Намагничивание Схемы

Технологическая схема производства магнитов способом твердофазного спекания (рис. 63, а) содержит следующие основные операции получение исходного сплава в виде отливки или методом прямого восстановления, измельчение сплава в порошок тонкого помола, ориентирование в магнитном поле и холодное прессование, спекание пресс-заготовок, термообработку, доводочную механическую обработку и намагничивание. Схема получения магнитов способом жидкофазного спекания (рис. 63, б) отличается лишь производством порошка спекающей [c.88]

Рис. 12. Кривая намагничивания феррита (а) и схемы ориентации спинов в доменах при отсутствии магнитного поля (б), намагничивании в слабом и сильном полях (в, г) и при насыш.ении (д)

Трансформаторные мосты. В последние годы получили развитие трансформаторные мосты, в которых два плеча образуются вторичной обмоткой трансформатора и служат для питания моста (рис. 4-6). Однако можно поменять местами индикатор и источник питания (рис. 4-6, б). Такой мост с индуктивно-связанными плечами в цепи индикатора имеет ряд преимуществ он позволяет обеспечить высокую чувствительность по емкости и tg б. Кроме того, в этом случае не сказываются как явления гистерезиса в сердечнике трансформатора, так и нелинейность кривой намагничивания. Вместе с тем мало сказываются паразитные проводимости, включенные параллельно индуктивным плечам. Наконец, можно расширить диапазон измерений за счет применения многосекционных трансформаторов. Имеется несколько разновидностей схем трансформаторам 2 о V б) [c.71]

Рис. 42. Схема процесса намагничивания ферромагнетика (а) и петля гистерезиса (б)

В общем случае и в особенности при применении защитных схем с контролем тока утечки преобразователи следует комплектовать трансформаторами с повышенной пробивной прочностью, так чтобы и в случае неисправности постоянный ток не мог протекать по защитной схеме. В противном случае может произойти предварительное намагничивание катушки защитного выключателя системы контроля тока утечки, так что этот выключатель будет срабатывать только при большем токе утечки. Если протекающий постоянный ток превышает 50 % переменного тока утечки, то отключения обычно уже вообще не происходит [5]. [c.218]

Если в зоне систем катодной защиты применена защитная схема с контролем тока утечки, то необходимо следить за тем, чтобы подвод защитного тока ни в коем случае не нарушал срабатывания защитного выключателя с контролем тока утечки из-за предварительного намагничивания дифференциального токового трансформатора постоянным током. Чтобы такое предварительное намагничивание токового трансформатора постоянным током, полученным при однополупериодном выпрямлении некоторой части тока утечки, было пренебрежимо малым, сопротивление растеканию тока в грунт с анодных заземлителей подобных систем катодной защиты должно быть в полтора раза больше соответствующего сопротивления растеканию тока с самого объекта защиты [16]. Для этой цели иногда может потребоваться дополнительное омическое сопротивление соответствующей величины в кабеле к анодному заземлителю. [c.285]

Рис. 5.8. Схемы намагничивания деталей подвесных устройств

Магнитопорошковый контроль производится СОН, так как валы, как правило, изготовлены из стали 45 по схемам, описанным ранее. Для намагничивания применяют электроконтакты и гибкий кабель из комплекта дефектоскопа ПМД-70. [c.107]

Рис. 6.2. Схемы намагничивания галтелей подшипниковых шеек г d — диаметр шейки

Приведенные на рисунке результаты получены с помощью созданного макета прибора для контроля упругих напряжений в ферромагнетиках, принцип работы которого описан выше. В указанном макете прибора намагничивание осуществляется П-образным электромагнитом, расположенный между его полюсами феррозонд включен по схеме полимера. Сигнал с измерительной обмотки феррозонда поступает на частотно-избирательный усилитель, настроенный на вторую гармонику возбуждающего тока феррозонда. С частотно-избирательного уси-лителя сигнал частотой 2/ поступает на первый вход фазового детектора, на второй вход которого поступает сигнал основной частоты / от генератора. К выходу фазового детектора подключен стрелочный индикатор. [c.100]

