Состояние соответственное

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые N (е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны валентная, запрещенная и проводимости. Близкими оказались и общие формы распределения состояний в валентных зонах и зонах проводимости. В то же время структура состояний в запрещенной зоне в некристаллических полупроводниках оказалась отличной от кристаллических. Вместо четко очерченной запрещенной зоны идеальных кристаллических полупроводников запрещенная зона аморфных полупроводников содержит обусловленные топологическим беспорядком локализованные состояния, формирующие хвосты плотности состояний выше и ниже обычных зон. Широко использующиеся модели кривых показаны на рис. 12.7 [68]. На рисунке 12.7, а показана кривая по модели (Мотта и Дэвиса, согласно которой хвосты локализованных состояний распространяются в запрещенную зону на несколько десятых эВ. Поэтому в этой модели кроме краев зон проводимости (бс) и валентной (ev) вводятся границы областей локализованных состояний (соответственно гл и ев). Помимо этого авторы модели предположили, что вблизи середины запрещенной зоны за счет дефектов в случайной сетке связей (вакансии, незанятые связи и т. п.) возникает дополнительная зона энергетических уровней. Расщепление этой зоны на донорную и акцепторную части (см. рис. 12.7, б) приводит к закреплению уровня Ферми (здесь донорная часть обусловлена лишними незанятыми связями, акцепторная — недостающими по аналогии с кристаллическими полупроводниками). Наконец, в последнее время было показано, что за счет некоторых дефектов могут существовать и отщепленные от зон локализованные состояния (см. рис. 12.7, в). Приведенный вид кривой Л (е) позволяет объяснить многие физические свойства. Так, например, в низкотемпературном пределе проводимость должна отсутствовать. При очень низких температурах проводимость может осуществляться туннелированием (с термической активацией) между состояниями на уровне Ферми, и проводимость будет описываться формулой (12.4). При более высоких температурах носители заряда будут возбуждаться в локализованные состояния в хвостах. При этом перенос заряда [c.285]

В гипотезах прочности предлагаются критерии, определяющие прочность элемента материала, находящегося в сложном напряженном состоянии. Соответственно этим критериям установлены эквивалентные напряжения (од), т. е. напряжения одноосного растяжения элемента материала, который равнопрочен тому же элементу при сложном напряженном состоянии [c.48]

Задача легко решается, если записать выражение для длины нити L к моменту подвеса через параметры обоих состояний. Если точки подвеса нити находятся на одном уровне, то на основании уравнения (5.104), исходя из параметров т-го и м-го состояний, соответственно получим [c.165]

Эта эквивалентность вытекает из формул (25.23) и (25.24) для плоской деформации и плоского напряженного состояния соответственно [c.737]

Напряженное состояние в каждой точке характеризуется тремя инвариантами тензора напряжений или тремя главными нормальными напряжениями, а деформированное состояние соответственно характеризуется гремя инвариантами тензора деформации или тремя главными удлинениями. [c.161]

Пусть 00 — угол наклона касательной к оси балки в ее недеформированном состоянии, которое определяется начальным изгибом (см. рис. 15.2), а угол 0 — дополнительный поворот этой касательной в процессе изгиба. Таким образом, в деформированном состоянии угол наклона касательной к оси Oz равен 6 -Ь 0о. а кривизны в недеформированном и деформированном состояниях соответственно равны [c.341]

На рис. 8.5 изображена sT-диаграмма. Точки А, В, Е, С, D на sT-диаграмме, так же как и на ир-диаграмме (см. рис. 8.1), определяют при давлении р следующие состояния соответственно жидкости при / = 0 С, кипящей жидкости при температуре насыщения влажного пара, сухого насыщенного пара, перегретого пара. [c.93]

На рис. 8.6 изображена si-диаграмма. Точки А, В, Е, С, D на 5/-диаграмме так же как и на vp- и sT-диаграммах (см. рис. 8.1 и 8.5), Определяют при давлении р состояния соответственно жидкости при < = 0°С, кипящей жидкости при температуре насы- [c.93]

В одной половине теплоизолированного сосуда (рис. 1.12) со стенками, имеющими высокую жесткость, заключено некоторое количество исследуемого газа, а в другой, отделенной от первой специальной перегородкой, газа нет. Если устранить перегородку, то газ будет перетекать из первой половины сосуда во вторую до тех пор, пока температура и плотность газа не примут одинакового значения по всему объему сосуда, т. е. газ не придет в равновесное состояние. Обозначим значения температуры и объема газа в начальном состоянии соответственно через tx и Vj, а в конечном состоянии — через /а и l/g. Де V., = V — объем сосуда. [c.36]

Буквы г и ж в уравнениях для с и с" означают, что значения соответствующих величин берутся на пограничной кривой при подходе к ней со стороны однородных состояний (соответственно газа и жидкости). [c.237]

Обычно, хотя и не всегда, диффузия протекает быстрее в тех системах, которые показывают малую растворимость в твердом состоянии, соответственно медленнее протекает диффузия в системах с непрерывной растворимостью. [c.24]

