Танталат лития

Связанное с рассмотренным эффектом искажение сверхкороткого импульса наблюдалось в [47] для импульса дальнего ИК диапазона с длительностью, близкой к периоду несущей частоты. Такой импульс возбуждался за счет черепковского излучения видимого сверхкороткого импульса в кристалле танталата лития. Краткое описание эксперимента по черепковской генерации импульса и методики измерения его длительности изложены в 3.5. Угол падения ницу раздела сред составлял 21 [c.51]

В [70] сообщается об экспериментах по возбуждению и зондированию когерентных поляритонов в кристалле танталата лития с помощью фемтосекундных импульсов. Длительность импульсов равнялась 50 фс. Это позволило зарегистрировать форму поляритонных колебаний. [c.158]

Пьезокерамика Танталат лития Ниобат лития [c.137]

Значительным пироэффектом обладают некоторые сегнетоэлект-рические кристаллы, к числу которых относятся ниобат бария-стронция, триглицинсульфат — ТГС, ниобат и танталат лития. Пироэлектрический эффект проявляется также в поляризованной, т. е. подвергнутой действию постоянного электрического поля, сег-нетокерамике, а также у некоторых полимеров, например у поляризованных поливинилденфторида и поливинилиденхлорида. [c.246]

Другим видом изучаемых оптических материалов являются кристаллы двойного лучепреломления, имеющие различные показатели преломления для ортогонально-поляризованных волн, а показатель преломления, как известно, зависит от температуры. У некоторых веществ, например у танталата лития (LiTa), изменение температуры вызывает значительное изменение величины показателя преломления. [c.127]

Для формирования требуемой конфигурации отд. планарных элементов и составленных из пих оптич. интегральных узлов применяется гл. обр. фотолитография. Для создания монолитных схем И. о. используются полупроводниковые соединения АШВ и твёрдые растворы на их основе. Монокристаллы диэлектриков, так же как н иыобат и танталат лития,. широко используются для ИЗГОТОИЛОШ1Я ра.эл. типов интегрально-оптических модуляторов, дефлетсторов, переключателей, акустооптич. устройств обработки информации и т. д. [c.154]

Кристаллы ниобата лития, танталата лития, германа-та свинца применяются в УЗ-технике в области СВЧ-днапазона (вплоть до ГГц) и в акустоэлектронике благодаря чрезвычайно малому затуханию в них акустич. волн, как объёмных и сдвиговых, так и поверхностных. [c.191]

В микроэлектронике С. пока не нашли столь обширных применений, как полупроводники, поскольку электронные устройства на С. плохо поддаются интеграции. Однако решены нек-рые технол. проблемы, связанные с получением тонких плёнок С. разного состава (в т. ч. Р2Т) со свойствами, близкими к монокристаллам. Переключение поляризации в таких плёнках толщиной 505000Л осуществляется малыми электрик, напряжениями пленки могут наноситься на полупроводниковые подложки. Системы оперативной памяти на основе гонких сегнетоэлектрич. плёнок перспективны. В устройствах интегральной оптики используются волно-водные каналы на поверхности С., к-рые создаются путём диффузного легирования кристаллов, гл. обр. нио-бата и танталата лития. [c.481]

Ниобат и танталат лития являются важными материалами для ектроники, акустики и оптики, так как они обладают превосходными фроэлектрическими, пьезоэлектрическими, пироэлектрическими и оп-[ческими свойствами. Поэтому их получение в виде равномерных тон- [c.487]

На пьезоэлектрическом эффекте основан принцип действия датчиков с чувствительными элементами из титаната бария [35], цирконатотитаната свинца [36], ниобата и танталата лития [37]. [c.275]

Экспериментальное исследование черенковского излучения фемтосекундного лазерного импульса проведено авторами [32]. Использовался лазер на красителе, генерировавший возбуждающие импульсы длительностью 100 фс на длине волны 625 нм с энергией 10 Дж и частотой повторения 150 МГц. Излучение лазера разделялось на два импульса— возбуждающий и зондирующий и направлялось на изотропный кристалл танталата лития. Генерируемый в кристалле черепковский импульс, распространявшийся под углом 0о=69°, за счет электрооп-тического эффекта индуцировал двулучепреломление, которое считывалось с помощью пробного (зондирующего) импульса (рис. 3.12). [c.134]

