Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Тетраэдр типа

Треугольник или тетраэдр типа  [c.111]

Каждый тип линии имеет свою область применения, своё назначение. На рис.1 показан пример использования разных линий в изображениях детали, образованной двумя цилиндрами и призмой, и тетраэдра (трехгранной пирамиды) ОАВС.  [c.10]

Позиция пространственной группы Координаты 24с 1 1 16а ООО 24d 0 4 8 mti X у z Кислородная координация Тип полиэдра 8 Додекаэдр (искаженный куб) 6 Октаэдр 4 Тетраэдр -  [c.716]

В случае ковалентной связи могут возникать молекулы, или кристаллы. Так, два атома хлора, каждый из которых имеет семь электронов на внешнем уровне Зр, обладают одной парой общих электронов и образуют молекулу. Атом германия, имеющий четыре электрона на внешней оболочке, имеет по одному общему электро-ну с четырьмя соседними атомами и в результате обладает восемью коллективизированными электронами. Электрон переходит с орбиты одного атома на орбиту другого атома, не отрываясь полностью от каждого из них. Каждый атом окруженный четырьмя соседями, является центром тетраэдра. Образуется трехмерная кубическая структура типа алмаза (рис. 3).  [c.8]


Кристаллический кремний имеет решетку кубической формы типа алмаза. Каждый атом кремния соединен четырьмя валентными связями с расположенными в вершинах тетраэдра другими атомами Si (рис. 13.6).  [c.181]

Ограничимся далее рассмотрением лишь основных типов (октаэдрических и тетраэдрических) междоузлий. Их расположение в ОЦК, ГЦК и ГПУ решетках показано на рис. 33, 34 и 35. Из этих рисунков видно, что октаэдрические междоузлия окружены шестью соседними узлами, а тетраэдрические — четырьмя. В первом из этих случаев многогранник, характеризующий пору в решетке, является октаэдром, а во втором — тетраэдром. Октаэдрические междоузлия в ГЦК решетке находятся в центрах кубических ячеек и в серединах ребер, а в ОЦК решетке — в центрах граней и серединах ребер. 9  [c.131]

Можно предположить, что чистое кварцевое стекло должно обладать наиболее ярко выраженными защитными свойствами ввиду реализации в нем весьма прочных химических связей в кремнекислородных тетраэдрах. Введение в его состав катионов будет сопровождаться поляризацией ионных комплексов, что повлечет за собой ослабление внутренних связей между этими комплексами ввиду образования структурных элементов типа  [c.246]

Существуют кристаллы с ковалентным типом связи атомов. Примером может служить алмаз, в котором каждый атом углерода связан с четырьмя другими. Все они расположены по углам правильного тетраэдра. Каждая пара атомов делит между собой электроны внешней оболочки, образуя общую внешнюю оболочку. Так, все атомы кристалла алмаза связаны ковалентными связями в единую гигантскую молекулу. Поскольку эти связи прочны, кристалл алмаза отличается весьма высокой твердостью.  [c.55]

Таким образом, в каждой из рассматриваемых четырёх точек градиент содержит столько единиц длины, сколько единиц площади содержится в удвоенной противолежащей грани, а по направлению он совпадает с вы отой, опущенной из данной точки на противоположную грань. Поверхностями типа (27.5) будут в данном примере плоскости, проведенные через вершины тетраэдра параллельно противоположным граням.  [c.275]

Бернал считал, что трехмерные связи в СПУ-структуре можно представить в виде различных многогранников. Он выяснил, каковы эти многогранники и в каких соотношениях они содержатся в СПУ-структурах. Если допустить, что колебания длины сторон полиэдров составляют до 15%, то СПУ-структура может быт > составлена из пяти типов полиэдров (рис. 3.23). Поры в этих полиэдрах называются дырками Бернала. Размеры дырок Бернала в полиэдрах всех пяти типов и количественные соотношения между полиэдрами разных типов представлены в табл. 3.5. Правильные тетраэдр (рис. 3.23, а) и октаэдр (рис. 3.23, б) составляют структуру плотно-упакованных О.Ц.К., г.ц.к. и других кристаллов, а тригональная призма (рис 3.23,б), архимедова антипризма (рис. 3.23,г) и тетрагональный додекаэдр (рис. 3.2, д) характерны для аморфных структур  [c.81]


