Переходное рассеяние

Полное изложение теории переходного рассеяния дано в обзоре [78.1] (см. также [79.10]). [c.23]

Для практической термометрии интерес представляют переходные металлы, имеющие частично заполненные -уровни, а также з-уровни (символы з и соответствуют значениям орбитального квантового числа О и 2 см. [6]). Поскольку -электроны более локализованы, чем з-электроны, проводимость обусловлена главным образом последними. Однако вероятность рассеяния 3-электронов в -зону велика, поскольку плотность -состояний вблизи уровня Ферми высока (рис. 5.5), поэтому удельное сопротивление переходных металлов выще, чем у непереходных. Наличие -зоны влияет также на характер температурной зависимости. При высоких температурах величина кТ может быть уже не пренебрежимо мала по сравнению с расстоянием от уровня Ферми до верхней или нижней границы -зоны. Предположение, что поверхность Ферми четко разделяет занятые и незанятые состояния, перестает быть верным, и для параболической -зоны в формулу удельного сопротивления вводится поправочный коэффициент (1—5Р), где В — постоянная. Однако плотность состояний в -зоне вовсе не является гладкой функцией энергии (рис. 5.5), поэтому эффект будет осложнен изменением плотности состояний в пределах кТ от уровня Ферми. Отклонение температурной зависимости от линейной может быть как положительным, так и отрицательным. [c.194]

Максимальное переходное уменьшение емкости на частоте 400 гц равно 7,7%. Максимальное переходное изменение коэффициента рассеяния j-80,8%, а окончательное изменение равно —14,8% [82] [c.369]

Максимальное переходное изменение емкости на частоте 400 eif равно +1,7%. Соответствующее изменение коэффициента рассеяния +16,3%, а окончательное изменение равно —14% [82] [c.369]

Максимальные переходные изменения емкости при частоте 400 гц 4-16,7%, а окончательное изменение равно —23,8%. Максимальное переходное изменение коэффициента рассеяния 2800%, а окончательное изменение - -61,4% [c.381]

Третья составляющая часть удельного сопротивления рм, связанная с рассеянием электронов проводимости атомами с некомпенсированными электронами, характерна для редкоземельных и некоторых переходных металлов. Эта составляющая удельного сопротивления рм увеличивается при изменении температуры вплоть до точки Кюри, а затем остается постоянной. [c.36]

В книге изложены основы динамики машинных агрегатов современных технологических машин с учетом переходных процессов в приводном двигателе, а также упругости, рассеяния энергии при колебаниях и нелинейных свойств звеньев. [c.2]

На величину продолжительности переходных процессов существенное влияние оказывает рассеяние энергии в механической системе. Это влияние тем большее, чем больше отношение постоянных времени для = 2% при = О, = О [c.73]

Характер влияния различных видов диссипативных сил на динамическое поведение механической системы неодинаков. Роль внутреннего неупругого сопротивления в материале, конструкционного демпфирования, вязкого сопротивления и кулонова трения ограничивается в основном рассеянием энергии при колебаниях. Влияние этих сопротивлений на характер движения системы заметно сказывается при свободных колебаниях, проявляющихся в реальных условиях при переходных режимах работы машинного агрегата. Наличие диссипативных сил приводит к затуханию свободных колебаний, возникающих в результате нарушения равновесных состояний системы при сбросе и набросе нагрузки, при запуске двигателя, при переходе с одного эксплуатационного режима на другой. Особенно важно знание диссипативных сил для оценки максимального уровня резонансных колебаний. Уровень этих колебаний определяется в основном [c.13]

Как отмечалось в гл. 3, свойства эластомеров зависят от температуры примерно так, как это показано на рис. 5.3. Для того чтобы наиболее эффективно использовать настроенный демпфер, его необходимо подбирать для частот, близких к частотам, при которых имеет место максимум рассеяния энергии (рис. 5.2). Указанный эффект настройки оказывает существенное влияние на выбор эластомера для демпфера. Если настроенный демпфер с эластомером спроектирован для работы в переходной области температур (рис. 5.3), где коэффициент потерь [c.209]

Если диэлектрическая проницаемость среды, в которой движется заряженная частица, меняется со временем (скажем, вследствие изменения плотности среды), то вторичные волны, испускаемые атомами среды под воздействием внешней частицы, опять полностью не гасят друг друга, и в результате возникает излучение. Такая возможность образования излучения зарядом впервые была рассмотрена Гинзбургом и Цытовичем [73.28, 73.29]. Этот процесс можно трактовать как рассеяние волны проницаемости на заряде с ее превращением (частичным) в электромагнитные волны, и поэтому он был назван переходным рассеянием. Любопытно, что излучение в нестационарной среде возникает и тогда, когда внешний заряд покоится [c.23]

При низких температурах в переходных металлах проявляется эффект элек-трон-электронного рассеяния, приводящий к появлению квадратичного члена в зависимости удельного сопротивления от температуры. Этот тип электронного рассеяния на большой угол (см. [3], с. 250) может возникать в случае, когда поверхность Ферми несферическая или имеются вклады более чем из одной энергетической зоны. Для большинства переходных металлов этот квадратичный член становится определяющим ниже 10 К. Для ферромагнитных металлов возникает еще одна причина появления еще одного квадратичного члена, обусловленного рассеянием электронов проводимости на магнитных спиновых волнах. Кроме того, для всех ферромагнитных металлов наблюдаются аномалии зависимости удельного сопротивления от температуры вблизи точки Кюри. [c.195]

