Атом замещения

Аналогичные выражения могут быть получены для энергии образования таких дефектов, как внедренный в междоузлие атом или примесный атом замещения. В первом из этих случаев нужно учесть, что начало координат лежит не в узле, а в междоузлии, и ввести другую систему векторов для положений атомов решетки. Во втором же — при замене атома А на атом В в начале координат следует принять во внимание не только исчезновение соответствующих связей типа А — А, но и появление новых 7 [c.99]

А) Примесный атом внедрения. В) Межузельный атом. С) Примесный атом замещения. D) Вакансия. [c.25]

Пусть (рис. 6.5.2) атом замещения S перескакивает в вакантный узел V. Но если не уйдет новая вакансия или не подойдет другая вакансия, весьма вероятно, что 5 и F снова обменяются местами, т. е. диффузия не будет процессом случайного блуждания. [c.179]

Рис. 1.15. Примесный атом замещения

U — вакансия б — замещенный атом в — внедренный атом [c.29]

При образовании твердых растворов замещения периоды решетки изменяются в зависимости от разности атомных диаметров растворенного элемента и растворителя. Если атом растворенного элемента больше атома растворителя, [c.101]

В твердых растворах внедрения процесс диффузии облегчается тем, что не требуется вывода атома (иона) растворителя в иррегулярное положение, и поэтому энергия активации меньше, чем при образовании твердых растворов замещения. 1-[апример, при диффузии углерода в 7-железе Q 30 ккал/г-атом. В случае диффузии металлов в 7-железе (растворы замещения) Q 60 ккал/г-атом. Коэффициенты диффузии в этих двух случаях различаются в тысячи и десятки тысяч раз. Так, для стали с 0,2% С при 1100°С коэффициент D = 6-10 для диффузии углерода и D = 6-10- для диффузии молибдена. [c.322]

Рис. 12.34. Точечные дефекты кристаллической решетки а — незаполненный узел (вакансия) б — атом внедрения в — замещенный атом

При образовании точечного дефекта заметные смещения претерпевают лишь те атомы, которые близко расположены к вакантному узлу, замещенному атому или междоузлию, занятому атомом внедрения. По мере удаления от центра возмущения искажения решетки быстро уменьшаются. [c.468]

Рис 28. Виды точечных дефектов вакансия (а), замещенный атом (6) и внедренный атом (с) [c.47]

Здесь N — число пар атомов АВ, в которых атом А находится в узле а, а В — в р, Ра° — вероятность замещения узла а атомом А и т. д. [c.264]

Замещение — точечное нарушение регулярной структуры кристалла, когда атом вещества кристалла оказывается замещенным атомом другого вещества (рис. 7.12). Нарушение регулярности строения кристаллической решетки точечными дефектами может распространяться на несколько элементарных ячеек кристалла, т. е. на этом расстоянии силовые поля взаимодействия между атомами искажены. [c.132]

Рассмотрим примесные полупроводники. Содержащиеся в них примесные ато.мы могут оказывать сушественное влияние на электропроводность полупроводника. На рис. 3.5, а, в, д схематически представлены процессы образования свободных носителей заряда, способных участвовать в электропроводности, в собственном и примесном кремнии, эти же процессы показаны и на энергетических диаграммах (рис. 3.5, б, г, е). Для кремния характерны примеси замещения, V. е. атомы примеси заменяют атомы кремния в узлах кристаллической решетки. [c.50]

Рис. 6. Виды точечных дефектов а - вакансия б - замещенный атом в - внедренный атом

В случае германия примесями первого вида служат элементы пятой группы, например, мышьяка с 5 электронами на внешней оболочке. При замещении германия мышьяком его четыре электрона образуют валентные связи с четырьмя соседними атомами германия. Пятый электрон внешней оболочки мышьяка не может образовать связи с ближайшими атомами и поэтому он легко освобождается. Для этого требуется ничтожно малая энергия — 0,013 эв. Появление свободного электрона в этом случае не сопровождается возникновением дырки, так как ни одна из связей не нарушается. Атом мышьяка приобретает положительный заряд, но он не может, перемещаться. [c.173]

