Резонаторы селективные

Спектральная ширина излучения жидкостных лазеров составляет 4—30 нм. Ее можно сделать значительно уже, если внутрь резонатора поместить какой-либо дисперсионный элемент, т. е. создать селективный резонатор. Такого рода резонаторы могут быть различных типов. Можно, например, поместить внутрь резонатора (между активным слоем и одним из зеркал) обычную призму или интерферометр. Часто заменяют одно из зеркал отражательной дифракционной решеткой. При наличии в резонаторе селективных элементов вдоль оси лазера может распространяться излучение лишь некоторых длин волн. Излучение других волн, отражаясь от решетки или проходя через призму, отклоняется от оси и выходит за пределы резонатора. [c.294]

Введение внутрь резонатора селективных элементов не только позволило сузить спектр генерируемого излучения, но и дало простой способ перестройки частоты генерации. Она осуществляется настройкой селектирующего элемента на другую частоту при повороте призмы, ин- [c.294]

В механич. системах примером бистабильности является скачкообразное изменение прогиба упругой пластинки под действием приложенной нагрузки. В оп-тич. системах важную роль играет бистабильность интенсивности когерентного света в резонаторе Фабри — Перо с насыщающимся поглотителем. Эффекты бистабильности можно наблюдать при лазерном нагреве среды с обратимой хим. реакцией А В в случае, когда свет селективно поглощается одним из реагентов. [c.386]

Селективные свойства могут быть приданы волново-даи и резонаторам и закрытого типа — спец, подбором формы (напр., волноводы П- и Н-образного сечений) 1 спец, расположением поглощающих вставок. [c.485]

Если в резонаторе используются селективные элементы для осуществления перестройки лазера типа тех, что изображены иа рис. 5.4 и 5.5, и если соответствующая ширина линии, на практике составляющая обычно 0,1—1 нм, меньше ширины линии усиливающей среды, то рассматриваемая в настоящем разделе ширина линии Avo относится к селективному элементу, а не к усиливающей среде. Замечательно, что это имеет место в лазерах на красителях или в перестраиваемых твердотельных лазерах. [c.258]

Посмотрим теперь, что произойдет, если добавить еще диафрагмы того же размера. Из рис. 2.15 и его последующего анализа видно, что расстояние между экранами (диафрагмами) L сказывается на углах наклона лишь трансформированных волн п Ф G). Что же касается отраженной волны, то для нее фазовые условия выполняются автоматически независимо от величины L. Отсюда следует, что размещение таких дополнительных диафрагм на любых участках длины резонатора всегда увеличивают, вместе с числом рассеянных ими волн, коэффициент дифракционного отражения, понижая селективность резонатора. [c.139]

Угловая селекция излучения лазеров с плоскими резонаторами путем уменьшения числа зон Френеля. Наиболее жизнеспособным способом угловой селекции является повышение селективных свойств плоского резонатора путем уменьшения числа Френеля N. Этого можно достичь несколькими способами, о которых мы сейчас и расскажем. [c.221]

В качестве примера рассмотрим изображенные на рис. 4.9 схемы спектрально-селективных резонаторов с призмами и дифракционными решетками. Оговорим сразу одно обстоятельство, касающееся последних. Как известно, при прохождении сквозь решетку или отражении от нее плоская волна разбивается на несколько плоских же волн, которые следуют в существенно различающихся направлениях и соответствуют разным порядкам дифракции (см. также начало 2.4). Изготавливая решетку, обычно принимают меры к тому, чтобы основная доля мощности приходилась на одну из дифрагированных волн, которая и используется в цепи обратной связи генератора. Только эти волны изображены на рисунке и будут приниматься во внимание. [c.226]

Таким образом, для всех подобных схем оказывается возможным матричное описание. Однако нередко оно вовсе и необязательно. Дело в том, что те же призмы и дифракционные решетки размещают почти всегда в резонаторах, эквивалентных плоскому (именно такие и изображены на рис. 4.9) плоские резонаторы обладают более высокой, чем устойчивые, чувствительностью по отношению к малым разъюстировкам, что обеспечивает лучшую спектральную селективность. Анализировать же резонаторы, эквивалентные плоским, удобнее всего с помощью изложенного в предыдущем параграфе метода эффективной длины. [c.227]