За последние несколько лет были синтезированы и достаточно подробно исследованы сегнетоэлектрические монокристаллы ниобатов и танталатов щелочноземельных металлов, обладающие высокими электрооптическими, пьезоэлектрическими, пироэлектрическими и нелинейными свойствами. Физические свойства этих кристаллов обусловливают возможности их широкого применения в приборах для модуляции, отклонения и преобразования частоты лазерного излучения, а также в параметрических генераторах света. Кристаллы этого класса соединений имеют нелинейные и эпектроонтические коэффициенты, намного превышающие коэффициенты других кристаллов. Достаточно сказать, что на кристаллах ниобата бария-натрия достигнуто 100%-ное преобразование излучения с длиной волны Я = 1,06 мкм в излучение с Я = 0,53 мкм, а кристаллы твердого раствора ниобата бария-стронция имеют величину полуволнового напряжения 80 В, что в 40 раз меньше, чем у ниобата лития и танталата лития, и в 100 раз меньше, чем у широко применяемых кристаллов гидрофосфата калия. [c.8]

Для расчета продольного полуволнового напряжения при произвольном направлении распространения луча в кристалле необходимо знать не только величины электро-оптических коэффициентов, но также и их знаки. Абсолютные величины этих коэффициентов обычно известны из литературы, однако информация об их знаках, как правило, отсутствует. Исключение составляют лишь ниобат лития [47] и танталат лития [48], для которых не только с большой точностью определены величины электроопти-ческих коэффициентов, но и установлены их знаки. [c.124]

В активированных кристаллах ниобата и танталата лития проявляется кроме того особого рода нелинейность, определяема недиаго альными компонентами тензора фотогальванического эффекта fiisi = Ргзг- Она связывает ортогонально поляризованные волны (обыкновенную и необыкновенную), сходящиеся в плоскости, приблизительно перпендикулярной оптической оси. [c.49]

Ниобат и танталат лития. Кристаллы имеют четыре ненулевых электрооптических коэффициента, наибольшие из них Г33 и tsi сравнимы по значению (для X = 0,633 мкм) Г33 31 10" ° см/В, Г51 28 10 ° см/В для ЫМЪОз и Г33 30 10 ° см/В, r i = й 20 10 см/В для ЫТаОз). При комнатной температуре чистые и Слабо легированные образцы являются хорошими дизлектриками с удельной проводимостью меньше 10 (Ом см) . Время максвелловской релаксации заряда в темноте для зтих кристаллов составляет 10 - 10 с. В то же время они обладают заметной фотопроводимостью. Для ниобата лития с примесью железа на уровне 0,03 мас.% константа фотопроводимости к г 10 см/(Ом Вт). Отсюда максвелловское время релаксации заряда при плотности мощности 1=1 Вт/см составляет Тдэ 30 с. [c.53]

Прецизионные фильтры на захвате энергии изготовляют главным образом из термостабильного Л Г-среза монокристаллического кварца (см. 5.2). Пьезоматериалом для монолитных фильтров в аппаратуре широкого применения (где не требуется особенной стабильности параметров) служит различного типа пьезокерамика (см. табл. 5.3). Перспективными кристаллами для высокостабильных фильтров являются берлинит AIPO4, танталат лития LiTaOs и тетраборат лития Li2B407. У этих пьезоэлектриков высокая (как у кварца) термостабильность сочетается с большими коэффициентами электромеханической связи, что позволяет существенно улучшить характеристики монолитных фильтров, в частности ширину полосы пропускания. [c.148]

Важнейшими пироэлектриками являются сегнетоэлектрики три-глицинсульфат и его изоморфы (выращиваются со специальными примесями с целью монодоменизации), ниобат и танталат лития (поляризуются токовым смещением при выращивании кристалла), тонкие пленки нитрата калия в сегнетофазе (вблизи 450 К), а также керамические титанат свинца и цирконат-титанат свинца с различными добавками. Сегнетокерамика для обеспечения пи- [c.170]

Теплометрические преобразователи на пироэлектриках применяются для измерения температуры, теплоемкости, теплопроводности, теплообмена и др. Предельная чувствительность таких приборов составляет 10 К- В теплометрии целесообразно использовать поляризованные (монодоменные) сегнетоэлектрические кристаллы с высокой точкой Кюри (например, ниобат или танталат лития). В этих пироматериалах в широком температурном интервале пирокоэффициент мало изменяется с температурой и характеризуется временной стабильностью. [c.174]

