Моделирование источники напряжения

Зависимые источники можно разделить на группы 1) источники, зависимые от времени 2) источники, зависимые от фазовых переменных. Источники, зависимые от времени, используются для моделирования внешних воздействий на объект, например трапецеидальным источником расхода может быть отражено функционирование идеального гидронасоса в режимах включения, работы и выключения, синусоидальным источником напряжения — подключение генератора сигналов к электронной схеме. Источники, зависимые от фазовых переменных, используются для отражения нелинейных свойств объектов, а также для установления взаимосвязей между подсистемами различной физической природы. [c.75]

Здесь максимальное напряжение при моделировании источников тепла и минимальное при моделировании стоков. [c.403]

Отсюда следует вывод, что при моделировании термоупругих напряжений й деформаций на замораживаемых моделях все созданные при замораживании перемещения в элементах, удовлетворяющие условиям непрерывности по поверхностям стыков, фи размораживании склеенной модели освобождаются. Источником термоупругих деформаций могут быть только несовместные перемещения по поверхностям стыков замораживаемых элементов. [c.62]

На рис. 6.8 показан пример моделирования транспортных средств — модель упруго подвешенного корпуса автомобиля. Источником возмущения рассматриваемой системы является принудительное вертикальное смещение колес прц преодолении неровностей пути. Задание закона изменения вертикальных скоростей производится с помощью источников напряжения так, что импульс напряжения, подаваемый на элементы, моделирующие передние колеса, должен опережать импульс, подаваемый на задние колеса, на время [c.299]

Применение для моделирования нелинейностей нелинейных электрических сопротивлений ставит перед исследователем в числе других еще одну, достаточно важную проблему. Дело в том, что на характеристику нелинейного элемента обычно оказывает влияние ряд параметров (напряжения смещения, величины дополнительных сопротивлений, ток базы транзистора и т. п.). Подбор необходимого режима работы элемента является трудоемким процессом, так как требуется снятие большого количества характеристик. Для упрощения этого процесса разработан прибор, функциональная схема которого показана на рис. 30. В ней с генератора линейно-нарастающего напряжения ГЛН пилообразное напряжение подается на НС. Между катодом и сетками лампы включены регулируемые источники смещения E i и а параллельно лампе — магазин сопротивлений R типа РЗЗ. Между катодом лампы и землей включено калибровочное сопротивление R , на котором создается падение напряжения f/к, пропорциональное току, текущему через НС. Напряжение подается на вход У осциллографа ЭО типа С1-13, на экран которого нанесена эталонная парабола у = Поскольку ток /не яв- [c.109]

Моделирование открывает широкие возможности для исследования электрохимической ячейки. При моделировании могут быть проведены исследования 1) переходных процессов при неподвижных электродах и включении источника питания 2) переходных процессов при ступенчатом или произвольном характерах изменения скоростей подач 3) статических характеристик ячейки при различных значениях ее конструктивных и технологических параметров 4) влияния различных возмущающих воздействий на величину МЭЗ и другие параметры ячейки 5) влияние формы импульсов напряжения на характер переходных процессов по току и величине МЭЗ. [c.146]

Исследования остаточных напряжений в ПС путем теплового моделирования процесса шлифования [59] показали, что тепловой фактор и термопластические деформации оказывают на образование напряжений при шлифовании превалирующее влияние. На основании анализа математической модели процесса получен принципиально важный вывод о влиянии формы источника тепла на распределение температуры и знак напряжений в ПС. Так, при линейном источнике тепла и большом температурном градиенте в ПС образуются начальные напряжения растяжения. При поверхностном источнике тепла происходит выравнивание температуры по глубине ПС и образуются напряжения сжатия. Величина и глубина распространения начальных напряжений прямо пропорциональна интенсивности теплового источника, коэффициенту линейно- [c.178]

