Планарный элемент

Наконец, использование в качестве барьера нормального металла или полупроводника дает возможность изготовить так называемые планарные элементы (рис. 22.18 в), в которых на подложку из полупроводника напыляется пленка из сверхпроводника с очень узкой щелью. При этом подложка служит барьером. В планарных элементах легче проконтролировать свойства материала барьера это может быть обычный массивный моно-кристаллический образец с определенным легированием (если речь идет о полупроводнике). [c.484]

П. л. отличаются от др. линий передачи малыми габаритами и простотой изготовления допускают применение планарной технологии (напыление, фотолитография и т. п.), поэтому удобны для создания ИС как в качестве линий передачи эл.-магн. энергии, так и в качестве элементов СВЧ-устройств (резонаторов, фильтров, линий задержки, направленных ответвителей и др,). [c.29]

Электроизоляционные неорганические пленки применяются не только как диэлектрик пленочных конденсаторов, но и как разделительная изоляция в пленочных активных приборах, например в планарных триодах, и изоляция соединений элементов в интегральных схемах. В активных приборах изоляция должна обеспечивать малые токи утечки и низкий tg б в криогенных приборах, кроме того, необходимо сохранение этих свойств в широком интервале температур от комнатной до температуры жидкого гелия. Изоляция соединений должна обладать малой емкостью с тем, чтобы уменьшить паразитные емкости. Во всех [c.262]

Принципиально важно, что все типы деформационных дефектов в кристаллах являются не просто нарушением периодичности структуры исходного кристалла, а, по существу, элементами других структур. Так, расщепленные дислокации в ГЦК кристаллах представляют собой элементы ГПУ структуры, ограниченные частичными дислокациями, а протяженные дефекты упаковки и двойники в ГЦК кристаллах с низкой энергией дефекта упаковки — планарные ГПУ структуры на плотноупакованных плоскостях. В кристаллах вблизи температур структурных превращений деформация осуществляется путем образования мартенситных ламелей как структур другой фазы. Если кристалл испытывает структурный фазовый переход, его деформация происходит в режиме сверхпластичности. [c.40]

Последующее пластическое течение является сугубо релаксационным процессом, который стремится вывести локальное сильное возбуждение из объема деформируемого кристалла, использовав все возможные каналы структурной перестройки кристаллической решетки. Поскольку она наиболее легко происходит в плотноупакованных плоскостях, элементы новой структуры движутся анизотропно, вызывая локализацию пластического сдвига и возникновение планарной гексагональной фазы [21]. Ее дальнейшая эволюция определяет законы пластического течения кристалла, которое является по своей природе вихревым [23]. [c.41]

Таким путем легко моделировать специальные системы электродов, используемых в электронной и ионной оптике. Например, планарное поле может быть просто смоделировано в мелкой электролитической ванне с изолирующим дном. Короткие электроды, расположенные перпендикулярно обеим поверхностям, отобразятся бесконечное число раз в обеих поверхностях, таким образом, создавая модель бесконечно длинной системы. Аналогично аксиально-симметричная система может быть моделирована клинообразной электролитической ванной. Линия пересечения наклонного дна и поверхности электролита образует ось симметрии. В этом случае в электролите можно использовать простые электроды в форме секторов. Они будут автоматически продолжены двумя поверхностями и сформируют тело вращения. Периодические поля можно моделировать, помещая один элемент в электролит и используя отображающие свойства поверхностей. К сожалению, преимущество использования стенок электролитической ванны как отображающих поверхностей превращается в недостаток, когда моделируется единичная открытая система в этом случае поверхности являются существенным фактором, возмущающим распределение поля. Возмущения, вызванные стенками, могут быть существенно уменьшены, если материалом стенок является специально подобранный для этих целей полупроводник. [c.134]

В конструкции соединительного монтажа печатных плат выделяют следующие основные элементы токопроводящий рисунок наружных поверхностей печатной платы (внешних слоев) и внутренних слоев проводимости, межслойные переходы, сквозные отверстия и иногда навесные токопроводящие шины. Рисунок токопроводящих слоев печатных плат состоит из контактных площадок и печатных проводников различной ширины. Различают планарные контактные площадки прямоугольной формы для монтажа планарных выводов элементов и контактные площадки металлизированных сквозных отверстий для монтажа жестких штыревых выводов элементов. Печатные проводники предназначены либо для электрического соединения элементов согласно электрической схеме соединений ячейки (имеют нерегулярную структуру и проектируются индивидуально), либо для разводки на плате цепей специального назначения — заземления, питания и др. (являются стандартными для плат определенного типоразмера и часто имеют регулярную структуру). В многослойных печатных платах цепи заземления и питания обычно размещаются в одном (внутреннем) слое и подключаются к контактным площадкам путем соединения с соответствующими металлизированными [c.177]

Для формирования требуемой конфигурации отд. планарных элементов и составленных из пих оптич. интегральных узлов применяется гл. обр. фотолитография. Для создания монолитных схем И. о. используются полупроводниковые соединения АШВ и твёрдые растворы на их основе. Монокристаллы диэлектриков, так же как н иыобат и танталат лития,. широко используются для ИЗГОТОИЛОШ1Я ра.эл. типов интегрально-оптических модуляторов, дефлетсторов, переключателей, акустооптич. устройств обработки информации и т. д. [c.154]

Пиппардовские сверхпроводники 308 Планарный элемент 484 Плотность состояний 33 Поверхностная сверхпроводимость 374 [c.519]

Определяет прямоугольную, планарную клемму навесного элемента на 1-м слое платы, предназначенную для использования в конструкторской документации с размерами 10X5 мм и координатами левого нижнего угла—5.0,—2,5 мм относительно базовой точки. [c.133]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

Последовательность операций по изготовлению полупроводниковых ИС определяется двумя методами 1) созданием транзисторных структур (на их базе выполняются остальные элементы микросхем) по планарно-апитаксиальной технологии 2) изоляцией элементов в полупроводяиковой ИС. Основной метод изоляции элементов — с помощью обратяосмещенных PN-переходов — осуществляется диффузней в эпитаксиальном слое. [c.93]

К другим элементам, обычно входящим в состав аустенитных нержавеющих сталей, относятся Мп (1—2 %), С (0,03—0,25%), N (0,02—0,30%) и 51 (1—3%), Р (часто присутствует как загрязняющая примесь). Влияние марганца на стойкость аустенитных сталей против КР может быть различным. Наименее сомнительные эксперименты [66] не показали никакого эффекта. [81], но за пределами обычного диапазона 1—2% наблюдались случаи как положительного, так и отрицательного влияния марганца [66, 68, 69, 82]. Есть данные о том, что при испытаниях во влажных условиях концентрации марганца >3% снижают стойкость против КР [83]. Эксперименты в газообразном водороде при еще более высоком содержании марганца в стали показали явный отрицательный эффект [39, 84]. Добавки марганца, часто предназначенные для замещения никеля, вводятся с целью повышения растворимости азота и, следовательно, потенциальной упрочняемости сплава. Поэтому наблюдаемые эффекты могут быть отчасти связаны с усилением планарности скольжения, вызываемым азотом, как будет показано ниже. Кроме того, марганец повышает ЭДУ в меньшей степени, чем никель. Очевидно, необходимы дополнительные исследования влияния марганца на стойкость аустенитных сталей против как КР, так и водородного охрупчивания. [c.70]

Фосфор, по имеющимся данным [66, 69, 78, 82, 87], оказывает на стойкость против КР примерно такое же влияние, как азот (оба элементы V группы). В частности, фосфор увеличивает планарность скольжения, не изменяя значения ЭДУ [78]. Синергизм фосфора и азота проявляется, по-видимому, и в том, что влияние фосфора на стойкость против КР в хлоридной среде становилось [c.71]

Возможные причины корреляции планарности скольжения и склонности сплавов к КР и водородному охрупчиванию будут рассмотрены в следующем разделе, однако, каким бы ни было объ яснение, ее существование выражает определенный фундаментальный аспект взаимодействия материалов со средой. Любая модель — индуцированного водородом охрупчивания или КР, которая не может объяснить важность планарного скольжения как главного элемента поведения, является весьма неполной. В то же время, следует учитывать, что планарность скольжения не является достаточным условием разрущения под воздействием среды, особенно при КР [66, 80, 94, 99]. Необходимо четко выделять и принимать во внимание и другие металлургические, а также электрохимические факторы. [c.121]

Применение таких структур (модулей), помимо значительного упрощения монтажа и сокращения числа контактов на полупроводнике (что повышает стабильность во времени), снижает погрешность от упругих несовершенств материала упругого элемента датчика силы. Использование этих модулей дает примерно такой же эффект миниатюризации, как применение планарных интегральных тенэомостов. [c.366]

Технология микроэлектроники и системы автоматизированного нроектирования (САПР). Технол, ограничения в М. определяются возможностями планарной технологии — послойного синтеза структуры твердотельного устройства с помощью многократно повторяющихся (до 10—16 раз с развитием М, это число возрастает) групп операций, причём каждая группа формирует на поверхности подложки двумерный рисунок и преобразует его в объёмную внутр. геометрию ИС, а погрешность совмещения каждого последующего рисунка с предыдущими 0. При проектировании конечная структура представляется в виде совокупности плоских картин (напр., в виде шаблонов). Это осуществляется с помощью САПР. Спец, компьютерные программы САПР основаны на функциональном и электрич. моделировании ИС и содержат библиотеки стандартных элементов , из к-рых формируется ИС, оптимизируются геометрия её внутр. связей, проверка её устойчивости к помехам и т, д. Наиб, совершенные САПР обеспечивают также оптимизацию внутр. структуры новых поколений ИС. САПР новых поколений ИС основаны на наиб, мощных ЭВМ предыдущих поколений. Принцип послойного синтеза определяет границы М., в частности степень связности рисунка ИС при данном N. Системные ограничения планарных структур (быстродействие и мощность, степень связности и степень интеграции и т. д.) связаны предельными соотношениями. Теоретич, предел N 10 для ИС на целой полуцроводниковой пластине с диам. 200—250 мм. [c.153]

В 80—90-х гг. О. с. широко применяются для устройств передачи информации (см. Оптическая связь. Волоконная оптика, Интегральная оптика). Элементы таких систем — волоконные световоды, планарные и канальные волноводы, градиентные фокусирующие элементы (селфок, градан) — изготовляются из спец, сортов О. с., В Т. ч. особо прозрачных (см. Оптика неоднородные сред). При этом оптич. элементы формируют не механич. обработкой, а вытягиванием из размягчённого состояния и разл. видами физ.-хим. воздействий твердотельной диффузией, ионным обменом в растворах и расплавах, осаждением из газообразной фазы, градиентной термообработкой и т. д. Отечеств, промышленность производит ОК. 300 марок О. с., что отвечает номенклатуре передовых стран мира. [c.460]

Для изучения топографии поверхности пленок и изломов рекомендуется применять сканирующий электронный микроскоп и атомно-силовой микроскоп. Планарные металлопроводящие наноструктуры типа приведенной на рис. 2.9 изготавливают и исследуют с помощью сканирующего туннельного микроскопа, который, с одной стороны, за счет приложенного потенциала позволяет вырывать и переносить атомы из одного места в другое, а, с другой стороны, используя характеристики туннельного тока, можно идентифицировать атомы разных элементов. [c.25]

В материаловедении для описания элементов микроструктуры традиционно используется евклидова размерность d, которая может принимать четыре значения d = 0 для точечных дефектов (вакансии, межузельные атомы) d = для линейных дефектов (дислокации) d = 3 для планарных дефектов (двойники, границы зерен и т.п.) и d = 3 для трехмерных образований в объеме образца. Евликдовы размерности могут служить характеристиками симметричных микроструктур, которые не часто образуются даже в материалах, получаемых в квазиравновесных условиях. [c.7]

Из последних соотношений видио, что источниками дефектов трансляционного а и новоротного 0. типов внутри структурного элемента являются соответствующие дефекты в макроконтинууме, т. е. планарные дефекты. Если положить, что плотность макро-и микродефектов определяется микродефектами внутри элемента, то тензоры а и tti, а также 0 и 0i в соотногнениях (11) и (,12) можно отождествить. Кроме того, из этих соотношений вытекает повороты структурных элементов как целого являются источниками дефектов трансляционного типа внутри элемента. [c.154]

Гальперина — Нельсона, для которой характерны отсутствие дальнего трансляционного порядка и сохранение только ориентационного порядка. При наличии внешних возмугцеиий планарный слой дислокационной ншдкостн не может сохранять устойчивое ламинарное движение. Во-вторых, развитие планарного сдвига в элементе объема кристалла вызывает действие на этот элемент со стороны окрун ения поворотного момента [170]. Иначе говоря, любой сдвиг в кристалле происходит при одновременном воздействии возмущающего поля новоротных моментов, обусловленного граничными условиями. Оба эти фактора делают неустойчивым ламинарное течение кристалла и вызывают вихрбвой характер движения дислокационной ншдкости (бифуркации стационарного ламинарного течения). Как следствие, в деформируемом кристалле возникают пространственно-временные диссипативные структуры, описываемые нелинейными кинетическими уравнениями. [c.212]

Понятие структурио-неоднородной среды предполагает наличие структурных элементов различного линейного размера I, движением которых осуществляется деформация. Движение дислокаций связано с согласованным перемещением групп атомов. Хорошо известно, что при больших степенях деформации происходят повороты и перемещения фрагментов и зерен друг относительно друга. Движение структурных элементов (одного линейного размера I) можно описать движением дефектов, явно присутствующих в материале. Движение фрагментов описывают с помощью частичных деклинаций, а зерен — с помощью планарных дефектов. Структурные элементы определенного линейного размера I (структурные уровни масштаба [c.212]

Из (13) следует, что макроисточниками дислокаций внутри малых структурных элементов являются поворотные. части планарных дефектов, так как <0> = Т Ецгз]]. [c.215]

Характеристики режекториого фильтра на СПЛ с планарно расположенными полосками, управляемого варикапами, изображены на рис. 4.12. Конструкция СПЛ была такая ширина полосок о)=3,2 мм, зазор между линиями s=0,l мм, материал ФЛАН-5 толщиной 2 мм. В качестве регулирующего элемента использовался варикап с коэффициентом регулиро- [c.101]

В технике СВЧ используются диэлектрические материалы различного типа полимеры, слоистые пластики, ситаллы, ерамика, монокристаллы. Диапазон технического применения этих материалов весьма широ,к. В настоящем параграфе, однако, рассматриваются только такие диэлектрики, которые существенно уменьшают габариты СВЧ-электронных схем, т. е. диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью (е>30). Эффект миниатюризации основан на гом, что длина электромагнитной волны в диэлектрике сокращается в j/ е раз, при этом планарные размеры микросхемы СВЧ уменьшаются соответственио в Е раз. Диэлектрики с высокой проницаемостью применяются в технике СВЧ в качестве диэлектрических резонаторов, подложек микросхем, фильтровых конденсаторов, нелинейных и управляющих элементов и др. Очевидно, такие диэлектрики во много.м определяют развитие СВЧ-микроэлектроники [31]. [c.88]

Резюмируя, можно полностью согласиться с утверждением [96], что интегрально-оптические корреляторы с временным интегрированием могут быть успешно применены для корреляционной обработки достаточно широкополосных сигналов с длительностью от единиц до сотен миллисекунд, широко используемых в локации, связи, телевидении, научном приборостроении. Оптимальной является обработка потока сигналов при объединении функциональных элементов процесса на одной подложке. Примером осуществимости технологии может служить работа [103], в которой описан широкополосный брэгговский дефлектор, использующий оптические волноводы на кремниевой подложке. Понятно, что использованные технологические приемы разрешают создание и более сложного по архитектуре планарного акустооптического процессора. Схема устройства приведена на рис. 7.10. Как видно из рисунка, брэгговская ячейка сформирована из четырех слоев (SiOg, 51зЫ4, SiOg, ZnO), последовательно наращенных на кремниевую подложку. В качестве волновода используется слой нитрида кремния, в [c.228]

Простой перенос процессов планарной технологии полупроводников на производство изделий диэлектроники, очевидно, невозможен необходима адаптация к конкретным рабочим телам и вариантам конструктивного оформления элементов диэлектрических специализированных устройств. Из технологий, получивших к настоящему времени наибольшее применение, для производства элементов акусто- и электрооптики наиболее близки методы массового производства СБИС и микропроцессоров. [c.252]

На этом принципе построек пьезорезистивный полупроводниковый акселерометр (рис. 5.11). Чувствительным элементом является германиевый планарный транзистор. Инерционная масса (т) опи- [c.227]

Оптическим осевым контуром кольцевого резонатора называется луч, который пройдя через все оптические элементы резонатора, замыкается сам па себя. Существуют кольцевые резонаторы как с плоским оптическим осевым контуром (планарные резонаторы), так и с неплоским оптическим осевым контуром (неиланарные резонаторы). Теория непланарных резонаторов существенно сложнее и менее развита, чем теория планарных резонаторов, хотя их свойства с практической точки зрения очень привлекательны. [c.104]

Если резонатор планарный, т. е. оптический осевой контур лежит в одной плоскости, то моды такого резонатора описываются астигматичным эрмит-гауссовым пучком с двумя плоскостями симметрии, причем одна из этих плоскостей совпадает с плоскостью осевого контура. Для расчета собственных колебаний таких кольцевых резонаторов удобно пользоваться матричным методом, описанным в 1.11. При этом 4 X 4-матрицы, описывающие оптические элементы резонатора, из-за наличия у него плоскости симметрии, распадаются на два блока 2 X 2-матриц, один из которых описывает оптический элемент в плоскости симметрии, а второй в перпендикулярной плоскости. В табл. 1.2 приведены 2 х 2-матрицы, описывающие простейшие оптические элементы, из которых, как правило, и составляются лазерные резонаторы. [c.106]

Все типы деформационных дефектов в кристаллах являются не просто нарушением периодичности структуры исходного кристалла, а представляют собой элементы других структур. Так, расщепленные дислокации в ГЦК-крист аллах есть элементы ГПУ-структуры, ограниченные частичными дислокациями, а протяженные дефекты упаковки и двойники в ГЦК-кристаллах с низкой энергией дефекта упаковки — планарные ГПУ-структуры на плот-ноупакованных плоскостях. В [8] убедительно показано, что и в ОЦК-кристаллах дислокации расщеплены и, следовательно, также являются фрагментами других структур. В кристаллах вблизи температур структурных превращений деформация осуществляется [c.7]

Элементы, устанавливаемые на печатных платах, различаются габаритами, числом и типом выводов, их расположением. Элементы могут иметь корпуса различных конструкций или бескор-пусное исполнение. Корпуса бывают с плоскими (планарными) или штыревыми выводами. Минимальное расстояние между выводами, как правило, постоянно. Наиболее распространен шаг расположения выводов, равный 1,25 мм для планарных и 2,5 мм для штыревых. К элементам относятся также соединители для подключения внешних цепей к электрической схеме печатной платы. Соединители размещаются у краев печатных плат и содержат планарные или сквозные контактные площадки, к которым припаиваются металлические лепестки, соединенные с контактами вилки разъема, устанавливаемого на печатной плате. [c.177]

Алгоритмы размещения элементов, учитывающие последующую однослойную реализацию соединений, включают исследование возможности расположения соединений на плоскости без пересечений. Эта задача связана с анализом планарности модели схемы соединений, выделением максимальной планарной части схемы, формированием плоской укладки соединений модели схемы с по- [c.184]

Топологическая модель применяется при выполнении планаризации схемы. Особенностью топологических моделей является представление электрических цепей графом типа звезда , в котором вершины соответствуют данной цепи и связанным с ней выродам, а ребра — соединениям (сигнальные ребра) (рис. 7.25, а, б). Элементы представляются графами, в которых вершины соответствуют элементу и его выводам (рис. 7.26, а), а ребра отражают взаимосвязи между элементом и выводами (структурные ребра) (рис. 7.26, б). Структурные ребра между выводами элемента отражают порядок следования выводов элемента. Возможны и другие представления элемента, например только совокупностью его выводов (рис. 7.26, б). Чтобы отразить возможность проведения соединения на площади элемента, вводятся фиктивные (структурные) вершины ь/ и иг на рис. 7.26, в). Плана-ризация топологической модели схемы проводится с помощью хорошо отработанных алгоритмов планаризации графов [1]. В случае непланарности определяется минимальное число ребер, при удалении которых модель становится планарной. [c.184]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...