Диэлектрическая проницаемость при высоких частотах

Входяш ие в операторы новые эффективные параметры, такие как модули упругости, коэффициенты теплопроводности, коэффициенты диэлектрической проницаемости и другие, являются постоянными, найденными эмпирически. В действительности, в случае, когда матрица композита полимерная, последние, как и многие другие материалы, способны при длительной постоянной нагрузке или при переменных нагрузках проявлять неупругие свойства и поэтому являются операторными величинами. Аналогичными свойствами обладают диэлектрические и другие проницаемости при высоких частотах изменения электромагнитного поля. Для умеренной интенсивности полей указанные операторы могут быть построены в линейном приближении. Пользуясь принципом Вольтерра и заменяя в формулах физические постоянные соответствуюш ими линейными операторами, удается расширить область применимости уравнений состояния. В частности, опе- [c.168]

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ ПРИ высоких ЧАСТОТАХ (10 ... 108 гц) [c.76]

Полистирольные пленки. Преимуществом полистирольных. пленок перед любыми другими полимерными пленками являются их высокие диэлектрические свойства. Диэлектрические потери таких пленок меньше, чем у других пластмасс, диэлектрическая проницаемость при разных частотах составляет 2,4— 2,6. Полистирольные пленки нашли широкое применение в электротехнической и электронной промышленности. Кроме того, они применяются в цветной фотографии и для упаковки пищевых продуктов. [c.159]

Такие ионы в тепловом движении могут перемещаться на расстояния, значительно превышающие упругие смещения. Но в отличие от электропроводности этот процесс носит локальный, а не сквозной характер. Локальные тепловые перемещения слабо связанных ионов при наличии электронного поля создают асимметрию распределения электрических зарядов в диэлектрике и, следовательно, создают электрический момент в единице объема. Диэлектрическая проницаемость зависит от частоты электрического поля и от температуры. После снятия поля ионно-релаксационная поляризация постепенно ослабевает. Поляризация этого типа имеет замедленный характер и при высоких частотах не происходит. [c.8]

Независимость диэлектрической проницаемости азота, элегаза и других газов от частоты напряжения в очень широких пределах ее изменения, а также неизменность диэлектрической проницаемости при постоянной плотности газа при изменении температуры используются в эталонных (измерительных) конденсаторах. Фактор малых диэлектрических потерь газов ири высоких частотах используется при создании высокочастотных конденсаторов. [c.64]

Проведенное выше рассмотрение одинаково справедливо при высоких частотах как для диэлектриков, так и для металлов. При очень высоких частотах не существует даже количественного различия между этими двумя случаями, причем диэлектрическая проницаемость, как правило, имеет вид (см., например, 84 в книге [1]) [c.29]

Структурная формула, изображающая несколько звеньев молекулярной цепи клетчатки, дана на фиг. 88. В каждом звене молекулы клетчатки содержатся по три гидроксильных группы — ОН. Наличие этих групп обусловливает полярность клетчатки, так как при воздействии электрического поля гидроксильные группы способны смещаться по отношению ко всей молекулярной цепи, создавая эффект структурной (дипольно-релаксационной) поляризации. В связи с этим клетчатка имеет относительно высокую диэлектрическую проницаемость (s = 6,5 7) и большой тангенс угла потерь (tgS = 0,0050,010) при технической частоте максимум угла потерь клетчатки лежит около —80° С, а при высокой частоте смещается в область положительных температур. [c.180]

Рис. 8.10. Зависимость е от частоты v стот (10 10 Гц) диэлектрическая проницаемость Бопт обусловлена только электронной упругой поляризуемостью. При столь высоких частотах из-за инерционности никакие другие механизмы поляризации не успевают установиться. В полях с частотами выше 10 —10 Гц поляризация уже невозможна и е==1.

Резкий рост диэлектрической проницаемости с ростом температуры происходит, когда вязкость жидкости достаточно снижается, что облегчает ориентацию дипольных молекул электрическим полем. Из кривых рис. 2-2 видно, что диэлектрическая проницаемость полярного диэлектрика зависит и от частоты. При больших частотах температурный максимум диэлектрической проницаемости сдвигается в область более высокой температуры, причем максимум снижается. [c.34]

Измерения производились на частоте 100 кГц. При возрастании смещающего поля пик диэлектрической проницаемости уширялся и смещался в сторону высоких температур. [c.68]

