Размер кристаллитов и блоков, определение

Карборунды получаются в горизонтальных длинных печах длиной 7 м, куда насыпается измельченный уголь и песок. Через торцы печей пропускается ток 1000—1500 а. Б смеси происходит реакция, в результате которой в печи получаются кристаллы карборунда 81С черно-зеленой окраски. Масса сплавляется в блоки, которые кранами подаются к копрам и далее к камнедробилкам в элеваторы. Получаемые зерна тоже просеиваются сквозь сита с ячейками определенных размеров. [c.471]

Один из этих методов основан на использовании значения размеров блоков в кристаллах, определенных одним из рассмотренных выше способов по интенсивности линий, по их ширине или по числу пятен на рентгенограммах. [c.724]

Вместе с тем многочисленные ранние качественные попытки обосновать повышенную стабильность атомных группировок в кристалле не увенчались успехом, а сообщаемые разными авторами размеры стабильных блоков очень сильно отличались друг от друга. Так, Гётц, наблюдая фигуры травления монокристалла Bi, оценил размеры блока вдоль грани (111) и перпендикулярно к ней равными соответственно 1,3 0,1 и 0,5 + 0,1 мкм [599]. Клячко [601] ограничивал размеры мицеллы длиной свободного пробега электронов. Как показал Борн [606], приложение квантовой теории к динамике кристаллической решетки приводит к трудностям, которые устраняются, если предположить определенный предел размеров идеальной решетки. Предварительными и довольно грубыми вычислениями он определил критическую длину 1о, свыше которой кристалл перестает быть идеальным при О К вследствие конечной амплитуды нулевых колебаний. Число атомов Zo, укладывающихся на этой длине, примерно одинаково для всех элементов и равно 500. G ростом температуры критическая длина I уменьшается и соответственно уменьшается число Z размещаемых на ней атомов по формуле [c.208]

Характер зависимости напряжения течения от размера зерна, а также размера элемента субструктуры при данном размере зерна свидетельствует об аддитивном влиянии двух структурных параметров. Анализ соотношений (1) и (2), проведенный в работе [10], показал, что для свободных кристаллов и монолитных поликристаллов при небольших углах мозаичности (малой степени деформации) характерно определенное соотношение размеров зерен и блоков мозаики, равное 30. С ростом пластической деформации это соотношение уменьшается, и при размерах блоков в 7— 8 раз меньше размера зерен блоки мозаики начинают играть роль зерен — зависимости (1) Петча и (2) Болла становятся идентичными. [c.8]

Определение размеров кристаллов и блоков мозаики. Как отмечалось выше, каждый кристаллит, в котором одно из семейств плоскостей удовлетворяет уравнению Вульфа — Брэггов, дает отраженный луч. Если размеры кристаллов относительно невелики (0,1-2 р.), то их число в объеме металла, участвующего в отражении, будет большим, как и общее число пучков отраженных лучей. Следы их на пленке в этом случае сливаются в одну сплошную линию, ширина которой определяется геометрией съемки. [c.204]

Считают, что по мере нагружения одна часть кристалла целиком сдвигается относительно другой в направлении линии скольжения. Расстояние между полосами скольжения лежит в пределах 10" — 10" см. Направление скольжения практически всегда совпадает с направлением вектора решетки в плотно упакованной плоскости. Оно начинается в каком-то одном месте тогда, когда касательные напряжения в плоскости скольжения достигают определенной величины, и постепенно распространяется на остальную часть плоскости. При этом нормальная к плоскости скольжения составляющая напряжения оказывает незначительное влияние на начало скольжения. Величина критического касательного напряжения зависит от чистоты металла, температуры и скорости деформирования. По мере нагружения кристаллиты разбиваются на фрагменты размером около 10 см, а те в свою очередь образуют блоки на два порядка меньше. В процессе разбиения возникают напряжения второго рода, связанные с искажением в решетке. Они соответствуют прочности материала в микрообъеме и пропорциональны пределу текучести. Около микродефектов вследствие локальных упругих напряжений кристал.таческой решеткч возникают значительные по величине ультрамикронапряжения (искажения третьего рода). Внутренние остаточные напряжения сосредоточивают часть остаточной энергии пластического деформиро- [c.126]

Гоффман [603] рассмотрел задачу об оптимальном разбиении вакансиями линейной цепи атомов на произвольные группы. Он исходил из полученного методом МО L AO выражения для энергии ограниченной цепочки и нашел, что минимум свободной энергии достигается при определенном размере группы. Произвольно перенося одномерные результаты на случай пространственной решетки, он получил следующие значения числа щ атомов в стабильном блоке ио == 91 -h 1360 для простой кубической решетки щ = 183 2721 для ОЦК-кристалла щ = 365 -f- 5441 для ГЦК-решетки и о = = 69 1242 для решетки типа алмаза. Однако эти оценки могут вызвать законное удивление, если учесть, что, как отметил уже сам автор, приведенные выше рассчитанные значения по имеют отрицательный знак. [c.209]

Часто исследуемые препараты имеют у юрядоченность, промежуточную между перечисленными выше основными тинами. Э. от них мепее удобны для структурных исследова шй. При возрастании размеров блоков в мопокрнстальных образцах характер рассеяния изменяется от кинематического к динамическому (см. Дифракция электронов). Значительное увеличение размеров блоков приводит к появлению на Э. т. п. линий Кикучи и полос (см. рис. 3 в ст. Дифракция электронов). Наиболее четко этот эффект наблюдается при С ьемках на отражепие от граней достаточно совершенного кристалла. По таким Э. можно судить о степеии совершенства исследуемого кристалла, но для определении атомной структуры вещества они, как правило, непригодны. [c.507]

До сих пор мы считали, Что единичная дислокация в ненапряженном кристалле не испытывает никакого сопротивления своему движению. На самом деле кристалл имеет конечные размеры и в свою очередь разбивается на субмикроскопические блоки, границы которых в настоящее время рассматривают как некоторые образования, составленные из дислокаций. В зависимости от расстояния до границы энергия дислокации меняется таким образом, границы являются препятствиями для движения дислокаций. Движению дислокаций могут мешать другие дислокации в той же или иных плоскостях скольжения, внедренные атомы или вакансии, субмнкро-скопические выделения разного рода. Наконец, имеется еще одна категория сил, препятствующих движению дислокаций даже в идеальной кристаллической решетке. Центр дислокации С при движении дислокации может совпадать с одним из атомов решетки или может находиться между ними. Оказывается, что энергия дислокации зависит от положения центра. Очевидно, что перемещение дислокации на одно междуатомное расстояние полностью восстанавливает картину, но для того, чтобы произвести такое перемещение, нужно преодолеть некоторый энергетический барьер дело обстоит так, как есля бы существовали некоторые силы, препятствующие движению дислокаций. Эти силы называются силами Пайерлса, величина их в сильной степени зависит от расположения атомов в кристаллической решетке. Для площадей наиболее плотной упаковки атомов и для направлений, соответствующих наименьшему расстоянию между атомами, силы Пайерлса оказываются наименьшими, для других кристаллических плоскостей и направлений величина их во много раз больше. Этим и объясняется то, что в кристаллах пластические деформации происходят по определенным системам скольжения, как было указано выше. [c.147]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...