Пусть неупорядоченный сплав А — В имеет ГЦК решетку и в ее октаэдрические междоузлия внедрено относительно малое количество атомов С. Параметром корреляции 8ас между замещением данного узла атомом А и соседнего междоузлия атомом С называется разность между вероятностью рлс встретить на этом узле атом А, а на выбранном соседнем междоузлии атом С и произведением априорных вероятностей их замещения этими атомами. Обозначая через N число узлов, равное числу октаэдрических междоузлий, а через Ад, Ав и к числа атомов А, В и С в сплаве, введем относительные концентрации Сд = Ад/А, Св = Ав/А, Сс = n/N, равные соответствующим априорным вероятностям замещения узлов и междоузлий этими атомами.. Тогда [c.210]

Примеси замещения. Ковалентные структуры типа алмаза. Германий и кремний — элементы четвертой группы таблицы Менделеева — имеют структуру алмаза, в которой каждый атом окружен четырьмя ближайшими соседями. В данной структуре действуют ковалентные связи. [c.234]

Можно считать, что искажение решетки, вызванное образованием твердого раствора замещения, на 0,1% даст прирост твердости на 15-20% при увеличении параметра и на 30—50% при его уменьшении. Впрочем, такое обобщение справедливо только при условии образования твердых растворов малой концентрации (1—5 ат.%). Причем первая цифра прироста твердости (15 и 30%) соответствует концентрации легирующего элемента 5%, а вторая (20 и 50%) - концентрации 1%. Следовательно, интенсивность упрочнения уменьшается при увеличении концентрации, что наблюдается для большинства зависимостей упрочнения твердого раствора от содержания легирующего элемента (см. рис. 11). [c.24]

Примеси замещения, введенные в металлы и сплавы Fe— Сг — Ni в количестве до 5 ат. %, также могут оказать значительное влияние на сопротивляемость сплава радиационному распуханию. В работах Джонстона и др. [187, 203] приведены результаты исследования радиационного распухания сплава Fe — 15 Сг — 20 Ni, легированного молибденом, алюминием, титаном, цирконием, кремнием, после облучения ионами Ni" с энергией 5 МэВ и в реакторе. Некоторые из них графически представлены на рис. 104. Видно, что введение титана, ниобия, кремния и циркония приводит к уменьшению распухания, причем цирконий подавляет распухание наиболее эффективно. Данные о влиянии молибдена неоднозначны легирование сплава молибденом приводит к увеличению распухания в условиях ионного облучения и к уменьшению при облучении в реакторе. Совместное легирование сплава кремнием и титаном подавляет распухание более эффективно, чем легирование каждым элементом в отдельности. [c.176]

Как уже упоминалось, чистое золото обладает слабым диамагнетизмом на каждый атом имеется один электрон проводимости, а ионы Аи+ с четным числом электронов не имеют магнитного момента. В твердых сплавах Pd-Au при содержании около 50% (атомн.) Pd магнетизм изменяется лишь в слабой степени. Отсюда можно заключить, что атомы палладия в сплаве не имеют магнитного момента, т. е. что они присутствуют, вероятнее всего, как нейтральные атомы с четным числом электронов. Если электроны проводимости поставляются тс лько золотом, то их концентрация должна уменьшаться по мере замещения золота палладием. При 50% (атомн.) Pd концентрация электронов проводимости достигает примерно 0,5 на атом. Установлено, что при дальнейшем увеличении содержания палладия магнитная восприимчивость быстро возрастает, поскольку ионы Pd+ с нечетным числом электронов и соответствующим магнитным моментом замещают ионы Аи+ при этом концентрация электронов проводимости сохраняется приблизительно постоянной. Аналогичные явления имеют место в системах Ag — Pd и Си — Pd, а также в сплавах Pt с Си, Ag и Аи [386, 387, 260]. [c.10]

Простейший П.—м е т а н СН4 следующий за ним этан СзНб по химическ. строению молекулы представляет собою метан, в котором один водородный атом замещен группой СНд—м е т и л о м подобным же образом составляются и молекулы всех остальных членов гомологич. ряда П. гомологич. разность ряда = СНд. [c.322]