Однородное напряженное состояние будет определено, если заданы напряжения поверхностных сил на трех площадках с некомпланарными (т. е. не параллельными одной плоскости) нормалями. Тогда напряжения на другой новой площадке можно вычислить из условий равновесия тетраэдра с гранями, параллельными этой площадке и трем заданным площадкам. Исходя из описания деформации, развитого в главе 2, естественно выбрать грани базисного параллелепипеда, построенного на базисных векторах в , в качестве характерных площадок, к которым приложены заданные напряжения. Это будет сделано ниже, сначала для случая базисного параллелепипеда в виде куба с единичными ребрами, а затем для параллелепипеда общего типа.  [c.76]

Обозначим все действующие на тело М объемные внешние силы типа (1.3.1)...(1.3.3), приходящиеся на единицу объема П, через F. Тогда из условия равновесия тетраэдра фис. 27) ДР"=ДР +АР +ДР +РДП с учетом (1.3.4)...(1.3.6) получим сг" =о п +F lim В связи с тем, что при  [c.88]

Первое допущение ограничивает круг рассматриваемых веществ и, строго говоря, допускает только простые соединения (т. е. состоящие из одного химического элемента). При этом элементарная ячейка может представлять собой правильный многогранник только одного из четырех типов тетраэдр, куб,  [c.38]

Как известно [1], бор в стеклах находится в основном в тройной координации по отношению к кислороду (полоса 1300 см ), и согласно [6], полоса в районе 1100 слг должна соответствовать бору, находящемуся в четверной координации. Для тетраэдров типа ВО4, разрешенными в ИК-области, характерны лишь два колебания — трижды вырожденные антисимметричные валентное и деформационное. В данном случае им соответствуют полосы поглощения в районах 1100 и 725 см Однако при температурах нагрева выше 800° С наблюдается расщепление этих полос. Так, полоса в районе 1100 м расщепляется на три полосы — 1045, 1090 и 1120 см . Это указывает на то, что тетраэдры ВО4 деформированы, вследствие чего вырождение колебаний снимается. В связи с этим полосу 475сж- можно отнести, вероятно, к одной из полос дважды вырожденного колебания ВО4, ставшего активным в ИК-области вследствие понижения симметрии. Термообработка стекла при 950° С приводит к исчезновению этих полос, вновь появляется мощная полоса поглощения в районе 1300 бор снова переходит в тройную координацию.  [c.122]

При квадратичной аппроксимации можно использовать элементы такой же формы, как и в симплексной модели, но с дополнительными узлами. Например, в качестве трехмерного комплексного элемента можно использовать криволинейный тетраэдр типа, показанного на рис. 10.4, а. В этом случае Мд = 10, А = 3. Вершины тетраэдра являются узловыми точками, а расположенке остальных шести узлов достаточно произвольно (оно должно лишь быть таким, чтобы определитель из элементов матрицы С не обращался в нуль). Удобно расположить эти узлы симметрично в серединах ребер тетраэдра.  [c.153]

К полупроводниковым материалам относятся большинство минералов, неметаллические элементы IV, V и VI групп периодической системы Менделеева, неорганические соединения (оксиды, сульфиды), некоторые сплавы металлов. Наибольшее применение получили элементы IV группы — Ое и 51, обладающие тетрагональной кристаллической решеткой типа алмаза. В вершинах тетраэдра раеположены четыре атома, окружающие атом, находящийся в центре. Каждый атом связан с четырьмя ближайшими атомами силами ковалентной связи, поскольку все они обладают четырьмя внешними валентными электронами.  [c.387]

