Центр искажений решетки

Вокруг дислокации возникает зона упругого искажения решетки. Расстояние от центра дефекта до места решетки без искажения принимают равным ширине дислокации, она невелика II равна нескольким атомным расстояниям. [c.29]

При образовании точечного дефекта заметные смещения претерпевают лишь те атомы, которые близко расположены к вакантному узлу, замещенному атому или междоузлию, занятому атомом внедрения. По мере удаления от центра возмущения искажения решетки быстро уменьшаются. [c.468]

Обычно активатор вводится в решетку в количествах, достаточных для подавления действия случайных малых примесей. Однако необходимо избегать сильных искажений решетки и образования центров с участием двух и более ионов активатора, поскольку такие центры либо дают измененное свечение, либо не светятся вовсе. Тушение люминесценции, наступающее при введении больших количеств активатора, носит название концентрационного тушения свечения кристаллофосфоров. [c.188]

Дислокации наряду с другими дефектами участвуют в фазовых превращениях, рекристаллизации, служат готовыми центрами при выпадении второй фазы из твердого раствора. Вдоль дислокаций скорость диффузии на несколько порядков выше, чем через кристаллическую решетку без дефектов. Дислокации служат местом концентрации примесных атомов, в особенности примесей внедрения, так как это уменьшает искажения решетки. Примесные атомы образуют вокруг дислокации зону повышенной концентрации, которая мешает движению дислокаций и упрочняет металл. [c.14]

На рис. 1.36 показано расположение атомов в сечении кристалла, в котором вдоль плоскости скольжения произведен незавершенный сдвиг, т. е. сдвиг, распространившийся не по всему сечению кристалла, а дошедший лишь до плоскости ОМ. В результате такого сдвига в верхней части решетки появляется лишняя атомная плоскость ОМ, которую называют экстраплоскостью. Соответственно атомный ряд 1, лежащий над плоскостью сдвига, содержит на один атом больше, чем ряд 2, расположенный ниже этой плоскости. Поэтому расстояние между атомами ряда 1 у точки О (центр дислокации) меньше нормального (решетка сжата), а расстояние между атомами ряда 2 больше нормального (решетка растянута). По мере перемещения от центра дислокации вправо и влево, вверх и вниз искажения решетки постепенно уменьшаются и на некотором расстоянии от О в кристалле восстанавливается нормальное расположение атомов. В направлении перпендикулярном плоскости чертежа, дислокация может проходить в виде линии (края плоскости ОМ) через весь кристалл. Такая дислокация называется краевой [c.49]

В отличие от чистых сплавов в сплавах промышленной чистоты атомы примесей внедрения в решетке твердого раствора являются центрами искажения, вокруг которых возникают поля упругих напряжений. Движение дислокаций в такой искаженной решетке затруднено, что приводит к увеличению сопротивления пластической деформации. Если в а-сплавах высокой чистоты предел текучести составляет 750 МПа, то в сплавах промышленной чистоты он почти в два раза больше 1200 МПа. [c.166]

Первичная рекристаллизация заключается в образовании зародышей и росте новых зерен с неискаженной кристаллической решеткой. Зародыши новых зерен возникают у границ и особенно в местах пересечения границ зерен, пачек скольжения двойников. В местах, связанных с наибольшими искажениями решетки при наклепе, происходит перемеш,ение атомов, восстановление решетки и возникновение зародышей новых равноосных зерен. Вначале процесс протекает медленно, происходит зарождение центров кристаллизации, затем образуются мелкие зерна, которые растут и входят в непосредственное соприкосновение друг с другом. [c.17]

При образовании твердого раствора между элементами А и В в общей кристаллической решетке приходят в соприкосновение два сорта атомов. Введение новых центров искажения кристаллической решетки отразится на суш,ествующих между атомами силовых полях, действующих как на коротких, так и на более длинных расстояниях, причем это приведет к различного рода результирующим эффектам. При рассмотрении в атомном масштабе оказывается, что атомы растворителя и растворяемого элемента будут несколько смещаться от средних положений в кристаллической решетке, вследствие чего образуются постоянные статические искажения. В результате среднее расстояние между двумя ближайшими атомами в кристаллической решетке твердого раствора будет зависеть от того, принадлежат ли оба эти атома растворителю или растворяемому веществу, или же они являются атомами разных сортов. Следовательно, мы можем говорить о средних расстояниях между атомами АА, В В или АВ, которые даже для идентичных пар атомов могут зависеть еще от направления в кристаллической решетке. [c.163]

