Кривая распределения, см диаграмма

Кривая распределения, см. диаграмма частотная Кривизна оси балки 164 Критерии прочности 221 Кручение бруса круглого сечения 109 [c.357]

Так как легковые автомобили редко работают с полной нагрузкой, то на диаграмме приведены кривые распределения полного веса по осям ) для эксплоатационной нагрузки и 2) для полной нагрузки (см. стр. 119). Кроме того, приведена кривая распределения по осям полезной нагрузки (вес пяти пассажиров). [c.37]

Для того чтобы проверить, соответствует ли наблюдаемое несимметричное распреде.тение кривой Г аусса (если оно нанесено в логарифмическом масштабе), проводят на диаграмме (см. фиг. 84-16) две горизонтальные прямые. Чтобы исключить ошибки, возникающие при вычерчивании кривой от руки, положение этих прямых по высоте выбирают так, чтобы кривая распределения пересекалась по возможности вблизи [c.853]

Для подтверждения изложенного рассмотрим графики распределений давлений и температур по контуру суживающихся и расширяющихся сопл. На рис. 6-3 показаны кривые изменения относительного статического давления на стенке суживающегося сопла № 2 (см. рис. 6-2) для перегретого, насыщенного и влажного пара. Нижняя кривая отвечает перегретому и сухому насыщенному пару в начальном состоянии (линии 7 и 2 на диаграмме i—s). При снижении перегрева до нуля конечная точка процесса расширения [c.139]

Для построения полной вероятностной диаграммы усталости (см. рис. 2.11—2.13) было испытано 125 образцов (5 уровней Ощах по 25 образцов на уровень). На практике во многих случаях оказывается невозможным провести испытание столь большого количества образцов. В этом случае можно рекомендовать комбинированный метод, заключающийся в нахождении функции распределения пределов выносливости методом лестницы по 15—20 образцам и параметров левой ветви кривой усталости методом регрессионного анализа по результатам испытания 10—15 образцов, что в общем требует проведения испытания 25—35 образцов. [c.38]

По данным повторного исследования [1], эвтектика в системе А1—Si содержит 12,3% (ат.) [12,7% (по массе)] Si и плавится при температуре 577,2° С. Кривая солидуса твердого раствора на основе А1, заново построенная в работе [2] методом микротвердости, хорошо согласуется с данными М. Хансена и К- Андерко (см. т. I, рис. 77). Коэффициент распределения в части диаграммы, богатой Si, равен 2-10 [3]. [c.78]

На фиг. 20 показана зависимость объемного к. п. д. от числа оборотов при различных значениях р кривые относятся к симметричной диаграмме распределения (т. е. впуском в кривошипную камеру управляет поршень, см. фиг. 2). Как это следует из фиг. 20, выигрыш в объемном к. п. д., получаемый в результате уменьшения вредного пространства Уц, не является особенно значительным. В этом отношении можно достигнуть больших результатов при выполнении щек коленчатого вала в виде плоского золотника или при использовании вращающегося золотника (фиг. 21) такими путями удается смещать максимум объемного к. п. д., например, в область более низких чисел оборотов, что является особенно важным. [c.435]

Последний случай является наиболее частым на практике и ниже мы рассмотрим, как протекает затвердевание при этих условиях. Если действительную линию ликвидуса (см. рис. 45, в) наложить на кривую, показывающую распределение температуры в пределах жидкости, то получится общая диаграмма, показанная на рис. 46. [c.57]

О виде функции можно судить по годографу комплексной диэлектрической проницаемости (так называемой диаграмме Коул-Коул) [40]. Если распределение х дискретное (только одно время релаксации), то диаграмма имеет вид полуокружности с центром на оси абсцисс при симметричной относительно центрального момента функции распределения диаграмма принимает вид полуокружности с центром, лежащим ниже оси абсцисс. Если функция распределения несимметрична, то годограф имеет вид несимметричной кривой (см. работы [16, 38]). [c.22]