Ионные растворы, содержащие большое количество ионов типа S xOy , или SiOa, склонного к полимеризации (тетраэдры [8104] ), обладают повышенной вязкостью при высоких температурах и медленно меняют ее в процессе затвердевания, сопровождающегося значительным переохлаждением. Такие системы называются длинными шлаками . На рис. 9. 38 приведены кривые изменения вязкости в зависимости от температуры для основных шлаков, содержащих большое количество элементарных ионов коротких , и для кислых шлаков, содержащих значительное количество ионов SijrO ( длинных ).  [c.358]

В классической геометрии, в частности, в начертательной геометрии, все объекты представлены состоящими из бесчисленного множества точек, материал которых не указан (если вообще может быть разговор о материале точки). Однако например тонкостенный формально пустотелый геометрический обт.ект, куб, тетраэдр, шар можно представить состоянигм внутри из точек типа воздух , деревянное тело — нз точек типа дерево , металлическое — нз точек типа металл , по химиче-С1ю.му ли составу, или по каким-нибудь другим признакам.  [c.26]


Разбиение трехмерного симплекса—тетраэдра — это обычное сечения тетраэдра плоскостями. Существуют типы разбиений вершинных и свободных вершин. В тех случаях, когда тетраэдр разбивается на тетраэдр и шестнвершинник, последний может быть подвергнут дальнейшей тетраэдрации , разбиению на трехмерные симплексы — тетраэдры (рис. 349, 350, 351).  [c.68]

Структура ZnS (рис. 1.26, 1.27). По типу структуры ZnS кристаллизуются многие бинарные соединения (GaAs, IzSb, ZnO). Сточки зрения плотнейшей упаковки любую структуру можно представить как состоящую из октаэдров и двойного числа тетраэдров, при этом возможны тетраэдры двух сортов —одна половина тетраэдров вершинами смотрит вдоль тройной оси (ось, перпендикулярная плотноупакованньш слоям) упаковки вверх, а другая половина —вниз. Заселяя одну половину тетраэдров катионами, приходим к структурному типу ZnS. Особенностью структур этого типа является их полярность, вызванная неравноценностью двух концов тройных осей — один конец соответствует основанию тетраэдра, а другой— вершине.  [c.31]

Кристаллографическая структура. Ферримагнитные оксиды типа граната кристаллизуются в структуре, изоморфной классическому минералу гранату Саз [А12](31з)0 2, Структура граната описывается кубической пространственной группой 1аЫ—ОЭлемент структуры показан на рис. 29.20. Кубическая элементарная ячейка граната содержит восемь формульных единиц. Шестнадцать ионов АР+ занимают октаэдрические позиции, обозначаемые 16а, двадцать четыре иона Si + г анимают позиции в центрах тетраэдров, обозначаемые 24d, и двадцать четыре иона a + находятся в окружении из восьми ионов кислорода, и их позиции обозначаются 24с.  [c.716]

Интересным типом точечных дефектов являются межузельные атомы. Ранее считалось, что при образовании межузельного атома происходит внедрение какого-либо атома в пространство между узлами кристаллической решетки. Например, для ГЦК решетки это означало, что межузельные атомы могут возникать в середине ребер элементарной ячейки (октаэдрическая конфигурация) или в середине тетраэдров, образованных четырьмя соприкасающн-  [c.233]

Ковалентные связи являются направленными, причем углы между связями зависят от числа и типа электронов, принимающих участие в образовании связи. Так, у элементов IVB подгруппы (С, Si, Ge) электронные оболочки s-орбиталей имеют сферическую форму, а электронные оболочки трех р-орбиталей вытянуты в трех взаимно перпендикулярных направлениях. Образующиеся в кристаллической рещетке этих элементов гибридные sp-орбитали имеют одинаковую форму и направлены к вершинам правильного тетраэдра. У элементов подгруппы VB только три неспаренных электрона каждый атом связан ковалентными связями только с тремя ближайшими соседями (рис. 3,6), при этом образуются двух-  [c.8]

