Блок кристалла

Мозаичная структура кристалла возникает в процессе его роста. Вследствие того, что рост кристалла происходит одновременно во многих местах, неизбежна несогласованность (поворот относительно друг друга на 10—15 ) смыкающихся частей блоков) кристалла, возникающая из-за накопления погрешностей решетки внутри каждого блока. Линейный размер блока порядка 10 см в 1 сж находится порядка 10 блоков. [c.237]

Кроме того, у границ зерен при кристаллизации и перекристаллизации наблюдается неправильность внешней формы зерен металла (см. рис. 22), а также различие в направлениях отдельных кристаллографических плоскостей в смежных зернах. Это приводит к тому, что пограничный слой на стыке между зернами имеет нарушения правильности взаимного расположения атомов. Особенностью строения этого пограничного слоя является также и то, что он обычно насыщен примесями и неметаллическими включениями. Это обусловливает появление внутренних и внешних поверхностей раздела между отдельными слоями (блоками) кристалла или отдельными зернами, что вызывает искажение кристаллической решетки. [c.116]

Упругая деформация. Упругой деформацией называется деформация, влияние которой на форму, структуру и свойства тела полностью устраняется после прекращения действия внешних сил. Упругая деформация не вызывает заметных изменений в структуре и свойствах металла под действием приложенной нагрузки происходит только незначительное относительное смещение атомов или поворот блоков кристалла. При растяжении монокристалла атомы удаляются один от другого, а при сжатии сближаются. При таком смещении атомов из положения равновесия нарушается баланс сил притяжения и электростатического отталкивания. Поэтому после снятия нагрузки смещенные атомы вследствие действия сил притяжения или отталкивания возвращаются в исходное равновесное состояние и кристаллы приобретают свою первоначальную форму н раз.меры. [c.44]

К дефектам более грубого порядка относят субмикроскопические трещины, по размерам не превышающие предела разрешения оптического микроскопа (<0,2 мкм). Такие трещины, согласно гипотезе Гриффитса, могут образовываться по границам блоков кристалла в процессе его роста, а также появляться в результате приложения напряжений. [c.245]

Если мозаичные блоки кристаллов определяемой фазы велики (свыше 0,5—1 мк), то количественный фазовый анализ по наиболее интенсивным линиям (обычно—с малыми индексами интерференции) становится крайне неточным, так как при одном и том же содержании фазы интенсивность линии для подобных образцов очень сильно зависит от величины блоков. [c.197]

Упругая деформация. Упругой называют деформацию, влияние которой на форму, структуру и свойства тела полностью устраняется после прекращения действия внешних сил. Упругая деформация не вызывает заметных остаточных изменений в структуре и свойствах металла под действием приложенной нагрузки происходит незначительное, полностью обратимое смещение атомов, или поворот блоков кристалла. [c.38]

В конструкции, изображенной на фиг. 98, а, длина кристаллов должна быть равна половине длины волны колебаний основного типа, тогда как в конструкции, представленной на фиг. 98,6, длина эта должна составлять лишь Х/4. В последнем случае блок кристаллов приклеивается к четвертьволновому металлическому бруску, так что длина всего устройства опять-таки составляет Х/2.При этом в середине вибратора имеет место [c.96]

Зерно не является монолитным кристаллом, построенным из строго параллельных атомных слоев. В действительности, оно состоит как бы из мозаики отдельных блоков размерами 1-10- —1-10- см [c.32]

Таким образом, реальный металлический кристалл содержит атомно-кристаллические (вакансии, дислокации) и структурные (блоки, фрагменты) несовершенства. [c.33]

Плотность дислокаций в этой части кристалла тем больше, чем больше угол разориентировки между блоками. [c.33]

Атомы меди на этой стадии старения из раствора не выделились, поэтому среднее значение параметра решетки не изменилось. Однако в местах повышенной концентрации второго компонента параметр должен быть иной, чем в обедненных местах, это создает большие напряжения в кристалле и дробит блоки мозаики, что и приводит к повышению твердости. [c.573]

