Гальваномагнитные эффекты

Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках [c.278]

Гальваномагнитными эффектами в полупроводниках называ ются такие явления, которые возникают при одновременном дейст вии на полупроводник электрического и магнитного полей. [c.278]

Все гальваномагнитные эффекты делятся на поперечные (действие электрического и магнитного полей обнаруживается на гранях полупроводника, параллельных электрическому и магнитному полям) и продольные (проявляются вдоль образца). [c.278]

Гальваномагнитные эффекты при изучении радиационных повреждений в графитах позволяют следить за изменением слоевых дефектов [64], так как последние обусловливают основные изменения и концентрации, и подвижности носителей заряда. В работе [25] исследовано влияние степени графитации на изменение гальваномагнитных эффектов конструкционного материала марки ГМЗ до и после облучения флюенсом 2,4 X Х10 ° нейтр./см2 ( >0,18 МэВ) при температуре 150°С. [c.120]

На образцах до и после облучения исследовали коэффициент Холла Ry , магнетосопротивление удельное электросопротивление р, межслоевое расстояние, диаметр и высоту кристаллитов. Гальваномагнитные эффекты измеряли в постоянном маг нитном поле Я=18 кЭ при температуре 300 и 77 К. В соответствии с увеличением степени графитации исходных образцов от [c.120]

Очень поучительный пример дает термодинамическое изучение термомагнитного и гальваномагнитного эффектов. Используя удачно подобранную систему ве-ЛИЧИН сродства и скоростей, можно легко получить термодинамические уравнения, связывающие эти эффекты, чего было бы трудно добиться другими методами [23]. [c.61]

Гальваномагнитные преобразователи. Гальваномагнитные эффекты наблюдаются при движении зарядов в проводнике или полупроводнике, находящемся в магнитном поле, и проявляются в возникновении ЭДС Холла, увеличении сопротивления, а также изменении свойств р— -переходов [3]. [c.206]

Однако не для всех твердых растворов падение р столь четко выражено. На рис. 17.42 представлены зависимости удельного сопротивления р (б) и магнетосопротивления Ар/р (а) для сплавов системы Ре—Сг [29]. Образование сверхструктур в системе Ре—Сг соответствует слабовыраженным точкам перегиба на кривой зависимости р от концентрации Сг. Гальваномагнитный эффект (Др/р) оказывается более чувствительным свойством и изменяется при этих концентрациях скачком, являясь, таким образом, свойством, дающим большую разрешающую способность при исследовании процессов упорядочения в данной системе. [c.302]

Наиболее подробную информацию дает изучение электрических свойств при наличии магнитного поля. Эти так называемые гальваномагнитные эффекты в последнее время стали мощным средством исследования поверхности Ферми, [c.108]

Значения коэффициентов гальваномагнитных эффектов в металлах отличаются большим разнообразием, связанным со сложностью зонной структуры и формы поверхности Ферми. Гальвано- и термомагнитные эффекты очень чувствительны ко всякого рода примесям и неоднородностям. По этой причине приведенные в таблицах значения коэффициентов надо рассматривать лишь как наиболее заслуживающие доверия. [c.468]

В настоящее время на отечественных автомобилях, кроме магнитоэлектрических датчиков, получили распространение полупроводниковые. Работа этих датчиков основана на использовании гальваномагнитного эффекта Холла. Этот эффект наблюдается у элемента Холла, который представляет собой тонкую пластину с четырьмя электродами (рис. 5. 3), выполненную из полупроводникового материала. Если через такую пластинку проходит ток / и на нее одновременно действует магнитное поле, вектор магнитной индукции В которого перпендикулярен плоскости пластинки, то на параллельных направлению тока гранях возникает э. д. с. Холла [c.95]

Гальваномагнитный эффект Холла (рис. 14) находится в зависимости от температуры отпуска и времени выдержки [75]. [c.698]

ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 191 [c.191]

Гальваномагнитные эффекты в кристаллах [c.191]

ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 193 [c.193]

ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 195 [c.195]

ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 197 [c.197]

ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 199 [c.199]

У полупроводников анизотропия зонной структуры означает, что эффективная масса зависит от направления и возможные эквивалентные экстремумы лежат в разных точках зоны Бриллюэна (при всех ife-векторах звезды, ср. с рис. 40). Следствия этой анизотропии подробно рассмотрены в уже цитированной книге [95]. В металлах анизотропия означает отступление формы поверхности Ферми от сферической, как, например, рассмотренная нами на рис. 33. Один из наиболее важных результатов влияния этой анизотропии наблюдается в гальваномагнитных эффектах у металлов при сильных магнитных полях. Очевидно, что при слабых магнитных полях электрон между двумя столкновениями пробегает только небольшие участки поверхности Ферми, тогда как при сильных магнитных полях описывает замкнутые траектории на поверхности Ферми. Время пробега по порядку величины равно обратной частоте циклотронного резонанса. Граница между сильными и слабыми магнитными полями лежит, следовательно, при о) т=1 или, так как (о = еВ/ст и [х ет/т, при (1/с) fiS=l. [c.244]