Большинство лазеров генерирует излучение на нескольких длинах волн. Для выделения нужной линии имеется несколько методов изготовляют узкополосные зеркала резонатора, используют селективное поглощение (например, в гелий-неоновом лазере внутри резонатора устанавливают кювету с метаном), подбирают параметры газовой смеси. Основные параметры гелий-неоновых лазеров приведены в табл. 1. [c.38]

Механизм синхронизации мод лазеров с однородно уширенной линией существенно иной. Его анализ предпочтительно проводить, пользуясь временным представлением. В этом представлении синхронизация мод состоит в образовании короткого импульса света, циркулирующего в резонаторе. Особый интерес представляют процессы, протекающие при непрерывной стационарной накачке, которые сводятся к следующему. После некоторого числа проходов импульсом резонатора действия усилителя и модулятора взаимно компенсируются. Это значит, что импульс после каждого прохода резонатора сам себя воспроизводит и больше не меняет своих параметров. Это имеет место по той причине, что потери в модуляторе и на излучение через зеркала полностью компенсируются усилением в активной среде, в то время как процесс укорочения импульса в модуляторе прекращается вследствие конечного значения спектральной ширины линии усиления или какого-либо частотно-селективного элемента в резонаторе. Как следствие лазер излучает [c.136]

Рассмотрим лазер с линейным резонатором, содержащим краситель в качестве активной среды и частотно-селективный элемент для перестройки частот (рис. 5.2). Пусть активная [c.153]

Действительные решения уравнения (5.18) существуют лишь в ограниченной области временных сдвигов максимума h или соответственно расстроек резонатора 6L (см. рис. 5.3 и 5.4). В этой области имеет место стабильный моноимпульсный режим. Она является областью устойчивой синхронизации мод. В указанной области изменения длины резонатора лазера на красителе периоды следования импульсов лазера и накачки совпадают. Это становится возможным вследствие задержки импульса частотно-селективным элементом и сдвига импульса вперед усилителем. Сдвиг импульса в усилителе возникает вследствие сокращения заднего фронта импульса, вызванного уменьшением усиления. Таким образом, внутри области стабильного режима выполняется условие синхронизации для времен прохода обеих лазерных систем u up. Поэтому система в целом способна самостоятельно обеспечить неизменность расстояния между импульсами лазера и накачки от прохода к проходу. При малых коэффициентах усиления ( -" 2) главную роль играет эффект задержки (/г<0 или 6L<0). С ростом усиления эффект задержки компенсируется и область синхронизации смещается в диапазон положительных временных сдвигов (/г>0) (см. рис. 5.4). [c.165]

Как и в гл. 5, мы будем считать, что на излучение в резонаторе оказывают влияние частотно-селективные элементы (частотные фильтры). Роль такого частотного фильтра может играть дополнительный элемент (например, призма), помещаемый в резонатор для перестройки частоты излучения. Приближенно такой фильтр может представлять эффективное ограничение полосы усиления. Если ширина спектра импульса мала по сравнению с шириной полосы фильтра и частота излучения лазера ol задается центральной частотой этой полосы, то изменение импульса после прохода через этот элемент описывается, согласно (5.13) и (5.14), выражением [c.205]

Здесь К — число проходов резонатора. Переменная r[ = t — zjv при этом ограничена временем прохода резонатора и (О г] ы). Рассмотрим теперь изменение параметров излучения после прохода через усилитель, поглотитель и отражения от зеркала, взяв за основу расположение элементов, аналогичное изображенному на рис. 6.3. Мы здесь не будем вводить специальный частотно-селективный элемент, но зато учтем конечную спектральную ширину лазерного перехода. Для описания процесса генерации в четырехуровневой системе твердотельного лазера при условии, что преобладает однородное уширение линии, мы можем воспользоваться уравнениями (4.1) — (4.3) (лазер на АИГ Ыс1). (К системам с неоднородно уширенной линией многие из сделанных ниже выводов приложимы в некотором приближении.) Для исследования развития импульса из шума, согласно выводам гл. 1, в уравнение (4.2) следует ввести стохастический член F(t]), описывающий флуктуации в среде. Согласно условию (7.1), можно считать, что за время одного прохода изменения населенностей малы, как это уже было сделано в разд. 4.2 С учетом стохастических [c.231]

