Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Кристалл типы структур

К ковалентным кристаллам относят твердые тела, кристаллическая структура которых образована за счет ковалентной связи. Типичными представителями кристаллов с чисто ковалентной связью являются алмаз, кремний, германий, серое олово, которые построены по типу структуры алмаза (см. рис. 1.28).  [c.75]

Другой часто встречающийся тип структуры — гексагональная структура с плотной упаковкой, которая представляет собой слои атомов, находящихся в углах шестиугольников (кристаллы бериллия, магния). Если разложить на ровной поверхности как можно ближе друг к другу большое количество плоских дисков, то легко будут обнаружены правильные шестиугольные построения.  [c.16]


Важнейшие типы структур кристаллов чистых металлов Наиболее распространенными решетками для металлов являются г. ц. к., г. п. у. и о. ц. к. Первые две из них от-Таблица 1  [c.11]

Монокристаллы со структурой типа перовскита выращивают методом Чохральского, однако технология пока не доведена до уровня технологии получения кристаллов со структурой типа граната.  [c.78]

К настоящему времени изучен широкий класс эвтектических сплавов, обладающих свойствами композитных материалов. Несмотря на морфологическое разнообразие структур этих сплавов, большинство из них представляет собой распределенный в матрице ориентированный упрочнитель в виде стерженьков (или нитевидных кристаллов) либо ориентированную пластинчатую структуру (рис. 17). Тип структуры зависит, в основном, от объемной доли второй фазы, которая, таким образом, определяет и величину удельной поверхности раздела (общую площадь поверхностей раздела в единице объема). Как правило, эвтектики, содержащие более 30% второй фазы, имеют пластинчатую структуру [17, 39]. При исследовании роли поверхности раздела в процессе деформации эвтектических композитов в первую очередь необходимо изучать кристаллографию поверхности раздела, ее структуру и стабильность.  [c.252]

Коэффициент трения зависит также от структуры поверхности материала. На примере полиамидов установлено, что аморфная поверхность обладает меньшей твердостью и меньшим коэффициентом трения, чем поверхность с мелкокристаллической структурой с регулярным расположением кристаллов типа перлита такая структура получается в результате относительно медленного охлаждения расплавленного материала. Образец полиамида с аморфной структурой поверхности, подвергнутый термообработке в масле при температуре около 150° С, имеет твердость значительно большую, чем необработанный материал, а коэффициент трения-меньший на 10—20%..  [c.29]

Сплавы Си — А1 — N1 и Си — 2п — А1 имеют размеры кристаллитов порядка миллиметра, фактор упругой анизотропии зтих сплавов очень высок (13—15) — все это создает условия легкого возникновения концентрации напряжений на границах зерен. Несмотря на зто, сплавы Си — 2п — А1 характеризуются сравнительно высокой пластичностью, в них часто наблюдается транскристаллитное разрушение. Причина такого поведения заключается в различии кристаллических структур сплавов Си — А1 — Мт и Си — 2п — А1. Сплавы Си — А1 — N1, как указано в таблице, имеют кристаллическую структуру 00 , в то время как сплавы Си — 2п — А1 — структуру В2. Элементарная ячейка структуры ООз имеет постоянные решетки в два раза больше, чем элементарная ячейка структуры В2. Поэтому величина вектора Бюргерса сверхструктурной дислокации, движущейся в кристаллах типа Юз в два раза больше соответствующей величины в кристаллах В2. В связи с этим движение дислокаций в кристаллах со структурой типа 00 затруднено. Например, в сплавах Си — А1 — N1 скольжение дислокаций происходит при напряжении растяжения 600 МПа, в то время как в сплавах Си — 2п — А1 — 200 МПа. Таким образом, можно считать, что в сплавах Си — 2п — А1, в которых дислокации движутся легко, высокая пластичность обусловлена легкостью релаксации напряжений на границах зерен.  [c.129]


К моменту начала расшифровки структуры кристаллов возможные типы структур были уже выведены на кончике пера . Это существенно облегчило проведение структурного анализа.  [c.70]

В настоящее время в сплавах обнаружено примерно 1300 интерметаллических соединений, которые кристалли зуются в 200 типов структур  [c.67]