Газонаполненные кабели низкого давления. Из многочисленных конструкций газонаполненных кабелей мы рассмотрим только те конструкции, которые разработаны в ПИИКП и нашли некоторое применение на практике. Пустотные включения в пропитанной и осушенной бумажной изоляции заполняются сухим и чистым азотом (содержание Nj не менее 99,5%) во время эксплуатации газонаполненных кабелей 10 кв давление в них поддерживается около 1,5 ати. а в кабелях 35 кв — около 3 ати. Замещение воздуха азотом исключает окислемие остаточного количества пропиточной массы и связанные с этим изменения электрических свойств изоляции, а повышенно -давление азота значительно улучшает электрические характеристики всей изоляции. [c.127]

Экспериментальные, данные и опыт эксилуатации полимерных материалов в условиях воздействия агрессивных сред позволяют делать выводы о связи мелгду структурой высокомолекулярных соединений и их химической стойкостью. В отличие от низкомолекулярных соединений, макромолекула содержит большое число реакционноспособных групп, в зависимости от характера которых или замены их другими группами свойства полимера могут в значительной степени изменяться в сторону их ухудшения или улучшения. Например, на поливиниловый спирт, содержащий гидроксильные группы, оказывают влияние вода, кислоты и щелочи. Стойкость иоливинилацет ата, полиакриловой кислоты и других высокомолекулярных соединений, которые можно представить как производные полиэтилена при частичном или полном замещении водорода гидроксильными, ацетатными или другими функциональными группами, также понижена. Соединения, у которых водоро.т в полиэтиленовой цепи замещен фтором или фтором и хлором, стойки во всех агрессивных средах. [c.357]

С увеличением Q значительно уменьшается О. При этом для разных веществ величина О существенно зависит от уровня Q. Так, при диффузии С в а-Ре образуется твердый раствор внедрения и Q= = 134 кдж1г-атом. При диффузии металлов в -Ре образуются растворы замещения и <3 = 231—273 кдж г-атом. [c.138]

Обычно структура материалов типа металлов упорядочивается по элементам атом — кристалл (блок мозаики) — зерно. Дефекты в твердых телах можно разделить на две группы 1) искажения в атомно-молекулярной структуре в виде вакансий, замещения, внедрения, дислокации и т. п. 2) трещины — разрывы сплошности. Эти дефекты — локальные искажения однородности — совместно со сложностями структуры создают концентрацию напряжений. Что касается трещин, то их условно по размерам разделяют на три разновидности мельчайшие (субмикроскопические), микроскопические и макроскопические (магистральные). Вопросы взаимодействия локальных дефектов между собой и их роль в образовании субмнкроскопических и микроскопических трещин более относятся к физике твердого тела и являются одним из основных направлений физики разрушения. Не останавливаясь на детальном описании этих специальных вопросов, отметим, что в результате приложения внешних нагрузок в теле возникают дополнительные к силам межатомного взаимодействия силовые поля, приводящие в движение различные дефекты, которые, сливаясь, образуют субмикроскопические, а в последующем и микроскопические трещины. [c.182]

Примесямк второго вида для германия служат элементы третьей группы, например, индия, на внешней оболочке которого имеется три валентных электрона. При замещении атома германия индием возникают связи лишь с тремя атомами, а с четвертым — связь оказывается нарушенной. Для заполнения этой связи атом индия захватывает один из электронов, образующих валентную связь в кристалле, и дополняет свою внешнюю оболочку четвертым электроном для этого требуется незначительная энергия — 0,011 эв. Однако при этом нарушается одна из валентных связей между близлел<ащими атомами германия, откуда был захвачен этот электрон, т. е. образуется дырка. Возникновение дырки не сопровождается появлением свободного электрона. Атом индия приобретает отрицательный заряд, но этот заряд не может являться носителем. [c.173]

В ГЦК решетке па один атом металла приходится одно октаэдрическое междоузлие (см. табл. 7). Поэтому в данном случае N 2 = 31 и концетрации и с равны соответственно вероятностям (16,4) замещения междоузлия в -й фазе атойНэм С и вакансией [c.194]

Первый из этих методов применялся уже в 8, 25 и 26 для определения средних энергетических параметров в сплавах. Суть его заключается в том, что вместо явного учета всех возможных конфигураций атомов вокруг диффундирующего атома и его энергий при этих конфигурациях ему приписывается среднее значение потенциальной энергии по всем положениям того типа, в котором он находится. Например, для неупорядоченного сплава замещения А — В, в котором внедренные атомы С занимают менщоузлия только одного типа, принимается, что все эти междоузлия энергетически эквивалентны, т. е. атом С имеет в них одинаковую энергию. Эквивалентны будут и перевальные точки, т. е. в данном приближении при диффузии атом С будет преодолевать одинаковые потенциальные барьеры средней высоты. [c.276]

Заметим, что атом С в октаэдрическом междоузлии имеет два ближайших узла иа расстоянии а/2 и четыре узла на расстояпих //2, в точке Р (см. рис. 60, а, где на узлах должны быть располояшпы атомы А и В) — четыре соседних узла па расстоянии а ]/5/4. Задавая состав сплава концентрациями Са и Сп, определенными формулами (17,1) и равными вероятностям замещения узлов этими атомами, получаем следующие выражения для средних значений энергии атома С в междоузлии По и в перевальной точке Нр, учитывая взаимодействие только на указанных расстояниях [c.277]

Перейдем теперь к рассмотрению диффузии внедренных атомов сорта С по октаэдрическим меяудоузлпям бинарного упорядочивающегося сплава А — В типа р-лату-ни, явно учитывая различные конфигурации атомов А и В, окру кающих диффундирующий атом, в рамках упро-щешю11 модели диффузии, принятой в 28, и, в частности, не нршшмая во внимание корреляцию между замещениями узлов атомами А и В. Такая теория была развита в работе [2]. [c.286]

Как уже указывалось выше (см. 24 и 27), некоторым оправданием этому служило то, что разница мен1-ду этими множителями значительно менее существенна, чем между высотами потенциальных барьеров, стоящих в показателях экспоненциальных функций, а в сплавах замещения еще и близость действующих на атом С полей, создаваемых атомами А и В. Теперь, при изучении кинетики выясняется, кроме того, что если бы вероят- [c.327]

Поливинилхлорид — твердый продукт полимеризации газообразного мономера —винилхлорнда Н2С==СН—С1, представляющего собой этилен, в молекуле коюрого один атом Н замещен атомом С1 (винилом называется остаток Н.2С=СН—). Структурная формула поливинилхлорида имеет вид [c.112]

Чтобы решить две последние задачи необходимо изменить свойства Дисилицида. Весьма полезным для этой цели может оказаться изучение влияния легирующих элементов на свойства WSi2. Некоторые исследователи изучали влияние легирующих добавок В, Сг, Ре, А1 на жаростойкость силицидов. Замена кремния бором приводит к образованию устойчивых тройных фаз, но существенного улучшения коррозионных свойств авторы работ [13, 14] не наблюдали. Системы Мо—81—А1 и W—81—А1 описаны в работах [15, 16]. В обеих системах обнаружены тройные соединения Ме (81, А1)2, имеющие гексагональную структуру (С 40). Причем в системе У—81—А1 тройная фаза имеет значительную область гомогенности. При содержаниях А1 меньших, чем 13 ат. %, перестройки тетрагональной решетки не происходит, и алюминий находится в решетке дисилицида в виде твердого раствора замещения. [c.297]

При замещении атомов кремния атомами алюминия наблюдается изменение микроструктуры образцов, столбчатая структура разрушается, происходит укрупнение зерен (рис. 2) и уменьшение микротвердости до 1100 кг/мм . Химический анализ, проведенный с целью определения количества растворенного в диси-лициде вольфрама алюминия, показал, что образцы содержат 3.1—3.5 вес. % А1 ( 10 ат. %), т. е. немного меньше предельной концентрации. [c.298]

Помимо внутреннего испарения, возможно полное или частичное испарение атомов с поверхности кристалла. При полном испарении атом покидает поверхность кристалла и переходит в пар, при частичном испарении он с поверхности переходит в положение над поверхностью (рис. 1.16, б). В обоих случаях в поверхностном слое кристалла образуется вакансия. Путем замещения глубже лежащим атомом вакансия втягивается внутрь кристалла. Такое образование вакансий не сопровождается од1ЮвремеииыМ внедрением атомов в междоузлия, т. е. появлением дислоцированных ато- юв. Такого рода вакансии называют дефекталщ по Шоттки. Их -источником могут быть и всевозможные несовершенства кристалла недостроенные атомные плоскости, Гранины блоков и зерен, микроскопические трещины и др. [c.23]

