Граница диффузная

Таким образом [см. (VII. 1.1)], удельная мощность облучения границ диффузного поля в 4 раза меньше интенсивности бегущих звуковых волн при той же самой плотности акустической энергии. [c.349]

Вправо от линии bd находятся ионы диффузного слоя, плотность которых падает по мере удаления от поверхности глинистой частицы. Линия fg является условной границей диффузного слоя, толщина которо- [c.345]

Перенос разряжающихся ионов из объема электролита к поверхности электрода в этой стадии ионы проходят через диффузионный слой к наружной границе диффузной части двойного электрического слоя. [c.11]

По самому смыслу коэфициента поглощения а следует, что поглощаемая 1 см границы диффузного поля, мощность (/з ) равна [c.157]

Каскадная стадия процесса взаимодействия. Множественность. Каскадная стадия процесса взаимодействия первичной частицы с нуклонами ядра представляется последовательностью попарных случайных взаимодействий. Поэтому описание этой стадии процесса может быть проведено методами статистических испытаний (методом Монте-Карло), Расчеты требуют больших вычислений, однако использование ЭВМ позволяет проводить такие расчеты и получать результаты с достаточной точностью. Наиболее полные характеристики каскада, рассчитанные методом Монте-Карло, получены в работах [13—16]. Рассчитан [13, 14] каскад для ядер АР , Си , Ри °°, Се °, ВР , и энергий первичных протонов от 82 Мэе до 2 Гэв. Расчеты проведены при некоторых упрощающих предположениях [11]. Так, не учитывали диффузную границу ядра ядро рассматривали как однородную сферу радиусом = в качестве импульсного [c.245]

Схема фотометра с применением кубика Люммера показана на рис. 3.12. Здесь и 2 — Два сравниваемых источника света 5 — белый диффузно разбрасывающий свет экран, вполне идентичный с обеих сторон и 8 — два вспомогательных зеркала Р Рч — кубик Люммера А — глаз наблюдателя и V — лупа, позволяющая визировать плоскость раздела кубика. При наблюдении мы видим центр кубика освещенным лучами, идущими от источника а внешняя часть поля освещается лучами от испытавшими полное внутреннее отражение на грани РгР - Если освещенность экрана 5 с обеих сторон одинакова, то граница между полями исчезает. Определяя соответственные расстояния 5 и мы найдем отношение сил света источников. [c.58]

И случае диффузного отражения от границы [c.912]

Точки — экспериментальные данные сплошные и пунктирная кривые рассчитаны в различных предположениях. Распределения плотности, использованные при расчете кривых А и В, показаны в правой части рисунка. Для кривой А распределение прямоугольное. для кривой В — с диффузной границей. [c.58]

Интенсивность излучения, поступающего в среду на границе 1=0, определяется свойствами поверхности (стенки), ограничивающей поглощающую среду. Для диффузной стенки (при D = 0) [c.423]

После деформации при комнатной температуре в структуре наблюдаются также дислокационные петли, спрямленные винтовые компоненты дислокаций, что является характерным для низкотемпературной структуры ОЦК-металлов [9, 2891. Следует отметить и появление на границах зерен сложного диффузного контраста, обусловленного накоплением границами в процессе деформации дислокаций несоответствия или приграничных решеточных дислокаций [289]. [c.139]

В связи с вышесказанным, на наш взгляд, особую роль приобретает исследование фона на рентгенограммах наноструктурных материалов, значительные объемы в которых принадлежат границам зерен. Смещение атомов в границах зерен из равновесных положений, характерных для кристаллической решетки, должно существенно влиять на интенсивность диффузного рассеяния рентгеновских лучей наноструктурными материалами. [c.79]

Условия, возникающие на границе газа и стенки, впервые сформулировал Максвелл. Все молекулы, падающие на стенку, делятся на две группы. Молекулы первой, группы доля которых (1 — v), прилипают к стенке, т. е. их переносная скорость равна скорости твердой стенки и. Молекулы второй группы, доля которых есть v, диффузно отталкиваются от стенки, т. е. их переносная скорость равна скорости прилегающего к стенке слоя газа Vy. [c.44]