Верификация на основе моделирования заключается в установлении соответствия проектного решения, представленного математической моделью Мпр, исходному (эталонному) описанию, заданному в виде ТЗ или модели Мэт иного иерархического уровня или аспекта, нежели Мпр. Модели Мпр и Мэт в общем случае имеют разные размерности и состав векторов фазовых переменных. Однако обе модели должны при совпадающих внешних условиях приводить к одинаковым, в пределах заданной точности, зависимостям Уэт(2) и Упр(г), где Уэт и Упр —векторы фазовых переменных на выходах проектируемого объекта (или, что то же самое, на границах, отделяющих объект от внешней среды). Идентичность внешних условий означает, что в моделях Мпр и Мэт должны использоваться одинаковые векторы внешних параметров О—(<7ь < 2, г)- Типичные внешние параметры — температура окружающей среды, напряжения источников питания, параметры входных сигналов и нагрузки. Соответствие двух описаний (моделей), в указанном выше смысле, называют функциональной эквивалентностью. [c.14]

Формы представления моделей элементов схем. При моделировании компонентами электронной схемы являются резистор, конденсатор, катушка индуктивности, отдельный электронный прибор в дискретном или интегральном исполнении, источник тока или напряжения и т. п. Элементом электронной схемы может быть как компонент, так и типовой фрагмент схемы (вентиль, триггер и т. п.). Математическая модель электронной схемы при анализе на ЭВМ — система обыкновенных дифференциальных уравнений, связывающая токи и напряжения в различных компонентах схемы. Математическая модель схемы, полученная непосредственным объединением моделей компонентов в общую систему уравнений на основе топологических уравнений, называется полной моделью схемы. Математическая модель схемы, являющаяся более простой по затратам времени и памяти ЭВМ на ее реализацию, чем полная модель, называется макромоделью схемы. Типовые фрагменты схемы (функциональные узлы) состоят из отдельных компонентов, поэтому модели таких фрагментов в составе сложных электронных схем являются макромоделями. Следовательно, можно выделить два основных типа моделей элементов электронных схем модели компонентов и макромодели функциональных узлов. [c.128]

Анализ шумов позволяет измерять шумовые характеристики схемы путем определения шумов резисторов и полупроводниковых устройств. Программа моделирования строит кривую спектральной плотности шума, на которой шум измеряется в В /Гц. Конденсаторы, катушки индуктивности и управляемые источники постоянного напряжения считаются идеальными, не вносящими дополнительных шумов в схему. Программа моделирования позволяет проводить следующие измерения шумовых характеристик. [c.204]

Моделирование преобразователя с помощью дискретной функции предполагает, что ПАВ возбуждается лишь в нескольких точках секции. Для простоты предположим, что каждая секция содержит один точечный источник ПАВ, расположенный в центре. Отсчет координаты х точечного источника будем вести, например, от центра преобразователя (рис. 7.9). Амплитуда В (о>) = Ь(х , ш) этого источника соответствует возбуждению преобразователя синусоидальным напряжением с единичной амплитудой и круговой частотой ш. Механическое смещение в точке с координатой х задается выражением [c.312]

С помощью численного метода прямого статистического моделирования анализируются процессы переноса при неравновесном истечении одноатомного газа в вакуум. Определены количественные зависимости макроскопических параметров (плотности, скорости, температуры, напряжения, теплового потока) от расстояния до источника. Установлена зависимость напряжения и теплового потока от составляющих тензора скоростей деформации и градиента температуры в случае газодинамического источника. Определены пределы применимости известного гиперзвукового приближения. [c.123]

На фиг. 4, 5 представлены аналогичные зависимости, позволяющие проанализировать изменение напряжений и тепловых потоков вдали от источника. На больших расстояниях устанавливается асимптотическая зависимость нормальные напряжения и поток тепла убывают обратно пропорционально квадрату радиуса. Там же показаны зависимости безразмерных нормальных напряжений р = /(р,/г7 ) и безразмерного потока тепла =д /(р,(Л7]) ), рассчитанных по соотношениям Ньютона и Фурье на основе газодинамических величин и, Т, полученных в расчете методом прямого статистического моделирования. [c.126]

Задание 2.9. Установите для источника напряжения заведомо ошибочный атрибут, указав вместо характеристики напряжения не 10V, а 10 V (с пробелом). Запустите процесс моделирования и прочитайте сообщение об ошибке, которое появится как в окне Message Viewer, так и в выходном файле. Обратите внимание, что, хотя текст сообщений об ошибке в обоих сообщениях одинаковый, в выходном файле определяется точное место, содержащее ошибку, - оно отмечено расположенным прямо под ним значком . В завершение откорректируйте ошибочно заданный атрибут источника напряжения. [c.53]

