Проводимость абсолютная

Парамагнитная восприимчивость в литии и натрии определялась при помощи формул Крамерса — Кронига [39] путем измерения площади под кривой поглощения спинового резонанса электронов проводимости (абсолютная калибровка производилась путем сравнения этой площади с площадью кривой поглощения для ядерного резонанса в том же образце при той же частоте). При этом получены значения [c.194]

При температурах, близких к абсолютному нулю, в идеальном кристалле 5 или Ое ковалентные связи полностью заполнены и все электроны связаны с атомами, вследствие чего электропроводность отсутствует. При нагревании или освещении кристалла происходит освобождение электронов от ковалентной связи, возникает электропроводность — переход электронов из валентной зоны в зону проводимости. При этом на месте ушедшего электрона образуется незаполненная связь (дырка), которая может быть занята электроном из другой какой-нибудь связи. Одновременно незаполненная связь (дырка) может перемещаться по кристаллу. [c.387]

Проводимость переходная 531 Пространство абсолютное 10, 445 Процесс адиабатический 153 [c.639]

Иное дело в случае, изображенном на рис. 6.11, б. Если ширина запрещенной зоны Af порядка (или менее) нескольких электрон-вольт, то за счет теплового возбуждения часть электронов валентной зоны совершает квантовый переход в зону проводимости чем выше температура, тем чаще происходят такие переходы. В результате возникают электроны в ранее пустовавшей зоне проводимости проводящие свойства кристалла радикально изменяются — диэлектрик превращается в полупроводник. Число электронов в зоне проводимости существенно зависит от температуры. Обычно оно таково, что газ электронов проводимости можно считать невырожденным, зависимость v(e) для него описывается кривой в на рис. 6.7. Одновременно с появлением электронов в зоне проводимости возникают свободные состояния в валентной зоне иначе говоря, возникают дырки. Газ дырок, как и газ электронов проводимости, является обычно невырожденным. Заметим, что понижение температуры не приводит к вырождению этих газов, так как с понижением температуры уменьшается число электронов в зоне проводимости и соответственно дырок в валентной зоне при абсолютном нуле полупроводник превратится в диэлектрик. В переносе тока в полупроводнике участвуют как электроны проводимости, так и дырки. [c.144]

В идеальном полупроводнике, если все электроны находятся в наинизшем энергетическом состоянии, в зоне проводимости не должно быть электронов. Такое положение теоретически возможно лишь при абсолютном нуле. При обычных температурах в зоне проводимости всегда найдется некоторое количество электронов, заброшенных туда из валентной зоны путем термического возбуждения. Мгновенная плотность электрического тока ], связанного с движением какого-либо электрона, пропорциональна его скорости у. Плотность тока, связанного с движением одного электрона в объеме Й, может быть представлена в виде [c.88]

Если. абсолютный минимум зоны проводимости лежит [c.158]

Ширина запрещенной зоны. Ширина запрещенной зоны Eg представляет собой энергетический зазор между абсолютным максимумом валентной зоны и абсолютным минимумом зоны проводимости. Определяется по температурному ходу сопротивления или оптическими методами (край полосы поглощения, длинноволновая граница фотопроводимости). Значение Eg зависит от температуры и давления зависимость определяется коэффициентами ai = dEg/dT цар — dE.JdP. [c.454]

В Ge 8 эквивалентных абсолютных минимумов зоны проводимости расположены на осях [111] на границе зоны Бриллюэна. Вблизи каждого из этих минимумов изо-энергетические поверхности — эллипсоиды вращения (эквивалентное число эллипсоидов 4). [c.462]

Соединение 0 OO mV(B- ) Vp, см2/(В с) Абсолютный минимум зоны проводимости [c.501]

В кристаллических полупроводниках при низких температурах (близких к абсолютному нулю) часть разрешенных зон (с меньшей энергией) полностью заполнена электронами, а в остальных электроны отсутствуют. В верхней заполненной зоне находятся электроны, расположенные на внешних оболочках атомов и участвующие в химических связях с соседними атомами, так называемые валентные электроны. Поэтому эту зону называют валентной. Нижнюю, не занятую электронами зону разрешенных уровней называют зоной проводимости. [c.7]