Если полиморфизмом обладает лишь один из двух бинарных металлидов, то н. р. т. р. образуется между вторым металлидом и изоморфной ему модификацией первого. На основе других модификаций образуются ограниченные твердые растворы. К. такому типу систем относятся исследованные нами тройные системы Zr — Сг — (V, Мо, W, Мп). В первых трех системах н. р. т. р. образуются с низкотемпературной модификацией Zr rg ( -а), а в системе Zr — Сг — Мп соединение ZrMrij образует н. р. т. р. с высокотемпературной его модификацией (Xj). Протяженность области Xj в каждой из систем Zr — Сг — (V, W, Мо) составляет не более 2 ат. % V, 14 ат. % W и 50 ат.% Мо соответственно. Эти значения вполне согласуются с эффективной валентностью соответствующих компонентов, которая возрастает в ряду V W Мо -> Сг. Замещение атомов хрома атомами молибдена, эффективная валентность которого незначительно меньше, чем у хрома, возможно в широких пределах без уменьшения суммарной электронной концентрации ниже предельного значения, при котором становится нестабильной. При замещении атомов хрома атомами вольфрама, эффективная валентность которого еще несколько меньше, предельное значение электронной концентрации для i-фазы достигается при меньшей концентрации замещающего элемента. Эффективная валентность ванадия, принадлежащего к V группе периодической системы, существенно меньше эффективной валентности хрома, и уже при незначительном содержании его достигается предельное значение электронной концентрации, допускающее существование Xj. Ограниченные растворы на основе Хд в тройных системах не всегда удается выявить металлографически фазы Лавеса здесь неразличимы, а рентгеновские методы также не всегда позволяют отличить ее от Xj, вследствие размытости линий на рентгенограммах порошков закаленных сплавов. Так, в системе Zr — Сг — Мп Яд обнаружена в ограниченном температурном интервале в области до 10 ат. % Мп, а в системах Zr — Сг — (V, Мо, W) пока ее не удается отличить от [c.171]

Столкновения, сопровождающиеся замещением атомов. Оно возникает в тех случаях, когда движущийся атом обладает энергией, достаточной для того, чтобы выбить атом из решетки, но недостаточной для того, чтобы удалиться от образовавшейся ва- ансии, вследствие чего движущийся атом заполняет вакансию. Получается обмен движущихся атомов с атомами решетки. [c.292]

По действующим в СССР правилам перед подачей к потребителю газ одерируют, т. е. вводят в него определенные количества обладающих резким и специфическим запахом летучих соединений. В случае утечки газа в помещение запах должен обнаруживаться при концентрациях, не опасных как по условиям взрыва, так и по токсичности. В качестве добавки обычно используется этилмеркаптан, представляющий собой этиловый спирт, в котором атом кислорода замещен атомом серы. Добавка этилмеркаптана производится из расчета 16 г на [c.9]

Диффузия в твёрдых телах. Процесс Д. в твёрдых телах может осуществляться с помощью нсск. механизмов обмен местами атомов кристаллич. структуры с её вакансиями, перемещение атомов по междоузлиям (см. Межузельный атом), одновременное циклическое перемещение неск. атомов, обмен местами двух соседних атомов. При образовании твёрдых растворов замещения преобладает обмен местами ато.мов и вакансий. [c.688]

Перечисленные примеси, как правило, образуют в полупроводниках твёрдые растворы замещения и обладают высокой растворимостью (10 —10 ат/см ) В широком интервале темп-р. Растворимость их носит ретроградный характер и достигает максимума в Ge при 700-900 "С, в Si — при 1200—1350 "С, в GaAs — при 1100 1200 С. Эти примеси имеют малые сечения захвата носителей, являются малоэффективными центрами рекомбинации и поэтому слабо влияют па время жизни носителей. [c.579]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...