Интенсивность обратного рассеяния

Радиационный метод основан на измерении интенсивности обратного рассеяния р-излучения в зависимости от толщины покрытия применим, когда атомные номера основного металла и покрытия отличаются не менее чем на 2. Относительная погрешность метода 5 %. [c.54]

Принцип действия прибора основан на зависимости интенсивности обратного рассеяния потока бета-излучения от покрытия. Прибор состоит из датчика и электронного блока. Датчик соединяется с блоком при помощи кабеля. [c.31]

Принцип действия прибора основан на зависимости интенсивности обратного рассеяния потока бета-излучения от толщины покрытия. [c.33]

Прибор Кишиневского государственного университета. Предложена схема прибора, работающего по методу измерения интенсивности обратного рассеяния бета-частиц. [c.35]

Для контроля толщины покрытий выгодно, чтобы зависимость интенсивности обратно-рассеянного излучения от атомного номера z рассеивателя N = N z) шла бы как моя но круче. Ход этой зависимости обусловлен геометрическими факторами, толщиной поглотителя на пути излучения к регистрирующему устройству и типом регистрирующего устройства. [c.227]

ЗАВИСИМОСТЬ ИНТЕНСИВНОСТИ ОБРАТНО-РАССЕЯННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОТ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЯ [c.228]

Измерения интенсивности обратного рассеяния сопровождали исследования прозрачности малого объема, обсуждаемые выше. В качестве источника излучения, рассеянный сигнал которого изучался, использовался аргоновый лазер с =0,49 мкм. [c.126]

Вторая приставка к измерительной головке (рис. 4-198,а) служит для измерения разностенности труб или толщины листового материала по изменению интенсивности обратного (рассеянного) излучения. В этом случае детектор (люминесцентный кристалл) защищен от прямого пучка гамма-излучения свинцовым [c.310]

Формулы для интенсивности обратного рассеяния. При получении формул однократно рассеянного назад излучения рассмот- [c.53]

Выражение (15.73) справедливо для области 0>(йО)- , где D — размер частицы, а s = sin 8 (рис. 15.3). Известно также [97, 371] ), что в области 0<( D)- интенсивность обратного рассеяния h дается выражением [c.65]

Физически это означает, что интенсивность обратного рассеяния 1т, связанную с многократным рассеянием, нужно учитывать [c.65]

Физический смысл (21.65) состоит в том, что интенсивность обратного рассеяния пропорциональна величине спектральной компоненты шероховатой поверхности, отвечающей волновому числу р = —2k sin 0,-. Это означает, что рассеяние в обратном направлении происходит на спектральной компоненте с таким периодом d в направлении х, что [c.232]

Измерение отношения интенсивностей обратного рассеяния на двух длинах волн, одна из которых более чувствительна к насы-шению кислородом (0,6—0,7 мкм), а другая (0,8—0,9 мкм) — относительно нечувствительна, исключает влияние изменений рИ и скорости потока крови, которые приблизительно одинаково влияют на отражательную способность крови на обеих длинах волн. [c.210]

Решение. Так как /г //, а диаграммы направленности излучателя и рассеивателя узкие, то в (2.14) после интегрирования по вертикальной координате с учетом (1), (9.3), а = - 3, р /Н 1 ( — поперечная координата) имеем для интенсивности обратного рассеяния [c.255]

Проиллюстрируем для примера расчет интенсивности у-излучения, обратно рассеянного от площадей St, S2, S3 и S , на примере расчета /ал. пр - [c.160]

Увеличение интенсивности излучения, которое достигает места изгиба из-за обратного рассеяния от стенок первой секции канала, можно рекомендовать определять на основе экспериментальных или расчетных данных по прохождению излучения через прямые каналы в защите ( 12.4), увеличивая интенсивность излучения в месте изгиба канала в й раз, где =14- [c.162]

Отечественной промышленностью выпускаются толщиномеры покрытий, основанные на регистрации изменений интенсивности потока обратного рассеяния бета-излучения в зависимости от толщины измеряемого покрытия. [c.25]