ЭФФЕКТ ДЕ ГААЗА — ВАН АЛЬФЕНА ОСЦИЛЛЯТОРНЫЕ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ УРОВНИ ЛАНДАУ ДЛЯ СВОБОДНОГО ЭЛЕКТРОНА УРОВНИ ЛАНДАУ ДЛЯ БЛОХОВСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ ФИЗИЧЕСКАЯ ПРИРОДА ОСЦИЛЛЯТОРНЫХ ЯВЛЕНИЙ ВЛИЯНИЕ СПИНА ЭЛЕКТРОНА МАГНИТОАКУСТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ ЗАТУХАНИЕ УЛЬТРАЗВУКА АНОМАЛЬНЫЙ СКИН-ЭФФЕКТ ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ [c.264]

Действие магнитного поля на М. приводит к ряду гальваномагнитных эффектов, связанных с искривлением траекторий электронов. К ним относятся, напр., уменьшение электропроводности чистого М., доходящее до нескольких порядков величины, появление электрич. поля в направлении, перпендикулярном протекающему в М. току (эффект Холла). Действие переменного электромагнитного поля частоты со на М. возбуждает в нём ток той же частоты. Однако вследствие инерции электронов амплитуды поля и тока убывают в глубь М. Это явление наз. скин-эффектом. Глубина проникновения электромагнитного поля в М. (скин-слой) определяется ф-лой [c.211]

Влияние магнитного поля ). Наложе-нпе магнитного поля, вообще говоря, увеличивает как электрическое, так и тепловое сопротивления, причем увеличение зависит от на-нрапления поля относительно тока (электрического или теплового). Относительное увеличение тем больше, чем нпл е температура (или чем меньше соиротивление в нулевом поле) в поперечных полях оно больше, чем в продольных. Кроме того, у многовалентных металлов это увеличение больше, чем у одновалентных. Хотя упомянутые общие черты качественно могут быть объяснены, тем не менее весьма желательно количественное исследование, так как модель свободных электронов не объясняет гальваномагнитных эффектов. В этом случае нужна более сложная модель. [c.276]

Во многих многозонныл металлах в сильном магнитном поле становится возможным переход электронов на ПФ из одной зоны проводимости в соседнюю — так называемый магнитный пробой. Это приводит к новым траекториям и, таким образом, существенно влияет на гальваномагнитные эффекты. [c.738]

Гальваномагнитные эффекты не исчерпываются приведенными эффектами Холла и Эттингсгаузена. Кроме того, существуют еще термомагнитные эффекты, т. е. эффекты, возникающие в присутствии градиента температуры и магнитного поля. Однако наибольшее практическое значение имеют рассмотренные эффекты Холла и Эттингсгаузена. Сведения об остальных эффектах можно найти практически в любом учебнике по физике полупроводников. [c.271]

Гальваномагнитные и термомагнатные эффекты [10, 26]. Под гальваномагнитными эффектами понимается совокупность эффектов, возникающих в проводниках под действием магнитного поля Н, когда в них протекает электрический ток плотностью Под термо-магнитными эффектами понимается совокупность эффектов, возникающих в электронных проводниках под действием магнитного поля Я, когда в них имеется тепловой поток плотностью Q. [c.300]

Изменение сопротивления чистых металлов в магнитном поле (магнитное поле перпендикулярно к иаправлеиию электрического тока через образец, так называемый поперечный четный гальваномагнитный эффект) [c.496]

Измеиеиие сопротивлеиия металлов в магнитном поле (магнитное поле параллельно направлению электрического тока через образец—продольный четный гальваномагнитный эффект) [c.500]

Германий применяется для изготовления выпрямителей переменного тока на различные мощности, транзисторов разных типов (плоскостных, точечных и др.). Из него изготовляются датчики э. д. с. Холла и других гальваномагнитных эффектов, применяемые для измерения напряженности магнитного поля, токов и мощности, умножения двух величин в приборах счетновычислительной техники и т. д. [c.344]

