Распределение заряженных части

Это кинетическое уравнение содер>кит напряженность электрического поля. Е, подчиняющуюся уравнению Пуассона (46.12), правая часть которого определяется функциями распределения частиц. Иногда говорят, что поле согласовано с распределениями заряженных частиц. [c.184]

Прежде чем перейти к изложению сущности, укажем на различие трех выше указанных дифракционных методов. Оно обусловлено различной силой взаимодействия рентгеновского, электронного и нейтронного излучений с веществом. Рентгеновское электромагнитное излучение при прохождении через кристалл взаимодействует с электронными оболочками атомов (возникающие вынужденные колебания ядер вследствие их большой массы имеют пренебрежимо малую амплитуду), и дифракционная картина связана с распределением электронной плотности, которую можно характеризовать некоторой функцией координат р(л. у, z). В электронографии используют электроны таких энергий, что они взаимодействуют, главным образом, не с электронными оболочками атомов, а с электростатическими потенциальными полями ф(х, у, Z), создаваемыми ядрами исследуемого вещества. Взаимодействие между двумя заряженными частицами (электроном и ядром атома) значительно сильнее, чем между электромагнитным излучением и электронной оболочкой атома. Поэтому интенсивность дифракции электронного излучения примерно в 10 раз сильнее, чем рентгеновского. Отсюда понятно, почему получение рентгенограмм часто требует нескольких часов, электронограмм — нескольких секунд. [c.36]

Для объяснения такой закономерности Друде положил, что основная часть теплового потока при наличии градиента температуры переносится электронами проводимости. По Друде, металл представляется в виде ящика, заполненного свободными электронами, для которых справедливы законы кинетической теории газов. Для того чтобы металл был электронейтральным, считалось, что ящик заполнен соответствующим количеством положительно заряженных и более тяжелых частиц (ионов), которые неподвижны. Далее предполагалось (Лорентц), что электроны распределены по скорости в соответствии с функцией распределения Максвелла— Больцмана [c.192]

Пусть ф означает средний потенциал в какой-либо точке диффузной части двойного слоя. Согласно закону распределения Больцмана, концентрация положительных ионов в этой точке будет равна (если ф<0, т. е. в случае отрицательно заряженной поверхности электрода). [c.11]

Если в каком-либо объеме газов имеется неодинаковая концентрация заряженных частиц, возникает их движение из области с более высокой концентрацией в область с меньшей концентрацией. Такое явление носит название диффузии. Так как в стволе дуги всегда имеется весьма неравномерное распределение плотности тока (следовательно, и плотности ионов) вдоль радиуса, явление диффузии ионов из центральных частей ствола к периферии неизбежно. Диффузия вдоль оси дуги в ее стволе невозможна, так как концентрация ионов в любых сечениях ствола, нормальных к оси дуги, одинакова. [c.98]

Обсуждение экранировки в гл. 17 было основано на модели электронного газа, в которой ионы рассматривались как инертный однородный фон положительного заряда. При этом не учитывалось, что электрическое поле, создаваемое в металле внешним источником заряда, может быть связано не только с изменением пространственного распределения электронов, но и с искажением распределения ионного заряда. В некоторых случаях интерес действительно представляет лишь экранирующее воздействие электронов ). Однако часто бывает желательно учитывать экранировку внешнего источника всеми заряженными [c.141]

Таким образом, при больших частотах вещественная часть диэлектрической проницаемости стремится к значению, характерному для системы свободных зарядов,. если под массой понимать величину т. Для заряженных частиц в пустоте (при наличии лишь равномерно распределенного в пространстве [c.143]

Реактивные струи авиационных двигателей электрически заряжены [2-4], причем в больп1инстве случаев их нескомпенсированный за-эяд - положительный. Заряженными частицами могут быть ионы, возникающие в камере сгорания вследствие хемоионизационных реакций [5], частицы сажи, а также заряженные частицы, появляющиеся при возникновении и развитии дефекта в конструкции двигателя. Имеются два режима движения частиц. Первый характеризуется непрерывным распределением заряженных частиц, когда они без видимых разрывов заполняют объем струи. При этом достаточно мелкие частицы вовлекаются в турбулентное движение несущего газа. Второй режим характеризуется движением заряженных частиц сгустками. Такой дискретный режим может возникать при нарушении нормальной работы камеры сгорания (например, при колебаниях коэффициента избытка воздуха, когда в проточную часть двигателя пе-эиодически попадает избыточное количество сажи), при наличии механических повреждений двигателя, при изменении условий течения в проточной части (возникновение пульсирующих отрывных зон), а также может отражать периодические процессы в двигателе. [c.715]