Валентная зона и зона проводимости разделены запрещенной зоной (рис. 3, а). Ширина запрещенной зоны соответствует минимальной энергии (в электрон-вольтах), которую надо сообщить электрону, находящемуся в валентной зоне, чтобы перевести его в зону проводимости. В отличие от электронов, находящихся в валентной зоне и связанных с атомами, электроны, переведенные в зону проводимости, теряют связь со своими атомами и могут перемещаться по кристаллу. В валентной зоне при переводе из нее электрона в зону проводимости остается незанятый энерге тический уровень и возникает равный по абсолютному значению заряду электрона не-скомпенсированный положительный заряд, называемый дыркой. При этом находящиеся в валентной зоне электроны соседних атомов могут переходить на незанятый уровень, что эквивалентно перемещению дырки с положительным зарядом в противоположную сторону. [c.7]

Логарифм проводимости жидкости линейно уменьшается с увеличением обратной абсолютной температуры 1/Т, как в собственных полупроводниках. Однако в отличие от полупроводников, где а=АИ /2к - ширина [c.100]

Если при температуре, близкой к абсолютному нулю, все уровни в валентной зоне полупроводника полностью заполнены, а в зоне проводимости — пустые (рис. 177), то полупроводники в этом случае будут обладать свойствами диэлектрика. При повышении температуры (Т > f> —273 С) электроны приобретают дополнительную энергию, которая достаточна, чтo бы некоторые из них [c.281]

Рис. 13.2. Проводимость полупроводников (1п 7) в функции абсолютной температуры Т и напряженности поля

Рис. 2-3. Зависимость удельной проводимости жидкого масляно-канифольного компаунда от величины, обратной абсолютной температуре

Зависимость удельной проводимости жидкого масляно-канифольного компаунда от температуры (рис. 2-3) соответствует уравнению (2-4) при а — 9100 К. На рис. 2-3, как и на некоторых последующих, по оси ординат отложена удельная проводимость в логарифмическом масштабе, по оси абсцисс — числа, обратные абсолютным температурам, и соответствующие значения температуры по стоградусной шкале. [c.36]

Деформационный потенциал по абсолютной величине численно равен деформационному искажению уровня Ферми (до его выравнивания) и в конечном итоге характеризует изменение энергии электронов проводимости, от которой может зависеть работа выхода электрона. [c.100]

Сопоставление результатов исследований изменения электрической проводимости двойных сплавов на основе алюминия с Си, Zn, Ag, Mg и Si показало, что электрическая проводимость сплавов непосредственно после закалки быстро растет. Однако скорость роста и абсолютная величина электрической проводимости для различных добавок неодинакова. [c.54]

Рис. 5.10. Кристаллическая решетка кремния при абсолютном нуле температуры (а), с разрывом одной ковалентной связи с примесью, обеспечивающей проводимость п-типа (б), и с примесью, обеспечивающей проводимость р-типа (г)

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

Контроль конденсатоочистки блока. Электропроводность фильтрата ФСД, обусловленная остаточным количеством примесей и собственной проводимостью воды, характеризует глубину обессоливания и, следовательно, является хорошим показателем работы фильтра. Электрическая проводимость абсолютно чистой воды вследствие электролитической диссоциации ее молекул составляет около 0,04 мксим см при 20 °С. Проводимость фильтрата ФСД находится обычно в пределах 0,08— [c.135]

Если "хвосты плотности состояний у валентной зоны и зоны проводимости абсолютно одинаковы (а = Ь), то скорость поверхностной рекомбинации вообше не зависит от изгиба зон, при небольшой асимметрии (а ф Ь) получается слабая зависимость 3 и ). Для того, чтобы вероятность туннельных переходов между состояниями "хвостов" была достаточно большой, плотность состояний вблизи середины запрешенной зоны должна быть весьма высокой. [c.107]

Следовате.п.но, измерение потока лучистой энергии всегда требует тщательного анализа условий эксперимента. К сказанному нужно добавить, что большинство приемников радиации селективно, т. е. неодинаково реагирует на излучение различных длин волн. Это также надо учитывать при опытах, проводимых для сравнения потока лучистой энергии в разных участках спектра. Еще большие трудности возникают в том случае, когда измеряют абсолютное значение светового потока или создаваемую им освеп1енность. Для этого необходимо проградуировать используемый приемник радиации, что совсем не просто. [c.43]

В 1913 г. Вин [23] писал Данные теории излучения и новейшая теория теплоемкости доказали, что электронная теория металлов должна быть построена па существенно новой основе . Вин установил ряд важных положений, которые и в иастояш,ее время существенны для понимания электронной проводимости, и показал, что говорить о наличии эффективно свободных электронов в атомной решетке моншо только в том случае, если эти элс1 троны обладают скоростью V, которая не зависит от температуры и остается неизменной вплоть до абсолютного нуля. На основании опытов Камерлинг-Оннеса при очень низких температурах Вин пришел к выводу, что если структура решетки полностью регулярна, то проводимость металла должна быть бесконечно большой. При более высокой температуре колебания атомов металл должны нарушать периодичность решетки и приводить к столкновениям атомов с электронами проводимости. Основываясь па уравнении Друде [c.157]

