Диэлектрическая проницаемость статическая

Диэлектрическая проницаемость (статическая) [c.122]

Дальнейшее исследование показало, однако, что показатель преломления зависит от частоты (дисперсия) и, значит, теория Максвелла нуждается в усовершенствовании нельзя пользоваться непосредственно значением диэлектрической проницаемости, заимствованной из опытов с постоянным электрическим полем (статическая диэлектрическая проницаемость), а надо принять в расчет значение диэлектрической проницаемости, характеризующей среду под действием быстропеременного электрического поля (о динамической диэлектрической проницаемости см. ниже). [c.39]

Диэлектрическая проницаемость. Значения диэлектрической проницаемости ео и е о получают из статических и высокочастотных (или оптических) измерений соответственно. В таблицах везде, где не отмечено специально, приводимые значения относятся к Т = 290 К. [c.455]

Д у р о в В. А. Теория статической диэлектрической проницаемости ассоциированных жидких систем и новые возможности изучения их молекулярной структуры//Исследования строения, теплового движения и свойств жидкостей. М 1986. С. 35—67. [c.242]

Предел прочности при статическом изгибе, МПа при ударном изгибе, Дж/(м -10 ) Диэлектрическая проницаемость е при f=l МГц [c.176]

Здесь 8 — тензор статической диэлектрической проницаемости рассматриваемого кристалла. [c.85]

Es —статическое значение диэлектрической проницаемости е [c.45]

Это тот же тензор диэлектрической проницаемости, какой был получен для изотропных масс, если только заменить в соотношении для статической диэлектрической проницаемости эффективную массу выражением [c.389]

Диэлектрическая проницаемость. Значения диэлектрической проницаемости вв и есо получают из статических и высокочастотных (или оптических) измерений соответственно. > [c.342]

Частотные зависимости е, е" и tg б представлены на рис. 17.5. С ростом частоты в монотонно снижается от статического значения 6 (со 0) до высокочастотного Воо (со со)., принимая при частоте релаксации сОр среднеарифметическое значение (в . + е х,)/2. Мнимая составляющая комплексной диэлектрической проницаемости максимальна ири частоте релаксации, где в" = (е — Воэ)/2. Максимум tg б лежит при несколько большей частоте [c.135]

В этом выражении — электронная поляризуемость, aj — ионная поляризуемость (обе — на единицу объема). Выполнение этого условия соответствует бесконечному возрастанию статической диэлектрической проницаемости кристалла, характерному для сегнетоэлектрических фазовых переходов. [c.81]

Тангенс угла диэлектрических потерь и диэлектрическая проницаемость Электрическая прочность (в статических условиях) Электрическая прочность в условиях потока жидкости Плотность [c.19]

В переменном электрическом поле частотой о ориентационная поляризованность будет изменяться с той же частотой. Пока период изменения напряженности поля 7 =2л/о) много больше времени релаксации т (т. е. времени установления равновесия), значение е(о)) такое же, как и в постоянном поле. Но при увеличении частоты, когда Т приближается к т, полное установление среднего дипольного момента не успевает произойти. Тогда е(о)) будет меньше своего статического значения. Поэтому в области частот о) 1/т возникает зависимость диэлектрической проницаемости от частоты, т. е. дисперсия. При этом обязательно будет и абсорбция, так как такие процессы необратимы поворот дипольных моментов молекул происходит с трением и сопровождается диссипацией энергии поля, т. е. выделением теплоты. [c.101]

Особые значения диэлектрической проницаемости. Диэлектрическая проницаемость в статической задаче (19.11а), [c.194]

В середине 70-х годов, занявшись проблемой высокотемпературной сверхпроводимости задолго до открытия этого явления, Давид Абрамович показал, что широко распространенное мнение об обязательности положительного знака статической диэлектрической проницаемости неправильно. И в самом деле, позднее был открыт широкий [c.7]

