Выращивание кристаллов из раствора

Выращивание кристаллов из растворов можно производить как без специальных затравок, путем спонтанного образования и роста центров кристаллизации, так и контролируемым ростом на затравке. Практически выращивание крупных монокристаллов производят на затравках методами, аналогичными кристаллизации из собственных расплавов методами нормальной направленной кристаллизации, методами вытягивания из раствора и методами зонной плавки. Однако технологическая аппаратура при выращивании кристаллов из растворов усложняется устройствами для обеспечения равномерной подачи исходных материалов в зону кристаллизации, то есть устройствами для обеспечения поддержания жидкой фазы в состоянии пересыщенного раствора. [c.237]

СХОДИТЬ фазовый переход или когда вещество разлагается при плавлении. В то же время скорости роста кристаллов из раствора обычно меньше скорости роста кристаллов из расплава или газовой фазы, и кристалл может быть загрязнен раствором. Так, если соединение А слабо растворимо в кристаллах В, линия солидуса, представленная на рис. 99 пунктирной линией, не совпадает с правой вертикальной осью, т. е. кристаллы В содержат то или иное количество растворителя А. При выращивании кристаллов из раствора очень важен правильный выбор растворителя. Желательно, чтобы, помимо уже указанных свойств, растворитель обладал малой вязкостью для облегчения переноса растворенного вещества и чтобы соединение, кристаллы которого выращиваются, хорошо в нем растворялось. Различие в химических свойствах обоих компонентов способствует их малой взаимной растворимости в твердом состоянии. Как правило, лучше выбирать растворитель, имеющий с кристаллом один общий ион. Вода — хороший растворитель для большинства ионных солей, а металлы или биметаллические соединения лучше выращивать из металлических расплавов. [c.211]

При выращивании кристаллов из раствора обычно применяют три общих метода 1) медленное понижение температуры раствора, при котором постепенно выпадает растворенное вещество 2) упаривание растворителя для поддержания постоянной концентрации раствора 3) непрерывное добавление новых порций кристаллизуемого вещества для компенсации уменьшения его концентрации вследствие выделения твердой фазы. Все три метода широко распространены, хотя при практической их реализации трудно осуществлять контроль за образованием зародышей, температурой и т, д. [c.211]

Винтовые дислокации играют большую роль при выращивании кристаллов из паров, растворов или расплавов. Ступенька, образующаяся при выходе винтовой дислокации на поверхность кристалла, может непрерывно захватывать осаждающиеся на поверхности растущего кристалла атомы или ионы. Большинство дислокаций в кристаллах представляет собой совокупность краевых и винтовых типов. [c.47]

Существенным недостатком любого метода выращивания кристаллов из расплава является неравномерное распределение примесей и, следовательно, электрических и других свойств по длине кристалла. Причина этого — неодинаковая растворимость примесей в расплаве и в растущем в нем кристалле. Одни примеси растворяются меньше в кристалле, чем в расплаве. Растворимость других, напротив, больше в кристалле и меньше в расплаве. Первые примеси понижают точку плавления основного вещества (рис. V. 5, а), вторые — повышают ее (рис. 5, б). [c.493]

Выращивание кристаллов из газовой фазы, как и выращивание из жидких растворов, можно производить при сравнительно низких температурах, что важно при получении монокристаллов тугоплавких, инконгруэнтно плавящихся или испытывающих полиморфные превращения соединений. К достоинству газофазных методов также относится возможность использования газообразных компонентов или соединений для их доставки к месту роста кристалла. [c.314]

Процессы растворения, плавления и испарения всегда сопутствуют росту кристаллов из раствора, расплава или газовой фазы. В последующих разделах мы дадим краткое описание основных методов выращивания монокристаллов, введения в них примесей и контроля стехиометрии в процессе роста. В настоящее время известны два основных способа введения примесей в процессе выращивания и после выращивания в результате соприкосновения выращенного кристалла с внешней средой. Применимость последнего способа целиком зависит от того, достаточна ли скорость диффузии в твердой фазе для того, чтобы достигнуть желаемого результата за приемлемое время. [c.204]