В это уравнение включено движение комплекса, содержащего ион решетки вместе с дефектом Бьеррума. Мы складываем их алгебраически, так как если ион положительный, то ему почти всегда соответствует дефект Бьеррума с отрицательным зарядом и наобооот. Следовательно, FJ означает среднюю силу, действующую на такой комплекс. Если отбросить зарядовый член, пропорциональный е, то выражение для FJ дает среднюю силу, действующую на дефект Бьеррума. Мы имеем член вида произведение заряда на поле минус статистическая сила, которая должна существовать, коль скоро имеется поляризация. Статистическая сила должна быть равна силе, необходимой для установления правильной равновесной поляризации, т. е. должна вызывать поляризацию, равную разности поляризации, соответствующей статической диэлектрической проницаемости, и поляризации, соответствующей диэлектрической проницаемости при высоких частотах. Средняя сила, действующая на комплекс ион — дефект в состоянии равновесия, обладает потенциалом [c.328]

Для определения tg б и диэлектрической проницаемости при звуковых частотах обычно пользуются также различными мостовыми приборами. При высоких частотах определение tg б и диэлектрической проницаемости производится иными методами. Широкое применение имеют так называемые куметры, представляющие собой колебательные контуры, настраиваемые в резонанс, tg б и емкость измеряемых образцов определяются из условий резонанса контуров без подключения образца и с подключенным образцом. [c.16]

Спонтанная поляризация — это поляризация диэлектрика, возникающая при отсутствии внешнего электрического поля. Поляризация нелинейно зависит от напряженности электрического поля и характеризуется явно выраженным, большим максимумом при некоторой определенной температуре. Характерна для диэлектриков кристаллических структур, имеющих области (домены) с легко поляризующимися и длительно сохраняющими поляризованность кристаллическими системами, находящимися в большой зависимости от температуры вплоть до точки Кюри, при которой отмечается наивысшее поляризованное состояние и соответствуютцая ему максимальная диэлектрическая проницаемость. При более высокой температуре происходит структурное изменение в доменах и диэлектрическая проницаемость резко сни-лшется, а спонтанная поляризация исчезает. Эта поляризация имеет замедленный, характер, при высоких частотах не происходит, имеет диэлектрический гистерезис и характерна для сегнетоэлектрнков (ти-танаты бария, кальция, стронция). [c.9]

При использовании кристаллов типа НБС, имеющих высокую диэлектрическую проницаемость е при комнатной температуре, первостепенное значение приобретает верхняя гралица рабочей частоты модуляции, так как при высокой частоте происходит нагревание электродов, ведущее к повышению температуры кристалла и, следовательно, к изменению величины двупреломления. [c.125]

Тангенс угла диэлектрических потерь и диэлектрическую проницаемость материалов высокой нагревостойкости при частоте 50 Гц в воздушной среде и температуре 650°С определяют в установке (рис. 1.7), состоящей из трехэлектродиой системы, нагревательного устройства и измерительного моста Р525. Нагревательное устрой- [c.27]

Фторопласт-4 — белый или сероватый полупрозрачный материал, имеющий плотность около 2,3 г/сл . Он сравнительно мягок и обладает склонностью к холодной текучести его предел прочности при растяжении 140—250 кПсм -, удлинение при разрыве 250—500% предел прочности при статическом изгибе ПО—140 кГ/см ] удельная ударная вязкость более 100 кГ-см1см твердость по Бринеллю 3—4 кПмм . По своим электроизолирующим свойствам фторопласт-4 принадлежит к лучшим из известных нам диэлектриков, в особенности при условиях работы в полях высоких и сверхвысоких частот его диэлектрическая проницаемость в интервале частот от 50 до Ю - гц составляет 1,9—2,2 tg 8 = 0,0001 -ь 0,0003 удельное объемное сопротивление выше 10 ом-см.. Морозостойкость материала характеризуется сохранением гибкости при температурах ниже —80° С, а для тонких пленок—даже ниже —100° С. [c.220]

Важнейшими из этих особенностей являются зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и от частоты. Повышение температуры действует на ди-польпую поляризацию двояко за счет ослабления меж-молекулярных связей ориентация диполей должна облегчаться, а за счет усиления теплового движения — ослабляться, так как сильное тепловое хаотическое движение будет мешать упорядочению расположения молекул. При достаточно низких температурах за счет усиления межмолекулярных связей и резко пониженной подвижности молекул дипольная поляризация проявляется очень слабо и диэлектрическая проницаемость диэлектрика оказывается небольшой. При достаточно высокой температуре за счет большого усиления теплового движения, затрудняющего ориентацию диполей электрическим полем, дипольная поляризация также будет ослаблена. При оптимальном значении температуры дипольная поляризация 1выражена наиболее сильно, и величина диэлектрической проницаемости достигает максимума. Сказанное иллюстрируется рис. 2-4, на котором показана зависимость диэлектрической проницаемости совола от температуры при разных частотах. Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости при разных температурах имеет разные числовые значения и даже разные знаки. [c.31]

При высоких частотах определение б и диэлектрической проницаемости производится различными методами. Широкое применение имеют так называемые кумет-106 [c.106]

Определение б и диэлектрической проницаемости при частоте 50 гц производят обычно по стандартизованной методике на мосте высокого напряжения (мосте Шеринга). Принципиальная схема моста МДП для определения 6 и диэлектрической проницаемости дана на [c.89]