Известно, что коллоидные частички находятся в постоянном движении. При этом часть окружающего частичку раствора увлекается и движется вместе с ней в виде тонкой пленки. На рис. 3.1, а линия 00 представляет поверхность коллоидной частички, непосредственно возле которой расположены положительные ионы двойного слоя, а далее ионы диффузного слоя, ограниченные на рисунке линией D, являющейся границей электронейтрального комплекса мицеллы. При движении коллоидная частичка в электрическом поле увлекает часть раствора, ограниченную на рисунке линией АВ, а часть ионов диффузного слоя, расположенных между линиями АВ и D, отрывается от частички. При этом она становится отрицательно заряженной, а окружающий ее раствор приобретает положительный заряд. Скачок потенциала, возникающий при этом между частью жидкости, увлекаемой коллоидной частичкой, и остальным раствором, называется электрокинетическим, или -потен-циалом. [c.62]

АВ — поверхность скольжения СД — граница диффузного слоя при наиболее низкой концентрации электролитов СъДг — граница диффузного слоя при наиболее высокой концентрации электролитов. [c.63]

Таким образом, интенсивность излучения на глубине г + тх исходной атмосферы слагается из трех составляющих 1) интенсивности в усеченной атмосфере на глубине г от ослабленного падающего первичного потока 2) из аналогичной интенсивности, но от излучения, которое образуется в отсеченном слое и падает на границу усеченной атмосферы 3) наконец, в случае излучения, идущего вниз, падающее на границу диффузное излучение верхнего слоя, ослай ляясь по дороге, попадает на глубину г нижнего слоя как прямое излучение. В результате получается соотношение [31 [c.68]

Сплошная линия—теоретическая кривая, вычисленная в нредпс-ложении диффузного рассеяния на границах образца (по Макдональду и Саргпнсону). I—экспериментальные данные для проволоки в капилляре диаметром 15д 2—20 Д . 3—ЗОд -/—6й д. [c.207]

Возникает вопрос о том, как учесть влияние 1 раницы. Если рассеяние на поверхности полностью хаотично, то электроны, покидающие поверхность, в среднем не будут нести импульса, параллельного поверхности. Эквивалентное распределение может быть получено в бесконечной среде, если положить Е равным нулю везде за границей. Этот вывод приводит к интегрированию уравнения (17.7) по физическому объему. В случае зеркального отражения от границы картина более сложная. Плоская поверхность может быть рассмотрена методом зеркального изображения. Если среда занимает полупространство. г > О, то можно считать, что Е(—х, у, z) = E x, у, z), и вести интегрирование по всему объему. В модели, рассматривавшейся Рейтером и Зондгеймером, предполагалось, что зеркально рассеивается некоторая часть р электронов, а часть 1 — /> рассеивается диффузно. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что р = 0. [c.706]

К уравнению (26.8) следует добавить условие divj = 0, и тогда ток в бесконечном пространстве полностью определяется. Уравнения (26.4) и (26.7) были предложены Лондоном в связи с дискуссией но поводу статьи Пиинарда [52]. Применение наших уравнений к телу конечных размеров, в случае когда электроны диффузно отражаются на его границе, сопряжено с трудностями. Можно было бы думать, что мы получим правильное уравнение для поля внутри тела, проинтегрировав (26.8) но его объему. Это эквивалентно иред-положению, что 11 = 0 в пространстве вне тела. Условие //=0, однако, не [c.728]

Второй вопрос, который возникает при наличии границы, связан с характером отражения возбуждений от границы. Как известно, в некоторых задачах, например в задаче об аномальном скин-эффекте [13], в двух предельных случаях — зеркальном и диффузном— долучаются незначительно различающиеся результаты. Можно надеяться, что и в данном случае характер отражения возбуждений от границы не сказывается существенно на величине глубины проиикновеныя. Поэтому мы вначале разберем случай зеркального отраженпя. Наличие зеркально-отражающей границы позволяет нам четным образом продолжить потенциал на вторую половину пространства, т. е. положить A(z) = A[ — z) (z — направление нормали к границе, векторный потенциал А берется параллельным границе). Это требование записывается в виде [c.901]

