Керамика высокочастотная

Требования к высокочастотной керамике. Высокочастотная керамика в отношении назначения изделий и предъявляемых требований подразделяется на шесть классов. [c.638]

Высокочастотную стеатитовую керамику, предназначенную для изделий высокочастотной аппаратуры, получают из талька, глины, углекислых Са и Ва и органических пластификаторов. Обжиг осуществляют при 1230—1350° С. Полученные изделия обладают высокой механической прочностью и небольшими диэлектрическими потерями. [c.382]

К различным деталям установочной высокочастотной керамики, по сравнению с низковольтными низкочастотными, предъявляются большие требования по собственной (паразитной) емкости и tg 6. Мате- [c.238]

КОНДЕНСАТОРНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ КЕРАМИКА [c.144]

Основные классы и группы конденсаторной высокочастотной керамики (тип А) [c.145]

Рис. 10.1. Значения ТКе в функции е для конденсаторной высокочастотной керамики а — е = 12 30 б -, е = 30 240

Для нее характерны пониженные потери в диапазоне частот 10 — 10 г( (рис. 10.3). Керамика данного класса применяется для высокочастотных термостабильных конденсаторов. [c.147]

Какой зависимостью связаны ТКе и е высокочастотной конденсаторной керамикой . [c.152]

Для изготовления мелких деталей для высокочастотных цепей используют стеатитовую керамику, получаемую на основе минерала талька. Для тех же целей, а также для изготовления изоляторов электровакуумных и полупроводниковых приборов используется форстеритовая керамика. [c.257]

Для изготовления термостойких высокопрочных конструкций, например ротора газовой турбины, вручную или с помощью машины готовят из кремниевых или углеродных волокон сетчатый каркас заданной формы, несколько меньший по сравнению с конечной формой элемента. Затем методом химического газофазного осаждения поверхность каркаса покрывают керамикой, что осуществляют с помощью лазера или высокочастотного индукционного нагрева. [c.240]

Электротехническая керамика подразделяется на низковольтную, высоковольтную, дугостойкую и высокочастотную. [c.331]

Стеатитовую керамику ЛБ (ВК-92) и 623 (№ 7) используют в качестве высокочастотного вакуумплотного диэлектрика Б-17, СЦ-1, С-55 и СК-1 — при производстве установочных керамических деталей радиоаппаратуры и конденсаторов С-61 и ТК-21 — при изготовлении высокочастотных и высоковольтных изоляторов и других деталей, работающих при повышенной температуре (до 300° С). [c.382]

Общим требованием к большинству керамических высокочастотных материалов, по сравнению с обычным электротехническим фарфором, является независимость е,- от частоты и низкое значение tg О не только при комнатной, но и гри повышенной температуре. В известной мере это достигается уменьшением содержания менее чистой пластичной глинй, введением окиси бария и повышением содержания глинозема. Ионы бария в известной мер нейтрализуют повышение электрической проводимости за счет легкоподвижных ионов калия, содержащихся в полевошпатовом стекле и способствуют снижению tg б. За счет повышенного содержания глинозема масса имеет пониженную формуемость и более узкий интервал спекания. Дальнейшее развитие высокочастотной керамики пошло по пути создания масс с использованием различных окислов металлов, иногда специально синтезируемых. Таким путем удалось получить материалы с весьма высокими значениями z,. (для конденсаторов) и разными значениями ТК е , в том числе положительного знака. [c.238]

Для изготовления высокочастотных высоковольтных изоляторов применяют стеатитовую керамику, так как фарфор имеет сильную. зависимость электрических характеристик от температуры из-за наличия большого количества полевошпатового стекла с повы-1иенной электропроводностью. Стеатитовая керамика изготовляется на основе-тальковых минералов, основной кристаллической фазой которых является метасиликат магния MgO-SiOj. Стеатитовые материалы характеризуются высокими значениями р, в том числе при высокой температуре, малым tg б, за исключением материала группы 210 ГОСТ 20419—83, предназначенного для производства крупных высоковольтных изоляторов. Стеатитовая керамика характеризуется высокими механическими свойствами, стабильно- [c.240]