Восьмым этапом является систематический анализ текущих контрольных документов с целью корректировки контрольных границ, установленных для данной операции, и выявления возможных дальнейших путей для улучшения качества продукции и повышения рентабельности производства. Б частности, детальное и систематическое изучение контрольных карт, эмпирических точностных диаграмм и кривых распределения (см. выше раздел. Анализ контрольных документов и специальные приёмы исследования точностных диаграмм") помогает выявлению высших показателей качества, уже достигнутых на оборудовании того или иного типа, и этим способствует подтягиванию на этот уровень других участков или предприятий и постановке задач по дальнейшему плановойу улучшению показателей качества. [c.647]

Пример подобной диаграммы для образцов № 4 (табл. 3.10, <Ха = 3,4) был приведен в разд. 4. На рис. 3.27 на нормальной вероятностной бумаге приведены функции распределения максимальных разрушающих напряжений в зоне концентрации а ах = = сг 1дССд, построенные по методике, описанной в разд. 4. На рис. 3.27 каждой линии соответствуют две группы точек необ-веденные и обведенные кружками. Точки второй группы получались путем нахождения ординат Р точек, пересечения кривых распределения долговечности (см. рис. 2.11) с вертикальной линией, соответствующей N = 10 циклов. Так, для образцов № 4 [c.101]

В последующее время получил развитие новый метод исследования точности обработки — метод точечных диаграмм, или метод малых выборок (см. стр. 341). Этот метод дает возможность разделить влияние случайных и систематических погрешностей, что позволяет исследование точности проводить более подробно по сравнению с методом кривых распределения. Тем не менее оба метода не вскрывают сущности физических явлений, имеющих место в процессе обработки, и не указывают конкретных путей повышения точности ее выполне- [c.20]

На рис. 7.3 показана интегральная кривая распределения для полиэтилена, полученная Кауш-Блекеном при испытании на длительную прочность в идентичных условиях 500 образцов. Видно, что справедлив логарифмический нормальный закон распределения долговечностей. Полученные нами интегральные кривые распределения длительной прочности для полиэтиленов высокой и низкой плотности на 50 образцах при температуре 60, 70° С и напряжениях 30, 70 кгс/см подтверждают справедливость логарифмически нормального закона распределения долговечностей для этих материалов. Особенности диаграмм длительной прочности ПЭВП можно объяснить, если проанализировать механизм разрушения частично кристаллических полимеров. [c.258]

Для получения достоверных сведений по усталостной прочности титановых сплавов конкретной структуры не(обходима количественная оценка разброса результатов циклических испытаний. При этом предел выносливости определяют с заданной вероятностью неразрушения, т.е. оценивают его надежность. Уже первьге статистические обработки результатов усталостных испытаний титановых сплавов показали высокие значения коэффициента вариации условного предела выносливости [96— 98]. Учитывая большой разброс, наиболее правильно для анализа усталостных свойств титановых сплавов применять методы математической статистики и теории вероятности. Для этого строят полные вероятностные диаграммы, например по системе, предложенной Институтом машиностроения АН СССР [99, 100]. Эта система основана ра разделении процесса усталостного разрушения на две стадии до появления макротрещины и развитие трещины до разделения образца на части. При анализе предела выносливости гладких образцов это разделение не имеет принципиального значения, так как долговечность до появления трещины Л/ и общая долговечность до разрушения образца Л/р близки. Часто Jртя построения полных вероятностных диаграмм усталости за основу берут наиболее простой метод, предложенный В. Вейбуллом [ 101 102, с. 58 — 64]. Для построения полной вероятностной кривой необходимо испытать достаточно большие партии образцов (30—70 шт.) на нескольких уровнях амплитуды напряжений, которые должны быть выше предела выносливости (см., например, рис. 92). На каждом из этих уровней по гистограмме определяют вероятность разрушения при данной амплитуде напряжений. Далее ст ят кривую Веллера по средним значениям долговечности. По гистограммам строят кривые равной вероятности в тех же координатах (а — 1дЛ/). Затем строят семейство кривых, определяющих не только зависимость долговечности от амплитуды напряжений, но и вероятности разрушения от заданных амплитуды напряженйй и долговечности. Далее, принимая математическую форму распределения вероятности, на данном уровне напряжений можно строить кривые зависимости либо от амплитуды напряжений при заданной базе испытаний Л/, [c.141]