При высоких частотах определение tg б и диэлектрическое проницаемости производится различными методами. Широкое применение имеют так называемые куметры, представляющие собой колебательные контуры, настраиваемые в резонанс. [c.91]

Примерные свойства микалекса плотность около 3 /сг/( ж цвет — светлосерый нагревостойкость по консольному опо-собу около +450° С, длительно допустимая рабочая температура +350° С прочность на разрыв 300—400 кг1см , на сл атие 2 500—3 ООО кг/см удельная ударная вязкость 2,5 кг см/см удельное объемное сопротивление (при - -100° С) 10 2 ОМ-СМ] диэлектрическая проницаемость 7,5 тангенс угла потерь при высоких частотах около 0,003 электрическая прочность (при 50 гц) 15 кв1мм] материал вполне стоек к действию нефтяного масла и различных растворителей. [c.168]

Сульфат и ниобат лития имеют на порядок с лишним меньшую диэлектрическую проницаемость е , чем пьезокерамика. Это обеспечивает хорошее электрическое согласование при высоких частотах и больших площадях излучателя. Поливинилиденфторид занимает особое положение, поскольку его структура несопоставима со структурой керамики или кристаллов. Поэтому его константы, приведенные в табл. 7.1, в некоторых случаях имеют совершенно иные значения, чем у всех других тпьезоматериалов. Несмотря на свой очень низкий электромеханический коэффициент связи (/гг = 0,12), ввиду некоторых других уникальных свойств он представляет интерес для контроля материалов. Низкие значения звукового сопротивления меха- [c.149]

Мощность, выделяющаяся в диэлектрике, пропорциональна мнимой части диэлектрической проницаемости е" к tg б, называемой иначе фактором потерь, а также частоте и квадрату напряженности электрического поля. Стремление ускорить нагрев приводит к использованию высоких частот и больщих напряженностей электрического поля. Максимальная допустимая напряженность не должна превосходить электрической прочности диэлектрика, т. е. напряженности поля, при которой происходит пробой и разрушение диэлектрика. Выбор максимальной допустимой частоты связан с особенностями волновой структуры высокочастотного электро.магнитного поля. [c.141]

Органические полярные диэлектрики имеют дипольно-релаксационную поляризацию, которая связана с наличием в звеньях цепей полимера полярных радикалов (гидроксильных, карбоксильных, галоидных и др.) при несимметричном их расположении в цепи полимера. Эта поляризация в твердом диэлектрике, так же как и в жидкостях, связана с тепловым движением, но ориентация диполей здесь происходит в меньшей мере, не всей молекулы, а только ее радикалов, так как поворот диполей ограничивается высокой вязкостью полимера, превосходящей вязкость мономеров или олигомеров в десятки тысяч и миллионы раз. Диэлектрическая проницаемость твердых полярных полимеров, так же как и полярных мономеров и олигомеров, зависит от частоты и температуры, но максимум выражен тем меньше, чем больше, жесткость материала, чем выше его вязкость в одном и том же интервале температур и частот. Зависимость поляризации диэлектриков от частоты электрического поля иоказана на рис. 1.1. [c.13]

Керамика данного типа Б отличается высокой диэлектрической проницаемостью (е >> 900), но вместе с тем н относительно большими потерями, достигающими значения tg6 = 5-10 при частоте 1000 гц. При изменении температуры диэлектрическая проницаемость е изменяется не по линейному закону, как у высокочастотной керамики, а большею частью по кривой с максимумом поэтому температурную зависимость е оценивают не величиной ТКе, а коэффициентом температурной стабильрюстн Рт = Абт/взо, где Де,. —наибольшее изменение диэлектрической проницаемости относительно значения е,,з при 20°С, наблюдаемое в рабочем интервале (—40) ч- (+85)° С при слабых переменных полях (табл. 10.3). Диэлектрическая проницае- [c.147]

Экспериментальные значения полуволнового напряжения изменяются от 1250 до 1950 В. Столь большой интервал значений Fx/2 естественно было бы приписать вариации состава кристаллов. Однако исследования, проведенные в работе [13], показали, что для двух кристаллов, температуры фазового согласования которых различаются на 30 К, разница в полуволновых напряжениях составляет не более 2%. Различия в значениях Fx/z можно объяснить, если учесть, что сопротивление и диэлектрические проницаемости кристалла связаны с полнотой его монодоменизации и могут оказывать влияние на величины электрооптических коэффициентов при низкой и высокой частотах. Вариации сопротивления и диэлектрической [c.197]

Решетки свободных носителей. При поглощении излучения кристаллами в них, наряду с тештовым изменением показателя преломления, Morjo возбуждаться свободные носители. Как известно, диэлектрическая проницаемость максвелловской плазмы для высоких частот представляется в виде [c.58]