Кристаллы ряда веществ, например л<ега-хлорнитробензола, в принципе можно полу чать из раствора методом испарения, однако их качество недостаточно для исследования оптических свойств. Лучше результаты получаются при выращивании методом медленного охлаждения раствора [124]. [c.78]

При выращивании кристаллов больших размеров из растворов или расплавов также наблюдается фронтальная слоистость, несмотря на то что условия выращивания очень близки к равновесию между растущим кристаллом и средой. Возникновение прослоек иного состава в растущем кристалле связано с вытеснением примесей или избыточного компонента, а также фазы, образующейся одновременно с основной фазой выращиваемым кристаллом, на фронт кристаллизации. В [79, с. 19] указывается, что .. . существует механизм макроскопического дальнодействия, который содействует построению правильного макро> кристалла и обеспечивает транспорт материала, поступающего на поверхность растущего кристалла, к местам наиболее прочного встраивания при этом примесный компонент накапливается на фронте роста. [c.74]

Более благоприятные условия для равномерного вхождения галлия были реализованы при выращивании из растворов в нелетучих бор-бариевых расплавах [3]. У кристаллов, выращенных из такого расплава, когда коэффициент распределения галлия был близким к единице, а рост шел при постоянной температуре в режиме с подпиткой , наблюдался наименьший разброс по намагниченности насыщения. [c.55]

Наряду с двойниками прорастания в монокристаллах, особенно при их выращивании из растворов, могут образовываться двойники срастания. Причиной образования двойников срастания является отклонение направления роста монокристалла от некоторого определяемого кристаллической структурой полупроводника направления. Например, рост монокристаллов с алмазоподобной структурой происходит преимущественно в результате развития наиболее плотноупакованных атомами плоскостей 111 . Выращивание таких монокристаллов в направлениях, отличных от направления <111>, приводит к возникновению двойников срастания вследствие стремления одной из систем плоскостей 111 в растущем монокристалле стать в положение, определяемое основным градиентом температуры. Поэтому наиболее склонным к двойникованию направлением роста будет направление [100], в котором четыре плоскости (111) расположены под углом 36° 16 к направлению роста кристалла. В этом случае плоскость двойникования оказывается параллельной одной из плоскостей 111 , а осью двойникования является одно из направлений <111>. [c.244]

Наиболее щироко используемым методом выращивания кристаллов из раствора в настоящее время является метод зонной плавки с градиентом температуры (более известный под названием метод движущегося растворителя ), впервые предложенный в 1955 г. Пфанном. Сущность метода можно понять рассматривая диаграмму состояния системы [c.237]

Метод движущегося растворителя успешно применяется при выращивании кристаллов InSb и di Hg Te. Кроме того, методы выращивания кристаллов из растворов широко используются в технологии полупроводниковых приборов для получения эпитаксиальных слоев (см. гл. 9). [c.239]

М. в. из раствора. Переохлаждение создаётся снижением Т, испарением растворителя (рис. 2,а) ила подпиткой более концентрированным раствором (рис. 2,6). В т. н. методе температурного градиента в аппаратуре создаётся более горячая зона, где вещество растворяется и диффузией или конвекцией переносится к растущему кристаллу (рис. 2, в, г). Гидротермальное выращивание малорастворимых веществ проводят в автоклавах при высоких темп-рах и давлениях. Скорость выращивания 0,1—1 мм/сут. Для по.чучения совершенных кристаллов из раствора необходимо, чтобы подвод вещества к растущей поверхности не лимитировал скорости роста. Это достигается, напр., перемешиванием раствора. В таких условиях возможна скорость 1 мм/ч и более (скоростное выращивание). Важны очистка сырья, стабилизация Г и о, создание гидродинамич. течений, обеспечивающих равномерное питание граней. [c.208]