Конденсаторная керамика имеет повышенные (е ="10ч-230) и высокие (бг = 900) значения диэлектрической проницаемости. В первом случае керамика относится к высокочастотным диэлек- [c.241]

Керамит класса I. Группу а образует стронциевая керамика на основе титаната стронция SrTiOg в состав массы вводят минерализаторы с целью получения плотного черепка при обжиге. Группу б этого класса образует перовскитовая керамика, получаемая на основе синтезируемого титаната кальция aTiO,Титанат кальция вводят в состав керамики в сочетании с минерализатором 2x0 и плавнем получаемая масса известна под названием Т-150. Керамика I класса имеет значение е = 130 230 и используется для высокочастотных конденсаторов, к которым не предъявляются требования стабильности емкости. [c.145]

Керамика данного типа Б отличается высокой диэлектрической проницаемостью (е >> 900), но вместе с тем н относительно большими потерями, достигающими значения tg6 = 5-10 при частоте 1000 гц. При изменении температуры диэлектрическая проницаемость е изменяется не по линейному закону, как у высокочастотной керамики, а большею частью по кривой с максимумом поэтому температурную зависимость е оценивают не величиной ТКе, а коэффициентом температурной стабильрюстн Рт = Абт/взо, где Де,. —наибольшее изменение диэлектрической проницаемости относительно значения е,,з при 20°С, наблюдаемое в рабочем интервале (—40) ч- (+85)° С при слабых переменных полях (табл. 10.3). Диэлектрическая проницае- [c.147]

Данная керамика типа В (табл. 10.4) предназначена для конструкционных установочных деталей радиоэлектронной аппаратуры, которые находятся в поле высокой частоты и вместе с тем несут механическую нагрузку многие из них спаиваются или свариваются с металлической арматурой. Поэтому керамические материалы подразделяются по величине температурного коэф( )ициента линейного расширения ТК1 и по величине временного сопротивления при изгибе 0 зг на классы VI, VII и VIII. Некоторые виды этих материалов могут быть использованы для керамических конденсаторов. Высокочастотная установочная керамика имеет низкое значение tg б при высоких частотах, отличается слабой зависимостью tg б от температуры и характеризуется высокой механической прочностью. [c.149]

Профессор Н. П. Богородицкий (ректор ЛЭТИ с 1954 до 1967 гг.) совместно с другими сотрудниками разработал основные виды высокочастотной керамики для радиоизоляциониых деталей и конденсаторов. [c.4]

Тальк — хорошо известный минерал, обладающий способностью благодаря его чрезвычайной мягкости легко размалываться в порошок. Стеатитовая керамшса обычно изготовляется обжигом массы, составляемой из талькового порошка с некоторыми добавками Возможно также изготовлять детали из талькового камня путем его непосредственной механической обработки (которая проста ввиду мягкости материала) с последующим обжигом. Специальные сорта стеатита с особо малым содержанием примесей оксидов железа, предназначенные для высокочастотной изоляции, имеют малый tg fi (до 2-10 ) и хорошие механические свойства. Преимуществом стеатитовой керамики является также малая усадка при обжиге, позволяющая получать изде тия сравнительно точных размеров. К тому же он lie нуждается в глазуровке (благодаря плотной структуре) и может сравнительно легко дополнительно обрабатываться шлифовкой. Стеатит широко используется [c.172]

Платиновые металлы плавят в высокочастотных или дуговых печах с нерас-ходуемым электродом в вакууме или в инертных газах (гелий, аргон) в окисных керамиках (шамот, корупдиз, известь, алунд, магнезит). Литье производят в чугунные изложницы пли кристаллизуют в тигле. [c.283]

Высокочастотные (иидукцноиные) испарители обеспечивают требуемую температуру нагревом вихревыми токами, создаваемыми высокочастотным полем. Метод пригоден для испарения материалов с большим удельным сопротивлением. Испаряемый материал помещается в тигель из тугоплавкой керамики. [c.426]