Итак, данная система имеет два критических состояния (соответственно две критические точки и две критические силы), одно из которых обнаруживается при ее нагружении, а другое — при разгрузке. Критическая сила Р, при которой происходит скачкообразный переход от первоначальной формы равновесия к новой, называется верхней, а критическая сила Р , которой сопутствует обратный перескок, — нижней. В данном случае верхняя и нижняя критические силы соответственно равны [c.398]

СОСТОЯНИЯ соответственные — состояния различных веществ, соответствующие одним и тем же значениям приведен- [c.277]

Пусть теперь ранее рассмотренная система имеет случайное начальное состояние. С вероятностью /Сг= 1/(1в начальный момент она будет работоспособна, а с вероятностью 1—Кг — неработоспособна. Обозначая эти состояния соответственно через О и 1, можно записать [c.133]

Замечания 1. Поток жидкости с S-состоянием и массовым расходом g + m" можно рассматривать как результат наложения двух потоков а) отведенного от основного течения и б) образованного переносимым веществом с состоянием соответственно (GS) и TS). Тогда уравнение (4-48) перепишется в виде [c.148]

Обозначим изменение площадей контакта жидкости с твердой стенкой сосуда, пара с твердой стенкой сосуда и жидкости с паром при переходе от исходного к промежуточному состоянию соответственно через и Оче- [c.183]

Безмоментное состояние — соответственно [c.495]

Эти два элемента представляют вероятность обнаружить хромофор в основном и возбужденном электронном состоянии соответственно. Очевидно, что [c.94]

В диаграмме 5теоретический процесс истечения изобра-жае1ся отрезком АВ (см. рис. 79). При этом энтальпия пара в начальном и конечном состояниях соответственно [c.224]

В заключение отметим, что до сих пор в научном и практическом подходах человека к созданию необходимых материалов и конструкций преобладает постулат о термодинамическом равновесии как высшей стадии в достижении совершенства. Поэтому неудивительно стремление технологов и материаловедов создавать и просчитывать материалы и конструкции, которые бьши бы как можно более близки к равновесному состоянию. Соответственно, и разрабатываемые технологии получения конструкционных материалов ориентированы на условия, приближенные к термодинамическому равновесию. Поэтому в материалах, используемых в промышленности, различного рода дефекты распределены достаточно равномерно по массе образца. Мы считаем, что здесь кроется ключ к практическому решению проблемы упруго-пластического поведения и разрушения констрзтсционных материалов в процессе эксплуатации. [c.135]

В заключение отметим, что до сих пор в научном и практическом подходе человечества к из> чению и преобразованию окружающего пространства (в том числе создание необходимых материшгов и конструкций) превалирует постулат о термодинамическом равновесии как высшей стадии и достижении совершенства. Поэтому неудивительно стремление технологов и материаловедов создайать и просчитывать такого рода материалы и конструкции, которые были бы как можно бояее близки к равновесному состоянию. Соответственно, и разрабатываемые технологии получения конструкционных материалов ориетированы на условия, приближенные к термодинамическому равновесию, и на обеспечение факторов, поддерживающих данные условия в течение всего процесса. Поэтому в материалах, используе- [c.324]

На рис. 3.3.1 представлены pF-диаграммы для расчета детонации сплошного и пористого гексогена. Здесь, в соответствии со схемой рис. 3.1.5, 3.1.6, представлены кривая холодного сжатия исходного гексогена, ударные и детонационные адиабаты, рассчитанные по уравнениям (3.1.27) и (3.1.30). Для сравнения приведены детонационные адиабаты при полном (100%) и неполном (75 и 50%) энерговыделении Qa. Точки Bj и Bj — точки Чепмена — Жуге для сплошного и пористого ВВ, определяемые с помощью прямых линий OBjA и O BjA (линий Рэлея — Ми-хельсона), которые являются касательными, проведенными из точек О VL О к соответствующим детонационным адиабатам. Здесь точки О ш О определяются исходным состоянием соответственно сплошного и пористого ВВ. При этом точки А в А соответствуют состояниям за ударной волной (в хид1пике). [c.268]

Коэффициенты и в приведенных выражениях называются эквивалент-ньпии плотностями состояний соответственно электронов и дырок. Если предположить, что все свободные электроны сконцентрированы вблизи дна зоны проводимости, а дырки - вблизи потолка валентной зоны, их концентрации можно рассчитать по формулам [c.54]

В молекуле из двух одинаковых атомов все состояния становятся возможными, если ядра их обладают моментами /, отличными от нуля при этом они распадаются на состояния с различными статистическими весами. Состояния с большими статистическими весами называются орто-состояниями, состояния с меньшими статистическими весами называются парасостояниями. Если статистические веса орто- и пара-состояний соответственно обозначить через и g , то [c.578]