Из числа материалов, практически используемых в промышленном производстве электрооптических приборов управления лазерными пучками (см. 7.4, 7.5), исторически наиболее широкое применение нашли кристаллы KDP и DKDP. Освоенность технологии и высокое оптическое совершенство в сочетании с размерами, обеспечивающ,ими изготовление элементов любой требуемой апертуры, обусловили сохранение этими кристаллами своего положения, несмотря на необходимость герметизации электрооптических элементов. Выращиваемые из расплава нерастворимые кристаллы ниобата и танталата лития также успешно используются в электрооптической технике. В этом случае ограничивающ,им обстоятельством является индуцируемое светом изменение рефракции. Для остальных кристаллов, приведенных в табл. 7.1, не преодолены до конца трудности технологического характера. Более подробно характеристики конкретных электрооптических материалов будут рассмотрены при описании соответствующих объемных и интегральных приборов. [c.201]

ЭТОГО высокая чувствительность. Интервал времени задержки, при котором волна черенковского излучения и пробный импульс максимально перекрываются, зависит от расстояния между пробным лучом и лучом возбуждения и от значения угла Че-ренкова. Поэтому, варьируя указанное расстояние, можно определить угол Черенкова. В эксперименте с танталатом лития определенное таким путем значение угла составило около 70°, что хорошо согласуется с теорией. Действительно, для значений скоростей 1, = 0,428с и у = 0,158с теоретический угол Черен-ковй составляет 68°. Измеренная форма импульса электрического поля показана на рис. 8.8, б, а соответствующий ему спектр — на рис. 8.8, в. Можно ожидать, что при ультракоротком возбуждении будет получен приблизительно один период волны с частотой 1 ТГц. Отметим, что эта частота соответствует длине волны около 300 мкм. Таким образом, впервые могут быть получены отдельные периоды инфракрасного излучения, что, безусловно, представляет большой физический интерес. Следует, например, напомнить, что в этом случае теряет смысл приближение медленно меняющихся амплитуд или огибающих, которое постоянно используется в этой книге (см. п. 1.3.1). [c.294]

Ниобат и таиталат лития, обладающие более высокими, чем кварц пьезомодулями и коэффициентами электромеханической связи (см. табл. 22.3), во многих областях применения вытесняют кварц. Использование этих кристаллов в фильтрах вместо кварца позволяет получить большую широкополосиость при меньших габаритах, более низкое сопротивление в полосе прозрачности, большую изоляцию от паразитных колебаний. Механическая добротность Q ниобата и танталата лития сохраняет высокое значение (10 —10 ) до СВЧ-диапазона, тогда как у кварца она максимальна при частоте 1 МГц, а выше 100 МГц снижается до значений, меньших 10 . Поэтому использование кристал- [c.239]

Для возбуждения продольных ультразвуковых волн используется Z-срез кристаллов ниобата и танталата лития с рабочим пьезомодулем igg и коэффициентом электромеханической связи k 30%. Поперечные волны возбуждаются пьезоэлементами Х-среза со сдвиговыми колебаниями (пьезомодуль имеющими коэффициент электромеханической связи k = 65% для LiNbOg и 47%> для LiTaOg. Для улучшения тех или иных характеристик широко применяют и косые срезы кристаллов, среди которых имеются срезы с нулевым ТК/. Можно отметить 35° YZ и 17° YZ-срезы ниобата лития с коэффициентом электромеханической связи k 50"o. [c.240]

Ввиду высоких коэффициентов электромеханической связи диэлектрические проницаемости ниобата и танталата лития на низких и высоких частотах сильно различаются для LiNbOg е, = 82 = 84 на низких и 44 на высоких частотах, ед соответственно 29 и 25 для LiTaOg е, = = В2 = 53 и 42, 83 = 44 и 43. Это связано с тем, что на низких частотах измеряется диэлектрическая проницаемость свободного кристалла (е з), совершающего механические колебания, а на высоких частотах — зажатого кристалла (на частотах, лежащих выше частоты собственных колебаний кристалла, он не деформируется), т. е. обычная е, а относительная разница е и в равна [см. формулу (22.9)1. [c.240]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...