В структуре реальных кристаллов имеются и более значительные несовершенства. Так, кристаллы металлов обычно состоят из большого числа областей размером около 1 мк, расположенных под углом в десятые доли градуса. Эти отдельные области с правильной упаковкой атомов называют блоками (рис. 1.10), На границе между блоками упаковка атомов искажена. [c.17]

Таким образом, кристалл представляет собой своеобразный комплекс блоков мозаичной структуры. [c.17]

Третье превращение при отпуске, протекающее в интервале температур 300—400° С, связано с интенсивным ростом кристаллов карбида. До 350 °С этот рост происходит без нарушения когерентности карбида с окружающим твердым раствором (а-фазой). Выше 350° С кристаллы карбида увеличиваются (процесс коагуляции) до таких размеров, когда напряжения достаточны, чтобы энергия искажения стала больше энергии образования границы раздела. Вследствие этого когерентность нарушается между фазами возникают поверхности раздела кристаллы карбида и блоки мозаики а-фазы обособляются. При температурах выше 400° С блоки а-фазы снова увеличиваются, поскольку в этих условиях интенсивно проходят процессы диффузии. [c.109]

На этой стадии атомы Си еще не выделяются из а-твердого раствора и среднее значение параметра кристаллической решетки (0,255 нм) остается неизменным. Но поскольку на участках повышенной концентрации Си параметр решетки существенно меняется, это приводит к возникновению значительных напряжений в кристаллах, раздроблению блоков мозаичной структуры и увеличению твердости. [c.325]

Существует еще один источник поверхностного искажения кристаллического строения кристалла. Если рассмотреть зерно при большом увеличении, то окажется, что внутри него имеются участки с размерами 0,1-1 мкм (их называют субзернами), разориентированные друг относительно друга на угол 15-30 (малоугловые границы) Такая структура называется блочной или мозаичной (рис. 32), Свойства металлов будут зависеть как от размеров блоков и зерен, так и от их взаимной ориентации. [c.49]

Идеальные кристаллы характеризуются свойствами однородности и анизотропии. Однородность определяет неизменность свойств при перемещении точки измерения на расстояние, кратное периодам решетки. Анизотропия — зависимость свойств от направлений. Она зависит от группы симметрии. Принимая среду однородной, пренебрегают влиянием дефектов решетки блоков, дислокаций и т. п. В сравнительно сложных соединениях от точки к точке в той или иной степени изменяется стехиометрия (т. е. локальный химический состав кристалла). Например, в кристалле ниобата лития соотношение между оксидами лития и ниобия может изменяться иногда даже от 0,9 до 1,1. От дефектов и состава зависят также свойства кристаллов, но так как эта зависимость сравнительна слабая, приведенные свойства приписываются однородному кристаллу с идеализированным составом. [c.34]

К двухмерных дефектам относятся границы раздела между отдельными зернами и блоками в кристалле, которые можно рассматривать как совокупность дислокаций. [c.325]

База образца 109, 111 Барьер энергетический 250, 251 Бимомеит 651 Блок кристалла 235, 237 [c.821]

Деформационная пористость. Этот вид пористости развивается в покрытиях, в которых в процессе роста возникают напряжения. В эпитаксиальных монокристалжческих покрытиях в результате пластичес-ких микродеформаций возникают даслокации, которые, как было отмечено выше, являются активными стоками вакансий. Если температура нанесения покрытий достаточно высока и в материале покрытий в результате релаксационных процессов образуются дополнительные малоугловые границы, то порообразование происходит лреимущественно вдоль них. Если напряжения достаточно высоки, то может произойти отрыв дислокаций от вакансионного облака и зарождение пор будет происходить в объеме блоков кристаллов., [c.69]

Возможен и другой подход. В твердом теле, представляющем собой монокристалл, пластическая деформация происходит путем взаимного необратимого смещения блоков кристалла, на которые его делит система параллельных кристаллографических плоскостей. Технические металлы, как известно, имеют не мо-нокристаллическую структуру, а представляют собой поликри- [c.125]