Другим очень важным типом морфологии поверхности раздела является так называемая ячеистая структура, образующаяся при некоторых условиях при выращивании кристаллов из расплава, загрязненного примесями, или при кристаллизации сплавов. Фотографии подобной структуры приведены на фиг. 17 и 18. На фиг. 17 показана поверхность кристалла свинца после декантации расплава, а на фиг. 18 — фотография кристаллов льда, образующихся при росте из раствора К2СГО4. В 1953 г. Руттер и Чалмерс [13 J первыми высказали предположение, что эта ячеистая субструктура, которую можно наблюдать на поверхности раздела кристалл — расплав с помощью метода декантации, возникает вследствие образования в непосредственной близости от поверхности рйздела зоны концентрационного переохлаждения расплава. Несколькими годами раньше это явление было предсказано теоретически Иванцовым [91. Связано оно с накоплением примеси на фронте кристаллизации (фиг. 19). На основании диаграммы состояния и известного закона распределения примеси в расплаве можно рассчитать распределение равновесной температуры затвердевания Те взятой жидкости (фиг. 19). Кроме [c.181]

Выращивание. VI. из растворов при пизких темн-рах производится в кристаллизаторе (рис. 5), состоянием из двух сосудов. Раствор с затравками находится во внутрением сосуде, а между сосудами циркулирует термостатирующая жи,д-кость (обычно вода). Медленным снижением темп-ры (так как д.чя большипства веществ растворимость при этом падает) добиваются необходимого нересыщепия и роста М. Платфор.ма с кристаллами в растворе вращается. [c.320]

Если при выращивании монокристаллов из расплава лимитирующей стадией является отвод теплоты кристаллизации, то при выращивании из раствора самый медленный этап, как правило, — диффузия растворенного вещества к фронту кристаллизации. Вследствие этого линейная скорость роста кристаллов из раствора (10 —10 мм/ч) на 2-3 порядка меньще скорости роста из расплавов. [c.236]

Методы выращивания полупроводников из растворов принято различать по способу создания пересыщенного раствора, из которого будет выращиваться кристалл 1) испарение растворителя 2) подпитка раствора кристаллизующимся веществом (путем создания перепада температур между источником кристаллизующегося вещества и затравкой) 3) направленная кристаллизация насыщенного раствора 4) зонное плавление при наличии температурного градиента, приложенного ко всему образцу. Первые три группы методов являются изотермическими, то есть фронт кристаллизации в течение всего процесса роста кристалла находится при постоянной температуре. Кристаллизация в изотермических условиях позволяет обеспечить лучщий контроль параметров выращиваемого кристалла, зависящих от температуры процесса. [c.237]

Для создания в чистом полупроводниковом кристалле областей п- и р-типов разработан ряд методов. 1) Транзистор с вплавленным переходом получают путем расплавления нескольких микрограммов легирующего элемента (например, алюминия), на поверхности монокристалла кремния п-типа. В расплаве растворяется некоторое количество кремния, после охлажденрм образуется твердый раствор алюминия в кремнии. Аналогичную операцию повторяют на другой стороне таблетки, получают р-п-р-переход. 2) Транзистор с выращенным переходом изготавливают путем выращивания кристалла из расплава материала п-типа. 3) Третья технология основывается на использовании таблетки кремния п-типа, которая подвергается окислению с целью получения защитного покрытия из 8102. В процессе нанесения маски удаляют защитное покрытие с определенных участков таблетки, затем заготовку нагревают в присутствии паров бора. Диффузрм бора в кремний приводит к образованию области р-типа. Затем все операции - окисление, нанесение маски и нагрев - повторяют, но нагрев ведут в присутствии паров фосфора с целью получения второй области п-типа, которая служит эмиттером. Повторение всего цикла операций в третий раз необходимо для создания контактов из золота и алюминия. Такие транзисторы называют плоскостными. [c.25]

Ферритгранаты. Технология выращивания монокристаллов фер-ритгранатов различных составов из растворов-расплавов хорошо отработана. Исходные реактивы, включающие компоненты кристалла и растворителя в соотношениях, обеспечивающих температуру насыщения раствора около 1200 °С, загружают в платиновые тигли (объемом от 200 до нескольких тысяч кубических сантиметров), которые помещают в муфельную печь, способную поддержать постоянную температуру в пределах долей градуса. После выдержки раствора-расплава при температуре около 1300 °С в течение 15 ч его охлаждают со скоростью 0,5 °С до 950 "С. Затем раствор сливают, а выращенные спонтанной кристаллизацией монокристаллы охлаждают [c.33]

Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитаксией, а сами пленки — эпитаксиальньши. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества — гетероэпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Структурному совершенству зародышей способствует также низкая скорость их роста, которая достигается при малой степени пересыщения пара осаждаемого материала или его раствора (при эпитаксии из жидкой фазы). Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. Большую роль при этом играют винтовые дислокации (рис. 2.8). В простейшем случае онн представляют собой одноатомную, ступеньку, начинающуюся у оси [c.70]

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ осуществляют из газовой, жидкой и твёрдой среды (см. Яр -сталлизация), Выбор метода выращивания определяется областью устойчивости вещества, наличием, типом и темп-рой фазовых переходов, хим. свойствами, давлением насыщенного пара и др. Большие, совершенные кристаллы получают, применяя лзатравки и создавая оптим. пересыщение (переохлаждение) а на поверхности кристаллизации. Наиб, крупные (до 1 м) кристаллы получают из расплава или раствора. [c.208]

СИНТЕТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ— кристаллы, выращенные в лаб. или заводских условиях. Имеют то же атомное строение, что и природные, часто совершеннее их. Из 3000 известных природных минералов искусственно выращено только неск. сотен, тогда как из 10 синтезированных неоргаыич. и 10 органич. кристаллов подавляющее большинство не имеет природных аналогов. Выращивание объёмных и тонкоплёночных кристаллов осуществляется из газовой фазы, из растворов и из расплавов (см. Кристаллизация, Эпитаксия), Хим. состав и размеры С. к. разнообразны от песк. г до неск. кг. Для практик, применений существенное значение имеют лишь 20—30 С. к, (см. табл.). Они служат осп. функциональными элементами микроэлектроники, вычислит, техники, оптики и др. [c.524]

Кроме волокон в качестве армирующего элемента используют также нитевидные кристаллы, получаемые осаждением из газовой фазы, выращиванием в электрическом поле, кристаллизацией из растворов. Волокна изготавливают с аморфной (стекловолокно, кремниевые волокна), композиционной (борные) и кристаллической (углеродные) структурой. Борные волокна получают осаждением бора на вольфрамовую проволоку (диаметром 22,5 мкм) в виде покрытия углеродные — карбонизацией и графитизацией полиакрилонитрильных (ПАН-В) или гидроцеллюлозых (вискозных Гц-6) волокон. Керамические волокна (MgO, AI2O3, ZrOj, TiO, Si , В С) получают из расплавов, осаждением из газовой фазы или методами порошковой металлургии. Металлические волокна (проволока) изготавливают механически, электрохимически или формованием из расплава с использованием фильер. [c.125]

На поверхности кремниевой подложки 3 находится частица золота при температуре, близкой к температуре плавления. В этих условиях золото растворяет кремний и превращается в капельку 2 расплава золото—кремний. Пары кремния, конденсируясь в капельке расплава, пересыщают ее атомами кремния. Это ведет к выделению кремния на границе раздела жидкость—подложка и росту нитевидного кристалла 4. Поперечные размеры кристалла определяются диаметром капли расплава, а скорость роста уса — скоростью кристаллизации поступающего к поверхности капли кремния. При получении нитевидных кристаллов карбида кремния их выращивание ведут из хлорсиланов и углеводородов по реакциям [c.302]

При использовании этого метода следует иметь в виду, что многие органические вещества разлагаются при нагревании. Поэтому кристалль , в какой-то мере пригодные для исследований, можно получить только при условии, что вещество не перегревается и находится в расплавленном состоянии достаточно короткое время. Увеличение скорости выращивания кристаллов ухудшает их качество. Это приводит к тому, что кристаллы, выращенные из расплава, обычно хуже кристаллов, полученных из растворов, Позтому из расплава вьфащивают, как правило, лишь те кристаллы, которые по той или иной причине не получаются из раствора. [c.77]

Монокристаллы ниобата бария-натрия могут быть получены методами Киропулоса [561, Бриджмена [57] и из раствора в расплаве [52, 58]. В работе [59] сообщается о попытке выращивания кристаллов НБН методом пла- [c.204]

Выращивание и морфология кристаллов РеВОз. Монокристаллы бората железа были получены методом спонтанной кристаллизации из раствора в расплаве различных растворителей. Кристаллизация проводилась в платиновых тиглях объемом 100—450 мл, общий вес шихты 250—850 г, диапазон рабочих температур 1423—873 °К, скорость охлаждения расплава от 10 до 0,5 ° час. [c.157]

