Диэлектрическая проницаемость кристалла

Здесь п — целое число, вд — диэлектрическая проницаемость кристалла, л, — приведенная масса электрона проводимости и дырки [c.152]

Диэлектрическая проницаемость кристаллов НБС весьма чувствительна к составу твердого раствора (рис. 4.3). Наибольшие значения Вс имеют кристаллы с низким содержанием бария 0,16 <х< 0,25. Измерения температур- [c.109]

Измерения диэлектрической проницаемости кристаллов НБС, проведенные в области частот от 50 Гц до 20 МГц, указывают, что максимумы диэлектрической проницаемости с увеличением частоты сдвигаются в область высоких температур, а величина их уменьшается, причем сдвиг сопровождается размытием самих максимумов (рис. 4.4) [2, 26]. [c.110]

Диэлектрические проницаемости кристаллов НБН, измеренные вдоль осей X, Y и Z при комнатной температуре на низкой частоте (1,6 кГц]), имеют следующие значения 6 = 238 5 ек = 228 5 вг = 43 2 [34]. Диэлектрическая проницаемость НБН вдоль оси с на различных частотах измерялась в работе [13]. Авторами этой [c.183]

В этом выражении — электронная поляризуемость, aj — ионная поляризуемость (обе — на единицу объема). Выполнение этого условия соответствует бесконечному возрастанию статической диэлектрической проницаемости кристалла, характерному для сегнетоэлектрических фазовых переходов. [c.81]

Рис. 45. Зависимость диэлектрической проницаемости кристалла сегнетовой соли от температуры

Из соотношения (1.4.8а) мы видим, что под действием внешнего поля изменяются как главные оси, так и главные диэлектрические проницаемости кристалла, причем эти изменения зависят от направления и силы внешнего поля. Следовательно, изменяя к примеру лишь амплитуду поля можно управлять параметрами распространения электромагнитного поля падающего на кристалл. По такому принципу построена, например, ячейка Поккельса. Она состоит из расположенной между взаимно ортогональными поляризаторами кристаллической пластинки с проводящими электродами на рабочих поверхностях (рис. 1.11). Прикладывая к кристаллу напряжение К, можно менять на необходимую величину разность фаз Г двух распространяющихся через кристалл лучей. [c.42]

Здесь Tik, Ulm, — компоненты тензоров соответственно механического напряжения, деформации и упругих модулей кристалла (последние взяты при постоянном электрическом поле) Е, Е — векторы напряженности электрического поля в кристалле и вакууме соответственно D — вектор электрической индукции — компонента тензора диэлектрической проницаемости кристалла при постоянной энтропии вцц — компонента тензора пьезоэлектрической постоянной. [c.56]

Плоская гармоническая рэлеевская волна, распространяющаяся по направлению х в указанной плоскости, характеризуется смещениями С/ , и электрическими потенциалами ф и ф в кристалле и вакууме. Эти переменные являются функциями х, 2 и Используя выражения (3.16)—(3.18) для тензоров упругих модулей, пьезоэлектрических постоянных и диэлектрических проницаемостей кристаллов данной симметрии, перепишем уравнения (3.68), (3.70) в развернутом виде [c.204]

Если Ео — диэлектрическая проницаемость кристалла в статическом поле, то удельная поляризация Ро определяется также равенством [c.70]

Решая уравнение (13.43) относительно при фиксированной частоте со, определим диэлектрическую проницаемость кристалла [c.73]

В область щели поляритонного спектра. Однако границы этой щели определяются частотами, Qt и О,, которые характеризуют поперечные и продольные колебания ионов без учета запаздывания взаимодействий. Полюс диэлектрической проницаемости кристалла, характеризующий положение резонансной полосы поглощения и кривую дисперсии показателя преломления, расположен также при частотах со = й/. [c.79]

В результате взаимодействия электрона и дырки в кристалле возможно появление особых бестоковых связанных состояний электрона и дырки, получивших название экситонов Ванье — Мотта [192— 195]. В диэлектриках и полупроводниках с большой диэлектрической проницаемостью основные особенности таких экситонов могут быть найдены на основе простейшей модели. В этой модели электрон и дырка рассматриваются как квазичастицы с противоположными единичными зарядами с потенциальной энергией взаимодействия —е гг, где е —низкочастотная диэлектрическая проницаемость кристалла, и эффективными массами, соответствующими для электрона (mt) дну зоны проводимости и для дырки (т ) —потолку валентной зоны. [c.312]

Если тензор эффективной массы электронов и дырок отрицателен (критическая точка типа Мд, см. 42), то кулоновское взаимодействие между электроном и дыркой можно рассматривать как отталкивающее взаимодействие для частицы с положительной массой. В этом случае связанные состояния не возникают, однако такое дополнительное взаимодействие сказывается на частотной зависимости диэлектрической проницаемости кристалла вблизи края собственного поглощения [214]. [c.316]

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ КРИСТАЛЛА [c.355]

Диэлектрическая проницаемость кристалла, обусловленная экситонами [c.355]

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ КРИСТАЛЛА 357 [c.357]

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ КРИСТАЛЛА 359 [c.359]

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ КРИСТАЛЛА 365 [c.365]

Чтобы определить диэлектрическую проницаемость кристалла, описываемого гамильтонианом Я согласно (46.27), надо вычислить запаздывающую функцию Грина экситонов [c.373]

Вибронные спектры с участием полносимметричных внутри молекулярных колебаний (при < 1). Вычислим диэлектрическую проницаемость кристалла, обусловленную вибронными возбуждениями с участием полносимметричных внутримолекулярных колебаний, энергия которых значительно превышает энергетическую ширину экситонных состояний. В этом случае изменение состояния экситона внутри зоны не может породить внутримолекулярное колебание. [c.396]