Высокая твердость мартенсита объясняется созданием микро-и субмикроскопической неоднородности строения с равно.мерным ее распределением по объему, т. е. большим числом нарушений кристаллического строения. Микронеоднородность образуется в результате того, что в зерне аустенита возникает громадное количество мелких кристаллитов мартенсита, разделенных поверхностью раздела. Каждый кристаллит мартенсита состоит из блоков, размер которых значительно меньше, чем в исходном аустените. Дробление блоков происходит вследствие больших микронапряжений, возникающих в результате объемных изменений при у - а-превращении (фазовый наклеп). Границы блоков мартенсита, имеющие линейные размеры порядка 200—300 кХ, образуют сумикро-скопическую неоднородность. Толщина мартенситных пластин составляет 0,001—0,1 мм. На таком отрезке может уместиться от 30 до 5000 блоков кристалла мартенсита. Поверхности раздела мартенсита и особенно границы блоков представляют собой трудно преодолимые препятствия для движения дислокаций. Внутри блоков движение дислокаций тормозят 1шходящиеся в кристаллической решетке мартенсита атомы углерода, создавшие статические искажения решетки (напряжение третьего рода). Все это и определяет высокую твердость стали, имеющей мартенснтную структуру. Хрупкость мартенсита вероятно связана с образованием атмосфер из атомов углерода. Присутствие углерода и других примесей в твердом растворе повышает электросопротивление и коэрцитивную силу мартенсита и понижает остаточную индукцию и магнитную проницаемость. [c.190]

Процессы рассеяния Р. л., условия возникновения интерференционных максимумов и их интенсивность рассматриваются в кинематической и (более полной и строгой) динамической теориях интерференции Р. л. В последней учитывается многократное взаимодействие между первичными и отражептшми волнами Р. л. 1 дипамич. теории интерференции Эвальда— Лауэ электрич. свойства среды учитываются через ее диэлектрическую постоянную, со.чдаваемую периодически распределенной плотностью зарядов электронов в кристалле (см. Дифракция рентгеновских лучей). На основе этой теории были получены все основные соотношения для интегрального коэффициента отражения Р. л., зависимость коэффициента отражения от толнщны кристалла, дисперсионные соотношения, выражение для показателя преломления. Ослабление интенсивности Р. л. при отражении учитывается в динамич. теории рассеяния через первичную (в случае идеальных кристаллов) или вторичную экстинкции. В последнем случае волны, отраженные различными блоками кристалла, не когерентны и суммарная отраженная интенсивность волн выражается суммой интенсивностей волн, отраженных различными блоками. [c.425]

Для определения удельной поверхности пигментов используют газоадсорбционные методы, которые дают возможность характеризовать полную поверхность пигментных частиц, состоящую из внешней поверхности частиц и поверхности, заключенной в микротрещинах и тупиковых порах. Последняя в зависимости от строения блоков кристаллов должна составлять от 30 до 70 % общей поверхности. Поэтому средний условный диаметр частиц необходимо рассчитывать по значению внешней удельной поверхности, которая определяется методом воздухопроницаемости. [c.26]

Различные приемы рентгеноструктурного анализа позволяют перейти к оп-ределенню структурных особенностей (размер блоков, размер зерна, степень гекстурованности, наличие напряжений и др.). Размеры, форму и взаимное расположение кристаллов изучают металлографическими методами. [c.37]

В состав системы 15УТ-4-017 входят мини-ЭВМ Электроника 100/25 , рабочие места, оборудованные кодировщиками, алфавитно-цифровые и графические дисплеи, координатографы, Система позволяет проектировать топологию БИС и редактировать информацию в интерактивном режиме. При этом анализируют и редактируют эскиз кристалла и топологию компонентов и кристалла, преобразовывают топологию кристалла в информацию для управления микрофотонаборной установкой. Программное обеспечение системы состоит из следующих блоков [c.65]