Задача, которая не была решена в работах Зомме])фельда и которую необходимо было решить для дальнейшего развития теории, заключалась в вычислении I — среднего свободного пробега электронов в процессе рассеяния на колебаниях решетки. Вначале Хаустои [7J пошел, по суш,еству, по пути В гна, предположив, что /1 изменяется пропорционально среднему квадрату амплитуды колебаний атомов. При этом он получил тот же результат р (7"/Ь) для Т > в и для Т с Н. Однако вскоре Хау-стон [8] и Блох [9] выяснили новые важные особенности процесса рассеяния. Оказалось, что акт рассеяния электроЕ1а колебаниями решетки, имеющими частоту V, может произойти только в том случае, если колебания решетки и электрон проводимости обменяются квантом энергии v. Таким образом, рассеяние )лектронов существенно неупруго, хотя при высоких температурах, когда кТ > Av, т. е. когда Т > О, его можно рассматривать как упругое, так как в этом случае обмен энергии сравнительно мал. Отсюда непосредствено следует, что при абсолютно.м нуле сопротивление, вызванное тепловыми колебаниями, должно исчезнуть, так как и электроны и решетка при понижении температуры быстро приходят в низшие энергетические состояния. Иными словами, нулевые колебания решетки не могут быть причиной появления сопротивления первоначально этот вывод вызывал некоторое сомнение. [c.160]

Чистый совершенный полупроводник (например, 51, дл которого АЕ 1,1 эВ) вблиаи абсолютного нуля ведет себя как изолятор. С повышением температуры наступает такой момент, когда энергии теплового возбуждения достаточна для массового переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. В результате такого перехода в зоне проводимости появятся электроны, а в валентной зоне — свободные от электронов энергетические уровни, которые, можно в разумных границах ассоциировать с положительными зарядами (дырками). В отсутствие внешнего электрического поля электроны и дырки совершают хаотическое движение. При включении внешнего электрического поля осуществляется направленное движение носителей заряда (дрейф) причем электроны двигаются преимущественно против поля,, а дырки —по направлению поля. [c.84]

Рассмотрим полевой транзистор, в котором ток осуществляется электронами. У этого транзистора канал, по которому течет ток, состоит из -полупроводника (рис. 138). На рис. 138 канал расположен между электродом И, называемым истоком, и электродом m, называемым стоком. С боков канала имеются две области с -проводимостью. Совокупность этих двух полупроводников называется затвором. Между истоком и стоком прикладывается высокая разность потенциалов (Уст.и порядка 10-20 В. Между истоком и затвором прикладывается обратная разность потенциалов (7з меньшей абсолютной величины (от — 1 до — 3 В). Если 6epei -ся канал />-типа, а затворы- -типа, то полярность батарей необходимо изменить на обратную. [c.367]

При оценке погрешности косвенных измерений на основании прямых измерений величин, проводимых однократно, можно исходить из того, что в нaи Ieнee благоприятном случае максимальная абсолютная погрешность равна [c.79]

В широком диапазоне температур зависимость логарифма удельной проводимости у от обратной величины абсолютной температуры Т должна состоять из ДВ30С прямолинейных участков с различнкгми значениями угла наклона [c.99]

С понижением температуры уменьшается темновая проводимость служащая фоном, на котором появляется фотопроводимость, а по-э гому роль фотопроводимости возрастает. Кроме того, увеличивается и абсолютное значение фотопроводимости. Это можно объяснить тем, что с уменьшением концентрации тепловых носителей заряда уменьшается вероятность рекомбинации фотоносителей заряда. [c.276]

Валентные электроны образуют размытое облако электрического заряда вокруг ионов и могут легко перемещаться в идеальной решетке металлического крггстал-ла. Отсутствие взаимодействия с идеальной решеткой ионоз подтверждается тем фактом, что электрическая проводимость чистого металла неограниченно возрастает при температуре, приближающейся к абсолютному нулю. Решетка состоит из воображаемых линий, соединяющих ноны. Расстояние между их центрами измеряется ан1- [c.30]

Рис. 5.6. Зонная структура собственного полупроводника а—при абсолютном нуле валентная эона укомплектована электронами полностью, зона проводимости пустая 6 — при температуре, отличной от абсолютного нуля, часть электронов валентной зоны переходит п зону проводимости и в валентной зоне появляются дырки е — энергия дна зоны проводимости Ей — энергия потолка валентной зоны

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...