленного (или отсутствующего) слоя атомов, составляющего экстра-плоскость. [c.21]

Линейные дефекты являются другим важнейшим видом несовершенства кристаллической решетки, когда в результате сдвига на одно межатомное расстояние одной части решетки относительно другой вдоль какой-либо плоскости число рядов атомов в верхней части решетки на один больше, чем в нижней. В данном случае в верхней части решетки появилась как бы лишняя атомная плоскость ( экстра-плоскость). Край экстра-плоскости, перпендикулярный направлению сдвига, называется [c.6]

Рассмотрим линейную дислокацию, схематически представленную на рис. 17. Она образуется следующим образом. В раздвинутую верхнюю часть кристаллической решетки вставлена добавочная атомная плоскость PQ, называемая экстр а плоскостью. При этом оказывается, что число атомов верхней части кристалла на один ряд больше, чем в нижней, т. е. образовалась положительная линейная дислокация (если экстраплоскость располагается в нижней части кристал- [c.53]

Многократное рассеяние приводит к возникновению на МДК экстра-рефлексов, если луч, дифрагированный на одном семействе плоскостей, может вторично дифрагировать на другом семействе плоскостей (с иным межплоскостным расстоянием) или на плоскостях того же семейства, но несколько иначе ориентированных экстра-рефлексы часто возникают на МДК от двойниковых и двухфазных структур, что усложняет анализ таких МДК, по-сколько создается ложное впечатление о периодичности, в действительности не существующей. [c.53]

Произведем в идеальном кристалле сдвиг на одно межатомное расстояние одной части кристалла относительно другой вдоль какой-либо плоскости на участке ADEF (рис. 1,3, а). Как видно, влево сдвинулась только часть кристалла, находящаяся правее плоскости А B D. При таком сдвиге число рядов атомов в верхней части кристалла на один больше, чем в нижней (рис. 1.3, б). Плоскость AB D (рис. 1.3, а) представляет собой в данном случае как бы лишнюю атомную плоскость (называемую экстраплоскостью), вставленную в верхнюю часть кристалла (АВ, рис. 1.3, б). Линия AD (рис. 1.3, о), перпендикулярная направлению сдвига, являющаяся краем экстра-плоскости, называется краевой или линейной дислокацией, длина которой может достигать многих тысяч межатомных расстоянш . [c.7]

Установлено, что дислокации притягивают в свою зону атомы примесей, которые осаждаются в виде цепочки вдоль края экстра-плоскости. Такие атомы снижают уровень упругих искажений дислокационной структуры. Цепочки инородных атомов образую т так называемые атмосферы Коттрелла или облака Коттрелла , С повышением температуры облака Коттрелла рассеиваются, При понижении температуры по достижении предела растворимости они могут образовывать дисперсные выделения второй фазы. [c.59]

Представляется важным исследование стабильности плайтелитс в плоскостях 100 , с которыми связывают упрочнение алмаза типа I [8]. В исследованном интервале температур и давлений (р = = 70—90 кбар, Т = 1500—2200° К) не было обнаружено отмеченное ранее [9] рассасывание и исчезновение плайтелитс. Исследование экстра - рефлексов и ИК-спектров поглощения образцов до и после деформации (рис. 4) показало отсутствие изменений (в пределах ошибки измерений) интенсивностей полосы поглощения 1368 см и экстра-рефлексов, что говорит о стабильности плайтелитс в указанных условиях. [c.153]

Пусть в правильную кристаллическую решетку (рис. А) вдвинута лишняя кристаллическая полуплоскость (рис. Б) так, что правильная структура решетки искажается образуется краевая дислокация, обозначаемая символом . Край этой экстра полуплоскости (перпендикулярная плоскости рисунка ось Жз) называется линией дислокации. Краевой дислокации можно приписать определенный знак если вдвинуть экстраплоскость снизу, то образуется точно такая же дислокация, но обратного знака, обозначаемая символом Т. Искажение структуры решетки в непосредственной близости к дислокации велико, но уже на расстояниях порядка нескольких периодов кристаллические плоскости смыкаются друг с другом почти правильным образом. Внедрение экстранлоскости приводит к упругой деформации решетки сверху решетка сжата, а снизу — растянута. [c.291]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...