Карбид кремния плавится инконгруэнтно при t 2830 С, разлагаясь на Si и С. Поэтому монокристаллы Si выращивают из растворов в расплаве или из газовой фазы. При выращивании из растворов в расплаве в качестве растворителей применяют Si, Si + Со, Si + Сг, Si + РЗМ, Ge, Sn, Ga, г, s, Dy, Nd, Pr и др. Использование РЗМ в качестве растворителей позволяет выращивать монокристаллы размером 10x10x3 мм методом зонной плавки (см. рис. 5.6). Однако малая скорость выращивания как условие получения качественного кристалла привела к тому, что раствор-расплавная методика в производстве Si используется только для получения эпитаксиальных пленок. Кристаллы же карбида кремния выращивают из газовой фазы [c.654]

Кристаллизация с протекающими растворами. В кристаллизационных баках кристаллы и раствор находятся в покое, и выравнивание убывающего около кристаллов насыщения идет только путем диффузии. Бокк [ 1 первый предложил способ выращивания кристаллов как на дне, так и на стенках сосуда при движении щелоков по неподвижным наклонным поверхностям в этих условиях получается возможность питать кристаллы и увеличивать их размеры до той величины, которая достигается в неподвижных баках. Качество и форма кристаллов зависят в сильной степени от температурных условий, при к-рых протекает кристаллизация выделяющиеся вначале при высокой t° кристаллы имеют совсем иной характер, чем те, которые получаются в конце процесса, когда сильно понижается. В желобах Бокка легко поддерживать температурные границы, необходимые для равномерной кристаллизации, и они нашли себе применение для многих случаев, например для кристаллизации растворов буры, причем в пределах от 60 до 35° получаются прекрасные друзы длинных кристаллов. После Бокка рядом изобретателей были предложены различные системы, основной идеей к-рых было создание неглубоких потоков, непрерывно протекающих по плоским поверхностям. На фиг. 3 показана в боковом разрезе и сверху установка Emil Passburg для кристаллизации растворов хлористого калия. Две громадные сковороды, сделанные из котельного железа, для ежедневной переработки 600—700 м раствора дают 100 ООО кг соли. Почти насыщенный раствор с ° = 90— 95° поступает на сковороду через конец о и медленно движется по сковородам, имеющим при ширине 4 м длину ок. 50 м. Сковороды помещены на бетонных каналах Ь, по которым, как показано стрелками, зигзагообразно протекает охлаждающая вода. Кро- [c.305]

Кристаллы ADP и KDP обладают двумя ценными качествами, которые обусловливают их широкое применение в приборах нелинейной оптики. Это, во-первых, значительная стойкость к воздействию лазерного излучения. Кристаллы обладают как высокими порогами механического разрушения в высокоинтенсивных пучках, так и высокими порогами возникновения оптических неоднородностей вследствие изменения показателей преломления, которые возникают под действием излучения непрерывных лазеров небольшой мощности. Вторым ценным свойством этих кристаллов является простота выращивания их из водных растворов, что позволяет легко получагь большие монокристаллы высокого оптического качества. [c.121]

В настоящем параграфе рассматриваются фазовые равновесия между твердой и жидкой фазами в системах элементов III и V групп. Рассмотрение этих вопросов имеет первостепенную важность для выращивания кристаллов методом ЖФЭ. Однако, как показано в 7 этой главы, полученные значения химических активностей компонентов твердого раствора также необходимы при расчете равновесий, используемых в ХОГФ. Термодинамическая модель, чаще всего используемая для расчета систем, состоящих из элементов III и V групп, достаточно подробно изложена для бинарных систем. В качестве примера рассматривается также применение этой модели для тройной системы А1—Ga—As и кратко описано ее применение к четверным системам. Использование термодинамических расчетов для системы А1—Ga—As представляется особенно важным вследствие того значения в изготовлении лазеров, которое играет твердый раствор AUGai-xAs, получаемый методом ЖФЭ. Неизвестно, будет ли ЖФЭ оптимальным методом выращивания в других системах твердых растворов соединений А В . [c.89]