Условно принято, что дислокация положительна, если она находится в верхней части кристалла и обозначается знаком L, и отрицательна, если находится в нижней части (знак Т ). Дислокации одтгаго и того же знака отталкиваются, а противоположного - притягиваются. Под воздействием напряжения краевая дислокация может перемещаться по кристаллу (по плоскости сдвига), пока не достигнет границы зерна (блока). При этом образуется ступенька величиной в одно межатомное расстояние. Винтовая дислокация (см. рис. 6.2,6) в отличие от краевой параллельна вектору сдвига. [c.265]

Отвлекаясь от трудностей при самых низких температурах, следует отметить, что церий-магниевый нитрат обладает рядом интересных свойств. С теоретической точки зрения он представляет единственное пзвестное в настоящее время вещество, магнитные свойства которого полностью, или почти полностью, определяются магнитным дииольным взаимодействием, поэтому подробные исследования его свойств при более низких температурах должны представлять значительный интерес. (В предварительных экспериментах, проведенных в Лейдене, было обнаружено отсутствие остаточного магнитного момента.) С экспериментальной точки зрения существенно, что очень низкие температуры могут быть получены при не очень больших значениях поля, а также что вплоть до весьма низ) их температур Т равно Т. Кроме того, благодаря значительной анизотропии после размагничивания можно включить поле в направлении тригональной оси без большого влияния на температуру. Однако церий-магниевый нитрат практически пеири-годен для исследований, в которых необходимо применять порошкообразные образцы или спрессованные блоки (например, если должен быть осуществлен хороший тепловой контакт с другими исследуемыми материалами). В этом случае между отдельными кристаллами возникают значительные разности температур, которые при самых низких температурах не успевают выравниваться в течение практически приемлемого иромен утка времени (см. п. 19). [c.508]

Очевидно, что ирименепне одной п той же соли в обеих ступенях не является наиболее эффективным методом достижения наинизшей температуры. Действительно, требования, предъявляемые к ступеням А и В, являются весьма различными. Температура, достигаемая при помощи А, не должна быть исключительно низкой (не ниже предела, указаипого выше), зато у блока должна быть отнята значительная энтропия (по меньшей мере намного большая, чем энтропия намагничивания В). Для блока В требуется соль, которая, будучи намагничена при 0,1° К почти до значения момента, соответствующего полному насыщению, приводит к очень низкой конечной температуре. Для этой цели требуется соль с очень слабыми магнитными взаимодействиями н взаимодействиями ионов с полем кристалла, т. е. (см. и. 4) соль, пмеюш ая очень низкое 0. [c.592]

В действительности, если мы рассматриваем не непрерывно распределенные дислокации, а дискретный ряд, в нелосредственной близости от осп XI получится напряженное состояние, быстро затухающее по мере удаления от оси. Если мы захотим соединить две части кристалла со слегка разнящейся ориентацией атомных плоскостей, мы обязательно получим несовпадение рядов атомов в плоскости соединения чтобы добиться необходимого совпадения нужно деформировать решетку, но эти деформации будут носить чисто местный характер. Таким образом, более точная модель границы блока должна быть построена из дискретных дислокаций, расположенных на конечных расстояниях. [c.479]

Обычно структура материалов типа металлов упорядочивается по элементам атом — кристалл (блок мозаики) — зерно. Дефекты в твердых телах можно разделить на две группы 1) искажения в атомно-молекулярной структуре в виде вакансий, замещения, внедрения, дислокации и т. п. 2) трещины — разрывы сплошности. Эти дефекты — локальные искажения однородности — совместно со сложностями структуры создают концентрацию напряжений. Что касается трещин, то их условно по размерам разделяют на три разновидности мельчайшие (субмикроскопические), микроскопические и макроскопические (магистральные). Вопросы взаимодействия локальных дефектов между собой и их роль в образовании субмнкроскопических и микроскопических трещин более относятся к физике твердого тела и являются одним из основных направлений физики разрушения. Не останавливаясь на детальном описании этих специальных вопросов, отметим, что в результате приложения внешних нагрузок в теле возникают дополнительные к силам межатомного взаимодействия силовые поля, приводящие в движение различные дефекты, которые, сливаясь, образуют субмикроскопические, а в последующем и микроскопические трещины. [c.182]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...