Интервал длин волн, в котором работает твердотельный многомодовый импульсный лазер, составляет примерно от 10 до 100 А, что зависит главным образом от относительного превышения порогового уровня накачки. Селекцию мод можно обеспечить путем селективного фильтрования, если внутри резонатора твердотельного лазера или снаружи (вместо выходного зеркала) поместить эталон. [c.402]

Были измерены глубины провала на линии молекул кислорода >w(02) =694,6 нм в зависимости от параметров резонатора (здесь /о — интенсивность спектра излучения линии генерации без селективного поглощения, А/—величина провала в центре линии). [c.219]

Основными элементами лазера являются активная среда, источник накачки, возбуждающий вещество активной среды, и резонатор. В обычных условиях отдельные возбужденные атомы вещества переходят на более низкие энергетические уровни спонтанно, т. е. независимо друг от друга. Целью возбуждения активной среды в лазере является такое распределение атомов по возбужденным уровням, при котором между двумя выбранными уровнями достигается инверсия. Состояние с инверсной населенностью отличается от равновесного тем, что на верхнем уровне скапливается существенно больше частиц, чем это диктуется условием равновесия. В результате число переходов с излучением фотонов между данными уровнями оказывается больше числа переходов с поглощением. Такое селективное возбуждение верхних уровней и обеспечивается источником накачки. [c.672]

Несмотря на низкие энергетические характеристики, не позволяющие использовать Не — Ne-лазвр в термической и селективной технологии, он является самым распространенным газовым лазером. Причина такой популярности обусловлена прежде всего его уникальными спектральными характеристиками. Благодаря низкому давлению газа, ширина линии излучения Не — Ые-лазе-ра определяется эффектом Доплера и согласно (1.38) составляет 10 Гц. При характерных длинах лазера ( 10 см) расстояние между собственными частотами резонатора [см. (2.13)] составит также 10 Гц. Поэтому Не — Ne-лазср позволяет осуществлять одночастотную генерацию на одной продольной моде и обладает исключительно высокой монохроматичностью и стабильностью излучения (Av/vo 10 ). Эти качества, а также возможность генерации в видимом диапазоне длин волн делают Не — Ne-лазер незаменимым элементом во многих оптических устройствах, предназначенных для измерения расстояний, контроля размеров, лазерной связи и научных исследований. Очень часто Не — Ne-лазер используется в качестве вспомогательного оборудования для юстировки и визуализации положения луча в других лазерных системах. Большой интерес вызывают появившиеся в последнее время сведения о возможности эффективного использования Не — Ne-лазеров в медицине. [c.159]

Третий селективный по длинам волн элемент, пользующийся все большей популярностью, использует двулучепреломляющий фильтр, помещенный внутрь резонатора лазера. Фильтр представляет собой пластинку подходящего двулучепреломляющего кристалла (например, кварца в видимой области), наклоненную по отношению к пучку под углом Брюстера 0в (рис. 5.5). Оптическая ось кристалла А лежит в плоскости, параллельной поверхности пластинки. Предположим вначале, что по обе сто- [c.252]

Из представленного выше рассмотрения ясно, что генерация в С02-лазере может осуществляться на переходе либо (00° 1) (10 0) (Я =10,6 мкм), либо (00 Ч) (02 >0) (Я = 9,6 мкм). Поскольку сечение первого перехода больше, а верхний уровень один и тот же, генерация, как правило, происходит на переходе 00°1 10°0. Для получения генерации на линии 9,6 мкм в резонатор для подавления генерации на линии с наибольшим усилением помещается соответствующее частотно-селективное устройство (часто применяется система, изображенная на рис. 5.4,6). До сих пор в нашем обсуждении мы пренебрегали тем фактом, что как верхний, так и нижний лазерный уровни на самом деле состоят из многих близко расположенных вращательных уровней. Соответственно и лазерный переход может состоять из нескольких равноотстоящих колебательно-вращательных переходов, принадлежащих Р- или / -ветвям (см. рис. 2.28), причем Р-ветвь дает наибольшее лазерное усиление. Для полноты картины следует также учесть тот факт, что благодаря больцманов-скому распределению населенности между вращательными уровнями наибольшую населенность имеет вращательный уровень /" = 21 верхнего 00°1 состояния (рис. 6.16)На самом деле генерация фактически будет происходить на колебательно-вращательном переходе с наибольшим усилением, т. е. начинающемся с самого населенного уровня. Это происходит потому, что скорость термализации вращательных уровней в С02-лазере [ 10 с- -(мм рт. ст.)- ] больше, чем скорость уменьшения населенности (за счет спонтанного и вынужденного излучения) того вращательного уровня, с которого происходит лазерная генерация. Поэтому в генерации лазера на вращательном переходе с максимальным усилением будет принимать участие полная населенность всех вращательных уровней. Следовательно, подытоживая наше обсуждение, можно сказать, что генерация в СО2-лазере при нормальных условиях возникает на линии Р (22) [т. е. (/ = 21) (/" = 22)] перехода (00 1) (10 0). Другиели-нии того же самого перехода, а также линии, принадлежащие [c.365]