Во-первых, это исследования уравнения состояния и структуры плотного вещества с применениями к искусственно сжатым объектам и звездам. Во-вторых, Д.А. выяснил условия устойчивости вещества в терминах диэлектрической проницаемости. Было распространено мнение, что условием устойчивости, скажем, металла является положительность статической диэлектрической проницаемости. Между тем, как выяснил Д.А., такое требование неправильно, и устойчивость сохраняется и в случае отрицательного знака упомянутой проницаемости. Более того, именно последняя ситуация имеет место для ряда веществ. Все это особенно важно при изучении проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. В-третьих, Д.А. принадлежит первое, насколько знаю, рассмотрение фазовых переходов в вакууме с применением к космологии ранних стадий эволюции Вселенной (или, точнее, фазовых переходов в областях, близких к сингулярностям пространства-времени в условиях сверхвысоких температур). Как было сказано, здесь перечислены лишь три важнейших, по моему мнению, цикла работ Д.А. Но нельзя не отметить, что он сделал немало и других работ, причем в ряде случаев весьма интересных. Был он при этом широко образованным физиком-теоретиком, владел аппаратом, в общем, находился на очень высоком уровне. [c.363]

Классы подразделяются на группы по величине температурного коэффициента емкости (в классах материалов типа А) по относительному изменению диэлектрической проницаемости (в классах материалов типа Б) по величине температурного коэффициента линейного расширения и пределу прочности при статическом изгибе (в классах материалов типа В). [c.138]

По измеренным значениям Сд и для конденсатора с однородным диэлектриком могут быть рассчитаны значения статической диэлектрической проницаемости ест при постоянном напряжении и оптической диэлектрической проницаемости бопт для весьма высоких частот, приближающихся к частотам световых колебаний. [c.44]

Основной макроскопической характеристикой свойств непроводящего вещества (диэлектрика) в статическом электрическом поле является диэлектрическая проницаемость. Известно, что если между пластинками конденсатора поместить диэлектрик, то емкость С конденсатора увеличится С=еСо, где Со — емкость конденсатора при отсутствии диэлектрика между пластинками е—диэлектрическая проницаемость, характеризующая электрические свойства вещества и зависящая от его природы и свойств. Эта величина положительная и больще единицы. [c.3]

Разработанная в МАИ аппаратура преобразующая измеряемый прогиб ротора в электрическое напряжение, находит широкое применение при исследовании динамики турбомашин, когда измерение необходимо проводить в агрессивной среде, имеющей высокую температуру и давление. Погрешность, возникающая при изменении диэлектрической проницаемости и проводимости среды за счет изменений температуры, наличия продуктов горения, паров масла, керосина и т. п., может быть в значительной мере уменьшена проведением статической тарировки преобразователя в реальных условиях непосредственно на объекте исследования. [c.124]

ФОТОДИЭЛЕКТРЙЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — изменение статической (низкочастотной) диэлектрической проницаемости среды е под действием эл.-магн. излучения. Величина S изменяется за счёт перехода части атомов или молекул в возбуждённые состояния, в к-рых их поляризуе.чость отлична от поляризуемости в осн. состоянии. ФОТОИОНИЗАЦИЯ — ионизация атома или молекулы, находящихся в свободном или связанном состоянии, под действием квантов эл.-магн, поля. Подробнее см, в статьях Ионизация, Многофотонная ионизация. [c.347]

Индуцированная оптическая неоднородность наблюдается в том случае, если плотность ловушек на периферии луча будет достаточной для захвата фотовозбужден-ных электронов, а рекомбинация на донорных уровнях отсутствует. В стационарном состоянии имеет место равновесие между полем, связанным с пространственным зарядом, и полем поляризационного заряда рр. Макроскопическое электрическое поле Е , вызванное пространственным зарядом ps, изменяет на величину ДР = = (е — l)Es, где е — статическая диэлектрическая проницаемость. В стационарном состоянии полное макроскопическое электрическое поле всех источников равно нулю. Это условие запишется в виде [c.300]

Для электронной упругой поляризации важными являются следующие особенности. Вочпервых, этот механизм поляризации является наиболее общим, так как деформация электронных оболочек атомов или ионов в электрическом, поле происходит во всех без исключения диэлектриках. Во-вторых, это наименее инерционный поляризационный механизм, поскольку масса электронов много меньше, чем эффективная масса других частиц, участвующих в процессе поляризации (ионов или молекулярных диполей). Быстрое установление электронной поляризации позволяет выделить экспериментально ее вклад из статической диэлектрической проницаемости того или иного диэлектрика. Этот вклад соответствует еэл = п , где п — коэффициент оптического преломления. [c.66]

Пользуясь результатом задачи 11.11, показать, что статическое возмущение влияет на диэлектрическую проницаемость, в результате чего происходит полная экранировка внещнего длинноволнового (со- 0) поля, так что при q- Q [c.70]