При кристаллизации из раствора растворитель должен удовлетворять следующим требованиям существенно снижать температуру процесса выращивания кристалла иметь достаточно малое давление собственных паров не загрязнять выращиваемый кристалл, то есть иметь малый коэффициент разделения желательно, чтобы атомы растворителя в кристалле (растворяемое вещество) являлись нейтральной примесью. Подобрать растворитель, удовлетворяющий всем сформулированным требованиям, очень трудно. Различают следующие случаи 1) растворителем служат вещества, не входящие в состав выращиваемого кристалла (например, Н2О для Na l) 2) растворителем служит один из компонентов выращиваемого кристалла (Ga для GaP). [c.235]

Идея первого способа состоит в опускании в расплав подпитывающего стержня (рис. 7.2). Процессом подпитки можно управлять, меняя площадь поперечного сечения подпитывающего стержня, его состав и механическую скорость его подачи. При необходимости в расплав может одновременно вводиться несколько стержней. Для того, чтобы получить математическое выражение, описывающее процесс выравнивания состава в данном методе, необходимо составить уравнение баланса примеси в расплаве и приравнять изменение концентрации примеси нулю. Из этого уравнения для любого варианта механической подпитки расплава опускающимся стержнем легко найти условия, обеспечивающие получение однородного кристалла. Так, для наиболее интересного с практической точки зрения режима получение легированных кристаллов рещение уравнения сводится к отысканию либо нужной концентрации подпитывающего стержня при заданных остальных параметрах, либо к отысканию его площади поперечного сечения. В частности, если сечения вытягиваемого кристалла и стержня подпитки равны, и равны их плотности, то состав подпитывающего стержня должен быть равен составу растущего кристалла. Этот способ выравнивания состава позволяет получать однородные монокристаллы с высоким выходом и большим диапазоном уровней легирования. Он используется и для выращивания монокристаллов твердых растворов (см. гл. 6), например, в таких системах как Ge-Si, Bi-Sb, InAs-GaAs и т.д. [c.272]

При выращивании методом Чохральского некоторых кристаллов (например, боратов) из раствор-расплавов, обладающих высокими значениями динамической вязкости, конвективное течение расплава в тигле очень слабое. Вследствие недостаточного перемешивания может нарушиться однородность раствор-расплава, появиться термогравитационное и концентрационное расслоение расплава. Концентрационное переохлаждение и ячеистый рост очень часты для таких систем. Получение качественного кристалла становится проблематичным или даже невозможным. Необходимое в таких случаях принудительное перемешивание раствор-расплава может быть достигнуто при использовании формообразователя - мешалки, расположенной соосно с тиглем внутри него [1-3], вращением тигля [4], действием на расплав вращающихся перегородок, выступов, мешалок [5-6]. Этим контактным методам, как правило, сопутствуют вибрации вращательных механизмов, необходимость создания зазоров и/или уплотнений, усложняющих установки и, главное, вносящих случайные возмущения в процесс роста кристалла и являющихся источником загрязнения расплава. В работах [7-9] предложен новый подход, основанный на бесконтактном возбуждении азимутальных течений в расплаве путем вращения неоднородного теплового поля на стенке тигля. Тепловое поле формируется нагревательной печью, состоящей из равномерно расположенных по окружности вертикальных нагревательных элементов (фиг. 1, а). При поочередном подключении двух противоположных нагревателей 7-2, затем 1 -2 и т.д. (фиг. 1, б) на стенке тигля по ф создается распределение температуры, похожее на двухлопастной пропеллер. [c.36]

Для целей управления лазерным излучением первыми начали применяться кристаллы гидрофосфата калия КНгРОДКВР) и аналоги на его основе, в которых калий замещается группой аммония, а водород — тяжелым изотопом — дейтерием. Кристаллы типа KDP выращиваются из водных растворов, технология их выращивания достигла высокого уровня и продолжает совершенствоваться. Получаемые кристаллы KDP высокого оптического качества до настоящего времени находят широкое применение. Однако этим кристаллам свойственны недостатки, и основной из них — сравнительно низкие электрооптическпе и нелинейные коэффициенты, ответственные за электрооптический эффект и генерацию второй гармоники (ГВГ). [c.8]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...