Поведение оболочки под нагрузкой рассмотрим на примере кругового тонкостенного цилиндра, сжатого вдоль образующей (рис. 18.78, а). Если конструкция имеет строго правильную поверхность и радиальные перемещения на торцах ничем не стеснены, то при любой нагрузке, равномерно распределенной по торцу, безызгибная форма будет равновесной (ось ординат на диаграмме рис. 18.78,6). Наряду с этим, как показывает нелинейный анализ, возможны различные изгибные формы равновесия 2). Естественно, что в первую очередь представляет интерес та форма искривления поверхности, которая является равновесной для наиболее низкой нагрузки. Такими оказываются искривления поверхности в форме ромбовидных вмятин (см. рис. 18.78, а). Пусть под / по-прежнему понимается характерное перемещение изгибной формы равновесия (например, глубина вмятины). Обозначим через О отношение размеров вмятины по направляющей и образующей поверхности. Каждой фиксированной форме вмятины отвечает своя равновесная кривая [c.418]

В случаях, когда рассеивание признака качества вызвано большим числом случайных факторов, многие из которых не изменяются во времени, одного порядка по своему влиянию на общую погрешность и независимы или слабо зависимы от других, теоретический закон распределения tp/(j ) для момента времени t будет обычно близок к закону Гаусса. При этом существенным обстоятельством, подтверждающим правильность анализа эмпирических точностных диаграмм хода производственного процесса, будет являться получение практического распределения значений для всей партии близким к закону Гаусса, а распределений значений xf и Xi для всей партии близкими к негауссовым теоретическим кривым <р (л ) из соответственных семейств с функциями а (t) н Ь (i) см. [4]. [c.642]

Необходимо иметь в виду, что плотность тока на электродах (структурных составляющих), лежащих в одной плоскости, но расположенных в разных точках,— неодинакова. В работе [127] было показано, что на интерметаллическом соединении FeZn-, (катоде) она менялась от 1,3 до 1,5 ма/см , а на цинке (аноде) от 0,1 до 1,2 ма/см . Тем не менее, поскольку мы в данном случае определяем суммарный коррозионный ток, а не его распределение, построение коррозионной диаграммы по поляризационным кривым оправдано. [c.96]

В телескопическом HP, имеющем отверстие в центре глухого зеркала, формируется лишь один узконаправленный пучок 3 (см. рис. 4.6, а), который отстает от пучка сверхсветимости 2 на время одного двойного прохода излучения в резонаторе (At = 10 не — см.рис. 4.6, в). Это объясняется тем, что в такой оптической системе приосевые пучки — как сжимающиеся, так и многопроходные расширяющиеся — резонатором не поддерживаются. Расходимость пучка 3, как и при работе с резонатором без отверстия, при изменении М в пределах 5 < М 300 уменьшается от 2,5 до 0,115 мрад. В плоскости фокусировки при визуальном наблюдении видно одно яркое пятно, имеющее достаточно высокую стабильность. В распределении интенсивности в дальней зоне имеется несколько пичков (см. рис. 4.6, б), появление которых, вероятнее всего, связано с отражением излучения от границы отверстия в глухом зеркале. Относительная нестабильность положения оси диаграммы направленности и импульсной энергии пучка 3 значительно меньше, чем дифракционного. Характеристики выходного излучения исследовались при диаметрах отверстия 4, 8 и 10 мм. Мощность резонаторного пучка (рис. 4.9, кривая З ) при диаметре отверстия 8 мм для М — 5 составила 19 Вт (66% общей мощности), для М = 100 - 9,5 Вт (37%), для М 300 - 4,5 Вт (20%). [c.123]

На рис. 3.14 приведены зависимости звукового давления от угла 1 , вычисленные по формуле (3.117) и пронормированные к максимальным значениям амплитуды поля при различных количествах полуплоскостей. Принято равномерное амплитудное распределение колебательной скорости f(r)= 1. Кривые на рис. 3.14, а дляМ = 2 совпадают с диаграммами направленности плоского порщня длиной 2а. Более сложный характер имеют зависимости при М = 3. При малых волновых размерах ка максимумы диаграммы расположены при 1 = 0, 60, 120°, а при больших/са — при = 30 и 90°. Действительно, при а < X (схема слева на рис. 3.14, б) указанные направления соответствуют минимальной разности фаз вкладов отдельных элементов каждого из излучателей. Приа > X (см. схему справа) каждый из излучателей приобретает собственную направленность [c.178]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...