Описанные явления незеркального отражения плоских волн от периодических структур представляют собой основу для довольно широкого спектра практических приложений. Одннм из применений являются ОР с частотно селективными зеркалами [8]. Применение нового типа зеркал в виде решеток, работающих в резонансном автоколлимационном режиме, позволит существенно разредить спектр такого резонатора. [c.191]

Интерес к совместному анализу фазовых и энергетических характеристик комплексных амплитуд пространственных гармоник дифракционного спектра периодических решеток нашел отражение в работах [107, 283], появившихся в последнее время и посвященных ОР с селективными зеркалами. Целью этих работ является поиск путей создания существенно одномодовых резонансных систем. Известно, что в ОР, в котором одно из зеркал выполнено в виде дифракционной решетки, существует возможность управлять добротностью, изменяя величину модуля комплексной амплитуды той гармоники дифракционного спектра решетки, на которой работает резонатор, при этом фаза данной амплитуды должна быть постоянной (сохраняется рабочая длина волны, рис. 136, а). Не меньший интерес вызывает режим, когда модуль амплитуды гармоники поддерживается на уровне, близком к единице, а фаза существенно изменяется, что позволяет управлять резонансной частотой ОР (рис. 136, б). [c.196]

Все эти соображения еще нуждались во всесторонней проверке. Было неясно даже, будут ли неустойчивые резонаторы с большими дифракционными потерями действительно селективны сам Сигмен высказывал опасения, что потери у низшей и последующих мод в подобных системах окажутся примерно одинаковыми. Наконец, решающий для проблемы угловой расходимости вопрос о чувствительности распределения поля к влиянию внутрирезонаторных аберраций (см. 3.2). Сигменом вообще не затрагивался и начал обсуждаться позднее [62, 180, 39]. Однако основную свою миссию статья [198] выполнила — общий интерес к неустойчивым резонаторам был пробужден. Последующие работы Сигмена также явились существенным вкладом в развитие всего этого направления помимо цитируемых в дальнейшем работ отметим содержательный обзор [199]. [c.112]

Если рассеивающие или отражающие поверхности выполняют функции апертурных диафрагм, располагаясь вдоль каустик пучков, они ухудшают не только энергетические, но и пространственные характеристики генерируемого излучения, снижая селективные способности резонатора. Особо тяжелые последствия вызываются наличием зеркальных боковых поверхностей с высоким коэффициентЬм отражения здесь могут возбуждаться пучки, претерпевающие на пути между зеркалами резонатора одно или [c.141]

Поэтому даже при однородном уширении линии для достижения одномодовой генеращш необходимо использовать спектральные селекторы — устройства, обеспечивающие резкое изменение добротности резонатора при небольших вариациях частоты (описание всевозможных их видов дано в [74]). Положив х Ь находим, что селектор, чтобы подавить генерацию на соседних боковых частотах, должен вносить на них дополни-тельнь е ( селективные ) потери при полном обходе резонатора не менее 2L (кус — зг( /8т + 1 3)/2. [c.179]

В малоапертурных лазерах используются либо волноводные, либо открытые устойчивые резонаторы (у других их типов дифракционные потери оказываются чрезмерно большими так, у низшей моды плоского резонатора из круглых зеркал при N= I они составляют 20 % на проход, см. рис. 2.12). Волноводными именуют резонаторы, у которых удержание излучения в зоне малого сечения осуществляется за счет отражения от боковых стенок кюветы. Ввиду большой специфичности мы эти резонаторы рассматривать не будем отметим только, что поскольку и число отражений от боковых стенок на длине резонатора, и потери при каждом отражении растут с углом наклона лучей, волноводные резонаторы по своим селективным способностям похожи на открытые плоские. [c.204]

