Распределение в кластере

Распределение в кластере заряда 246, 247, 250, 254 магнитного момента 246, 247 Распределение частиц по размерам 9, [c.364]

В работе 17] исследовалось размерное распределение дефектных кластеров при нейтронном облучении ниобия до доз 2,2 10 — 4,4 10 см и определялась зависимость предела текучести от величины [c.74]

Кластеризация. Иногда требуется равномерное распределение элементов по имеющимся блокам. Тогда возникает задача кластеризации, которую можно рассматривать как разновидность задачи компоновки, отличающуюся типом ограничений вместо ограничения типа неравенства на объем кластера (блока) вводится ограничение типа равенства на число элементов (компонентов) в кластере. Таким образом, ограничение (4.33) принимает вид и = ent(n/ i) или ent(n/m) + 1 [c.193]

Весьма плодотворным оказалось применение темнопольной методики в сочетании с анализом диффузного рассеяния, возникающего на МДК (см. далее, раздел 2.3.4), а также метода прямого разрешения решетки для исследования начальных ( зонных ) стадий распада. Рассмотренными методами были получены прямые данные о размерах и распределении в матричной решетке кластеров растворенных атомов вплоть до прямого видения последних. Примеры электронно-микроскопических изображений структур стареющих сплавов приведены на рис. 2.5. [c.57]

При построении распределения модулей упругости в кластерах будем считать [78], что их скелет выполняет роль матрицы композита, а полости (поры) являются включениями (наполнителем). [c.43]

Особенность самосогласованного подхода состоит в том, что выражения (2.5) и (2.6) определяют эффективные свойства системы при условии, что объемная доля включений мала п < 0,1. Распределение плотности в кластерах представлено законом (1.3). Учитывая, что = 1-р, условие малости и можно выполнить, используя специальную процедуру. [c.43]

Результаты вычислений распределения объемных и сдвиговых модулей упругости в кластерах представлены на рис. 2.1. Как видно из рисунка, модули упругости значительно, в 5—10 раз, изменяются в пределах размера кластеров, особенно при агрегации типа кластер — кластер. Имеет место также зависимость упругих свойств от конфигурации кластера. Подход позволяет правильно воспроизвести тензорные свойства упругости. Поскольку плотность кластеров имеет конечные значения, то одно из основных условий, которому должны удовлетворять результаты, это конечная жесткость кластеров [76]. Рис. 2.1 свидетельствует о том, что это условие выполняется. [c.44]

Кроме того, следует отметить, что полученные данные могут служить основой для построения новых физических моделей процесса хрупкого разрушения, основанных не на традиционных схемах концентрации напряжений из-за различного рода неоднородностей дислокационной структуры, а за счет различного рода локальных неоднородностей распределения ансамбля кластеров из точечных дефектов различной мошности и природы [368, 691]. Таким образом, при определенных температурно-силовых и временных условиях стадия зарождения первичного очага концентрации напряжений и первичной трещины, а также последующая стадия развития хрупкой трещины должны рассматриваться с позиций изложенной выше модели диффузионно-дислокационной микропластичности. При этом теория должна рассматривать диффузионную стадию зарождения ансамбля кластеров различной мощности (т.е. с различным уровнем концентрации напряжений вблизи единичных кластеров), их рост и эволюцию в процессе вьщержки под нагрузкой (взаимодействие между собой, перераспределен е в размерах и др.). Т.е. взаимодействие между собой локальных источников перенапряжений от единичных кластеров в микрообъемах формирует общее макроскопическое поле внутренних напряжений в кристалле, ответственное за деформационное упрочнение кристалла, а также создает некоторую критическую ситуацию по пиковым напряжениям, превышающим в некоторой точке ансамбля прочность кристалла на разрыв [368, 691]. [c.259]

Подсчитаем сначала число различных способов группирования N молекул в кластеры при некотором частном распределении последних по размерам. Для этого разложим N пронумерованных молекул по выстроенным в ряд ячейкам. Пусть первые ячеек содержат по одной молекуле, следующие ячеек — по две молекулы и т. д. [c.53]

РИС. 17. Радиальное распределение потенциальной энергии (7/е (s — параметр потенциала Леннард-Джонса) в кластерах Аг при Г ж 70 К [c.72]

РИС. 30. функция р (г) радиального распределения длин связи О—Н, усредненная по всем парам атомов в кластерах воды [c.95]