Примеси в полупроводниках обычно рассматриваются как локализованные уровни с энергией, фиксированной по отношению к валентной зоне или зоне проводимости. Однако в 1949 г. Пирсон и Бардин показали [29], что энергия ионизации бора в Si уменьшается при увеличении концентрации примеси. Было доказано, что такое поведение характерно как для доноров [30], так и для акцепторов [31] в GaAs. Поскольку полупроводниковые лазеры часто изготавливаются из сильно легированного материала и работают при больших концентрациях инжектированных носителей, необходимо рассмотреть влияние этих больших концентраций на плотность состояний. При коццентрациях при-месей, характерных для полупроводниковых лазеров, нельзя описывать примеси локализованными уровнями, энергии которых отделены от краев зон некоторым промежутком. В этом случае произвольное распределение заряженных примесей в кристалле приводит к флуктуациям потенциала, которые создают хвосты плотности состояний в зоне проводимости и в ва- лентой зоне [4, 5, 32] j [c.155]

Далее, в результате процессов взаимодействия космических излучений с биологической тканью в теле космонавта будет создаваться неравномерное пространственное распределение поглощенных доз. Степень неравномерности этого распределения зависит от проникающей способности излучения. Для излучения очень больщой проникающей способности (например, для высо-коэнергетичной части спектра галактического космического излучения) локальная поглощенная доза могла бы в принципе служить критерием радиационной опасности, поскольку в этом случае перепады значений доз в различных точках отсека и по поверхности и объему тела космонавта были бы невелики. Однако при увеличении энергии заряженных частиц значительно возрастает вклад в дозу вторичных частиц, образующихся при ядерном взаимодействии в биологической ткани. При этом эффект вторичных излучений существенно зависит от общей массы [c.272]

Рассмотрим атом, содержащий заряд +Ne, сосредоточенный в центре и окруженный наэлектризованной сферой с зарядом Ne, равномерно распределенным внутри сферы радиуса R. Через е обозначим фундаментальную единицу заряда, которую в этой статье мы принимаем равной 4,65-10- СГСЭо. Предположим, что даже по сравнению с расстоянием, не превышающим 10- см, центральный заряд, равно как и заряд альфа-частицы, может рассматриваться как точечный. Ниже будет показано, что основные выводы теории не зависят от того, будем ли мы считать центральный заряд положительным или отрицательным. Для удобства будем считать его положительным, Вопрос об устойчивости атома рассматриваемого строения нет надобности обсуждать на этом этапе, так как устойчивость, несомненно, зависит от тонкостей строения атома и от движения его заряженных составных частей. [c.442]

Неустойчивости Н. п. нарушают однородное распределение плазмы в пространстве и могут привести к появлению новых структур. Одной из них, наиб, изученной, является сжатие, или контракция газового разряда. В длинной цилиЕдрич. трубке свечение газового разряда и электрич. ток сжимаются к оси, а в остальной части трубки газ не возбуждается. Механизм контракции разряда может быть разным, но суть её состоит в следующем. Из-за резкой зависимости скорости ионизации от плотности газа и повышения темп-ры вблизи оси трубки (где проходит ток) ионизация газа происходит только вблизи оси трубки. За счёт разных механизмов рекомбинации заряж. частицы гибнут в объёме не доходя до стенок трубки. В результате заряженные частицы сосредоточены вблизи оси трубки, в этой области происходит возбуждение газа и наблюдается его свечение. [c.354]

Применяются различные методы электризации, в результате которых на поверхность диэлектрика осаждается поверхностный заряд или внедряется в полимер объемный заряд. Часто используют коронный электрический разряд над поверхностью электризуемой пленки бомбардирующие диэлектрик электроны закрепляются на поверхностных ловушках . Часть электронов диффундирует в глубь диэлектрика, заполняя объемные ловушки . На нижнем электроде формируется компенсирующий заряд (см. рис. 6.1,6). Пространственно разделенные заряженные области создают внутри электрета и над его поверхностью электростатическое поле. В ряде случаев для формирования электрета целесообразно использовать искровой разряд в газе над поверхностью полимера. Инжекция электронов при этом происходит более интенсивно, но их пространственное распределение оказывается менее однородным. Для повышения однородности гомозаряда применяют контактные методы электризации, когда электрическое поле подается на полимерную пленку через тонкий слой жидкого диэлектрика. [c.164]

Решение уравнения (31.21) для изотропной плазмы с максвелловским распределением соответствует волнам поперечной поляризации с фазовой скоростью, большей скорости света, а поэтому практически не отличается от результата, получаемого при полном пренебрежении тепловым движением частиц плазмы. Тот факт, что фазовые скорости поперечных волн превышают скорость света, означает, что невозможно выполнение условия черенксвского излучения. Напротив, продольные волны, определяющиеся корнями уравнения (31.20), могут иметь малые фазовые скорости, а поэтому могут излучаться равномерно движущейся заряженной частицей. В окрестности области прозрачности, где действительная (е ) часть диэлектрической проницаемости обращается в нуль, мнимая (е ) часть также мала, что и соответствует возможности слабозатухающих колебаний. При этом мнимая часть диэлектрической проницаемости имеет тот же знак, что и частота. Поэтому в пределе малой е имеем [c.116]

