Резерфордовское обратное рассеяние

Растровый электронный микроскоп 123 Ребиндера эффект 225 Регибридизация разорванных связей 149, 153, 157, 169. 179, 226, 232 Резонансные состояния 79, 80, 168 Резерфордовское обратное рассеяние света 127 Резонанс магнитофононный 70 Рекомбинационные центры 97-100, 206-208 [c.282]

Рекристаллизрванный слой анализировался также с помощью обратного резерфордовского рассеяния и результаты сравнивались с аналогичными, полученными при анализе образца, термически отожженного в течение 30 мин при 800° С, а затем в течение 10 с при 1000° С. На рис. 5.16 представлены спектры обратного рассеяния образца непосредственно после [c.179]

Обратное резерфордовское рассеяние (ОРР) является почти неразрушающим методом определения элементного состава образца по глубине, а также средством оценки степени совершенства кристалла (при использовании каналирования). Эксперименты вьшолняются путем бомбардировки образца легкими ионами (обычно Не" ) с энергиями порядка нескольких мегаэлектровольт. Все обратно отраженные ионы анализируются по энергиям с целью определения вида атома, ответственного за рассеяние, а также расстояния под поверхность, на котором атом локализован. Энергию обратно рассеянных частиц можно найти из соотношения [c.188]

Более корректным и точным методом изучения состава приповерхностных слоев сплавов, несомненно, является послойное травление поверхности пучком ионов инертных газов с регистр ацией Оже-электронного спектра [55, 57—59] или спектра обратного резерфордовского рассеяния ионов металла [60, 61], [c.45]

Важным следствием ионной имплантации является изменение химического состава пленки. Его анализ проводился методами обратного резерфордовского рассеяния (ОРР) и ядер- [c.154]

Рис. 4.18. Спектры обратного резерфордовского рассеяния покрытия TiN на

В данной работе мы несколько подробнее остановимся на двух методах обратного резерфордовского рассеяния (ОРР) и ядерных реакций (ЯР). Во-первых, эти методы получили развитие сравнительно недавно и не нашли достаточного освещения в отечественной литературе, а во-вторых, для их реализации требуется оборудование, сходное с установками для ионно-лучевой обработки, описанными выше. [c.163]

Рис. 5.2. Схема установки для проведения исследований по методу обратного резерфордовского рассеяния

Рис. 5.16. Спектры обратного резерфордовского рассеяния образцов непосредственно после имплантации и после лампового и термического отжигов

В обсуждение включено детальное сравнение четырех методик, имеющих наибольшее значение для проблем контроля полупроводников. Это электронная Оже-спектроскопия (ЭОС), обратное резерфордовское рассеяние (ОРР), вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС). [c.183]

Для соответствующего эксперимента на термически выращенный слой окисла кремния осаждался слой поликремния толщиной 1 мкм. Затем имплантировался мышьяк и проводился отжиг в течение 6 ч при температуре 800° С. Полученный в результате профиль распределения мышьяка был измерен методом обратного резерфордовского рассеяния. Результаты представлены на рис. 9.17. [c.274]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...