Иное распределение зарядовой плотности в кластерах Li,j п = = 8,9) найдено методом UHF в [385]. Оказалось, что поверхность кластеров заряжена положительно, тогда как их сердцевина обладает небольшим избыточным отрицательным зарядом за счет смещения некоторого количества электронов с поверхности во внутренние части агрегаций. Для энергии Ферми и ионизационного потенциала IP получены следующие значения Е = 2,67 эВ, IP = = 4,36 эВ для Lis и Ey = 4,31 эВ, IP = 3,41 эВ для Lig. Напомним, что у массивного лития Е = 3,0 эВ и работа выхода равна 2,28 эВ. [c.230]

Многочисленные экспериментальные данные показывают, что при наложении циклической нагрузки на первой стадии разрушения формируется высокодисперсная бороздчатая структура, распределенная в соответствии с картиной напряженного состояния образца [248]. Если имеется концентратор напряжений (например, надрез), то подрастание инициированной им макротрещины осуществляется за счет скачкообразного присоединения отдельных бороздок, которые представляют кластеры носителей разрушения, объединенные в соответствии с распределением поля [c.311]

В случае дерева приближенная формула (5.45) фактически становится точной. Ошибки возникают лишь при попытках применить это соотношение к циклу, составленному из узлов решетки, когда п независимых выборов типа атома эквивалентны п — 1 выборам типа пары. Действительно, в этом случае характер замыкающей связи между атомами уже предопределен. Следовательно, существенно улучшить аппроксимацию можно, лишь построив изучаемое распределение из кластеров большего размера, содержащих такие циклы. [c.190]

На границе фрактального кластера всегда распределено некоторое физическое свойство, ответственное за интенсивность присоединения частиц к кластеру. В идеализированном случае, в трехмерной системе процесс роста фрактального кластера должен завершаться в тот момент, когда значение фрактальной размерности распределения этого свойства 0=2, то есть достигает размерности поверхности.. При этом формируются фрактальные кластеры определенного размера. [c.88]

Рис 62. Зоны распределения частиц в идеализированном фрактальном кластере с полностью достроенной граничной зоной 1-область около центра масс с малой долей пор, 0->3, 2- скорлупа кластера, частицы связаны с центром.масс кластера и граничными частицами следующей зоны, В 2,75 3-область с большой долей пор и пустот всех размеров, перколяция по частицам и пустотам одновременно, Очаст ц 2,5 4-разреженная область, 2,5>В.,а иц>2, 5-слой частиц с броуновским характером распределения в поверхностной оболочке идеализированного кластера, 0=2 [c.89]

Более точный способ прямого нахождения фрактальной размерности базируется на экспериментальном определении законов распределения агрегатов (кластеров) по размерам и массам [70]. Он основан на том, что в большинстве своем реальные дисперсные системы, особенно природного происхождения, являются полифракционными. Если перестроить в логарифмическом масштабе законы распределения агрегатов таких систем по размерам, то они [c.39]

Приведенные в работе данные, их обобщение и анализ представляют основу для дальнейшего развития как теоретических, так и экспериментальных исследований в области а) разработки новых физических моделей процесса хрупкого разрушения, основанных не на традиционных схемах неоднородности дислокационной структуры, а за счет реализации различного рода локальной неоднородности распределения ансамбля кластеров из точечных дефектов различной мощности и природы б) изучения основных закономерностей эволюции дислокационной структуры при испытаниях на длительную и циклическую прочность и физической природы усталости металлических и неметаллических материалов в различном диапазоне напряжений и температур в) расшифровки и интерпретации данных по низкотемпературному внутреннему трению металлических и неметаллических материалов и идентификащи их механизмов с учетом возможного влияния чисто методических эффектов (обусловленных спецификой метода и режима испытаний) на характер получаемой информации, а также выявления физической природы механизма старения материала тензодатчиков в процессе их эксплуатации г) получения количественной информации о кинетике, механизме и энергетических параметрах низкотемпературной диффузии (энергии образования и миграции вакансий и междоузлий, значения их равновесных концентраций и др.) д) развития теоретических основ и соз- [c.8]