Так, например, следует учитывать тепловое расширение металла [83, 84] ). Вызывающая его ангармоничность колебаний решетки должна приводить к нелинейности температурной зависимости удельного сопротивления [85]. Кроме того, полагают, что, начиная с температуры, лежаш ей на 50—100° ниже точки плавления металла, концентрация дефектов решетки, вызванных тепловым движением, быстро растет последнее также должно оказывать существенное влияние на температурный ход сопротивления [86, 87]. Наконец, у переходных металлов рассеяние, обусловленное переходами между s-и б -зонами, тоже может вносить свой вклад в сопротивление [88—91]. Чтобы учесть отклонения температурно зависимости сопротивления от линейности, появляющиеся по той или иной причине при высоких температурах, Грюнейзен ввел в теоретическую формулу эмпирический множитель -fb, Г ), вследствие которого достоверность данных, приведенных в табл. 4, несколько уменьшается. [c.192]

Искомые переменные системы уравнений - это элементы вектора узловых перемещений П, которые в любой момент времени должны удовлетворять условиям равновесия системы при наличии сил инерции и рассеяния энергии. Решение этой системы уравнений вьшолняется либо прямым методом Ньюмарка, либо методом суперпозиции форм колебаний. К такому типу анализа относятся динамика переходных процессов, модальный анализ, отклик на гармоническое воздействие, спектральный анализ и отклик на случайную вибрацию. [c.59]

В области переходных температур для обеи марок сталей, независимо от условий термической обработки и структуры, получена общая связь ударной вязкости (энергии распространения трещины) от доли волокнистой составляющей в изломе (рис. 2). Только за пределами переходной области рассеяние резко возрастает, что объясняется снижением энергии зарождения трещины при охлаждении ниже Ткн и увеличением степени деформации до зарождения трещины при температуре выше Ткв. Единство зависимости ударной вязкости от вида излома и различие в критической температуре хрупкости, определяемой по виду излома, представляется целесообразным использовать для оценки роли структуры в методике выбора стали. [c.115]

Д. п. учитывалась также при изучении ряда др. вопросов, таких, как аномальный скин-эффект в металлах [41, динамика кристаллнч. решёток (5], плазменные волны в изотропной и магнитоактивион плазме [6, 7], в теории черепковского и переходного излучений, в теории поверхностных эл.-магн. волн [8, 9] н т. д. Кро.мо того, учёт Д. п. существен также при рассмотрении рассеяния света п поведения нек-рых оптич. колебанлй кристаллов вблизи точек фазового перехода 2-го рода, [c.650]

Оптические свойства П. Соотношения между амплитудой, фазой и поляризацией падающей, отражённой и преломлённой на П. световых волн определяются Френеля формулами. У П. образуются связанные состояния фотонов с поверхностными оптич. фононами, пла.э-монами и др. дипольно-активными квазичастицами, наз. поверхностными поляритонами. Анализ их характеристик лежит в основе одного из перспективных оптич. методов исследования П. Интенсивность комбинационного рассеяния света на молекулах, адсорбированных на металлах, в ряде случаев значительно выше (в 10 —10 раз), чем на тех же молекулах в объёмной фазе (гигантское комбинационное рассеяние). Это обусловлено усилением эл.-магн. поля геом. неоднородностями П., а также эфф. передачей энергии от поверхностных электронных возбуждений колебательным модам адсорбиров. молекул. При пересечении П. эаряш. частицами наблюдается эл.-магн. переходное излучение. [c.654]

Т. металлов очень мала, сравнительно больше Т, в полуметаллах и их сплавах, а также в нек-рых переходных металлах и их сплавах (напр., в сплавах Pd—Ag Т. достигает 86 мкВ/К). Т. в этих случаях велика из-за того, что ср. энергия электронов в потоке сильно отличается от энергии Ферми. Иногда быстрые электроны обладают меньшим коэф. диффузии, чем медленные, и Т. меняет знак. Величина и знак Т. зависят также от формы ферми-повчрх-ности, разл. участки к-рой могут давать в Т. вклады противоположного знака. Знак Т. металлов иногда меняется на противоположный при низких темп-рах. В полупроводниках -типа на холодном контакте скапливаются дырки, а на горячем остаётся нескомпенеир. отрицат. заряд (если аномальный механизм рассеяния носителей заряда или эффект увлечения не приводит к перемене знака Т.). В термоэлементе, состоящем из полупроводников р- и п-типов, Т. складываются. В полупроводнике со смешанной проводимостью к холодному контакту диффундируют и электроны и дырки и их заряды взаимно компенсируются. Если концентрации и подвижности электронов и дырок равны, то Т. равна нулю. [c.98]

