Дефекты дефекты упаковки,

Формирование структуры е-мартенсита в сплаве Г20 изучали в электронном микроскопе [30] непосредственна в процессе превращения. При охлаждении с 400 °С образуются широкие единичные дефекты упаковки. По мере охлаждения количество этих дефектов возрастает, и она удлиняются. Край дефекта ограничен частичными дислокациями и является местом зарождения нового дефекта,, т. е. происходит эстафетный рост дефектов в определенном направлении. Дефекты упаковки выстраиваются плотно — один возле другого, причем с развитием охлаждения плотность таких упорядоченных дефектов возрастает. Увеличение плотности дефектов упаковки приводит к образованию пластин гексагональной структуры. После закалки сплавов могут быть зафиксированы дефекты упаковки различного-характера одиночные, пересекающиеся и т. д. [c.31]

Выше отмечалось, что дефекты упаковки, границы зерен и двойников, границы доменов, поверхность кристалла относятся к двухмерным дефектам. Рассмотрение вопросов, связанных с поверхностью и границами доменов, будет проведено в последующих главах. Здесь мы кратко остановимся на дефектах упаковки и границах зерен. [c.112]

Наблюдаемые в опытах большие коэффициенты упрочнения у металлов с г. ц. к. решеткой кроме А1 можно объяснить низкой энергией дефекта упаковки (например, аустенитные стали). Как известно [см. формулу (55)], меньшим значением д.у соответствует большая равновесная ширина do расщепленной дислокации, что затрудняет поперечное скольжение и переползание дислокаций и повышает напряжение пересечения леса дислокаций. Несмотря на существенное различие дислокационных структур металлов с различной кристаллической решеткой, малые коэффициенты упрочнения металлов с о. ц. к. решеткой можно удовлетворительно объяснить большим числом систем скольжения и высокой энергией дефекта упаковки, а отсюда более свобод- [c.471]

Одним из наиболее распространенных дефектов бумажной упаковки, содержащей ингибитор атмосферной коррозии металлов, связанных с характером его распределения, является прогрессирующее старение ее в местах контакта бумаги с металлом, т. е. нарушение герметичности упаковки. Впервые с этим явлением столкнулись при упаковке изделий из белой жести в антикоррозионную бумагу, содержащую ингибитор коррозии [212]. Позднее было обнаружено, что подобное нарушение герметичности происходит при упаковке [c.152]

Увеличение площади дефекта упаковки также наблюдается при ВВх, но длина вершинной дислокации на этом конце остается неизменной. Поскольку большая часть энергии выступа обусловлена вершинными дислокациями, считают, что увеличение энергии только за счет увеличения площади дефекта упаковки является незначительным. При дальнейшей адсорбции вакансий выступ продолжает двигаться и в конце концов исчезает, оставляя 70,5-градусный выступ АВ . Перемещение [c.256]

Б закаленном алюминии. Они закаливали тонкие алюми-ниевые Монокристаллы и подвергали их старению для создания петель дефектов упаковки. Затем во время наблюдения в электронном микроскопе образцы деформировались, причем движущиеся дислокации могли взаимодействовать с петлями. Эти наблюдения показали, что при пересечении движущейся дислокации с несовершенной петлей всегда происходит разрушение дефекта упаковки. Когда такое пересечение происходит в тонких пленках, получающиеся сегменты геликоидальных дислокаций или удаляются в результате скольжения к поверхности, или оставляют за собой небольшие совершенные петли. Они предположили, что при таком пересечении в массивном кристалле за движущейся дислокацией остаются совершенные петли, а сегменты геликоидальной дислокации переносятся на субграницы. [c.349]

Принципиально важно, что все типы деформационных дефектов в кристаллах являются не просто нарушением периодичности структуры исходного кристалла, а, по существу, элементами других структур. Так, расщепленные дислокации в ГЦК кристаллах представляют собой элементы ГПУ структуры, ограниченные частичными дислокациями, а протяженные дефекты упаковки и двойники в ГЦК кристаллах с низкой энергией дефекта упаковки — планарные ГПУ структуры на плотноупакованных плоскостях. В кристаллах вблизи температур структурных превращений деформация осуществляется путем образования мартенситных ламелей как структур другой фазы. Если кристалл испытывает структурный фазовый переход, его деформация происходит в режиме сверхпластичности. [c.40]