Рис. 4.9. Спектрально селективные резонаторы с дисперсионной призмой а) и дифракционными решетками б - голографическая решетка, в - нарезная в автокол-лимационном режиме) 1 - активный элемент, 2 - плоское зеркало, 3 - дисперсионная призма, 4 - голограф№ еская решетка, 5 - нарезная решетка, 6 - телескоп

Другие типы синхронно-накачиваемых лазеров. Распространенные и эффективные источники, работающие в ближнем ИК диапазоне, это лазеры на центрах окраски в щелочно-галлоидных кристаллах [33]. Типичным примером здесь может служить лазер на Ft центрах в кристалле KF, описанный в [34]. При накачке непрерывной последовательностью импульсов YAG Nd + лазера (<Р>=5 Вт, t = 100 пс, частота повторения — 100 МГц) он генерирует импульсы с длительностью 3—5 ПС в области перестройки от 1,24 до 1,45 мкм. Активный элемент помещается в вакуумную камеру и работает при температуре 70 К для окрашивания кристалла используется электронный пучок. В [35] аналогичный лазер создан на Ft центрах в кристалле Na l с диапазоном перестройки 1,35—1,75 мкм. Для улучшения спектральных характеристик в резонатор был помещен частотно-селективный элемент, выполненный в виде пластинки сапфира толщиной 4 мм, что позволило получить импульсы со спектральным качеством Avt=0,18. Авторами [36] реализована генерация в кристалле LiF при накачке цугами вто- [c.256]

Голограммы бьшают пропускающими (схема Лейта — Упатниекса [26]) и отражательными (схема Денисюка [28]) ) с весьма различными спектральными и угловыми селективностями, дифракционными эффективностями и их зависимостями от толщины. Все это, как мы увидим ниже, существенно сказывается не только на характеристиках генерации на динамических решетках обоих типов, но и на возможности ее осуществления в различных схемах резонаторов. Различают фазовые и амплитудные решетки, в которых пространственно модулированы соответственно действительная и мнимая части комплексного показателя преломления регистрирующей среды. Предельная дифракционная эффективность фазовых голограмм составляет 100%, а амплитудных - десятки процентов. Поэтому в лазерах на динамических решетках используются только фазовые динамические решетки, что и будет подразумеваться в дальнейшем изложении. Различают также тонкие (двумерные) и объемные (трехмерные) голограммы. При считывании тонких голограмм возникают несколько дифракционных порядков, что снижает дифракционную эффективность. В объемных голограммах дафракция происходит по закону Брэгга. При этом остается только один дифракционный пучок (—1)-го порядка, представляющий собой восстановленный сигнальный пучок. [c.19]

Усиление генерации при полном включении ОВФ-зеркала объясняется достаточно просто. Действительно, коэффициент отражения ОВФ-зеркала на основе BaTiOg, использованного в [9.55, 9.56], был довольно большим (до 50—60%), что существенно увеличивало добротность резонатора. Сужение линии генерации объясняется авторами достаточно высокой спектральной селективностью формируемых в ФРК пропускающих голограмм. В частности, при типичных значениях толщины образца d 1 см и пространственного периода решетки Л 1 мкм спектральная полуширина брэгговского максимума равна Av = vA/d л 50Ггц. Положительная обратная связь, возникающая в резонаторе в процессе генерации, приводит, вероятно, к еще большему сужению линии до экспериментально наблюдаемых значений единиц гигагерц. [c.231]

Более быстродействующими дисперсионными элементами, используемыми для перестройки резонатора лазера, являются элект-рооптические фильтры. В них скорость перестройки достигает десятков нанометров за микросекунду при диапазоне перестройки в десятки нанометров на киловольт управляющего напряжения. Недостатком подобных фильтров являются их меньшая селективность и большая термочувствительность, обусловленная, в частности, термооптическими искажениями, возникающими в электрооптиче-ских элементах при воздействии управляющих полей. [c.247]