Блоховская линия создаёт поля рассеяния. Эти поля уменьшаются, если БЛ разбиваете на две части, намагниченность в к-рых ориентирована антипараллельно. Возникающая при этом переходная область—неоднородное распределение намагниченности в БЛ—наз. блохов-ской точкой (см. Блоха точка). Так, если верх, часть ЦМД соответствует 5=1, а кижняя 5=0, то в результате получается состояние S= j2- При наличии магн. поля в плоскости плёнки блоховская точка будет перемещаться из центра в направлении, соответствующем увеличению участка БЛ, намагниченность в к-рой ориентирована вдоль поля. Т. о., ЦМД может находиться в промежуточном состоянии со значением S между О и Vi- [c.436]

Известно, что электросопротивление металлических твердых тел определяется в основном рассеянием электронов на фононах, дефектах структуры и примесях. Значительное повышение удельного электросопротивления р с уменьшением размера зерна отмечено для многих металлоподобных наноматериалов (Си, Рс1, Ре, N1, N1—Р, Ре —Си—81 —В, К1А1, нитридов и боридов переходных металлов и др.). На рис. 3.14 показаны температурные зависимости электросопротивления наноструктурных образцов никеля, полученных импульсным электроосаждением (/, = 22 - 3 10 нм толщина образца 30—150 мкм). Электросопротивление увеличивается с уменьшением размера зерна, очевидно, в связи с отмеченными ранее дефектами структуры, но изменение фононного спектра и возможное влияние примесей также следует принимать во внимание. В принципе, практически для всех металлоподобных наноматериалов характерно большое остаточное электросопротивление при 7 = — ЮКи малое значение температурного коэффициента электросопротивления (ТКЭ). [c.65]

Характерным признаком электронной структуры аморфных сплавов типа металл — металл является расщепление rf-зоны, степень которого возрастает с увеличением числа rf-электронов. Результаты исследования аморфного сплава ueoZr o методом УФС указывают на то, что электронные состояния в нем и, следовательно, структура ближнего порядка близки к таковой в интерметаллиде Сиз2гз. Важные результаты получены при изучении комптоновского рассеяния. Так, оказалось, что представления о переходе части валентных электронов металлоида в 3d-30Hy атомов переходных металлов не оправдываются для сплавов системы Fe—В (В>15 /о). [c.19]

Эванс [57] усовершенствовал теорию Займана, заменив V (Q) на /-матрицу МТ — (muffin tin) — потенциала. В этом случае выражение (6.9) можно применить для описания также процессов рассеяния при сильных взаимодействиях в жидких переходных металлах [c.203]

Интересным является вопрос о том, действительно ли в аморфных сплавах реализуется условие Нагеля—Тауца или нет. Ферми-евское волновое число можно непосредственно измерить в экспериментах по комптоновскому рассеянию и аннигиляции позитронов. Кроме того, если можно воспользоваться моделью свободных электронов, то кр можно рассчитать из величины концентрации валентных электронов на атом е/а) и атомного объема. К сожалению, аморфные сплавы, как правило, содержат большое число компонентов, наиболее важные из которых—переходные металлы, имеющие г -зону. Для них разделение внутренних и внешних валентных электронов неоднозначно, поэтому затруднено и определение kw по результатам комптоновского рассеяния и аннигиляции позитронов. Интересно, что поскольку у-переходных и благородных металлов число валентных электронов Z=e/a меньше 2, то сплавлением их с поливалентными элементами, у которых Z—e/a больше 2, можно в конечном счете получить среднее число валентных электронов 2=2. В настоящее время почти не проводят непосредственные измерения kw в аморфных сплавах, содержащих переходные [c.204]

ЧИСТОГО Кристалла (фиг. 8.8). Они показали, что обна ружейное поведение можно понять качественно, считая, что скорость рассеяния, пропорциональная ш" для низких частот, становится постоянной, равной ее значению при да = 1 для частот, больших со = v/a, где а — линейный размер осадка. Центр переходной [c.150]

Проведенное обсуждение относилось в основном к переходным металлам в более сложных случаях полученные нами выводы не всегда справедливы. Мы полагаем, что за проводимость в основном ответственны а-электроны, однако их рассеяние на /-электронах может обусловливать заметное сопротивление. В сечении рассеяния тогда появляется член, пропорцио нальный Т , что приводит к вкладу, пропорциональному в р , и вкладу, пропорциональному Т в Так как при понижении температуры эти вклады уменьшаются медленнее, чем рр и для чистых переходных металлов, их удается выделить при низких температурах. Однако фононные сопротивления увеличиваются из-за возможности рассеяния электронов проводимости в дополнительные состояния (в /-зоне), поэтому сопротивление, обусловленное электрон-элек-тронным рассеянием, дает меньший вклад в полное сопротивление, чем это может показаться на первый взгляд. [c.206]

Смотреть страницы где упоминается термин Переходное рассеяние : [c.23] [c.23] [c.308] [c.315] [c.23] [c.330] [c.138] [c.438] [c.129] [c.11] [c.93] [c.323] [c.565] [c.607] [c.44] [c.636] [c.650] [c.565] [c.8] [c.23] [c.579] [c.318] [c.318] [c.312] [c.315]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...