Распространенным видом структурных изменений при деформации металлов и сплавов, имеющих гранецентрированную кубическую решетку, является образование так называемых двойниковых дефектов ( дефекты упаковки , или нарушения упаковки ) [12]. Эти дефекты представляют собой очень малые области, толщиной в несколько атомных слоев, в которых решетка оказывается смещенной относительно матрицы и находится к ней в двойниковом отношении. Схема расположения атомов при наличии дефекта упаковки приведена на рис. 5, б. Дефекты упаковки легче возникают в одновалентных металлах (Си, Ац и др.) И труднее—в многовалентных (А1, РЬ, 2п и др.). Наличие дефектов упа- [c.714]

В течение последних нескольких лет был обнаружен более сложный тип дефекта — дефект упаковки, который является плоским дефектом. Его влияние на механические свойства металлов также велико. Он может быть определен как нарушение последовательности атомных слоев. [c.51]

При пластической деформации также возрастает концентрация точечных дефектов — вакансий и междоузельных атомов и дефектов упаковки решетки. Неравновесная концентрация образовавшихся вакансий С приближенно может быть оценена по соотношению [c.510]

Изучение механических свойств кристаллических веществ привело к необъяснимому результату их фактическая прочность была на несколько порядков ниже, чем рассчитанная теоретически. Исследования показали, что в природе практически не существует идеальных кристаллов, и любая кристаллическая решетка имеет н своей структуре так называемые дефекты упаковки различного рода. При классификации дефектов были выделены [29] [c.48]

Поверхностные, или двумерные, дефекты относятся уже к разряду макроскопических - это границы раздела и дефекты упаковки [c.49]

Таким образом, материалы с высокой энергией дефектов упаковки предполагают более высокие значения поверхностной энергии, которые характерны и для будущих поверхностей разрушения. Это является стимулом к повышению сопротивления разрушению материала путем активации процессов самоорганизации структуры в процессе диссипации энергии нагружения. Поступающая энергия нагружения в процессе диссипации расходуется на процесс формирования зон переходных поверхностных слоев будущей поверхности разрушения. При этом успевает сформироваться возможно более полная структура переходного поверхностного слоя, описанного в разделе 4.3. [c.130]

Высокая энергия дефектов упаковки подразумевает формирование зоны скопления дислокаций переходного слоя, приводящего к возникновению сильных сжимающих напряжений, которые препятствуют дальнейшему развитию микротрещин, что повышает общую сопротивляемость материала разрушению. Тогда при дальнейшем подводе энергии разрушения начинают формироваться следующие зоны переходного слоя у вершины трещины вплоть до развитой пористой структуры, которая также включается в процесс диссипации энергии нагружения материала, активизируя вязкое разрушение. Вязкое разрушение требует наибольшей подачи энергии в материал. [c.130]

При использовании рассчитанных на равновесие промышленных и других конструкций, которые выполнены из материалов, полученных в близких к термодинамическому равновесию условиях, не учитывается, что с первых моментов "жизни" такие объекты обречены на конфликт с принципиально неравновесными условиями окружающего пространства. Так почему бы не оставить эти устаревшие методы "борьбы" человека за прочность материалов и не перейти к новому этапу получения и управления свойствами материалов, используя истинные, реально достижимые и данные нам априори окружающим пространством законы, далекие от равновесия, основанные на иерархичности и структурной упорядоченности материи и ее структурных элементов (в частности, дефектов упаковки) в широком диапазоне масштабов. [c.135]

Представлены результаты исследований особенностей пластической деформации в зоне сварки различных (однородных и разнородных) металлов и сплавов, отличающихся по типу решетки и по величине энергии дефектов упаковки, соединения которых (Ti+ u AJ4- u Ст+Ni и др.) выполнены сваркой давлением при скоростях деформирования (П) от 10". С до 10 .С , что соответствует режимам сварки от диффузионной до сварки взрывом. [c.158]

То, что будет излагаться ниже, относится к определению структуры идеальных кристаллов, т. е. кристаллов без дефектов. Реальные кристаллы — это кристаллы с наличием самых разнообразных дефектов (вакансии и междоузельные атомы, дивакансии, дислокации, дефекты упаковки, включения второй фазы и др.). Изучение структуры реальных кристаллов, естественно, представляет более трудную задачу, и в настоящее время во многих лабораториях занимаются исследованием реальной структуры. Эти лаборатории оснащены целым арсеналом современного оборудования, включающего дифракционную, электронно-микроскопиче-скую и другую аппаратуру. [c.36]

Границы зерен и двойников, дефекты упаковки, межфазные границы, стенки доменов, а также поверхность кристалла представляют собой двухмерные дефекты. [c.85]

ДЕФЕКТЫ УПАКОВКИ И ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ [c.112]

Дефекты упаковки связаны с так называемыми частичными, или неполными, дислокациями. Дислокации, которые были рассмотрены выше, называют совершенными, полными или единичными. Их вектор Бюргерса равен вектору решетки. [c.112]