Щелочно-галоидный кристалл имеет статическую диэлектрическую проницаемость е(0)= 5,9. Его недисперсионная диэлектрическая проницаемость в ближней инфракрасной области 8 (оо) == 2,25. Коэффициент отражения кристалла равен нулю при длине волны 30,6 мкм. [c.86]

Хэл + Хион + Хдс статическая е при со 0 в, - = Хд . Уравнение (17.19) — это формула Дебая, описывающая частотную зависимость комплексной диэлектрической проницаемости при релаксации. [c.135]

Ионные кристаллы, как правило, прозрачны в видимой области спектра, так как полюсы резонансных членов в правой части (2.63), обусловленных электронами и ионами, и связанные с ними полосы поглощения находятся соответственно в ультрафиолетовой и инфракрасной областях спектра. Но зависимость показателя преломления от частоты в видимой области существшно определяется этими членами, хотя сами резонансные частоты о)о и ац находятся за ее пределами. Эти частоты, а также постоянные Со и С, в (2.63) могут быть найдены по измерениям показателя преломления в видимой области (при нескольких значениях частоты ю). Полагая затем в (2.63) о)=0, можно получить статическое значение диэлектрической проницаемости е (0) =л (0)= 1-f Со/юо + ,/to . Так как io/ too, основную роль здесь играет член с ю,, т. е. главный вклад в е (0) обусловлен ионной поляризуемостью.- Замечательно, что найденное таким образом из оптических измерений в видимой области статическое значение е вполне удовлетворительно согласуется с измерениями диэлектрической проницаемости ионных кристаллов электрическими методами. [c.100]

Появление компактных конфигураций поля (КК) типа струп и мешков и не убывающих с расстоянием сил притяжения (конфайнмента) в физике сильного взаимодействия часто связывают со сверхдиамагпетизмом /2 = 0 ( сверхдиаэлектричеством = 0) упорядоченного КХД-вакуума. Здесь 1[е) — его статическая длинноволновая магнитная (диэлектрическая) проницаемость. [c.201]

Фторопласт-4 — белый или сероватый полупрозрачный материал, имеющий плотность около 2,3 г/сл . Он сравнительно мягок и обладает склонностью к холодной текучести его предел прочности при растяжении 140—250 кПсм -, удлинение при разрыве 250—500% предел прочности при статическом изгибе ПО—140 кГ/см ] удельная ударная вязкость более 100 кГ-см1см твердость по Бринеллю 3—4 кПмм . По своим электроизолирующим свойствам фторопласт-4 принадлежит к лучшим из известных нам диэлектриков, в особенности при условиях работы в полях высоких и сверхвысоких частот его диэлектрическая проницаемость в интервале частот от 50 до Ю - гц составляет 1,9—2,2 tg 8 = 0,0001 -ь 0,0003 удельное объемное сопротивление выше 10 ом-см.. Морозостойкость материала характеризуется сохранением гибкости при температурах ниже —80° С, а для тонких пленок—даже ниже —100° С. [c.220]

F 1), выпускаемый под названием фторопласт-3, имеет пониженные по сравнению с фторопластом-4 свойства, но технологически получить его проще. Фторопласт-3 имеет плотность 2,14г/с.и , он тверже фторопласта-4. Для фторопласта-3 предел прочности при растяжении 300—400 кГ/слг относительное удлинение при разрыве 20—40% (для пленок 100—200%) предел прочности при статическом изгибе 600—800 кГ см удельная ударная вязкость 20—30 кГ-см см"-, твердость по Бринеллю 10—13 кПмм . По нагревостойкости фторопласт-3 уступает фторопласту-4. В противоположность фторопласту-4 фторопласт-3 в силу несимметричного строения молекул (за счет присутствия в них атомов хлора) является уже не нейтральным, а дипольным диэлектриком, что видно из приводимых на фиг. 114 данных о величине tgo при различных температурах и частотах диэлектрическая проницаемость фторопласта-3 при низких частотах составляет около 3,3, а при 10 гц — около 2,7. Удельное объемное сопротивление 10 ом-см. Температура разложения выше 315° С. Химическая стойкость фторопласта-3 весьма высока, но все же ниже, чем фторопласта-4. [c.221]

Смотреть страницы где упоминается термин Диэлектрическая проницаемость статическая : [c.34] [c.18] [c.156] [c.276] [c.536] [c.373] [c.55] [c.58] [c.14] [c.312] [c.371] [c.90] [c.90] [c.335] [c.141] [c.239] [c.170] [c.195] [c.102]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...