Инородные атомы в решетке твердого раствора являются центрами искажения, вокруг которых возникают поля упругих напряжений. Движение дислокаций в такой искаженной решетке затруднено по сравнению с чистым металлом — растут силы трения, препятствующие перемещению дислокаций. Эти силы становятся особенно значительными в результате упорядочения атомов внутри твердого раствора. В неупорядоченном растворе и при наличии ближнего порядка за счет увеличения сил трения затрудняется переход дислокаций в новые системы скольжения. Это приводит к тем же последствиям, что и затруднение поперечного скольжения за счет уменьшения энергии дефекта упаковки. [c.69]

Краевая дислокация может простираться в длину на многие тысячи периодов решетки, ее линия не может быть прямой и, обладая поверхностным натяжением, она стремится замкнуться в контур. Вокруг дислокации возникает зона упругого искажения решетки. Ширина дислокаций, т. е. расстояние от центра дефекта до места решетки без искажения, невелика и равна нескольким межатомным расстояниям. [c.64]

Зависимость энергии взаимодействия от расстояния между дислокацией и атомом дает соответствующий градиент потенциала (определяемый градиентом искажений решетки). В соответствии с этим беспорядочное тепловое движение внедренного атома, когда он попадает в поле напряжений дислокации, сменяется направленным движением к ее центру под действием радиальных и тангенциальных сил. Скорость дрейфа того атома определится как [c.11]

В г. ц. к. решетке аустенита атомы углерода статистически равномерно распределены по октаэдрическим пустотам вдоль направлений трех ребер куба [100], [010] и [001] (см. крестики на рис. 124,а). Но в той же самой решетке аустенита атомы углерода избирательно расположены по отношению к направлениям ребер тетрагональной ячейки они находятся только на середине ребер вдоль оси [001] и в центре горизонтальных граней тетрагональной ячейки, т. е. тоже вдоль направления [001]. По окончании превращения внедренные атомы углерода продолжают располагаться в решетке мартенсита в октаэдрических пустотах только вдоль направления [001], не занимая пустот в направлении [100] и [010] (рис. 124,6). Находясь между атомами железа в рядах, параллельных оси [001], атомы углерода не позволяют деформации Бейна превратить г. ц. к. решетку в о. ц. к. с отношением периодов, равным единице. Степень тетрагонального искажения решетки мартенсита - растет прямо пропорционально концентрации в нем угле-а [c.223]

В зоне дислокации возникают упругие напряжения, вызванные искажением кристаллической решетки. Максимальная величина этих напряжений соответствует центру дислокации. В результате взаимодействия полей напряжений дислокации разных знаков притягиваются, а однозначные отталкиваются. В первом случае искажения решетки компенсируются в результате их взаимного наложения друг на друга и дислокации уничтожаются. [c.541]

Рекомбинационное свечение наблюдается в кристаллофосфорах с дефектами в кристаллических решетках, вызванными включением посторонних примесей — ионов тяжелых металлов. Центрами высвечивания в этом случае являются ионы тяжелых металлов, называемые активаторами. Искажение кристаллической решетки может произойти также при неправильном росте кристаллов под действием внешних (механических, электрических) сил. [c.362]

Винтовая дислокация в отличие от краевой не создает зон гидростатического растяжения и сжатия, а поэтому не способна притягивать точечные дефекты. Однако если внедренный атом искажает кристаллическую решетку неодинаково в различных направлениях, то искажения и упругое поле напряжений кристаллической решетки не будут обладать чисто сферической симметрией. Такое поле напряжений точечного дефекта уже может взаимодействовать с касательными напряжениями поля напряжений вокруг винтовой дислокации. Например, атомы углерода в а-железе находятся в октаэдрических пустотах, занимая положение посередине ребер или в центре граней. Атом внедрения в центре грани (ПО) находится на расстоянии 0,5а от двух соседей в направлении [010] и на расстоянии а/ от четырех соседей в других направлениях. Внедренные в центре грани (010) атомы углерода удлиняют элементарную ячейку в направлении [010]. Когда внедренный атом, размещаясь в октаэдрической пустоте о. ц. к. решетки, находится в центре грани 100 или посередине ребра <100>, он тетрагонально искажает элементарную ячейку, удлиняя ее в направлении <100>. Такое тетрагональное искажение обусловливает взаимодействие примеси внедрения в о. ц. к. решетке с полем касательных напряжений винтовой дислокации. Результат взаимодействия — уменьшение касательных напряжений и притяжение атомов внедрения к винтовой дислокации. [c.92]

При кристаллизации под поршневым давлением постоянная решетки всех сплавов заметно уменьшается при давлении до 200 МН/м , при этом на периферии уменьшение более заметно, чем в центре слитка с последующим повышением давления до 400 МН/м постоянная решетки меняется незначительно. Приложение давления не увеличивает искажения второго рода, спо- [c.123]

Сущность процесса рекристаллизации состоит в формировании и росте в деформированной матрице центров рекристаллизации — новых зерен с неискаженной решеткой, отделенных от матрицы границами с большими углами разориентировки (первичная рекристаллизация). Элементарные процессы образования и роста зародышей рекристаллизации имеют диффузионный характер, совершаемые беспорядочными диффузионными перемещениями отдельных атомов и вакансий. Центры рекристаллизации возникают в местах скопления искажений кристаллической решетки --у границ зерен и их стыков, на границах двойников, пачек сколь- [c.133]

Температура, при которой начинается первичная рекристаллизация, зависит от степени пластической деформации. Центры кристаллизации зарождаются в наибо лее искаженных местах кристаллической решетки —в местах стыка обломков зерен и по линиям скольжения. Чем выше степень пластической деформации, тем ниже температура, при которой начинается процесс рекристаллизации. [c.31]

Рассмотрим, следуя работе [1], сплав А — В, имеющий ОЦК решетку типа р-латунп, в октаэдрические междоузлия которой внедрены атомы С. Не будем учитывать корреляцию в сплаве, искажения решетки и возможность распада сплава на различные фазы. Как было выяснено в 8, в упорядоченном состоянии сплава А — В указанного типа октаэдрические междоузлия, находящиеся в центрах граней кубических ячеек (междоузлия первого типа), окружены четырьмя узлами первого типа (законными для атомов А), находящимися на расстоянии а Г2, и двумя узлами второго типа (законными для атомов В) па расстоянии а/2 а — постоянная решетки). Междоузлия, находящиеся в серединах ребер кубических ячеек (второго типа), окружены четырьмя узлами второго типа па расстоянии aJY2 п двумя — первого на расстоянии а/2 (см. рис. 66). Таким образом, в упорядоченном состоянии сплава А — В октаэдрические междоузлия первого и второго типа в среднем энергетически неэквивалентны. В сплаве, имеющем N узлов (среди которых А = А/2 первого и A = А/2 второго типа), содержится 51 = ЗА октаэдрических междоузлий, из которых 5li = ЗА/2 первого и 5I2 = ЗА/2 второго типа. Пусть сплав содержит Ад атомов А и Ав атомов В на узлах (Ад ф- Ав = А) и п [c.199]

Конфигурация силового поля вокруг вакансии обеспечивает быстрое затухание искажений решетки с удалением от ее центра, и поэтому ускоренное растворение ближайших атомов в окрестности вакансии приведет к образованию субмикропиттинга , [c.114]

Конфигурация силового поля вокруг вакансии обеспечивает быстрое затухание искажений решетки с удалением от ее центра, и поэтому ускоренное растворение ближайших атомов в окрестности вакансии приведет к образованию субмикропиттинга , т. е. новой поверхности, без заметного вклада в материальный баланс общего анодного растворения металла [c.115]

Предполагается, что разные примесные атомы могут адсорбироваться на разных центрах адсорбции, например на тех, где знаки геометрического искажения решетки и размерного несоответствия между атомами примеси и растворителя одинаковы. Под концентрацией примеси на границах зерен понимают "степень заполнения" — т.е. отношение числа адатомов данного сорта к числу подходящих центров адсорбции нг границах зерен. [c.79]

Взаимодействие с дислокациями растворенных атомов по механизму Коттрелла [79] также играет весьма важную роль в развитии ползучести, особенно вблизи нижней границы температур, ограничивающей диапазон высокотемпературной ползучести. Атомы замещения с атомным радиусом, отличным от радиуса замещаемого атома основы, вызывают образование центров локализации искажений в решетке. Такие центры искажений могут упруго взаимодействовать с полями гидростатических растягивающих напряжений вокруг краевых дислокаций. Как показал Коттрелл [79] и Коттрелл и Билби [80], энергия взаимодействия краевой дислокации, лежащей вдоль оси г в цилиндрической системе координат, с растворенным атомом с координатами г и а, определяется как [c.309]

При низких температурах восстановление пластических свойств (удлинение, ударная вязкость) и снижение предела прочности вначале протекают медленно, затем при некоторой определенной для каждого металла и сцлава температуре наблюдается скачок, который свидетельствует о начале изменения структуры наклепанного металла. Взамен д юрмированных зерен с искаженной решеткой возникает новая кристаллическая структура, зарождаются новые центры кристаллизации, вокруг которых развиваются новые кристаллиты полиэдрической формы. Внутренние напряжения и искажения решетки, возникшие вследствие пластической деформации, исчезают. Такой процесс называется рекристаллизацией. [c.42]