Этот метод является наиболее простым, по всей вероятности наиболее надежным и сводится он к следующему на керамическое основание, в качестве которого может быть использован любой керамический материал (высокочастотная керамика, сегнето-керамика и др.), наносится сегнетокерамическая пленка (для нанесения может быть использован и любой другой керамический материал). Для нанесения керамических пленок применяется шликер, приготовленный по способу шликера для горячего литья под давлением. Он представляет собой механическую смесь спекания керамики с парафином, который берется в качестве связки. Процент связки подбирается опытным путем и колеблется от 10 до 20% в зависимости от используемого материала и тонкости помола спекания. [c.293]

На диэлектрические потери керамики кроме ее природы, строения, температуры оказывает влияние частота поля. Так как керамика в ряде случаев работает как высокочастотный диэлектрик, то необходимо знать частотную зависимость ее диэлектрических потерь. На рис. 11 в качестве примера приведена температурная зависимость при разных частотах для двух видов керамики. Абсолютное значение диэлектрических потерь керамики весьма различно. Наименьшими диэлектрическими потерями обладает керамика с кристаллической структурой плотной упаковки и минимальным содержанием стекловидной фазы. На рис. 12 представлены кривые изменения диэлектрических потерь типичных материалов с развитой стекловидной фазой — типа фарфора, ограниченным количеством стекла — типа муллитокорундовой керамики и, наконец, корунда, почти лишенного стекловидной фазы. Сравнительно низкими диэлектрическими потерями обладает клиноэнстатитовая, форстеритовая и цельзиановая керамика. [c.24]

Метод пластичного формования применяют для изготовления стравнительно крупных высоковольтных изоляторов (крестообразных, опорных, проходных и др.), а прессования и литья — под давлением мелкогабаритных изделий для высокочастотной техники. При пластичном формовании стеатитовая масса должна быть подобна фарфоровой и содержать в качестве связующего глину. При прессовании содержание связующей пластичной глины может быть снижено до 2—5%, а массы для литья под давлением могут совсем не содержать глинистого вещества. Все виды стеатитовой керамики можно объединить в три группы, составы которых приведены в табл. 32. [c.170]

Области применения. Стеатитовая керамика — хороший электроизоляционный материал. Она превосходит лучшие виды высоковольтного фарфора то механической прочности и диэлектрическим потерям. Благодаря малым диэлектрическим потерям стеатит применяют как высокочастотный диэлектрик. Кроме того, благодаря высокой пробивной напряженности статитовая керамика используется как отличный диэлектрик для высоковольтной техники. Высокая плотность и почти [c.174]

До последнего времени наиболее распространенным" был синтез кристаллических фаз, входящих в конденсаторную керамику, путем обжига смеси соответствующих оксидов, иногда солей. Однако этот способ имеет тот недостаток, что фазовый состав синтезированной керамики не стабилен и зависит от колебаний в технологическом режиме (температуры, среды обжига, состава и содержания примесей и др.). Поэтому в производстве конденсаторной керамики, особенно высокочастотной, все в большей степени начали применять химические методы подготовки кристаллических фаз. В частности, изготовление твердого раствора алюмината лантана — титаната каль-пия осуществляют методом совместного осаждения. Смесь растворов азотнокислой соли лантана и Ti U осаждают углекислым аммонием при pH=7,8—8,2. Б результате прокаливания осадка при 1100—1200°С образуется твердый раствор (Са, La) (Ti, А1)0з. Температура спекания подготовленного таким образом материала на 150—200°С ниже, чем температура спекания материала соответствующего состава, но полученного путем синтеза чистых оксидов в виде их порошков, и составляет 1350°С. [c.190]

Прочность керамики с таким покрытием повышается на 15...20%, что связано со сжимающими напряжениями в поверхностном слое, которые возникают из-за разницы температурных коэффициентов линейного расширения керамики и глазури. Однако глазурь увеличивает электрические потери, поэтому ее не применяют в высокочастотной элекгрической керамике. [c.339]

В процессе резания возникают низкочастотные (50—500 Гц) и высокочастотные (800—6000 Гц) автоколебания переменной амплитуды в результате упругих деформаций системы СПИД при изменении сил резания. Изменение сил резания обусловлено непостоянством размера припуска, нестабильностью свойств обрабатываемого материала, образованием наростов, элементных стружек и стружек надлома. Низкочастотные колебания вызывают волнистость поверхности детали, а при высокочастотных колебаниях на поверхности образуется рябь, в обоих случаях шероховатость поверхности возрастает. Автоколебания снижают стойкость инструмента, особенно из твердых сплавов, керамики и сверхтвердых материалов. Возникновение автоко- [c.571]