Для исследования возможности создания такой текстуры использовался пермендюр, содержащий 2% ванадия. До температуры фазового перехода этот сплав имеет ОЦК решетку, а направлением легкого намагничивания является направление [111] [4]. Металлы с ОЦК решеткой обладают несколькими системами скольжения, поэтому условия деформации сложны и строгое теоретическое предсказание возникающих при различных схемах деформации текстур затруднено [5]. В связи с этим в дальнейшем анализу подвергается только одна из выбранных схем деформации образца — осаживание в условиях всестороннего неравномерного сжатия. [c.203]

Упрощенная схема изменения ориентации векторов намагниченности доменов в процессе намагничивания до насыщения и после устранения намагничивающего поля показана на рис. 13. У изотропного вещества (без магнитной текстуры) размагниченному состоянию соответствует равновероятное распределение векторов намагниченности доменов по всем направлениям (рис. 13, а). При наложении внешнего поля и насыщении направление всех векторов намагниченности совпадает с направлением [c.14]

Принципиальная схема дефектоскопической установки с трансформатором, пускателем и прибором для циркулярного намагничивания представлена на фиг. 68. [c.175]

Рис. 5.60. Схема комбинированного намагничивания детали

Аморфные сплавы, изготовленные по методу закалки, из жидкого состояния, как правило, представляют собой тонкие ленты толщиной 20—60 мкм и шириной от одного до нескольких десятков миллиметров. При изучении процессов намагничивания таких лент можно пользоваться одним из способов, показанных на рис. 5.14. В первом способе используется цилиндрический соленоид, в который вставляется аморфная лента (диаметр соленоида составляет 1—3 см, а длина его — около 15 см). Во втором способе лента, свернутая в спираль, помещается внутрь тороидальной обмотки. Наконец, в третьем способе из широкой ленты вырезаются кольца, которые также помещаются внутрь тороидальной обмотки. При таких схемах можно получить обычные петли Гистерезиса в координатах В—Н, при этом несмотря на малую толщину ленты получается довольно высокая чувствительность измерений. [c.134]

Предполагают, что такая лабиринтная структура отражает образование основных доменов. Простейшая схема основных доменов приведена на рис. 5.18. Приложение сильного магнитного поля вдоль оси ленты приводит к вращению векторов М., основных доменов и к исчезновению лабиринтной доменной структуры. Критическое поле для такого вращения составляет (8- 12) 10 А/м, что практически соответствует насыщению кривой намагничивания на рис. 5.15(. [c.137]

Рис. S.5. Схемы намагничивания изделии аксиальное (а), радиальное (б), диаметральное в), диаметральное или радиальное (г)-Фас (I), профиль (II)

Величина, форма доменов и поведение ферромагнетика в магнитном поле будут определяться соотношениями различных видов энергии (обменной, кристаллической анизотропии и т. д.) при данной температуре и данном магнитном поле. На рис. 17.59 (кривая 7) приведена схема кривой намагничивания, на которой можно в общем случае выделить пять областей 7 — область обратимого смещения [c.311]

Ионные электроприводы по схеме блока выпрямитель — двигатель для нереверсивных электроприводов Максимальная токовая защита мгновенного действия. Анодные быстродействующие автоматы и автоматы прямого действия на стороне выпрямленного тока ) Токов намагничивания при включении трансформатора Сн=3,..3,5 [c.239]

Рис. 4.23. Схема циркуляционного намагничивания крупногабаритного изделия

Рис. 8.3. Схема намагничивания металла барабана для обнаружения осевых трещин в стенках трубных отверстий и штуцеров