Вторым весьма важным обстоятельством, объясняющим полученные при данных оценках столь высокие значения равновесной концентрации вакансий, является тот факт, чго в действительности конденсация вакансий при нагружении происходит уже на готовых центрах в виде кластеров и петель, образовавшихся в процессе роста кристалла. Об этом свидетельствуют, например, данные, представленные на рис. 1106, где отчетливо видно слоевое распределение фигур травления, совпадающее по характеру с известным из литературы спиралеобразным в объеме и соответственно слоевым распределением ростовых кластеров в поперечном сечении слитка. Таким образом, в действительности, по-видимому, определенные выше значения величин пересыщения и соответственно равновесных концентраций являются суммой двух составляющих j = f -ь с/, где - исходная величина пересыщения, уже имевшаяся в кристалле до нагружения в процессе его охлаждения при росте — истинная величина пересыщения, полученная при деформационных воздействиях в условиях комнатной температуры. При этом также следует учитывать, что абсолютное значение с, может быть резко увеличено в условиях многократно повторяющегося и циклического нагружения за счет реализации модели диффузионно-вакансиоиного насоса . [c.226]

РИС. 27. Распределение мономеров, димеров, тримеров и т. д. Nn (а) в паре Аг для системы пз = 128 атомов в объеме V = 20-128a при Г = 84 К и распределение стабильных кластеров (б) при 2 =84 К тех же условиях [c.91]

Однако неясно, что представляют собой исследуемые системы равновесное, стационарное или некоторое замороженное переходное состояние Кроме того, Касснер и Хаген высказали предположение о возможном увеличении концентрации кластеров с /г = 21 за счет распада более крупных агрегаций на пути их движения из области пересыщения, где они образуются, до квадрупольного фильтра масс. Сирси и Фенн в своем ответе на замечания Касснера и Хагена утверждают, что последнее не имеет места в их опытах, а потому ими получено истинное распределение масс кластеров в свободной струе [333]. [c.107]

При объединении атомов в кластер происходит перераспределение электронов. Поэтому возникает задача определения зарядов, локализованных на атомах и на отдельных связях. Наиболее широко используемым способом расчета атомных зарядов в рамках метода МО ЛКАО является анализ заселенности по Малликену (см., например, [357]). Однако этот способ имеет ряд недостатков 1) заселенность перекрывания всегда распределяется поровну между любыми двумя атомами, хотя такое распределение зарядов справедливо лишь тогда, когда оба атома одинаковы 2) не исключена возможность получения отрицательных электронных плотностей, приходящихся на связь двух атомных орбиталей 3) результаты расчета неинвариантны относительно преобразования атомных орбиталей и вычисленные заряды в значительной степени зависят от выбора базиса [357]. Указанные недостатки бросают тень сомнения на достоверность многих расчетов, выполненных по способу Малликена. [c.227]

Согласно проведенным вычислениям пространственное распределение зарядов в кластерах ujj, Niig, Pdjg и Pt g является неравно-мерны-м. Расчеты показали, что поверхность этих кластеров слегка обеднена электронами, сместившимися к центральному атому. Небольшое преобладание положительного заряда на поверхности Мес-смер и др. [7321 объясняют более глубокой, а следовательно, п сильнее притягивающей электроны потенциальной ямой около центрального атома, поскольку последний имеет больше ближайших соседей, чем поверхностные атомы. Поверхностный положительный заряд кластера может поляризовать и притягивать электронное облако приближающихся атомов или молекул, усиливая перекрывание своих ориентированных поверхностных орбиталей с орбиталями адсорбата. [c.246]

Для ванадия = 1,25 вн, где а — нормальный равновесный параметр решетки, В случае при увеличении Яц до 1,4 вн получены следующие результаты. Во-первых, величина и знак магнитных моментов для центрального и периферийных атомов являются чувствительными функциями размеров кластера. Во-вторых, в кластере наблюдается более сложное расположение спинов, чем допускают условия симметрии в зонной теории для однородного ферромагнетика. Это усложненное распределение спинов происходит при проме-жуточны.х значениях измененного параметра решетки и представляет собой либо искаженное антиферромагнитное состояние, подобное Сг15, при а=1,1 а , либо смешанное ферроантиферромагнитное состояние при а = (1,2- 1,3) Ян1 характеризуемое тем, что у некоторых ближайших соседей спины параллельны, тогда как у других они антипараллельны. [c.247]