С повышением температуры превращения при высоких скоростях нагрева (при перенагреве) свободная энергия системы возрастает настолько, что число центров зарождения 7-фазы увеличивается за счет их образования в областях структуры о меньшей плотностью дислокаций. Свободная энергия, существующая вокруг этих зон, исчезая при превращении, передается зародышу новой фазы, понижая энергию его образования. Отмеченное подтверждается тем обстоятельством, что при быстром нагреве стали аустенит образуется в первую очередь вокруг деформированных участков а-фазы, термодинамический потенциал которых выше, чем у недеформированной а-фазы, из-за наличия большого количества дефектов кристаллического строения и низкой устойчивости с термодинамической точки зрения. В то же время при медленном нагреве (со скоростью до 1 °С/мин) в результате исчезновения искажений решетки в образцах с различной исходной структурой образуется примерно одинаковое количество аустенита, так как при этом участками зарождения 7-фазы становятся поверхности раздела фаз. [c.74]

При всех значениях /" к/То с увеличением коэффициента сопротивления решетки вначале пронсхо тит последовательное выравнивание поля скоростей в сечениях за решеткой, а затем появляется новое искажение ноля скоростей вследствие перетекания жидкости от периферии к центру. [c.176]

В ядре дислокации диаметром приблизительно два межатомных расстояния с центром в самой дислокации наблюдается наибольшее искажение кристаллической решетки (см. рис. 15). Мерой искаженности кристаллической решетки, а также величины связанного с дислокацией сдвига является вектор Бюргерса. Он характеризует энергию дислокации и силы, действующие на нее. Вектор Бюргерса — отрезок, замыкаюш,ий разрыв [c.31]

Все дефекты кристаллической решетки вызывают ее искажения и вследствие этого являются источниками внутренних напряжений. В ядре дислокации (в дислокационной трубке радиусом г<2а), в котором нарушен ближний порядок расположения атомов, упругие смещения атомов настолько значительны, что линейная теория упругости в этой зоне неприменима, а использование теории конечных деформаций вызывает существенные трудности. Линейная теория упругости дает удовлетворительные результаты для расстояния от центра оси дислокации г 2а. Поэтому область искажений, создаваемую дислокацией, можно представить как совокупность двух областей первой, где наблюдаются нарушения ближнего порядка расположения атомов в ядре дисло- [c.42]

Сущность первичной рекристаллизации заключается в том, что в деформированной матрице при нагреве формируются и растут участки с неискаженной или значительно менее искаженной, чем у матрицы, решеткой, отделенные от матрицы границами с большими углами разориентировки — так называемые центры (зародыши) рекристаллизации. Рост этих центров за счет матрицы реализуется миграцией их большеугловых границ. [c.311]

Центры рекристаллизации образуются всегда в местах максимальных искажений кристаллической рещетки, созданных деформацией, где возникли локальные области, значительно разориентированные относительно окружения. Поскольку разориентировки в решетке создаются избытком дислокаций одного знака, это означает, что обязательным условием формирования центров рекристаллизации является создание при деформации вокруг определенных локальных областей такого избытка дислокаций и соответственно изгиба решетки. [c.313]

В наиболее общем виде дислокационные представления сводятся к тому, что образование зародышей рекристаллизации связано с перегруппировкой дислокаций, приводящей к предрекристаллизационной полигонизации. При этом образуются субзерна — неискаженные или мало искаженные области решетки, повернутые друг относительно друга на некоторые углы, в начале, как правило, небольшие, т. е. отделенные малоугловыми границами. В силу неизбежной неоднородности деформированной структуры всегда имеются области (субзерна), большие по размерам, чем окружающие, и более сильно разори-ентированные. Такие субзерна растут интенсивнее, чем другие, их малоугловые границы поглощают при своем движении новые дислокации и в результате превращаются в большеугловые высокоподвижные границы, что и характеризует окончание формирования центра (зародыша) рекристаллизации. [c.315]

Тцл (в абсолютной шкале), начинает интенсивно развиваться другой процесс — процесс рекристаллизации, также приводящий к разупрочнению наклепанного кристалла. В отличие от отдыха при рекристаллизации возникают и растут новые кристаллы, свободные от внутренних напряжений. Центры этих кристаллов зарождаются в первую очередь в наиболее искаженных областях решетки, богатых избыточной свободной энергией. Происходит, таким образом, полное изменение микроструктуры образца и переход его в общем случае от монокристаллического к поликристаллическо-му состоянию. Скрытая энергия, которая была накоплена в деформированном кристалле, выделяется при рекристаллизации в форме тепла. [c.40]

Решетка кристаллического фреона-10 в низкотемпературной фазе является моноклинной, причем центры тяжести молекул образуют несколько искаженную кубическую гранецентриро-ванную решетку [1.3]. Подробные измерения теплоемкости низ- [c.36]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...