Рис. 1.22. Типы структур жидких кристаллов Рис. 1.22. Типы <a href="/info/575301">структур жидких</a> кристаллов
Кирпичная полосчатая (КП) структура обнаруживается в сплаве с 9—14% Мп. Для сплавов с 9—11% Мп эта структура является основной, а в сплавах с 12—14% Мп ее количество снижается. Для данного типа структуры характерно полосчатое расположение а-кристаллов с высокой плотностью дислокаций. Протяженность полос значительно превосходит размеры отдельных а-кристаллов, что приводит к выводу о предшествующей образованию а-мартенсита фрагментации исходного аустенита по плоскостям 111 7. Кристаллы а-мартенсита характеризуются ровными границами а-мартенсит, образовавшийся из е-фазы, имеет дефекты упаковки в плоскостях 110 а. Полосы группируются в пакеты. Толщина полос в пакете КП-струк-туры сплавов с 10 и 11% Мп однородна и составляет примерно 0,1 мкм. При увеличении содержания марганца однородность нарушается и увеличивается толщина полос. Пакеты состоят из а-кристаллов двух ориентировок, взаимное расположение которых описывается параллельностью плоскостей 100 ai и 111 а2, одно из направлений <011> в этих плоскостях является общим для обеих ориентировок.  [c.50]

Рентгеноструктурный анализ позволяет определить тип структуры и параметры решетки, размеры кристаллов, их ориентировку, наличие микродефектов и неметаллических включений, которые нельзя обнаружить обычными методами рентгеновской дефектоскопии.  [c.236]

Это уравнение можно вывести из термодинамических соотношений, оценивая величину работы, затрачиваемую на сжатие. Здесь а — межионное расстояние в несжатом кристалле, число Маделунга (см. 5.2.1) (геометрический фактор, который рассматривается при обсуждении энергии решетки и для определенного типа структур представляет постоянную величину), г—валентность, е — заряд электрона, п — показатель, характеризующий степенную зависимость сил отталкивания от расстояния (величина п для щелочных металлов равна примерно 9), N— число Лошмидта.  [c.41]

С помощью геометрических построений можно определить предельное соотношение ионных радиусов, при котором данный тип структуры становится нестабильным и переходит в другой. Для ионных кристаллов состава АВ получаются следующие отношения ионных радиусов.  [c.83]

Объем кристалла V=yNr , где N—число пар ионов у—множитель порядка 1, который зависит от типа структуры. Так, для структуры Na l объем, занимаемый N молекулами, равен V= =2Nr , где / =Га+гк—расстояние между ближайшими ионами, 7=2. Это следует, из того, что объем, занимаемый одной молекулой, равен 1/4а , где параметр кубической ячейки Na l а=2г. Для s множитель 7=1,54 для ZnS со структурой вюрдита  [c.73]

Парные дефекты Френкеля возникают легче в кристаллах, содержащих большие межатомные промежутки, чем в плотноупа-кованных. В последних для междоузельных атомов, попросту говоря, нет места. Примером кристаллов первого типа являются кристаллы со структурой алмаза и каменной соли, а кристаллов второго типа—металлы с плотной упаковкой. Так, например, маловероятно встретить при обычных условиях междоузельные атомы в гранецентрированных (ГЦК) металлах. Единственным типом меж-  [c.86]

В группу С1 входят кристаллы, у которых среднее по времени значение плотности магнитного момента равно нулю (диамагнетики и парамагнетики). Остальные 90 классов имеют магнитную структуру. Среди них 32 класса (группа С) не содержат операции R — это полярные (одноцветные) классы. В качестве примера тип структур для этих классов показан на рис. 2.1,а и б. Оставшиеся 58 классов (группа G ) содержат операцию R в сочетании с другими операциями симметрии.  [c.37]


Наиболее изученные полупроводники кристаллизуются в рещетках типа сфалерита или вюрцита и имеют прямую зонную структуру (экстремумы зоны проводимости и валентной расположены в точке к = 0). Кристаллы кубической структуры (сфалерит) изотропны одна из подзон их валентной зоны отщеплена за счет спин-орбитального взаимодействия As (см. рис. 22.97). Кристаллы гексагональной структуры (вюрцит) слабо анизотропны (этой анизотропией часто пренебрегают) наличие дополнительного взаимодействия Асг (кристаллическое поле некубического кристалла) приводит к расщеплению валентной зоны на три подзоны (см. рис. 22.98). Экспериментально определяемые оптическими методами расщепления i и связаны с Aso и Асг соотнощениями [138]  [c.480]

Это прежде всего двойные соединения, которые кристаллизуются в тетраэдрально-координированные структуры кубического сфалерита и гексагонального вюрцита и, которые, являясь простейшими кристаллами, не имеют центра симметрии, а следовательно, потенциально обладают пьезоэлектрическими свойствами. К этой группе относятся полупроводниковые кристаллы типа А В такие, как Сс15, Сс15е, Хп5, ХпО и т. д. Помимо высоких пьезоэлектрических свойств данных монокристаллов, к их достоинствам следует отнести устойчивость к действию повышенных температур и достаточно хорошие диэлектрические  [c.325]