Ясно также, что происходит в том случае, когда после изотермического намагничивания поле адиабатически снимается. Пока расстояния между энергетическими уровнями равны [1вН, функция распределения, а вместе с ней также S п М зависят лишь от комбинации HIT. Следовательно, если i5" постоянно, то постоянно II М, температура убывает пропорционально полю и распределение ионов но уровням не нарушается. Однако при достижении слабых полей, когда силы взаимодействия становятся того же порядка величины, что и действие ноля, расстояния между уровнями перестают быть пропорциональными полю. Ионы нерераснределяются по уровням таким образом, чтобы энтропия сохраняла постоянное значение, магнитный момент уменьшился и температура стремилась к значению, определяемому схемой уровней в ноле, равном нулю. Чем слабее силы взаимодействия ионов, тем меньше расш енление уровней и тем ниже конечная температура. [c.426]

Магнитографический метод. Сущность данного метода состоит в намагничивании участков изделия специальными намагничивающими устройствами с одновременной записью полей рассеяния на. эластичный носитель, в качестве которого выступает мгигнитная лента, с последующей операцией воспроизведения (считывания) записи с ленты с помощью магнитографических дефектоскопов. Схема магнитографического контроля представлена на рис. 6,36. [c.194]

Основные способы и схемы намагничивання деталей неразрушающего контроля при магнитных методах [c.16]

На рис. 42 показана блок-схема прибора МАША-1 [4]. Прибор состоит из последовательно соединенных блока намагничивания намагничи-вающе-преобразовательного устройства 2, предварительного усилителя 3, полосового фильтра 4, амплитудного дискриминатора 5, счетчика импульсов 6, регистра памяти 7, индикаторного устройства 8, блоков управления 9 и питания 10. Для получения на выходе преобразователя скачков Баркгаузена образец намагничивают медленно изменяющимся двухполярным напряжением, вырабатываемым блоком намагничивания 1. Для усиления слабых сигналов скачков Баркгаузена используется предварительный усилитель 3. [c.78]

Процесс намагничивания ферромагнитного материала под влиянием внешнего магнитного поля сводится 1) к росту тех доменов, магнитные моменты которых составляют наименьший угол с направлением поля, и к уменьшению размеров других доменов (процесс смещения границ дохменов) 2) к повороту магнитных моментов в направлении внешнего поля (процесс ориентации). Магнитное насыщение достигается тогда, когда рост доменов прекратится и магнитные моменты всех спонтанно намагниченных микрокристаллических участков окажутся ориентированными в направлении поля. Схема ориентации спинов в доменах приведена на рис. 9-3. [c.268]

Интерес к магнитным пленкам определяется тем, что на их основе могут быть разработаны запоминающие устройства (ЗУ) для ЭВМ, обладающие рядом преимуществ перед ЗУ на ферритовых сердечниках. На рис. 11.24 показана одна из возможных схем элемента памяти на магнитных пленках. Элемент состоит из напыленной на подложку пермаллоевой или ферритовой пленки I и трех напыленных металлических шин разрядной 2, числовой 3 и считывания 4. Элемент конструируется так, чтобы поле числовой шины было параллельно оси легкого намагничивания пленки, а поле разрядной шины — параллельно оси трудного намагничивания. При записи информации импульс тока пропускается через разрядную шину, намагничивая пленку вдоль оси легкого намагничивания. В зависимости от направления этого импульса после прекращения его действия пленка остается намагниченной или до+Вг. что соответствует Ь, или до —В , что соответствует О (рис. 11.23, б). При считывании импульс тока подается в числовую шину. Магнитное поле этого тока [c.312]

Можно осуществить и более сложную схему комбинированного намагничивания. В этом случае применяется однополуперйодное выпрямление трехфазного тока. Деталь (заготовка лопатки компрессора) намагничивается тремя полями, образуемыми токами сдвиг фаз между которыми составляет 120°. При этом обнаруживаются 23 А. Н. Гаврилов 698 3 53 [c.353]

Фиг. 70. Схема включений аппарата Ферропульс 1 — конденсаторы для намагничивания изделий импульсом тока 2 — купроксный или селеновый вы11рямитель 5 —понижающий трансформатор 4 — ртутный разрядник 5 — зажимной прибор для намагничивания изделий.