Структура интерметаллида бинарного стехиометрического состава NiaAl, подвергнутого ИПД [71], состояла из очень мелких равноосных зерен с признаками высокого уровня внутренних напряжений, о чем свидетельствовал сложный дифракционный контраст на электронно-микроскопических фотографиях (см. 1.2) и плохо различимые границы зерен, выглядящие диффузными и искривленными. Средний размер зерен, определенный по темнопольным изображениям, оказался равным примерно 20-30 нм. [c.142]

Существуют помимо (1) другие полуэмпирич. ф-лы каиельног модели для с , отличающиеся лишь учётом того или иного числа поправочных членов. Гл. поправка возникает из-за диффузного распределения плотности на границе ядра. Диффузность BJ nneT на энергию симметрии, кулоновскую и поверхностную энергии. Вводятся также поправки, учитывающие сжимаемость ядерной жидкости и др. Величина поправок обычно больше неск. Мэв, а их число и>10. Зависимость этих поправок от А н Z не позволяет надежно определить соответствующие эмпирич. константы в ф-.1[0 [c.239]

Как отражённая, так и преломлённая волны являются, вообще говоря, результатом интерференции волн, переизлучённых в толще обеих сред. Законы зеркального О. в. могут быть обобщены и приближённо сформулированы как локальные для участка границы, если 1) размеры, радиусы кривизны поверхностей и масштабы неоднородностей сред много больше длины волны Л (условия пря.меннмости геометрической оптики) 2) размеры неровностей границы <к Я,. Если размеры неровностей сравнимы с Я, то возможны два случая при хаотич. расположении неровностей (шероховатая граница) имеет место стохастич. рассеяние волн (наз. также диффузным О. в.) при периодич. расположении неровностей (отражат. дифракционные решётки) кроме отражённой в зеркальном направлении волны возникает дискретный набор побочных волн, направления распространения к-рых зависят от Я, что используется в анализаторах спектра. [c.504]

Пространств, распределение интенсивности отражённого света зависит от соотношения между размерами неровностей к поверхности (границы раздела) и длиной волны Я падающего излучения. Если Я < Я, то О. с. направленное, или зеркальное. Когда размеры неровностей Я Я или превышают её (шероховатые, матовые поверхности) и расположение неровностей стохастическое, О. с.— диффузное. Возможно также смешанное О. с., при к-ром часть падающего излучения отражается зеркально, а часть диффузно. Если же неровности с размерами й Я расположены к.-л. регулярным образом, то распределение отражённого света имеет особый характер, близкий к наблюдаемому при О. с. от дифракц. решётки. [c.510]

При рассмотренном выше О. с. предполагалось наличие идеально гладкой плоской отражающей границы. Реальная поверхность имеет микронеровности конечной высоты, трещины, адсорбиров, воду и т. п. Для точного измерения параметров отражённого света, на к-рые влияют тончайшие поверхностные слои, необходимы исключительно тщательная хим. очистка поверхности и устранение дефектов и нарушений структуры, вызванных обработкой. Наличие микрорельефа приводит к нерегулярному рассеянию света по разным нанравле-ниям, причём для высококачеств. полировки потери па рассеяние могут составлять 2-10 от мощности падающего света. Если высота микронеровностей А 0,2 , то отражение диффузное при Х 0,0031 отражение зеркальное. Коэф. зеркального О. с. от поверхности при нормальном падении в хорошем приближении описывается ф-лой Я = Яо Р(—где — отражение идеально гладкой поверхности. Металлич. зеркало, у к-рого потери на диффузное отражение составляют не более 0,1%, должно иметь А 0,0031 в видимом диапазоне. При наклонном падении и при переходе в ИК-область требования к качеству полировки снижаются. [c.512]

Все несветящиеся предметы видны благодаря диффузному О. с. Если поверхность отражает зеркально, то видна не сама граница раздела, а изображения предметов, полученные нри отражении от этой поверхности. О. с. может оказывать и вредное воздействие, приводя, наир., к появлению бликов , уменьшению яркости и контрастности изображения. 8 этих случаях стараются у.мепьшить О. с., нанося на поверхность оптич. деталей спец, тонкие слои (см. Просветление оптики), [c.513]