Существенным недостатком полупроводниковых лазеров является сильная зависимость их параметров от температуры. С повышением температуры, происходящим из-за разогрева диода значительным прямым током, изменяется ширина запрещенной зоны, что приводит к изменению спектрального состава излучения и смещению его максимума в сторону длинных волн.Но главное состоит в том, что с увеличением температуры резко растет пороговый ток /пор. так кяк при неизменном токе инжекции и, следовательно, при неизменной концентрации инжектированных носителей вблизи р — ft-перехода их распределение rio энергиям становится более размытым—увеличивается интервал энергий, по порядку равный йТ, в пределах которого распределяются свободные носители заряда в энергетических зонах. Так как коэффициент усиления света зависит от степени заполнения электронами и дырками состояний соответственно в зоне проводимости и в валентной зоне, то при том же уровне нн-жекции коэффициенты усиления падают с ростом температуры. Это означает, что для достижения порогового значения коэффициента усиления при повышенных температурах требуется больший пороговый ток /пор- Поэтому проблема отвода тепла or р — ft—перехода для полупроводниковых лазеров имеет первостепенное значение. [c.343]

В существующих методах диагностики цифровых схем (ЦС) [1] тестовые воздействия представляют собой наборы статических сигналов Xi, х . После иодачи на входы ЦС очередного набора ждут окончапмя динамических (переходных) процессов в ЦС, а затем анализируют установившееся статическое значение сигнала у на информационном выходе ЦС (без ограничения общности будем считать, что диагностируется одновыходная ЦС), Каждое статическое значение сигнала у и содержит ииформацию о состоянии диагностируемой ЦС. Очевидно, что в случае диагностики комбинационных схем (КС) описанные методы диагностики сводятся к сравнению булевых функций y = F(X],...,Xn) п у= Fh X[, х ), реализуемых КС в исправном и неисправном состояниях соответственно. [c.61]

Так, в работе [45] отмечается, что в результате предварительной холодной деформации растяжением стали ЭИ257 на 5 и 13% повышается сопротивление усталости при 600° С относительно стали в недеформированном состоянии соответственно на 19,2 и 11,5%. Наклеп от деформации растяжением на 13% стали ЭИ69 снижает сопротивление усталости на 7,5%. [c.171]

Возникновение электродвил<ущей силы в газовом потоке объясняется тем, что ионизированный газ, называемый плазмой, содержит в себе свободные электроны, наличие которых и обусловливает его электропроводимость. Степень ионизации плазмы тем больше, чем выше температура, причем заметную величину она приобретает лишь при температурах порядка 3 000—4 ООО °С. При еще более значительных температурах (порядка нескольких миллионов градусов) в плазме начинается расщепление атомных ядер и она переходит в принципиально отличное состояние. Соответственно этому плазма, представляющая собой просто ионизированный газ, называется низкотемпературной в отличие от высокотемпературной плазмы, содержащей в своем составе продукты ядерного распада. [c.236]

О). Так, аА (/ ) 0) и a (p) 0) представляют собой векторы одночастичиого состояния соответственно частицы и антпчастш(ы с импульсом р и спиральностью X, а вектор [c.633]

В тех редких случаях, когда промперегреватель отсутствует (в новых блоках АЭС он почти всегда имеется), чистота поступающего в турбину пара будет очень сильно зависеть от КПД сепаратора, однако в этих случаях чистота пара не оказывает существенного влияния на опасность коррозионных повреждений турбины, поскольку последняя работает полностью в зоне влажного пара и по мере расширения влажность пара непрерывно растет, а следовательно, концентрация примесей в каплях влаги, которая первоначально очень низка, быстро падает. В итоге даже при наличии в паре коррозионно-агрессивных примесей (например, свободной щелочи NaOH) их концентрации по всему тракту турбины остаются много ниже допустимых по условиям коррозии. Иначе обстоит дело в большинстве случаев, когда за сепаратором расположен промперегреватель и в первых ступенях ЦНД пар находится в перегретом состоянии. Соответственно отдельные примеси в паре на входе в турбину могут находиться в форме сильно упаренных капель (например, NaOH), твердых частиц соли (например, Na l), а в части, отвечающей растворимости их в паре,— в форме истинного раствора. Естественно, что в таких условиях частота пара значительно влияет на надежность работы ЦНД турбины, так же как и в турбинах высоких параметров, имеющих промперегрева- [c.35]

Здесь holRT, So/RT, v lR — энтальпия, энтропия и изохорная теплоемкость в идеально-газовом состоянии соответственно R — газовая постоянная Т — температура соот а о, 6о. Цо, оо, ро> Уо, ko, fo — термодинамические функции нормировки, вычисляемые по формулам [c.33]

Отсюда, прямые корреляции между параметрами химической связи (например величинами q) и макроскопическими характеристиками кристалла (температурами плавления, микротвердостью, упругими свойствами и т. д.), зачастую привлекаемыми для описания прочности химической связи , оказываются затруднены. Гораздо более адэкватной характеристикой в этом отношении становится энергия когезии (сцепления) = кр - где и — полные энергии кристалла и составляющих его атомов в свободном состоянии, соответственно. Соответствующие результаты (неэмпирические расчеты зонным методом Хартри—Фока [86]) приводятся в табл. 1.3. Видно, что с ростом атомного номера катиона (по группе) когезионные свойства соответствующего нитрида заметно падают, что хорошо согласуется с экспериментальными оценками, см. [86]. [c.15]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...