Для изготовления высокостабильных изоляторов и высокочастотных конденсаторов используют цельзиановую керамику, которая обладает повышенной электрической прочностью (до 45 МВ/м), низким температурным коэффициентом линейного расширения. [c.256]

Для радиоэлектроники необходимы высокочастотные магнитомягкие материалы, которые в отличие от рассмотренных выше способны сохранять высокую магнитную проницаемость при высоких частотах. Такими материалами являются ферриты, представляющие собой керамику, полученную путем спекания оксидов. Основой ферритов является оксид железа FejOg. Для повышения электрического сопротивления к нему добавляют оксиды других металлов — ZnO, МпО, NiO, MgO. Ферриты характеризуются очень высоким электрическим сопротивлением. Поэтому даже при сверхвысоких частотах они имеют незначительные тепловые потери. [c.184]

Для высокочастотной техники необходимы материалы с чрезвычайно высоким электросопротивлением, сохраняющие высокую магнитную проницаемость в широком частотном диапазоне. Этим требованиям отвечают ферриты (не пзггать с ферритом в сплавах железа ), представляющие собой магнитную керамику, полученную спеканием и состоящую из РегОз и оксидов таких металлов, как Мп, Mg, Zn, Li (MnO, MgO, ZnO, ТЮг). Фактически ферриты являются полупроводниками, их электросопротивление на 6-12 порядков превышает электросопротивление железа. Благодаря этому, даже при самых высоких частотах они имеют незначительные потери от вихревых токов. [c.826]

Рассеяние света в полностью поляризованном электрическим полем образце крупнозернистой сегиетокерамики минимально в направлении ее поляризации. В этом случае свет рассеивается в наименьшем телесном угле (рис. 2.12). Угол растет с деполяризацией керамики или с изменением направления вектора Р по Отношению к направлению распространения светового пучка. В связи с этим различают два метода переключения образца из состояния с минимальной рассеивающей способностью в полностью поляризованное состояние с направлением вектора поляризации, ортогональным исходному, и в деполяризованное состояние. Если первый метод реализуется в схеме поперечного электрооптического эффекта [Три изменеиии полярностей напряжений на парах электродов с обих сторон образца (см. рис, 2.6,6), то для реализации второго метода используется обычно схема продольного электрооптического эффекта, а деполяризация обеспечивается импульсом электрического П0.1Я обратной полярности половинной амплитуды (по отношению к импульсу исходной поляризации). Возможно также пе-реклю>)ение ЭОК в полностью деполяризованное, т. е, в термически деполяризованное состояние путем воздействия на образец высокочастотного электрического поля малой амплитуды (см. подпараграф 2.2.6), причем этот метод реализуем в схемах и поперечного, и продольного эффектов. [c.72]

Выращивание кристаллов системы KiNai-j BazNbsOis производилось по методу Чохраль-ского из платиновых тиглей с использованием высокочастотного нагрева (гл. 5, [58]). Тепловая защита тигля была выполнена из керамики окиси алюминия. Через ростовую камеру прокачивался кислород со скоростью 0,3 л в минуту, чтобы избежать восстановления кристалла, сопровождающегося его окрашиванием в голубой цвет. В качестве затравочного кристалла использовался кристалл BajNaNbjOis (НБН) с осью с, ориентированной вдоль направления роста. Скорости вытягивания кристалла составляли 2 -н 6 мм/ч, скорости вращения были 40 60 об/мин. Температурный градиент над поверхностью расплава составлял 18 К/мм для первых пяти миллиметров растущего кристалла и 1 К/мм для последующих 50 мм. Система кристалл — расплав обычно охлаждалась со скоростью 5 К/ч первые 300 К, а затем 15 К/ч вплоть до комнатной температуры. При таком режиме кристалл хорошо отжигался и не растрескивался. Быстрое охлаждение вызывало растрескивание, нормальное к оси роста. Используемые скорости роста оказались оптимальными для установления равновесных условий между расплавом и растущим кристаллом, хотя ни для одного из изучен- [c.240]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...