II рода размеров кристаллитов и блоков

В ранних работах использованы различные классификации внутренних напряжений. Предложенная Н. Н. Давиденковым [64] классификация напряжений в деформированных кристаллах основана на феноменологических параметрах — размерах области кристаллической решетки, в которой они уравновешиваются, а также рентгенографических признаках, от которых впоследствии пришлось отказаться [65]. Согласно этой классификации напряжения первого рода (зональные, или макронапряжения) должны уравновешиваться в макроскопических объемах, соизмеримых с размерами кристалла. Напряжения второго рода, или микронапряжения, уравновешиваются в размерах порядка размеров блоков (т. е. Ю — 10- см). Статические напряжения третьего рода, или искажения, уравновешиваются в объемах порядка объема элементарной части ячейки. [c.229]

Блочная структура кристаллов мартенсита при весьма малых размерах блоков мозаики, примерно 200—300 А и наличии искажений и напряжений 2-го рода. [c.206]

Макронапряжения или напряжения первого рода уравновешиваются в макрообъемах, соизмеримых с размерами детали. В этих объемах материал рассматривается как изотропный. Микронапряжения или напряжения второго рода распространяются в микрообъемах, соизмеримых с размерами зерен, блоков, групп зерен. Их появление вьпывается анизотропией кристаллов, ориентацией кристаллографических плоскостей, наличием различных фаз, дислокаций, взаимодействием соседних зерен между собой. Если соседние зерна представляют собой различные фазы с разными механическими и физическими свойствами, то при деформации или изменении температуры возникают межфазные ми1фонапряжения. Причиной межфазных температурных напряжений является различие коэффициентов линейного расширения этих фаз вдоль разных кристаллографических направлений. [c.53]

Считают, что по мере нагружения одна часть кристалла целиком сдвигается относительно другой в направлении линии скольжения. Расстояние между полосами скольжения лежит в пределах 10" — 10" см. Направление скольжения практически всегда совпадает с направлением вектора решетки в плотно упакованной плоскости. Оно начинается в каком-то одном месте тогда, когда касательные напряжения в плоскости скольжения достигают определенной величины, и постепенно распространяется на остальную часть плоскости. При этом нормальная к плоскости скольжения составляющая напряжения оказывает незначительное влияние на начало скольжения. Величина критического касательного напряжения зависит от чистоты металла, температуры и скорости деформирования. По мере нагружения кристаллиты разбиваются на фрагменты размером около 10 см, а те в свою очередь образуют блоки на два порядка меньше. В процессе разбиения возникают напряжения второго рода, связанные с искажением в решетке. Они соответствуют прочности материала в микрообъеме и пропорциональны пределу текучести. Около микродефектов вследствие локальных упругих напряжений кристал.таческой решеткч возникают значительные по величине ультрамикронапряжения (искажения третьего рода). Внутренние остаточные напряжения сосредоточивают часть остаточной энергии пластического деформиро- [c.126]

Высокая твердость мартенсита объясняется созданием микро-и субмикроскопической неоднородности строения с равно.мерным ее распределением по объему, т. е. большим числом нарушений кристаллического строения. Микронеоднородность образуется в результате того, что в зерне аустенита возникает громадное количество мелких кристаллитов мартенсита, разделенных поверхностью раздела. Каждый кристаллит мартенсита состоит из блоков, размер которых значительно меньше, чем в исходном аустените. Дробление блоков происходит вследствие больших микронапряжений, возникающих в результате объемных изменений при у - а-превращении (фазовый наклеп). Границы блоков мартенсита, имеющие линейные размеры порядка 200—300 кХ, образуют сумикро-скопическую неоднородность. Толщина мартенситных пластин составляет 0,001—0,1 мм. На таком отрезке может уместиться от 30 до 5000 блоков кристалла мартенсита. Поверхности раздела мартенсита и особенно границы блоков представляют собой трудно преодолимые препятствия для движения дислокаций. Внутри блоков движение дислокаций тормозят 1шходящиеся в кристаллической решетке мартенсита атомы углерода, создавшие статические искажения решетки (напряжение третьего рода). Все это и определяет высокую твердость стали, имеющей мартенснтную структуру. Хрупкость мартенсита вероятно связана с образованием атмосфер из атомов углерода. Присутствие углерода и других примесей в твердом растворе повышает электросопротивление и коэрцитивную силу мартенсита и понижает остаточную индукцию и магнитную проницаемость. [c.190]

Величина искажений второго рода сильно растет при увеличении содержания углерода в мартенсите. В то время как размеры блоков остаются неизменными, независимо от того, находятся ли кристаллы мартенсита в куске закаленной стали или они электролитически выделены (изолированы), большие искажения второго рода наблюдаются только в МОНОЛИТ1НЫХ, ораввитель-но крупных образцах, а в изолированных кристаллах мартенсита эти искажения почти отсутствуют. Это значит, что каждый кристалл мартенсита в закаленной стали упруго деформирован внешними по отношению к нему силами. При освобождении его от окружающей среды исчезают упругая деформация и та доля размытости линий, которая подчиняется закону пропорциональности тангенсу угла отклонения и независимости от длины волны рентгеновых лучей. [c.675]

До сих пор мы считали, Что единичная дислокация в ненапряженном кристалле не испытывает никакого сопротивления своему движению. На самом деле кристалл имеет конечные размеры и в свою очередь разбивается на субмикроскопические блоки, границы которых в настоящее время рассматривают как некоторые образования, составленные из дислокаций. В зависимости от расстояния до границы энергия дислокации меняется таким образом, границы являются препятствиями для движения дислокаций. Движению дислокаций могут мешать другие дислокации в той же или иных плоскостях скольжения, внедренные атомы или вакансии, субмнкро-скопические выделения разного рода. Наконец, имеется еще одна категория сил, препятствующих движению дислокаций даже в идеальной кристаллической решетке. Центр дислокации С при движении дислокации может совпадать с одним из атомов решетки или может находиться между ними. Оказывается, что энергия дислокации зависит от положения центра. Очевидно, что перемещение дислокации на одно междуатомное расстояние полностью восстанавливает картину, но для того, чтобы произвести такое перемещение, нужно преодолеть некоторый энергетический барьер дело обстоит так, как есля бы существовали некоторые силы, препятствующие движению дислокаций. Эти силы называются силами Пайерлса, величина их в сильной степени зависит от расположения атомов в кристаллической решетке. Для площадей наиболее плотной упаковки атомов и для направлений, соответствующих наименьшему расстоянию между атомами, силы Пайерлса оказываются наименьшими, для других кристаллических плоскостей и направлений величина их во много раз больше. Этим и объясняется то, что в кристаллах пластические деформации происходят по определенным системам скольжения, как было указано выше. [c.147]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...