Радиац. стойкость неорганич. веществ зависит от их кристаллич. структуры и типа хим, связи. Наиб, стойкими являются ионные кристаллы. Плотные структуры с высокой симметрией наиб, устойчивы к воздействию излучений. Для стёкол характерны изменение прозрач-вости и появление окраски, возникновение кристаллизации (см. Стеклообразное состояние). Силикаты яачи-  [c.203]

Наиболее подробно изучены материалы третьего типа, важным представителем которых является сплав Finemet (сплав Fe — Si —В с небольшими добавками Nb и Си) — уникальный магнитомягкий материал, созданный японскими исследователями. На рие. 4.10, а, б приведены полученные с помощью высокоразрешающего ПЭМ изображения этого сплава в аморфном и нано-кристаллическом (после отжига) состоянии. Заметно, что в аморфном соетоянии (а) имеет место так называемый запутанный контраст, а в нанокристаллическом состоянии (б) появляется характерная для кристаллов полосчатая структура, что фиксируется также и по данным микродифракции (в). Стрелками обозначены границы зерен с аморфной структурой, которая также наблюдается и на отдельных участках нанокристаллического образца (см. рис. 4.10, б).  [c.131]

Мартенситное превращение в сплавах с /3-фазой можно в сущности рассматривать как структурное превращение, обусловле <ное деформацией самой плоскости (110) и сдвигом в направлении [110] в плоскости (110) (в отдельных случаях происходит перетасовка. Следовательно, кристаллическая структура образовавшегося мартенсита может быть представлена в виде структуры с упорядоченным в разной последовательности чередованием плоскостей с наиболее плотной упаковкой атомов, три типа которых (А, В, С) показаны на рис. 1.9 и шесть других типов А, В, С, А, в, с ) - на рис. 1.10. Структуру таких кристаллов называют структурой с периодической укладкой (рис. 1.11). Мартенсит в сплавах с /3-фазой имеет одну из периодических слоистых структур, показанных на рис. 1.11.  [c.21]

Структура с двойниковыми взаимными ориентациями а-кристаллов (Д-структура). Этот тип структуры обнаруживается уже при содержании маргарща около 11%, полосчатый характер структуры при этом сохраняется. В сплавах с 13 и 14% Мп наблюдаются три пары двойни-ково ориентированных а-кристаллов, между которыми расположены отдельные участки е-фазы.  [c.50]

Изложим теорию Борна, развитую применительно к ионным кристаллам типа Na l (рис. 6). Аналогичную структуру имеют  [c.34]

Влняние флуктуаций на ФП типа металл—диэлектрик минимально в ЗМ-структурах, где для нарушения упорядоченности разрыв должен происходить на целой поверхности в кристалле. 2М-структуры в отношении устойчивости к флуктуациям занимают промежуточное положение, так ак для разрушения упорядоченности в них необходим флуктуационный разрыв периодичности на линии (а не в точке, как для 1М-структур). Поэтому в квазидвумерных структурах вероятность получения сверхпроводящего состояния выше (а высокопо-ляризуемого диэлектрика — ниже), чем в случае квазиодномерных систем [38].  [c.122]

Кристалл со структурой типа каменной соли обладает центром инверсии. Применяя симметричное преобразование инверсией к выражению Аег/ = ху й, получим Хутг = 0 (Дву не меняет знака, а Eh меняет). Следовательно, в кристаллах со структурой типа каменной соли (Na l) не может быть электрооптического эффекта первого порядка.  [c.381]

Из теоретического расчета Оверхаузера следует, что если образование положительной дырки и электрона у соседнего иона щелочного металла происходит под действием света, то связанная с этим процессом полоса поглощения должна иметь мульти-плетную структуру. Если учесть в случае кристалла типа хлористого натрия  [c.16]

Наиболее изученные полупроводники кристаллизу ются в решетках типа сфалерита (TJ) илн вюрцита ( gj,) и имеют прямую зонную структуру (экстремумы зоны проводимости и валентной зоны расположены в точке k = 0). Кристаллы кубической структуры (сфалерит) изотропны одна из подзон их валентной зоны отщеплена за счет спни-орбитального взаимодействия Дко (рис. 21.40). Кристаллы гексагональной структуры (вюрцит)  [c.369]