В природе ие существует источников заряженных частиц, эмиттирующих частицы одинаковой энергии. Все катоды и ионные источники характеризуются нек-рым специфич. распределением скоростей эмиттир. частиц. Кроме того, при взаимодействии электронов с веществом возникают потери энергии. Поэтому частицы, испытавшие такое взаимодействие, характеризуются также нек-рым разбросом энергии. Наконец, источники питания линз и источники высокого напряжения нестабильны, так что фокусирующий ток или напряжение могут изменяться. Все эти причины вызывают дополнит, размытие изображения — хроматич. аберрации. В осесимметричных системах параксиальные электроны, вышедшие из осевой точки предмета, не фокусируются в точку изображения Гаусса. Часть из них, обладающая меньшей начальной энергией, фокусируется перед плоскостью Гаусса, а часть с большей начальной энергией — за плоскостью Гаусса. В нлоскости Гаусса наблюдается кружок радиуса (отнесенный к плоскости предмета) [c.477]

Адсорбционная пленка служит основой для формирования фазовой окисной пленки, скорость образования последней зависит нри прочих равных условиях от химической активности металла. Фазовые пленки могут быть хорошо связаны с металлом лишь в том случае, если изоморфны с ним. Большинство окисных пленок имеет ионное строение, их кристаллическая решетка состоит из заряженных ионов металла и кислорода с гетерополярной связью. Однако в строении реальных окисных фаз имеются несовершенства неравномерное распределение ионов в кристаллической решетке, свободные незаполненные места (дырки), дислокации, искажения и т. п. Поэтому связь между компонентами в окисных фазах в действительности может быть более сложной и наряду с гетерополярной существует гомеопо-лярная (ковалентная) и даже может быть локальная металлическая связь, которая осуществляется электронами, свободно перемещающимися в кристаллической решетке, или спаренными электронами, принадлежащими группе атомов металла в решетке окисла. Это возможно в местах перехода от окисной фазы к металлу, где имеется некоторая промежуточная зона толщиной в несколько атомных слоев. Эта прослойка представляет собой искаженную часть металлической решетки с одной стороны и окисную — с другой. [c.25]

Общие ионосферные возмущения. Эти возмущения создаются происходящими время от времени на Солнце извержениями потока заряженных частиц, которые, вторгаясь в атмосферу Земли, вызывают нагревание верхних слоев атмосферы и нарушают нормальную структуру ионизированной области атмосферы, главным образом, самой верхней ее части — области р2- Приближаясь к Земле и вступая во взаимодействие с магнитным полем Земли, корпускулярные потоки отклоняются от первоначальных прямолинейных траекторий, завихряются и попадают, главным образом, в 1Поля1рные районы. Этим определяется географическое распределение ионосферных возмущений, которые в наибольшей степени проявляются в кольцевой зоне вокруг магнитных полюсов. Интенсивность ионосферных возмущений заметно снижается по мере уменьшения геомагнитной широты. [c.289]

В задачи Я. а. входит гл. обр. определение вероятности разных яд. процессов и их энергетич. эффекта. Эти данные используются в теории эволюции звёзд и в теории нуклеосинтеза. Для теории эволюции звёзд наи- более важны яД- реакции между заряженными ч-цами, включая протоны, йльфа-частицы и т. д. Они происходят внутри звёзд в условиях термодинамич. равновесия при максвелловском распределении ч-ц по скоростям. Поэтому скорость таких термояд, реакций пропорц. вероятности преодоления кулоновского барьера, усреднённой по равновесному распределению относит. скоростей ч-ц. В результате интенсивность термояд, реакций и их энерговыделение резко возрастают с темп-рой. Весьма важен учёт электронного экранирования в плазме, к-рое снижает высоту барьера и облегчает протекание яд. реакций. Для вычисления скоростей реакций используются наряду с эксперим. данными разл. теоретич, модели ядер. Процессы слабых вз-ствий часто входят в цепочку яд. процессов, в частности в первую реакцию водородного цикла Н4- Н-)-В+е + -1-г, где е+—позитрон, V — нейтрино. На поздних стадиях эволюции звёзд, когда эл-ны становятся вырожденными, для слабых вз-ствий характерен запрет на радиоактивный бета-распад ядер. Для этих же условий характерны электронные захваты (при непрерывном энергетическом спектре электронов, в отличие от обычного в земных условиях К-за-хвата). [c.910]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...