В случае несовпадения решеток поверхность разреза 5 должна иметь, вообще говоря, очень высокую энергию. Поэтому в большинстве кристаллов таких смещений не происходит. Однако в плотноупакованных кристаллах частичные дислокации и связанные с ними дефекты упаковки образуются достаточно легко. [c.112]

Характерно [265], что на дефектах упаковки выделяются кубические карбиды Nb и Ti , которые когерентно связаны с матрицей. Кубический карбид rsa g, имеющий слишком большук> элементарную решетку, не выделяется на дефектах упаковки. Карбиды титана и ниобия, выделяющиеся на дефектах упаковки, коагулируют значительно медленнее, чем карбидные частицы, выделяющиеся в матрице или на не расщепленных дислокациях. В первом случае даже после продолжительного отпуска при 700° С регистрируются весьма мелкие частицы карбидов 10 яж [c.326]

Дефект упаковки представляет собой часть атомной плоскости, ограниченную дислокациями, в пределах которой нарушен нормальный порядок чередования атомных слоев. Например, в сплавах с ГЦК решеткой чередуются плотноупакованные слои АВСАВСАВ..., а при прохождении через дефект упаковки слои чередуются в последовательности АВСВСАВС... Чередование слоев ВСВС... типично для кристаллов с ГН решеткой, и, таким образом, дефект упаковки представляет собой как бы тонкую пластинку с ГП решеткой в ГЦК решетке. [c.35]

Все типы деформационных дефектов в кристаллах являются не просто нарушением периодичности структуры исходного кристалла, а представляют собой элементы других структур. Так, расщепленные дислокации в ГЦК-крист аллах есть элементы ГПУ-структуры, ограниченные частичными дислокациями, а протяженные дефекты упаковки и двойники в ГЦК-кристаллах с низкой энергией дефекта упаковки — планарные ГПУ-структуры на плот-ноупакованных плоскостях. В [8] убедительно показано, что и в ОЦК-кристаллах дислокации расщеплены и, следовательно, также являются фрагментами других структур. В кристаллах вблизи температур структурных превращений деформация осуществляется [c.7]

Травление поверхности применяется не только для уменьшения концентрации структурных дефектов, но также и для их выявления металлографическим методом. Применяемое в этом случае селективное (избирательное) травление позволяет получать информацию о типах, концентрации и местоположении выходов дислокаций, преципитатов, кластеров френкелевских дефектов, дефектов упаковки и т.д. Оно основано на анизотропии химических связей вблизи дефектов, что обуславливает различие скоростей растворения материала. В результате образуется рельеф — фигуры травления, дающие возможность судить о расположении и концентрации макроскопических дефектов. Например, вблизи выхода на поверхность дислокаций образуются чечевицеобразные фигуры травления с поперечным размером, достигающим де- [c.122]

Рис. 10.1. Зародыши ujO на поверхности медн при давлении Oj 13,3 Па (0,1 мм рт. ст.), 525 °С, 20 с (X 17 600). Черные линии — скопления дефектов упаковки в решетке медн [4 ]

Образование пористой структуры переходного поверхностного слоя, обусловливающее вязкое разрушение материала, происходит не во всех случаях. Это характерно, в основном, для веществ с высокой энергией дефектов упаковки (высокочистый алюминий - 200 мДж/м , медь - 50 мДж/м ). Для таких веществ характерно образование ячеистой стрзтоуры дислокаций, формирующейся на стадий упрочнения. Образование и рост микропор происходит вдоль стенок дислокационных ячеек. Для сплава Си - 7% А] с низким значением дефектов упаковки (3 мДж/м ) отсутствие ячеистой структуры ограничивает образование мйкропор в процессе разрушения. [c.130]

Управления свойствами поверхностного переходного слоя можно достичь, заставив носителей диссипации энергии переходного слоя (дефекты упаковки) подчинеться только параметру порядка, т.е. создавать различного рода неравновесные условия получения и обработки материалов, характерные для каждого конкретного случая. Мы предполагаем, что идеальные условия неравновесности поверхностных слоев металлических тел реализуются путем создания иерархии в структуре дефекгов. [c.135]

В ГЦК-решетке дефекты упаковки можно образовать не только путем скольжения. Можно, например, удалить плотно упакованный слой за счет диффузии вакансий на этот слой, а затем сомкнуть соседние слои. Так, после удаления слоя В последовательность будет. .. АВСАСАВС. .. Такой дефект получил название дефекта упаковки вычитаная. Его мох<но считать слоем САСА гексагональной плотноупакованной структуры. [c.113]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...