Мнимая часть диэлектрической проницаемости кристалла (при Qa 1) в области частот, соответствующих однофононному вибронному возбуждению молекулы, определяется равенством [c.411]

Диэлектрическая проницаемость кристалла [c.448]

Рио 3 9 Зависимости низкочастотной диэлектрической проницаемости кристалла PbsMgNbjOj от температуры при различных напряженностях электрического поля [13] 1 — 0, 2 — 9,6, Л —17,8, 4 — 26,2 кВ/см [c.74]

Экспериментальные значения полуволнового напряжения изменяются от 1250 до 1950 В. Столь большой интервал значений Fx/2 естественно было бы приписать вариации состава кристаллов. Однако исследования, проведенные в работе [13], показали, что для двух кристаллов, температуры фазового согласования которых различаются на 30 К, разница в полуволновых напряжениях составляет не более 2%. Различия в значениях Fx/z можно объяснить, если учесть, что сопротивление и диэлектрические проницаемости кристалла связаны с полнотой его монодоменизации и могут оказывать влияние на величины электрооптических коэффициентов при низкой и высокой частотах. Вариации сопротивления и диэлектрической [c.197]

Рио 8 9 Температурные зависимости показателей преломления кристаллов - Ki,43Srg 7eNbio029 47 2 - Ko,74Sr3 ggNbio029,2e при поляризации света вдоль сегнетоэлектрической оси с (Х=632,8 нм) [32] Стрелки у кривых соответствуют максимумам температурных зависимостей диэлектрической проницаемости кристаллов [c.359]

Параэлектрики типа смещения, теория Кокрена. Среди диэлектриков с высокой проницаемостью особое место занимают неполярные кристаллы с величиной е порядка 100 и выше. Характерными представителями таких диэлектриков являются, как уже отмечалось, рутил и перовскит. Для этих кристаллов характерна весь.ма большая электронная поляризуемость (е(оо)>5). Кроме того, диэлектрическая проницаемость кристаллов типа рутила и перовскита в сильной Степени зависит от температуры, причем температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТК е<0. В ряде случаев для описания температурной зависимости можно даже применять закон Кюри — Вейса. Например, в aTiOs зависимость г(Т) может быть описана в широком интервале температур формулой e(T) bl+ (T—0)- , если считать еь = 60, С=4-10 К и 0=—90 К, где еь — не зависящая от температуры проницаемость С — постоянная Кюри — Вейса 6 — температура Кюри —Вейса. [c.86]

Диэлектрическая проницаемость кристаллов средних систем (т. е. кристаллов, нринадлежат их к тетрагональной, гексагональной и ромбоэдрической системам см. табл. 1) подчиняется соотношениям 8 = ф 83. Таким образом, данные кристаллы имеют две различные диэлектрические проницаемости величину вд и одинаковые значения 8 (82) в двух перпендикулярных (к главному направлению, вдоль которого 8 = вд) направлениях. В этих кристаллах главная ось со значением е = совпадает с осью симметрии наиболее высокого порядка (с осью 3, 4, 4, 6 или Б), которая в кристаллах средних систем только одна. В кристаллах низших систем (ромбической, моноклинной и триклинной) диэлектрические проницаемости по всем главным осям различны =/= Ф Ф е . [c.29]

Как уже отмечалось выше, с возникновением спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках связаны аномалии ряда их свойств в области Аазового перехода упругих, диэлектрических, оптических и пр. Этого нельзя сказать, однако, с такой же определенностью о пьезоэлектрических свойствах. Все здесь зависит от того, каким пьезокоэффициентом характеризуются его пьезосвойства в области фазового перехода й ж е или д ж к. Пьезокоэффициенты йж ев области перехода меняются очень сильно, в то время как коэффициенты д ж Ъ сохраняются относительно постоянными . Причину такого различия в поведении этих пар коэффициентов легко понять из условий их определения (см. рис. 56) при определении коэффициентов д ж к электрическая сторона обусловливается механической (и наоборот) без влияния побочных явлений. В то же самое время при определении коэффициентов с и е постоянство Е требует при изменении диэлектрической проницаемости кристалла (что наиболее характерно нри сегнетоэлектрическом фазовом переходе) изменения заряда на его обкладках, не связанного с пьезоэффектом как таковым. [c.138]

Звачеиия пьезоэлектрических козффициентов и диэлектрических проницаемостей кристаллов сегнетовой соли при комнатной температуре (система СОЗЕ) [c.144]

В свою очередь, домены тетрагональной фазы ВаТбОд оказываются неоднородными, и их тоже нужно рассматривать как двухфазовые системы, состоящие из истинно тетрагональных участков и областей с переменной ромбичностью (зародышей ромбической фазы, см. работу С14] и рис. 106). Точно так же в ромбической фазе имеются зародыши ромбоэдрической фазы (см. рис. 10в), обуславливающие проявление в этой фазе сегнетоэлектрического колебания (кривая I") и соответствующий вклад в диэлектрическую проницаемость кристалла. [c.75]

Из выражения (3.44) видно, что амплитуда возбуждаемой поверхностной рэлеевской волны является произведением пяти сомножителей, включая число электродов N и напряжение между соседними электродами Vц. Поясним смысл трех остальных сомножителей. Множитель L полностью определяется значениями упругих модулей, пьезоэлектрических постоянных и диэлектрических проницаемостей кристалла. Значения L для кристаллов dS и dSe приведены ниже в табл. 3.1. Множитель G (Д) (см. соотношение (3.20)) зависит только от геометрии преобразователя. И, наконец, F кп) зависит от частоты приложенного электрического напряжения. [c.189]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...