При направлении пучка радиоактивного излучения 1 на поверхность изделия. 2 с определенной толщиной часть лучей проходит сквозь изделие, а часть лучей претерпевает рассеяние веществом и изменяет свое первоначальное направление. Обратное рассеяние излучения происходит не только на поверхности изделия, но и на разной его глубине в зависимости от толщины изделия. Измеряя приемником 3 с аналогичной электрической схемой 4 и 5 интенсивность отраженного потока, судят о толщине изделия. [c.114]

Обратное рассеяние. Мягкое Y-излучение. Интенсивность растет с увеличением [c.209]

Наибольшие трудности при количественном анализе методом ОЭС вызывает нарушение линейной связи между интенсивностью Оже-пиков и количеством анализируемых атомов в приповерхностном слое. Необходимо вводить коэффициенты обратного рассеяния для учета Оже-эффекта под действием рассеянных электронов, вторичных электронов и т. д. Метод ОЭС пригоден для количественного анализа монослоев и в меньшей степени — для анализа слоев большей толщины. [c.155]

Экспериментальные исследования нелинейности обратного рассеяния интенсивного света в аэрозолях проведены в ряде работ. Ниже рассмотрены наиболее существенные из полученных результатов. [c.191]

Ионизирующее излучение, пройдя материал контролируемого изделия, взаимодействует с объектами, расположенными за ним. Возникающее при этом рассеянное излучение может воздействовать на детектор и окружающий персонал. В частности, эти явления проявляются наиболее интенсивно, если контролируемые сварные соединения расположены у бетонных или алюминиевых стен, оснований и т. п. В этом случае должны приниматься дополнительные меры для защиты от обратного рассеянного излучения, например, устанавливаться дополнительные свинцовые экраны. [c.98]

Это соотношение следует из построения сферы Эвальда в обратном пространстве (фиг. 5.8). Из точки Р в начало координат обратного пространства О проводится вектор длиной ( = ки1/ я) в направлении к . Затем вокруг точки Р как вокруг центра проводится сфера радиусом А, . Для любой точки и на сфере радиус-вектор, проведенный из точки Р (длиной А," ), дает направление рассеянного пучка к, так что и =(к—ko)/2ir. Интенсивность этого рассеянного пучка будет f(u)l . Таким образом, построение сферы Эвальда дает направления и интенсивности всех рассеянных пучков для данного направления падающего пучка. [c.118]

Минимумы У к) и, следовательно, максимумы интенсивности диффузного рассеяния, пропорциональные а(й), в самом деле находятся вблизи положений обратной решетки сверхструктуры. Диффузные максимумы, которые отмечаются для многих сплавов, имеюш,их лишь ближний порядок, представляются расщепленными почти таким же образом, как резкие максимумы для упорядоченных сплавов. [c.390]

Распределение интенсивности рассеяния качественно изменяется. Интенсивность правильных отражений (qi) и интенсивность диффузного рассеяния, пропорциональная становятся экспоненциально малыми (пропорциональными e - ). Распределение интенсивности диффузного рассеяния i (qi) существенно изменяется, сгущаясь в узкие колоколообразные максимумы вблизи узлов обратной решетки и напоминая уширенные правильные отражения, несколько смещенные из своих положений [13]. [c.258]

ВОДИТСЯ измерение поглощения пучка гамма-лучей, прошедших через стенку труб, как и при работе с предыдущим прибором (см. рис. 4-195) во втором случае используется обратное (рассеянное) излучение, интенсивность которого будет изменяться в зависимости от толщины измеряемой стенки изделия. [c.310]

Поток излучения, отраженный от детали с покрытием, кроме их атомных номеров, зависит также от размеров детали, формы поверхности и чистоты ее обработки. Следовательно, непосрадстванное использование зависимости интенсивности обратно-рассеянного Р-излучения от толщины [c.228]

К особому классу аэрозольных образований относится также промышленный аэрозоль (городская дымка и смоги). Отличительные особенности этих образований связаны с высокой поглощательной способностью, т. е. с большой величиной мнимой части комплексного показателя преломления (в видимой области спектра альбедо однократного рассеяния Л изменяется от 0,5 до 0,65). Большая изменчивость альбедо однократного рассеяния в промышленных районах приводит к большому изменению интенсивности обратного рассеяния (на два порядка при изменении Л от 0,5 до 0,65), что существенно затрудняет однозначную интерпре- [c.132]

Рис. 5.4. Интенсивность обратного рассеяния I (t) от слоя толщины R2 — Ru показанного на рис. 5.3. Время распространения в слое туда и обратно равно =2 (R2 — Ri)) , длительность импульса Го а — характеристика среды как функции расстояния R — tl2, б — рассеянный импульс при To Т .

