Критическое освещение

По глубине критического освещения имеющихся решений, оригинальности и полноте трактовки ряда проблем особенно отличается работа П. Ф, Папковича [24]. Более краткими руководствами справочного характера являются книги А. Н. Динника [14], Ф. Гартмана [И] и др. [c.965]

Основной функцией полевой диафрагмы является уменьшение многократного рассеяния и отражения в корпусе микроскопа, и как следствие, улучшение контраста изображения. Ее располагают так, что ее отверстие проектируется на плоскость поверхности исследуемого образца, поэтому полевая диафрагма не влияет на разрешающую способность. Она позволяет точно ограничить освещение исследуемым участком образца. Такой же принцип применяется при критическом освещении, но в данном случае — это изображение первичного источника, которое образуется в плоскости объекта. [c.10]

Вопрос об определении критических скоростей враш,ающегося вала широко освещен в литературе. А. Н. Крылову в своей классической работе Об определении критических скоростей враш,аю-щегося вала [17] удалось придать изучаемому вопросу необходимую общность и сравнительную простоту. Однако следует заметить, что А. Н. Крылов рассматривал критические обороты вала или ротора, вращающегося на обычных жестких опорах, т. е. при граничных условиях [c.61]

Вопрос о так называемом критическом диаметре блоков освещен в работе [9]. Как показывают испытания, при относительном диаметре изгиба до 8 явления критического диаметра в современном понятии (деформация каната, резкое падение выносливости) не обнаружено. [c.164]

Автор с благодарностью примет все критические замечания и пожелания об освещении не учтенных в книге отдельных вопросов сварочного производства. [c.5]

Понимая сложность проблемы сварки аустенитных сталей, автор не претендует на полноту освещения всех вопросов, касающихся ее, и будет признателен за критические замечания, которые просит направлять в адрес издательства Машиностроение . [c.6]

Теперь мы перейдем к изучению случая, когда конденсор С образует в плоскости объекта изображение протяженного источника, который мы предполагаем вполне однородным и больших размеров. Этот случай соответствует одному из двух видов классического освещения микроскопических препаратов, называемому критическим или, неправильно, некогерентным (фиг. 61). [c.135]

Этот вопрос представляет интерес в связи с интерпретацией экспериментальных результатов Веста ). Рассматривая отрицательный фотоэлектрический эффект, он сначала предположил, что темповой ток создается миграцией ионов серебра вдоль поверхностей неотожженных кристаллов бромистого серебра и что при освещении образца электроны захватываются этими ионами серебра, образуя неподвижные атомы серебра и уменьшая тем самым ток в цепи кристалла. Такое объяснение следует критически сопоставить с другим, исходящим из существования вакантных бромных узлов. Оба объяснения согласуются с экспериментальными данными, однако второе предположение оправдано лишь при подвижности- вакантных бромных узлов в условиях опытов Веста Возможно, что экспериментальная методика этого автора представляет собой чувствительный способ для демонстрации присутствия и подвижности вакантных бромных узлов, однако она не может давать однозначные результаты, поскольку возможна другая интерпретация. [c.119]

Следует ожидать, что в экспонированном светочувствительном слое центры скрытого изображения, находящиеся на различных микрокристаллах, должны иметь весьма различные размеры. По разным причинам эти центры растут с различными скоростями на различных микрокристаллах некоторые достигают критического размера лишь к концу освещения и, следовательно, малы, [c.174]

Количество контрольных точек и их достаточность для оценки состояния освещения на станциях определяются комиссионно с представительством заинтересованных служб (экспертный метод). Ориентировочно в зависимости от полезной длины и числа путей, а также от конструкции осветительной установки количество контрольных точек в парках приема и отправления должно быть не менее 10, а в сортировочных — не менее 20. Предварительное обсуждение координат, количества и размещения контрольных точек обычно помогает заранее критически подойти к работам по измерению освещенности и последующему анализу. [c.179]