В работе [7а] изучалась намагниченность сплава с 2,6% Со в интервале 4,2—298 °К в зависимости от напряженности магнитного поля и температуры отжига, а в работе [16] — гальваномагнитный эффект сплавов, содержащих О — 0,44 ат.% Со при 4,0 14,2 и 20,1 °К. В работах [25, 26, 29] методом магнитных измерений изучали старение сплава с 1,5% Со. По данным [26] в структуре сплава, состаренного при 220 и 400° после закалки от 960°, методом рентгеновского анализа и магнитных измерений были обнаружены выделения богатой кобальтом фазы, обладающей соответственно супермагнит-ными и ферромагнитными свойствами. Температура Кюри того же сплава при увеличении длительности старения при 220° от 44 до 83,5 94 и 118 часов возрастает от О до 2 20 и 25 °К соответственно. Максимальная коэрцитивная сила сплава с 1,5% Со, закаленного от 960°, после старения при 565° достигает 250 э и при деформировании образца возрастает в направлении, перпендикулярном к направлению деформации [25]. [c.49]

В последние годы обнадеживающие результаты при получении температур, близких к азотным, достигнуты путем применения эффекта Эттингсгаузена (термомагнитного, или так называемого гальваномагнитного эффекта) [71]. [c.202]

Из физических методов для исследования этих превращений чаще всего привлекаются электрические методы. Изменение электрических величин при упорядочении сплава СизАи приводится на рис. 14 [9]. При переходе от неупорядоченного состояния к упорядоченному сопротивление р сильно уменьщается постоянная Холла Ан становится положительнее и даже меняет знак с (—) на (-Ь). Установлено, что гальваномагнитный эффект сильно зависит от степени упорядочения. В том же сплаве поперечный гальваномагнитный эффект ДpJ /p возрастает в 50 раз при переходе в упорядоченное состояние (при отжиге), тогда как сопротивление увеличивается приблизительно в два раза. В сплаве СизРа Арх/р возрастает при упорядочении приблизительно в 250 раз. [c.217]

Обзор гальваномагнитных эффектов в сильных полях дан Фосеттом [17]. , [c.301]

Далее, существенной областью применения приближения времени релаксации являются гальваномагнитные эффекты. Так как нас интересует только плотность электрического тока и grad Т равен нулю, то для металлов мы можем использовать приближение б-функции. Тогда, если ввести подвижность ц = ет( )/ш, то при а = епц получим [c.242]

В заключение из гальваномагнитных эффектов рассмотрим еще кратко изменение сопротивления в магнитном поле (магнетосопро-тивление). Для этого обратимся к уравнению (58.2). Вошедшие в него коэффициенты а и Рц в приближении (61.9) будут [c.243]

Когда обсуждались гальваномагнитные эффекты в гл. X ч. II, безоговорочно предполагалось нулевое время жизни электрон-дырочных пар. Каковы последствия ненулевого временп жизни Какие появляются дополнвте.тьные эффекты, когда освещают поверхность параллельно или перпендику.чярно иаг-ПИТНОЫу П0.ЧЮ [c.175]

Обзор этих гальваномагнитных эффектов в металлах дан Чамберсом в книге [5]. (См. также [41]. — Прим. ред.) [c.294]

Гальваномагнитные эффекты см. Магнето-сопротивление Эффект Холла Гармонический осциллятор (квантовый) II371 Гармоническое приближение П 52, 53, 115 [c.404]

Земел 45] и Амит [47] попытались решить проблему, используя метод Больцмана—Фукса. Их расчеты, однако, игнорировали возможность того, что неоднородные плотности тока вызывают появление неоднородных холловских полей. Эти расчеты предполагали также постоянство величины т и сферичность изоэнергетических поверхностей, так что они не дают существенных вкладов объема в эффект Холла и магнитосопротивление. По этим причинам теория поверхностных гальваномагнитных эффектов должна быть признана находящейся в неудовлетворительном состоянии. Отдельные расчеты эффектов несферичности [c.113]

Поверхностные гальваномагнитные эффекты изучались также в вырожденных полупроводниках в германии, легированном золотом [58], и в РЬЗе [59]. В германии, легированном золотом, не было найдено никакого противоречия с предположением = 0. В вырожденном же РЬЗе была обнаружена высокая степень зеркальности. Катрич и др. [58] распространили теорию Шриф- фера на случай вырожденных полупроводников, предположив,, однако, постоянство электрического поля в ОПЗ. Недавно разработанная Грином [62] количественная теория, использующая точное решение уравнения Пуассона в приближении Ферми— Томаса и содержащая некоторые другие усовершенствования, будет описана в 5. [c.114]

Физика низких температур (1956) -- [ c.197 , c.198 , c.277 , c.650 , c.695 ]

Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4 (1991) -- [ c.2 , c.82 ]

Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.0 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.0 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...