Законы поверхностного рассеяния отличны от законов объемного рассеяния. Так, интенсивность поверхностно рассеянного света обратно пропорциональна второй степени длины волны (а не четвертой) своеобразны также и условия поляризации рассеянного света. Полная молекулярная теория этих явлений при молекулярных шероховатостях, еще малых по сравнению с длиной волны, находится в согласии с наблюдаемыми на опыте закономерностями (Ф. С. Барышанская, 1936 г.). [c.584]

В идеальном кристалле Д.р.р.л. обусловлено только тепловыми смещениями и нулевыми колебаниями атомов решётки и может быть связано с процессами испускания и поглощения одного или неск. фононов. При небольших Q осн. роль играет однофононное рассеяние, при к-ром возбуждаются или исчезают только фопоны с волновым вектором q — Q G, где 6 вектор обратной решётки, ближайший к Q. Интенсивность такого рассеяния Лт (Q) в случае одноатомных идеальных кристаллов определяется ф-лой [c.691]

На рис. 70, а—в показаны картины микродифракции сплава с 23% Мп открытой выплавки. Характерной особенностью электронограмм сплава Г23 является наличие интенсивного диффузного рассеяния электронов в виде тяжей по направлениям <111> в сечениях обратной ре- [c.174]

Однако, используя легко доступные источники излучения, получаем настолько незначительные интенсивности излучения, рассеянного такими малыми областями, что их нельзя наблюдать. Кристаллы, которые обычно используются для дифракции при условиях, близких к кинематическим, несовершенны, и их можно рассматривать как совокупности очень большого числа малых областей с размерами указанного выше порядка или как мозаику, состоящую из малых кристалликов с разбросом ориентаций, возможно, от 10 до 10" рад. В этих условиях можно считать, что с( ра Эвальда разрезается совокупностью очень большого числа слегка повернутых друг относительно друга конфигураций обратных решеток, или, что эквивалентно, можно считать, что распределение обратного пространства для одного усредненного кристалла разрезается еще более уширенной сферой Вальда. В таком рассмотрении становится еще более очевидным, что можно [c.132]

Кроме того, расчеты показали, что если смещение пиков ближ него порядка, связанное с размерами атомов, внесет вклад в рас сеяние отдельных слоев, то такое смещение может быть скомпенси ровано почти полностью при наличии сильного двумерного динами ческого рассеяния. Этот результат согласуется с умозрительным основанным на грубых соображениях заключением Каули [85, 86] а именно сильное динамическое взаимодействие может устранить вклады в интенсивности диффузного рассеяния, обусловленные смещением атомов, но не повлияет на вклады в интенсивность диффузного рассеяния, обязанные перестановке, или изменениям рассеивающей способности атомов, о также согласуется с экспериментальными наблюдениями. Например, фиг. 17.3 показывает распределение интенсивностей вдоль прямой кОО в обратном простран- [c.385]

Фиг. 17.3. Интенсивности диффузного рассеяния, измеренные вдоль линии ЛОО обратного пространства для разупорядоченного кристалла СиАиз-а — рентгеновские измерения, показывающие смещение пика 300 диффузного рассеяния, связанное с влиянием размера атомов (согласно работе Бэттермана [12] ) б — электронографн-ческие измерения, не дающие смещений для пика 300 (согласно работе Ватанабе и Фишера

Радиоактивный метод основан на обратном рассеянии (отрг-же-н) и) Р-излучекия. Мерой интенсивности отраженного (рассеянного) изл -чения служит сила тока, возникающего в ионизационной камере. [c.97]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...