Основная часть главы 2 посвящена исследованию макроскопических особенностей структурных превращений в рамках представления об иерархически соподчиненных структурах. Это представление основывается на концепции ультраметрического пространства, в котором невозможно построить треугольник со всеми разными сторонами. Соответствующий формализм, представляющий основу дальнейшего изложения, разработан в 3 главы 2, где предложено уравнение, позволяющее найти возможные виды распределения вероятности по иерархическим уровням. Реальные иерархические структуры рассмотрены в 4 главы 2, согласно которому нижний уровень отвечает однородным объемам, обладающим идеальной кристаллической решеткой переход на следующий уровень, означающий смещение в ультраметрическом пространстве, отвечает объединению этих объемов в кластеры последние, в свою очередь, объединяются в суперкластеры следующего уровня иерархии и т. д. — до полного объема образца. В результате распределение атомов иерархической структуры представляется в виде разложения по волновому и ультраметрическому пространствам. [c.9]

Рис. 5, Теоретические модели стекла, а — идеальное спиновое стекло, характеризующееся низкой концентрацией магнитных моментов, распределенных в решетке совершенно случайно. Пред-полагается, что спины испытывают дальнодействующее взаимо-д твие /, энергия которого периодически меняет знак при уве-личении расстояния, б непрерывная случайная сетка в. стеклообразных слоях В2О3 1Ли АзгЗез с максимальным беспорядком. 0 —частично полимеризовайные кластеры в стекле содер-

Такая трактовка радиальных функций распределения, наблюдаемых в стеклах и жидкостях, характерна для ряда схем, носящих разные названия — гипотезы кристаллитов [44], существенно структурные теории [46, 47], паракристаллические модели [48]. В рамках несколько иного подхода уширение пиков объясняется дифракцией на самих квазикристаллах, рассматриваемых как различные объекты конечного размера L, случайно распределенные в среде [49, 50]. Эти теории заметно отличаются друг от друга как исходными предположениями, так и рядом деталей однако все они заранее предполагают существование довольно больших кластеров упорядоченного материала в образце, в целом неупорядоченном. Строить далее какую-либо математическую теорию аморфного твердого тела или жидкости невозможно, пока мы не остановим окончательно свой выбор либо на картине только что рассмотренного типа, либо на модели с более случайным расположением атомов. [c.89]

Более систематический способ введения кластеров большего размера состоит в последовательном уточнении комбинаторного множителя (5.8) в выражении (5.10) для свободной энергии. Например, чтобы получить уравнение Бете (т. е. уравнения квазихпмического приближения), нужно учесть (хотя бы приближенно) корреляции между соседними спинами, неявно включенные в условие квазихпмического равновесия (5.14). Сделать это не так уж трудно (см., например, [1.28]) и тогда довольно просто [21] сосчитать число различных конфигураций спиновых триплетов или тетраэдров тем самым обеспечивается лучший учет их вклада во внутреннюю энергию и энтропию системы. Оказывается [22], что уравнения, получающиеся в этом и других методах, появляются в различных приближениях метода вариации кластеров [23, 24]. 11оследний дает, по-видимому, наилучшее самосогласованное приближение для комбинаторных множителей, описывающих статистические распределения в решетке. [c.187]

Развитие представлений о фракталах ставит на новую основу анализ структуры пористых материалов. До настоящего времени структуру пористых материалов связывали с плотностью и размером пор. Однако, устойчивых закономерностей связи структуры со свойствами установить не удалось. Согласно концепции фракталов качества параметра структуры пористого материала следует принять фрактальную размерность, определяемую распределением пор по размерам. Если рассматривать систему из пустот пористого материала как кластер, то фрактальные свойства такого материала можно определить по рассеянию рентгеновского или нейтронного облучения. Д. Шефер и К. Кефер [11] для анализа структур, формирующихся в ходе случайных процессов в силикатных системах, использовали малоугловые рассеяния света и рентгеновских лучей. Схема на рисунке 2.8 иллюстрирует набор структур, которые ранее не были установлены в силикатах. [c.88]

Силы межатомной связи в кристаллах в значительной мере зависят от распределения электро1Юв в кристалле (электронной плотности), обусловливая определенный тип химической связи. Они определяют устойчивость кристаллической решетки и ее свойства. Для анализа ее устойчивости выделим в деформируемом теле локальный объем (кластер) и рассмотрим его сопротивление сдвигу и отрьсву. Кластер сохраняег устойчивость к деформации вплоть до достижения относительной продольной деформации сдвига связанной с [c.181]

Смотреть страницы где упоминается термин Распределение в кластере : [c.83] [c.124] [c.132] [c.163] [c.44] [c.182] [c.73] [c.106] [c.242] [c.254] [c.163] [c.416] [c.145] [c.185] [c.504] [c.25] [c.85] [c.85] [c.117] [c.127] [c.127]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...