PER = 5nns (период повторения импульсов). После завершения периода источник напряжения посылает следующий импульс. Если требуется всего один импульс, нужно ввести для PER такое значение, чтобы оно было больше значения, указанного для длительности процесса моделирования в поле Final Time [c.81]

Начертите, используя источник напряжения типа VPULSE, схему для выработки прямоугольного напряжения, изображенную на рис. 9.1. Сохраните эту схему в папке Proje ts под именем FOURIERI.s h и запустите процесс ее моделирования, задав такие же параметры анализа переходных процессов, как показано на рис. 9.2. [c.176]

Взглянув на рис. 10.3, вы можете заметить, каким интересным качеством обладает PSPI E при одновременном моделировании аналоговых (резисторы, конденсаторы, транзисторы, источники напряжения аналогового сигнала и т.п.) и цифровых (логические элементы) компонентов. В тех местах, где узловые пункты связывают исключительно цифровые компоненты, моделирование выявляет цифровые состояния (1 или 0). Там, где на узле находится хотя бы один аналоговый компонент, выдаются значения напряжения. Видно, что напряжение на выходе логического элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ (X-OR) как раз немногим выше двух вольт. Значит, этот резистор может быть подключен напрямую, то есть без дополнительных формирователей. [c.218]

В табл. 12.2, значения, полученные при измерении (см. табл. 12.1), сопоставлены с результатами моделирования ориганальной (см. рис. 11.1) и упрощенной схемы (см. рис. 11.2). Конечно, результаты анализа упрощенной схемы немного лучше, ведь в ней некоторые реальные компоненты были заменены идеальным источником напряжения 112 = 68 В. В целом же результаты моделирования и измерения совпадают. [c.254]

Во время моделирования всегда действительны только те атрибуты, которые относятся к проводимому в данный момент анализу. Однако даже тогда, когда вы не собираетесь проводить анализ переходных процессов, вы, тем не менее, должны задать какие-нибудь значения для его атрибутов, так как в противном случае программа PSPI E откажется проводить моделирование. Диаграмма напряжения источника VSIN строится по следующей функции [c.310]

Механизм моделирования программы SPI E имеет встроенные модели для следующих типов аналоговых компонентов резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, катушек трансформаторов с индуктивной связью, независимых и управляемых источников напряжения и тока, линий передачи с потерями и без таковых, переключателей, равномерно распределенных R линий, а также для пяти наиболее часто [c.231]

На функционально-логическом уровне необходим ряд положений, упрощающих модели устройств и тем самым позволяющих анализировать более сложные объекты по сравнению с объектами, анализируемыми на схемотехническом уровне. Часть используемых положений аналогична положениям, принимаемым для моделирования аналоговой РЭА. Во-первых, это положение о представлении состояний объектов с помощью однотипных фазовых переменных (обычно напряжений), называемых сигналами. Во-вторых, не учитывается влияние нагрузки на функционирование элементов-источников. В-третьих, принимается допущение об однонаправленности, т. е. о возможности передачи сигналов через элемент только в одном направлении — от входов к выходам. Дополнительно к этим положениям при моделировании цифровой РЭА принимается положение о дискретизации переменных, их значения могут принадлежать только заданному конечному множеству—алфавиту, например двоичному алфавиту 0,1 . [c.189]

Независимые источинки используются для моделирования постоянных воздействий на объект, например сила тяжести может быть отражена постоянным источником силы, напряжение нитаиия электронной схемы — источником типа разности потенциалов и т. д. [c.75]

Для оценки временных сварочных напряжений используют методы оптического моделирования. Образцы изготавливают из оптически активного материала (поликарбонат или эпоксидная смола) и нагревают. В процессе нагрева регистрируют (визуально или фотокиносъемкой) характерные картины светлых и темных полос, возникающих на поверхности пластины при облучении монохроматическим источником света. По этим картинам [c.419]

Блок-схема электромоделирующей установки для двухслойной стенки показана на рис. 11-11. Из блок-схемы следует, что для моделирования, помимо электромодели (ЭМ), используются стандартные блоки граничных сопротивлений (БГС), питания (БПЭ) и катодных повторителей (БКП). Остальные блоки СЭМУ универсальный источник питания (УИП), измерптельно-регистрирующее устройство (Н-105) и выпрямитель напряжения (ВСА-6М) — являются стандартными образцами промышленного производства. [c.381]

Блоки питания электромодели и катодных повторителей аналогичны рассмотренным в гл. М. Универсальный источник иитаиия, регистрирующее устройство, выпрямитель напряжения являются стандартными образцами промышленного производства. Техника моделирования аналогична ранее, рассмотренной. [c.409]

В ХПИ построена упрощенная модель для моделирования расходов рабочего тела в турбинах ХТГЗ им. С. М. Кирова, на которой производилось исследование распределения потоков пара в цилиндре высокого давления турбины К-300-240, состоящем из 11 ступеней. Блок-схема модели показана на рис. 108. В нее, кроме нелинейных элементов, компенсационных сопротивлений и источников Е для моделирования изменения реакции по высоте лопатки и насосно-эжекционного эффекта, входят линейные резисторы в цепях, моделирующих потоки в щелевых зазорах. Эти резисторы поставлены вместо нелинейных элементов, так как напряжения в рассматриваемых цепях, согласно предварительным расчетам, не выходят за пределы начальных (линейных) участков характеристик рассмотренных выше диодов. Следовательно, их применение в этих условиях теряет смысл. Модель же с применением линейных резисторов значительно упрощается. [c.230]

Перемножение двух переменных выполняется с помощью специальных нелинейных блоков, выполненных на диодных квадраторах. Одновременно могут быть использованы четыре нелинейных блока, включая блоки перемножения двух переменных. Дополнительно возможно моделирование неоднозначных и разрывных характеристик с помощью четырех диодных ячеек и источников регулируемых опорных напряжений. [c.98]

При моделировании МДП-транзисторов общепринятой эквивалентной схемой является схема на рис. 7 [22], [23], где Сз.и и Сз.с — емкости затвора на исток и сток, диоды Ди.п и Дс.п отображают наличие р—п-перехода в подложке, а и / с — сопротивления тела полупроводника между выводами истока и каналом и выводом стока и каналом. Различия в моделях МДП-транзисторов обусловливаются видом аппроксимирующих выражений для зависимости тока источника /<г от падений напряжения Мз.и и з.с на емкостях Сз.п и Сз.с и от падений напря- [c.63]

Данные, получаемые в результате анализа схемы в режиме малого сигнала, представляют собой частотные характеристики схемы, рассчитанные с использованием малосигнальных моделей элементов (рис. 4.6). Процесс моделирования начинается с расчета рабочих точек для определения режима по постоянному току, затем производится замена источников сигналов генераторами синусоидального сигнала с фиксированной амплитудой и, наконец, производится анализ в заданном частотном диапазоне. Искомые результаты обычно представляются в виде передаточной функции (например, коэффициент усиления по напряжению). [c.190]

Программа моделирования поддерживает стандартные SPI E модели линейных зависимых источников. Любой из этих источников имеет два входа и два выхода. Напряжение или ток на выходах описывается линейной функцией от напряжения или тока на входах и определяется коэффициентом усиления, проводимостью или сопротивлением источника. [c.226]

Источники питания цифровых компонентов и общий провод. Все цифровые компоненты, используемые программой моделирования, имеют скрытые выводы питания. Для серии микросхем 74хх (ТТЛ) это выводы V и GND, для серии 4000 (КМОП) - VDD и GND. Во время создания списка соединений все эти скрытые выводы автоматически соединяются между собой соответствующим образом, а подаваемые на них напряжения задаются в текстовых полях V и VDD в окне Analog Options. При необходимости эти напряжения можно изменить. [c.252]

Смотреть страницы где упоминается термин Моделирование источники напряжения : [c.59] [c.181] [c.217] [c.251] [c.229] [c.11] [c.145] [c.166] [c.203] [c.12] [c.97] [c.178] [c.228] [c.248] [c.256] [c.147] [c.73] [c.272] [c.358] [c.124]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...