Ошибочность результатов, полученных в работах [895, 912, 917, 918] при использовании бесконечно высоких потенциальных барьеров, Цини показал следующим образом. Прежде всего он отметил, что в рамках этой модели разные авторы приходят к одинаковому выражению для диэлектрической проницаемости ё (со) частиц, в которое время релаксации вводится обычным приемом, предполагающим конечное время жизни электронных состояний. Однако этот прием эквивалентен допущению неэрмитовости гамильтониана, что в конечном счете приводит к нарушению правила сумм. Далее, при выводе аналитического выражения для 8 (со) все операции суммирования заменяются интегралами, и, таким образом, пренебрегается квантовая природа переходов между дискретными уровнями, а, кром того, сама е (со) оказывается расходящейся при низких частотах. [c.297]

Чтобы более корректно описать размытие пиков поглощения. Цини исходит непосредственно из правила сумм, предполагая, что с электромагнитным полем заданной частоты взаимодействуют не все N электронов частицы, распределенных по дискретным энергетическим уровням, но только некоторые из них в количестве Мдф (со), занимающие высокие уровни. Учитывая очевидное условие Л"эф (со)- ЛГ при со- оо, Цини находит мнимую компоненту 82(0)) диэлектрической проницаемости из правила сумм и, подставляя 82 (со) в дисперсионное соотношение, определяет реальную компоненту 8j (со). Расчеты выполнялись для куба с обычной заменой суммирований на интегралы. Частоты СО поверхностных плазмонов находили ориентировочно по формуле 8i( o )=—2, действующей для сферической частацы в вакууме. Расчетами выявлено 1) при уменьшении размера частиц значения со возрастают, но немонотонно, а осциллирующим образом [c.297]

Рассмотрим кратко причину появления этих разрядов. Проводимость газа в небольших полях обычно намного меньше, чем проводимость твердого диэлектрика-полимера (аг сгп). Поэтому на низких частотах и при постоянном напряжении напряженность электрического поля в газовом промежутке выше, чем в окружающем промежуток полимере. Кроме того, диэлектрическая проницаемость газа меньше, чем у полимера (ег<8п) поэтому и при повышенных частотах, когда напряженность поля распределяется обратно пропорционально величине в. получается, что газовый промежуток опять электрически нагружен больше, чем полимер. Учитывая то, что пробивная напряженность в газах гораздо меньше, чем в твердых диэлектриках, естественно ожидать, что по мере повышения электрического напряжения пробой в газовых порах будет возникать задолго до возможного пробоя полимера. Напряжение, при котором происходит это явление, называют напряжением возникновения дробных разрядов, или напряжением ионизации. Дробными эти разряды называют потому, что они не закорачивают полностью электроды и быстро погасают. Дело в том, что после пробоя газового включения в нем образуется плазма с высокой проницаемостью ( 8пл > 8п) и большой проводимостью (сгпл>сгп). Поэтому напряженность электрического поля немедленно перераспределяется так, что электрически нагруженным оказывается полимер, а напряжение в газовом промежутке (теперь уже плазменном) падает почти до нуля. Вследствие этого разряд прерывается, ио [c.59]

Дипольная поляризация, обусловленная тепловым движением. Механизм тепловой ориентации диполей был предложен Дебаем для объяснения высокой диэлектрической проницаемости воды и других полярных жидких диэлектриков. При 300 К на низкой частоте для воды е 80, в то время как на высокой частоте еэл = = n = l,77. Такое различие в е на разных частотах объясняется запаздыванием ориентации полярных молекул во внешнем электрическом поле при частотах выше 10 —10 ° Гц. Когда внешнее электрическое поле отсутствует ( = 0), диполи ориентированы хаотично и поляризованность Р = 0. Если >0, то в процессе теплового хаотического движения часть диполей ориентируется по полю, вследствие чего появляется новое равно1весное состояние— поляризованное. Это равновесие является термодинамическим за счет тепловых движений (колебаний, вращений) диполи приобретают благоприятную ориентацию, но те же тепловые колебания препятствуют ориентации всех диполей в электрическом поле. Чем выше напряженность электрического поля, тем большая часть диполей в единице объема ориентирована и тем выше поляризованность. В среднем электрический дипольный момент в расчете на одну молекулу пропорционален напряженности электрического поля (если поля не слишком велики) р = ацлР, где Од.т — поляризуемость дипольной тепловой поляризации F микроскопическое электрическое поле. [c.69]

Смотреть страницы где упоминается термин Диэлектрическая проницаемость при высоких частотах : [c.204] [c.242] [c.247] [c.101] [c.779] [c.347] [c.176] [c.35] [c.480] [c.408] [c.170] [c.377] [c.149] [c.153] [c.304] [c.154] [c.58] [c.271] [c.11]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...