Подставляя (5.16) в (5.17), получим для нахождения стационарной формы импульсов систему интегродифференциаль-ных уравнений. Величина h введена для учета возможного смещения максимума, обусловленного процессом усиления и проходом через частотно-селективный элемент. Усилитель смещает максимум вперед hv>0), в то время как в частотно-селективном элементе импульс задерживается (Л СО), так что h = — hy-i-hF. Следовательно, как и при активной синхронизации мод, эффективное время и прохода импульсом резонатора в результате действия усилителя и частотно-селективного элемента отличается от времени прохода пустого резонатора uq на величину —h u = uo — h). Следовательно, для получения режима синхронизации период следования импульсов накачки Up должен удовлетворять равенству Up = u = Uq — h (при частоте модуляции (От лазера с активной синхронизацией мод в случае амплитудной модуляции up = njo)m и в случае фазовой модуляции Ыр = 2л/со [c.158]

Обсудим зависимость параметров импульсов от параметров лазера, поглотителя и резонатора. На рис. 6.6, а представлена нормированная относительная ширина импульса W = 2/A(o0 в зависимости от коэффициента усиления Vo для слабого сигнала для различных значений коэффициента передачи Во для слабого сигнала и фиксированных значений т = 7, R = 0,9. Концы кривых соответствуют границе стабильного моноимпульс-ного режима. Границы зоны статического укорочения импульса Т, = ] и Т/=1 показаны пунктирными кривыми. Они, как уже было выше показано, лежат внутри области стабильного режима. При малых значениях Уо ширина импульса с ростом интенсивности накачки (т. е. с увеличением 1 о) уменьшается. После достижения шириной импульса минимального значения рост интенсивности накачки сопровождается увеличением ширины импульса. Уменьшение коэффициента передачи поглотителя укорачивает импульсы и увеличивает их интенсивность. Минимум ширины импульсов для меньших Во смещается к левой границе области синхронизации мод. Ширина импульсов, как и ранее, обратно процорциональна ширине полосы пропускания частот-но-селективного элемента. Энергия импульсов монотонно нарастает с увеличением коэффициента усиления для слабого сигнала Vo (рис. 6.6, б). При малых потерях на поглощение ин-. тенсивность импульсов растет с ростом интенсивности накачки также монотонно, тогда как при больших потерях интенсивность достигает максимума вблизи области стабильного режима (рис. 6.6, в). Коэффициент асимметрии i представлен на [c.198]

Для получения наиболее коротких импульсов необходимо обеспечить возможно большую ширину полосы дополнительных оптических элементов в резонаторе, так чтобы полоса частот ограничивалась результирующей линией усиления. При более грубой оценке ширину полосы частотно-селективного фильтра можно заменить шириной эффективной линии усиления. Однако в деталях действие линейного оптического фильтра отличается от эффекта ограничения полосы самой линией усиления, так как ширина последней определяется насыщающимися, т. е. нелинейными, оптическими элементами. Это обстоятельство исследовалось Рудольфом и Вильгельми [6.36], которые не пренебрегали членом dp 2ldt в уравнении для элемента матрицы плотности pi2 [см., например, уравнение (1.60)], а путем последовательных аппроксимаций учли зависящие от этого члена два последующих поправочных члена. В результате они получили уравнения, аналогичные (6.39), с дополнительными членами, учитывающими ограничение полосы частот линией усиления. Для случая компенсации в резонаторе чирпа в импульсе подобранным линейным оптическим элементом были найдены решения, соответствующие условию ф/ г12 = й ф/ г1 = 0 в максимуме импульса. Для критического значения дисперсионного параметра г линейного оптического элемента, при котором чирп компенсируется, может быть получено следующее соотношение [c.214]

Для теоретического анализа воспользуемся моделью прямоли нейного трехзеркального резонатора, в котором активный лазерный элемент расположен между зеркалами 1 и 2, а селективно- [c.204]

Генерация в лазере с атмосферным резонатором г=160 м устойчиво осуществлялась, в том числе в условиях пониженной метеорологической дальности видимости 5м = 250ч-300 м во время осадков, если мощность накачки активного элемента в 3—4 раза превышала пороговую (для лазера с коротким резонатором). Регистрируемый интегральный за время импульса спектр излучения практически для всех метеоусловий оставался гладким с полушириной 0,5—0,65 см- . Наличие на измерительной трассе селективных потерь приводило к образованию п ровала в спектре лазерной генерации. Исследования показали, что наибольшая относительная глубина выжигаемого провала достигается при небольших превышениях над порогом мощности накачки (g 1,1), что согласуется с результатами теории. Увеличение спектральной ширины селективных атмосферных потерь приводило к возрастанию общей ширины контура линии лазерной генерации. [c.218]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...