Р. 3. проявляются в зависимости от d кинетич. коэф. (электропроводности, теплопроводности и др,), описывающих линейный отклик тела на внеш. воздействия (электрич. ноле, градиент темп-ры. и др.), приложенные в плоскости пластины либо вдоль оси проволоки или нитевидного кристалла. Эта зависимость обусловлена рассеянием квазичастиц границей образца. При столкновении с поверхностью импульсы падаюпцей на поверхность квазичастицы (р) и отражённой от поверхности (р ) могут быть строго скоррелированы (зеркальное отражение от идеально гладкой бездефектной поверхности) либо частично скоррелированы иля корреляция полностью отсутствует (диффузное отражение). Если на поверхности адсорбированы примесные атомы либо поверхность слабо шероховата (дефекты), то столкновения квазичастиц с поверхностью описываются угл. распределением импульсов отражённых электронов [c.244]

Основной особенностью структуры субмикрокристаллических материалов, полученных деформационными методами, являются неравновесные границы зерен, которые служат источником больших упругих напряжений. Другим источником напряжений служат тройные стыки зерен. О неравновесности свидетельствуют диффузный контраст границ и изгибные контуры экстинции в зернах, наблюдаемые на электронно-микроскопических изображениях. Ширина межзеренных границ в СМК-ма-териалах составляет, по разным оценкам, от 2 до 10 нм. Неравновесные границы зерен содержат большое количество дислокаций, а в стыках зерен суш,ествуют нескомпенсированные дис-клинации. Плотность дислокаций в СМК-материалах, полученных интенсивной пластической деформацией, составляет около 3-10 м" , а дисклинации имеют мощность 1—2°. Заметим, что Плотность дислокаций внутри зерен существенно меньше, чем на границах. Дислокации и дисклинации создают дальнодействую-Щие поля напряжений, концентрирующиеся вблизи границ зерен и тройных стыков, и являются причиной избыточной энергии Этих границ. Например, для СМК-Си со средним размером зерен [c.59]

Механические свойства аморфных металлов обладают повышенной стойкостью по отношению к нейтронному облучению. Приведены также отдельные данные по ускоряющему влиянию электронного облучения на кристаллизацию. Следует отметить, что в общем случае облучение электронами высокой энергии может влиять как на скорость образования зародышей при кристаллизации, так и на их рост. В случае широко известного сплава FeMNi oPuBe облучение электронами не оказывает заметного влияния на кинетику кристаллизации, которая, очевидно, лимитируется диффузней по границам раздела, но приводит к увеличению скорости зарождения, которая в свою очередь определяется объемной диффузией. [c.20]

При тепловом движении молекул воды коллоидные частицы воспринимают их воздействие и вовлекаются в молекулярно-кинетическое (броуновское) движение, при котором вместе с коллоидной частицей движется двойной электрический слой с частью противо-ионов диффузного слоя, содержащихся в оболочке воды. Остальные противоионы отрываются от движущейся частицы, оставаясь во внешней части — за границей скольжения. Это приводит к возникновению электрокинетического потенциала или -потенциала между движущейся коллоидной частицей и раствором (см. рис. 2.1, а). Значение -потенциала зависит от числа противоионов, увлекаемых частицей с увеличением числа противоионов -потенциал уменьща-ется. Рост концентрации противоионов в растворе должен приводить к увеличению их концентрации в оболочке воды, окружающей частицу, и, следовательно, к снижению -потенциала. В пределе повышение концентрации противоионов может привести к перезарядке частицы, т.е. к изменению знака заряда. Естественно, что существует определенная концентрация противоионов, при которой С-потен-циал становится равным нулю (см. рис. 2.1, б), pH среды при этом носит название pH изоэлектрической точки. Экспериментально значение электрокинетического потенциала определяют методом электрофореза. Для расчета -потенциала. В, для коллоидных частиц, находящихся в разбавленных водных растворах (природных водах), используют соотношение, полученное преобразованием уравнения Гельмгольца [c.52]

Смотреть страницы где упоминается термин Граница диффузная : [c.288] [c.171] [c.51] [c.22] [c.19] [c.251] [c.729] [c.10] [c.131] [c.182] [c.151] [c.208] [c.16] [c.108] [c.485] [c.509] [c.79] [c.267] [c.467] [c.128] [c.31]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...