Твердые растворы на основе обнаруженного соединения с отношением СгаОд Зс20з=1 3 (или 1 4) — у-фаза, распро-страняюхцаяся (при 1300°) от 73 до 85 мол.% Зс20з. При более высоких температурах эта область несколько расширяется. у-Фаза имеет искаженную кубическую (С-тип) структуру окиси скандия. Кристаллы х-фазы оптически одноосные, отрицательные, что указывает на их принадлежность по структурному типу к классу средних сингоний. Двупреломление зерен высокое, наблюдается плеохроизм по Мр окраска лиловая, по Ng — красно-бурая.  [c.606]

Анализируя фазовую диаграмму, Стасив и Тельтов [1] установили, что бромистое и иодистое серебро образуют смешанные кристаллы со структурой типа хлористого натрия вплоть до 40 мол. % Ag2S при комнатной температуре. Таким образом, статистический характер распределения ионов иода в решетке едва ли может вызывать сомнения.  [c.78]


Среди сегнетоэлектриков кислородно-октаэдрическо-го типа структуры важное место занимает ниобат лития (ЫКЬОз). Ниобат лития имеет при комнатной температуре псевдоильменитовую структуру, напоминающую сильно искаженную перовскитовую ячейка Ь1КЬ0з представляет собой куб, сжатый по пространственной диагонали. В этой ромбоэдрической модификации кристалл является сегнетоэлектриком.  [c.48]

В случаях, когда с О, необходимо, чтобы внутреннее поле было велико, а коэффициент упругой связи мал. Как уже указывалось, если в кристаллах вдоль определенных направлений большие ионы кислорода чередуются с маленькими катионами с большим зарядом, то в таких кристаллах может возникнуть большое внутреннее поле. Эти условия осуществляются в кристаллах со структурой типа перовскита, трехокиси рения, пирохлора и некоторых других. Коэффициент упругой связи определяется размерами элементарной ячейки и ионов и зависит от характера химических связей в кристаллах. У подавляющего большинства сегнетоэлектриков кислороднооктаэдрического типа малый катион (Т , ТГ ) окружен шестью ионами кислорода.  [c.78]

В центросимметричных кристаллах линейный электрооптический эффект отсутствует, а квадратичный су-ш,ествует в чистом виде. Квадратичным Эолектрооптичес-ким эффектом обладают сегнетоэлектрики кислородно-октаэдрического типа структуры в параэлектрической модификации.  [c.203]

Выше рассмотрена возможная модель пластического течения кристалла с субструктурой в предположении, что в процессе течения (под нагрузкой) материал субграниц находится в некристаллическом состоянии, т. е. является жидкоподобным. Однако нам уже известно, что в процессе деформации единственный тип структуры не сохраняется (см. рис. 3.1) — происходит целый ряд структурных переходов, причем переход от одной структуры к другой осуществляется через СН. В СН состоянии деформируемый материал имеет хаотически неоднородную дефектную структуру, без признаков упорядоченности на всех наблюдаемых экспериментально масштабных уровнях.  [c.94]

Кристаллическая структура. Устойчивой модификацией селенида цинка являются кристаллы типа сфалерита, которые имеют пространственную группу FI3m (T ), Z = 4, параметр а = 5,6686 0,0006 А [29].  [c.122]

Большинство моноселенидов с - и /-переходных металлов имеют кубическую структуру типа МаС1, характерную для ионных кристаллов, или структуру арсенида никеля, также проявляющую определенные признаки полярной связи. В отличие от ионных (А кристаллов эти соединения переходных металлов обладают металлической проводимостью, высокой теплопроводностью и другими признаками, свойственными металлическому состоянию. Причина образования однотипных кристаллических структур у моносоединений переходных металлов, по-видимому, одна и та же, а именно — идентичное строение внешних электронных оболочек ионов [19].  [c.20]


Смотреть страницы где упоминается термин Кристалл типы структур : [c.162]    [c.175]    [c.325]    [c.517]    [c.88]    [c.86]    [c.126]    [c.177]    [c.105]    [c.42]    [c.130]    [c.354]    [c.194]    [c.286]    [c.308]   
Физические основы пластической деформации (1982) -- [ c.0 ]



ПОИСК



Влияние типа связи на структуру и свойства кристаллов

Кристаллы типа

Структура цинковой обманки ионных кристаллов типа AnBV

Структура цинковой обманки ионных кристаллов типа AnBVI

Структура цинковой обманки кристаллов соединений типа А1ИВу



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте