Модели роста дефектов упаковки

МОДЕЛИ РОСТА ДЕФЕКТОВ УПАКОВКИ [c.93]

Диффузия, ускоренная окислением (ДУО). Несколькими авторами [7.23, 7.24] наблюдалось ускорение диффузии бора и фосфора при окислении кремниевой поверхности. Затем такой же эффект наблюдался и для мышьяка [7.25]. Ускорение диффузии окислением приписывалось в основном увеличению количества точечных дефектов в кремнии вследствие окисления. По-видимому наиболее приемлемая модель была предложена в [7.26], а затем развита в [7.24] и [7.27]. Эта модель связывает ДУО с ростом окислительных дефектов упаковки. Наличие как вакансий, так и междоузельных атомов вызывает двойственный механизм диффузии примесей в кремнии. Избыток междоузельных атомов кремния, как принято в модели, и приводит к ускорению диффузии. Таким образом, согласно модели, в процессе окисления коэффициент диффузии междоузельной компоненты примеси увеличивается, приводя к ДУО, в то время как усиленная междоузельная преципитация ведет к росту дефектов упаковки. [c.208]

Концепция ведущей роли точечных дефектов в целом ряде процессов была успешно применена для количественного моделирования эффектов ускоренного окисления сильно легированных областей [2.34, 2.35], построения количественной модели роста и деградации дефектов упаковки, индуцированных окислением [2.30, 2.32], количественного объяснения увеличения коэффициентов диффузии легирующей примеси во время термического окисления [2.31] и количественного объяснения зависимости величины фиксированного заряда Лу от параметров процесса. Эти и другие примеры использования концепции точечных дефектов в моделировании представлены на рис. 2.13. Таким образом, рассматриваемая модель играет важнейшую роль в понимании и количественном моделировании многих технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем. Можно сделать вывод, что по мере перехода к субмикронным размерам роль учета точечных дефектов в моделировании элементов структуры СБИС будет возрастать. [c.60]

Последняя модель [29, 30] допускает возможность образования элементарных тетраэдров из относительно небольшого числа вакансий и дальнейшего роста их за счет поглощения вакансий и одновременного перемещения ступенек по граням дефекта упаковки. Зависимость типа дефекта от температуры закалки Tq и чистоты образца была рассмотрена Коттериллом и Сегалом [17. Они предположили что основным параметром, определяющим тип вакансионного скопления, является отношение где й — концентрация примесей. Было признано, что величина входящая в указанное отношение, не может выражать общего содержания примесей. [c.73]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...