На фиг. 82 представлена упрощенная блок-схема устройства для умножения двух п-разрядных двоичных чисел с фиксированным положением апятой. Запоминающее устройство на магнитных сердечниках (ЗУМС) выполнено из кольцевых ферромагнитных сердечников, обеспечивающих сохранение двоичных цифр (Он 1) в виде остаточного намагничивания той или иной полярности. Каждый сердечник служит для запоминания одной двоичной цифры. Горизонтальные ряды сердечников образуют отдельные регистры с количеством обычных разрядов, равным числу сердечников в ряду (фиг. 83, а н б). Первичные обмотки образуют цепь, открывающую регистр (Ki, К2, Kj). Вторы первичные обмотки соединяют по вертикали, образуя линии подачи разрядов записываемых чисел (Хи Х Хз). [c.592]

Пои рассмотрении описанного цикла, естественно, может возникнуть вопоос— почему в процессе намагничивания рабочего тела А—В выделяю-1чееся тепло отводится только в гелиевую ванну, а не н в охлаждаемый объем И почему в процессе С—D тепло отбирается- рабочим телом только от охлаждаемого объема, а не и от гелиевой вя-нны Осуществление этих процессов передачи тепла только в одном из двух возможных направлений (в процессе А—В — только к гелиевой ванне, в процессе С—D — только от охлаждаемого объёма) обеспечивается использованием в экспериментальной установке специальных устройств - так называемых тепловых ключей. Схема одной из экспериментальных установок этого типа, созданной Доун-том и Хиром представлена на рис. 3-22. В гелиевом криостате 1 размещены рабочее тело 2 и охлаждаемый блок 3. Рабочее тело соединено с гелиевым [c.77]

Рассмотрим схему этой установки, представленную на рис. 3-24. В точке а контура рабочеее тело находится вне магнитного поля соленоида (Я = 0) и имеет температуру Т . На участке от точки а до точки Ь рабочее тело входит в соленоид, переходя из области Я = О в область с напряженностью магнитного поля Я предполагаем, что переход из точки а в точку Ъ происходит достаточно быстро, так что этот процесс можно считать адиабатным. В процессе адиабатного намагничивания (с—Ъ) температура рабочего тела несколько повышается от Гд до T ,. Внутри соленоида на участке от точки Ъ до точки с осуществляется подвод тепла, в результате которого. температура рабочего тела возрастает до Тс, этот процесс подвода тепла происходит при постоянной напряженности внешнего [c.79]

Намагничивание магнитомягких материалов происходит в основном за счет смещения доменных траниц, а в магнитотвердых — за счет вращения вектора намагниченности (см. схемы рис. 2.10.1). [c.163]

Обнаружение поля рассеяния производится с помощью железного порошка (сухой метод). Чаще применяют так называемый мокрый метод (в качестве несушей жидкости используют минеральное масло и керосин). Магнитный порошок представляет обычно магнетит или Кроме того, применяют флюоресцирующие вещества, которые светятся в ультрафиолетовом свете. С помощью порошковых фигур могут быть определены трещины шириной до 10 мм. Чувствительность метода за ш-сит от намагниченности материала, его поверхности и размера изделий. Для испытаний мелких деталей используют полевые зонды (импульсное намагничивание позволяет осуществлять быструю маркировку). Вьтсокая скорость испытаний достигается с помощью прибора со взвесью порошка, схема которого приведена на рис. 1.393. [c.149]

Схема и принцип действия записывающего устройства зависят от принятого способа записи магнитных диполей. Так, в том случае, когда запись ведется на ненамагниченной ленте и одна дорожка используется для перемещения салазок в обоих направлениях за счет положительного или отрицательного намагничивания, может быть использована схема (фиг. 54), состоящая из триггера 2, катодного повторителя 1 и магнитной головки 4 с двумя обмотками а vi Ь. [c.92]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...