Расположение атолюв в жидкостях и аморфных веществах нельзя считать некоррелированным. Радиальная ф-ция распределения, описывающая ср. число соседей на заданном расстоянии от случайно выбранного атома, имеет в этих веществах неск. чётко выраженных максимумов, отражающих корреляцию в расположении соседей в пределах неск. координац. сфер. На больших расстояниях максимумы исчезают. Ближний порядок определяется взаимодействием соседних атомов и зависит от характера связи между ними. Напр., в ряде аморфных металлов ближний порядок хорошо описывается в рамках модели твёрдых шаров со случайной плотной упаковкой. Простейшую реализацию этой модели можно получить, если положить в банку большое кол-во одинаковых твёрдых шаров, потрясти их, а затем сдавить. Ср. число ближайших соседей в такой модели близко к 12. Для атомов с ковалентным типом связи (типичные полупроводники) характерна фиксация углов между связями. Так, в аморфных Ge и Si (см. Аморфные и стеклообразные полупроводники) четыре ближайших соседа расположены в вершинах тетраэдра, в центре к-рого находится исходный атом, т. е. точно так же, как в соответствующих кристаллах. Однако, в отличие от ковалентных кристаллов, соседние тетраэдры повёрнуты друг относительно друга на случайные углы, так что дальний порядок отсутствует.  [c.342]

Альтернативой СПУ-модели является модель определенной локальной координации атомов (ОЛК-модель), которая находит свое экспериментальное основание в результатах, полученных методами высокого разрешения. Здесь локальное упорядочение имеет не геометрическую, а химическую причину, поскольку оно является отражением характера сил взаимодействия между атомами разного сорта. В качестве локальных структурных элементов, случайной упаковкой которых строится структура, в ОЛК-моделях выступают тригональные призмы (Гэскалл), искаженные тетраэдры, икосаэдры и др. Следует отметить, что после проведения релаксационной процедуры исходные определенные локальные координации атомов значительно искажаются, так что конечная структура мало зависит от типа выбранной в качестве базовой структурной единицы, а также от вида используемого парного потенциала. Все это уменьшает преимущества и предпочтительность ОЛК-моделей по отношению к СПУ-моделям. Кроме того, некоторые исходные предпосылки, заложенные в эту модель (постоянство отношения атомных радиусов металла и металлоида в пределах сплава данной системы), противоречат эксперименту.  [c.15]

Выбор типа, формы элемента и числа его узловых точек зависит от характера рассматриваемой задачи и от той точности решения, которую требуется обеспечить. Например, при решении одномерных задач распространения тепла и в задачах строительной механики при расчете стержневых конструкций область разбивают на одномерные конечные элементы, взаимосвязанные между собой по концам. При решении плоских задач (плоское напряженное состояние, задача теплопроводности в пластине и т. д.) области аппроксимируются треугольными или четырехугольными плоскими конечными элементами (рис. 1.5.1). Если рассматривается трехмерная область, то обычно она идеализируется с помощью элементарных тетраэдров, прямоугольных параллелепипедов либо неправильных шестигранников (рис. 1.5.2).  [c.55]



Смотреть страницы где упоминается термин Тетраэдр типа : [c.57]    [c.58]    [c.61]    [c.247]    [c.278]    [c.506]    [c.507]    [c.41]    [c.56]    [c.68]    [c.69]    [c.73]    [c.191]    [c.284]    [c.122]    [c.114]    [c.276]    [c.239]    [c.116]    [c.461]    [c.517]    [c.239]    [c.129]    [c.28]   
Метод конечных элементов для эллиптических задач (1980) -- [ c.57 ]



ПОИСК



Тетраэдрит 789, XII



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте