Переход межслойный

В данном разделе описана разработка приближенной модели для анализа напряжений в слоистых телах, которая разрешает осложнения, порождаемые ранее созданными теориями, основанными на каких-либо предположениях относительно вида полей перемещения. Данная модель создана на основе вариационного принципа Рейсснера в предположении, что напряжения в плоскости в пределах каждого слоя являются линейными функциями координаты z по толщине. Хотя наличие ВЛ уравнений поля и ТЛ условий на кромках, возможно, чрезвычайно усложнит решение конкретных задач, этот уровень анализа может потребоваться для расчета реалистических полей глобальных напряжений. Данная модель гарантирует выполнение условия равновесия слоя и допускает задание комбинаций межслойных напряжений и перемещений, необходимых для формулировки таких условий, как непрерывность при переходе через поверхность раздела и трещины. [c.65]

При применении микросхем в плоских прямоугольных корпусах наиболее оптимальной является конструкция узлов, использующих многослойные печатные платы типа гребенка со сварными межслойными переходами. [c.710]

Прямой электрической связи между внутренними слоями нет. Связь внутренних слоев осуществляется через переходы со второго на первый, с первого на четвертый и с четвертого на третий, что требует дополнительного места на плате и ограничивает плотность монтажа. При изготовлении МПП этим методом необходимо следить за тем, чтобы все металлизированные отверстия были заполнены смолой после прессования, так как в противном случае при травлении фольги с пробельных мест на наружных слоях могут разрушиться межслойные соединения. Избыток смолы на поверхности фольги также недопустим. Недостатком этого способа является малое число слоев. [c.535]

Дело в том, что несущая способность тонкостенных конструкций, работающих на устойчивость, из-за относительно низкой жесткости стеклопластиков часто исчерпывается задолго до достижения напряжениями предельных значений. При переходе к более толстостенным конструкциям все сильнее начинают проявляться такие отрицательные особенности (неизбежные при традиционных схемах армирования ровницей или тканью), как слабое сопротивление межслойному сдвигу и поперечному отрыву. Поэтому и в более толстостенных конструкциях не удается полностью использовать потенциальные возможности волокнистых композитов в направлении армирования. Необходимо также иметь в виду чувствительность композитов [c.9]

В устранении отмеченных недостатков волокнистых композитов наметились две основные тенденции — переход на высокомодульные волокна и поиски пространственных схем армирования с целью создания межслойных связей . Наиболее распространенными высокомодульными волокнами являются волокна бора и угля [101 ]. [c.10]

Полученный эскиз топологии отображается на ДРП, учитывающем реальные метрические параметры БИС. Такому дискретному рабочему полю соответствует более мелкая координатная сетка, размер дискрета /г==/т+ р. где 1т — ширина трассы сигнального соединения минимальной ширины /р — минимальное расстояние между двумя сигнальными соединениями. Элементы топологии БИС отображаются на реальное ДРП следующим образом каждый дискрет рабочего поля может быть пустым, занятым ячейкой, выходной контактной площадкой, межслойным переходом или соединением. [c.164]

Двухслойные печатные платы изготавливаются из одной диэлектрической пластины, на обеих поверхностях которой располагаются печатные проводники. Электрическая связь между проводниками одной цепи, лежащими на разных сторонах платы, осуществляется посредством сквозных отверстий (межслойных переходов), расположенных в местах пересечения проводников (рис. [c.177]

В конструкции соединительного монтажа печатных плат выделяют следующие основные элементы токопроводящий рисунок наружных поверхностей печатной платы (внешних слоев) и внутренних слоев проводимости, межслойные переходы, сквозные отверстия и иногда навесные токопроводящие шины. Рисунок токопроводящих слоев печатных плат состоит из контактных площадок и печатных проводников различной ширины. Различают планарные контактные площадки прямоугольной формы для монтажа планарных выводов элементов и контактные площадки металлизированных сквозных отверстий для монтажа жестких штыревых выводов элементов. Печатные проводники предназначены либо для электрического соединения элементов согласно электрической схеме соединений ячейки (имеют нерегулярную структуру и проектируются индивидуально), либо для разводки на плате цепей специального назначения — заземления, питания и др. (являются стандартными для плат определенного типоразмера и часто имеют регулярную структуру). В многослойных печатных платах цепи заземления и питания обычно размещаются в одном (внутреннем) слое и подключаются к контактным площадкам путем соединения с соответствующими металлизированными [c.177]

Другие показатели качества размещения микросхем на многослойных платах —число относительно длинных проводников, межслойных переходов, максимально возможные наводки и отражения в трассах межэлементных связей. [c.189]

На рис. 3.11 показана структура МПП, для которой будут разработаны металлизированные отверстия. У этой платы первый и восьмой слои наружные, четвертый и пятый слои — экранные (земля и питание) и две пары функциональных слоев 2—3 и 6—7, которые имеют внутренние межслойные переходы. [c.78]

Плату изготовить методом металлизации сквозных отверстий с межслойны-ми переходами. [c.339]

Заключение. ЭПР нашёл широкое применение в разл. областях физики, химии, геологии, биологии, медицине. Интенсивно используется для изучения поверхности твёрдых тел, фазовых переходов, неупорядоченных систем. В физике полупроводников с помощью ЭПР исследуются мелкие и глубокие точечные примесные центры, свободные носители заряда, носитель-примесные пары и комплексы, радиац. де( кты, дислокации, структурные дефекты, дефекты аморфизации, межслойные образования (типа границ Si — S1O2), изучаются носитель-примесное взаимодействие, процессы рекомбинации, фотопроводимость и др. явления. [c.581]

Мощность диссипации, приходящаяся на единицу поверхносга разрыва вектора скорости, равна произведению скачка вектора скорости АУ на напряжение пластического сдвига Тт деформируемой среды. Более подробно это рассмотршо в п.1.4.4 при анализе мощности, рассеиваемой на межслойной границе, на которой происходиг скачкообразное изм юше скорости при переходе от одного слоя к другому в процессе движения композитного тела. Таким образом, предположение о существовании поверхностей разрыва вектора скорости позволяет задачу о поиске непрерывного похкя скоростей свести к построению кинематически возможного разрывного поля скоростей. [c.212]

Идея испытания на расслоение у кромки зародилась у Пэйгано и Пайпса [38], которые предложили для определения межслойной прочности применять многонаправленный слоистый композит, нагружаемый растяжением. Последовательность укладки слоев выбиралась так, чтобы основной причиной расслоения у свободной кромки было межслойное растяжение. В работе [37] 3ja методика была распространена на исследование начала и развития расслоения в графито-эпоксидных слоистых композитах ( 302/90°/90°, подвергнутых одноосному растяжению. Для расчета скорости высвобождения энергии деформирования было использовано уравнение (73). В обеих работах образцы не имели инициирующих трещин. Поэтому рост трещин от кромок не был ни однородным, ни симметричным. Кромочная трещина не оставалась в срединной плоскости, а переходила с нее на поверхность раздела 90°/-30° и обратно, что приводило скорее к смешанному типу раэрушения, чем к чистому расслоению типа I. В работе [37] для разделения вкладов механизмов типов I и II был применен метод конечных элементов. [c.241]

При втором способе изготовления МПП методом послойного наращивания столбик для соединения первого и второго слоев образуется гальваническим наращиванием меди начиная от фольги через перфорированное отверстие в стеклоткани до верхней границы ее и даже несколько выше. При этом важен контроль состояния поверхности контактных выступов. Не допускается вытекание лака или клея (в процессе пресования) на поверхность контактных переходов — столбиков, так как, во-первых, это уменьшает площадь контактирования и, во-вторых, приводит к плохому качеству гальванического осадка меди. Метод послойного наращивания обеспечивает надежные межслойные соединения, однако весьма трудоемок, дорог и длителен из-за невозможности проведения параллельных технологических операций. [c.536]

При трассировке в одном слое в основном располагаются горизонтальные отрезки цепей, проложенные параллельно межрядным каналам, в другом слое — вертикальные отрезки и имеется возможность введения межслойных переходов. Отдельные вертикальные отрезки цепей допускается проводить между ячейками и через поле ячейки. Из-за большой размерности задач размещения и трассировки синтез топологии проводят последовательно, обраба- [c.156]

Алгоритмы трассировки и сжатия рисунка топологии используют модель рабочего поля кристалла в виде регулярной сетки, называемой дискретным рабочим полем (ДРП). Это поле состоит из множества (МхУ.Му) дискретов, имеющих форму квадратов со стороной /г, где iVл = ntieг Л//г , Му=тиет В/к — количество дискретов по оси X и У соответственно. Размеры дискретов определяются заданной плотностью расположения контактов и соединений. Эскизная трассировка выполняется в укрупненном ДРП, размеры дискретов равны размеру максимального межслойного перехода либо трассы максимальной ширины. Предполагаются следующие допущения все трассы имеют одинаковую ширину размеры межслойных переходов совпадают с шириной трасс меж-слойные переходы применяются во всех местах изменения направления трасс ширина каналов допускает проведение требуемого количества трасс. В этих условиях эскиз топологии можно быстро и легко получить с помощью рассмотренных выше методов линейного размещения и канальной трассировки. [c.164]

Перетрассировка выполняется для уменьшения суммарной длины соединений и числа межслойных переходов после эскизной трассировки. Она проводится на реальном ДРП отдельно для каждой электрической цепи БИС, т. е. информа1и1я о трассах одной цепи (путевые координаты, ширина и др.) стирается с ДРП и делается попытка провести трассу этой цепи повторно по более короткому пути с меньшим числом поворотов и межслойных переходов. При этом применяется волновой алгоритм, перетрассировка выполняется последовательно для всех цепей. [c.165]

После перетрассировки осуществляется сжатие рисунка топологии к его центру. Основные процедуры сжатия топологии деформация трасс, сдвиг ячеек и межслойного перехода. Применяются четыре направления сжатия вниз, вверх, вправо, влево. Сжатие строится так, что оно происходит только вниз, для других направлений рисунок топологии поворачивается на соответствующий угол ЙХ90°, к=, [c.165]

Проектирование топологии матричных БИС сводится к решению следующих задач оптимального размещения макроячеек в базовом кристалле БИС полной трассировки межсоединений макроячеек согласно принципиальной схеме матричной БИС. В качестве критерия оптимизации можно использовать минимум суммарной длины электрических соединений макроячеек. Этот критерий отражает основные схемотехнические характеристики БИС (быстродействие, рассеиваемую мощность, паразитные наводки и др.), создает лучшие условия для трассировки соединений, приводит к меньшему количеству межслойных переходов. [c.167]

Алгоритм трассировки по магистралям или поиска малоповоротных путей осуществляет соединения путем исследования пространства магистралей, а не свободных ячеек дискретного рабочего поля. Для двухслойных БИС с ортогональной системой соединений этот алгоритм приводит к минимальному количеству межслойных переходов, так как минимизирует число поворотов цепи. Рассмотрим проведение соединения между точками А и В (рис. 7.18, а...б). Из точек Л и S построим лучи в горизонтальном и вертикальном направлениях, используя лишь свободные ячейки дискретного рабочего поля. Эти лучи называются магистралями первого уровня 1 и обозначаются Мм и Мв. В простейшем случае при пересечении магистралей получается искомое соединение (рис. 7.18, а). Для соединения этих же точек волновым алгоритмом необходимо просмотреть все ячейки дискретного рабочего поля, причем трасса может иметь много поворотов (пунктирная линия на рис. 7.18, а). Если магистрали Ма и Мв не пересекаются, строятся магистрали второго уровня. Они перпендикулярны магистралям первого уровня и проложены через точки, называемые базовыми и расположенные в узлах основной сетки (рис. [c.172]

Переход на другие фазовые кривые в окрестности % в одну или другую сторону (это соответствует незначительным изменениям начальных координат вихрей, при которых остается неизменным суммарный момент системы) приводит к тому, что соответствующие периферийные точки перестают быть неподвижными, и, в результате, вихри нижнего слоя, совершая осцилляции, начинают перемещаться в циклоническом либо антициклоническом направлениях — соответственно рис. 13а и 13с. Ясно, что в первом из этих случаев взаимодействие вихрей в основном имеет внутрислойный характер, а во втором — межслойный. [c.572]

Помимо волнового алгоритма и его модификаций в САПР печатных плат используют алгоритмы, основанные на методе прокладки каналов. В его основе лежит идея разбиения графа схемы на несколько плоских субграфов с переходами между слоями не только по вершинам графа, но и с помощью введения дополнительных вершин, соответствующих переходным отверстиям платы. Для каждой рассматриваемой трассы предполагается построение такого рабочего поля, что время нахождения пути между двумя вершинами не зависит от расстояния между ними. Трассы и координаты возможного расположения вершин графа и дополнительно введенных вершин представляют собой регулярную структуру. Па одном слое эта структура является системой горизонтальных, на другом — вертикальных линий, по которым прокладываются проводники и вводятся переходные отверстия. При трассировке каждой паре координат решетки для возможной установки вершины ставится в соответствие вертикальный и горизонтальный каналы, по которым могут проходить трассы возможных соединений вершин графа схемы. Каналы характеризуются числом параллельных ребер (магистралей) и числом возможных межслойных переходов в сечении канала. Каждый канал характеризуется координатой, пропускной способностью, максимальным числом магистралей, которые можно проложить в слое, а также загрузкой канала, под которой понимается число трасс, проложенных в канале. [c.208]

При отсутствии меясслойных переходов При наличии межслойных переходов Применение [c.127]

Если отверстие должно соединять только некоторую часть слоев МПП, например выполнять функции внутренних межслойных переходов, то в окне Hole [c.83]

Установите стиль (размер) переходного отверстия. Очевидно, что это требуется для плат, в которых предполагаются межслойные переходы. Если вы заранее не создадите стиль переходного отверстия, то при переходе со слоя на слой программа автоматически установит переходное отверстие с параметрами по умолчанию . Это отверстие имеет диаметр 0,457 мм и контактную площадку 1,016 мм. Реализация такого переходного отверстия в отечественных условиях проблематична. Разработка собственного переходного отверстия осуществляется в диалоге Options Via Style (Установка стиля [c.249]

Все, что было рассказано выше, относится к проводникам одной ширины, прокладываемым по одному слою. Если цепь должна переходить со слоя на слой, то, не прекращая трассировку, в узловых точках, где вы считаете возможным разместить переходное (межслойное) отверстие, нажмите на клавишу L , в этом месте появится переходное отверстие, и проводник будет трассироваться дальше на другом слое. Таким же образом можно трассу вернуть на прежний слой. Для многослойных плат щелчки по клавише Ь> будут последовательно переключать все установленные слои платы. Трасса будет продолжена на выбранном слое. [c.251]

Затем щелкните по кнопке Add (Добавить), и в окне Output File (Файл данных) появится строчка с именем созданного файла. Не закрывая данный диалог, вы можете создать (подготовить) другие файлы сверления, отличные от первого. Для двухслойной платы это могут быть два файла для металлизированных отверстий и другой файл для крепежных отверстий, а для МПП могут быть еще дополнительные файлы для внутренних межслойных переходов. [c.359]

Программа выполняет размещение элементов, ориентируясь только на допустимые зазоры между соседними элементами, используя бессеточную технологию, точнее, по умолчанию, размещение выполняется по сетке 0,01 мм, но вы можете установить индивидуальные сетки для размещения элементов, прокладки проводников и выполнения межслойных переходов. Причем для варианта размещения элементов вы можете устанавливать различные сетки для разных категорий элементов и даже для конкретных элементов. [c.490]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...