ОСВЕЩЕНИЕ ПОД УГЛОМ, БОЛЬШИМ КРИТИЧЕСКОГО [c.224]

Освещение под углом, большим критического [c.225]

Рассмотрите две диэлектрические среды (скажем, 1 и 2), разделенные цилиндрической поверхностью радиусом а. Пусть коллимированный гауссов пучок освещает поверхность раздела под углом падения (относительно оси пучка), который больше критического. Вычислите в дальней зоне поле, прошедшее во вторую среду в случае р- и з-волн как функцию угла падения. Кроме того, вычислите, какую часть энергии потерял падающий пучок при отражении за счет частичного пропускания. Подсказка. Вычисляя поле на поверхности раздела, используйте коэффициент пропускания Френеля для лучей, направленных по оси пучка. Затем найдите асимптотическое представление дифракционного интеграла Фраунгофера, используя метод наибыстрейшего спуска, чтобы правильно учесть гауссово распределение освещенности. (См книгу [35].) [c.400]

Иногда для освещения применяются источники с равномерно светящимся телом накала (например, ленточные или банд-лампы), которое может быть спроектировано в поле зрения микроскопа. Такое освещение называется критическим. [c.19]

Исследуем условия наблюдения колец равного наклона в клинообразной пластине. Если освещенный участок пластины ограничить диафрагмой, то ее диаметр должен быть таким, чтобы приращение разности хода на освещенном участке не превышало %. После преобразований с учетом (П1.25) имеем критический диаметр диафрагмы [c.129]

В связи с тем, что автор поставил перед собой большую задачу, вполне возможно, что некоторые вопросы технологии термической обработки могли не получить в книге должного освещения или освещены слабо. Поэтому автор будет весьма признателен читателям, приславшим в адрес издательства свои критические замечания, которые будут учтены в последующей работе. [c.4]

Рнс. 7.8. Две обычно встречающиеся схемы системы освещения а —критическое освещение б — кёлеровское освещение. [c.289]

Спарроу 310 Критическое освещение 290 Круговое совместное гауссовское распределение 110 [c.515]

К "таким зависимостям относятся связь между критической освещенностью /Гкр и остановочным путем автомобиля 5ост [c.152]

Эта формула идентична формуле (18) в случае критического освещения. Следовательно, комплексная степень когерентности света, падающего на плоскость предмета микроскопа, одина/сова как при критическом освещении, так и при освеш/гнии по Келеру. Этот результат пока.зывает, что часто употребляемые названия некогерентное для критического освещения и когерентное для освещения по Кёлеру нужно считать неудачными. Как мы видим, формула (20) справедлива для обоих типов освещения, а рис. 10.13 одинаково применим к обоим случаям. [c.484]

В П. 10.5.2 было показано, что это справедливо как для критического освещения, так и для освещения по Келеру. По-прежнему будем считать предмет настолько малым, что он служит изопланатической областью системы. Тогда из (316) следует, что интенсивность i(Xi, у ) = Ji Xi, Уг, Xi, Ух) в плоскости изображения определяется выражением [c.487]

Так как функция отклика g) равна пулю, когда точка s = XRf, t) = = XRg лежит вне выходного зрачка, то из (47) следует, что для достаточно высоких частот обращается в нуль. Если выходным зрачком служит круг радиуса а, то произведение X f+f, g + g ) X f f, g + g ) и, следовательно, величина аГ (/, g f", ) могут отличаться от нуля только при условии, что в плоскости /, g отлична от нуля область наложения кругов С и С" с центрами в точках О —f, —g ), 0"(—f", —g") и одинаковыми радиусами alXR (рис. 10,15). Чтобы проиллюстрировать влияние освещения, предположим, что применяется критическое освещение или освещение по Кёлеру и что числовая апертура я sin 0 конденсорной системы в т раз превышает числовую апертуру rtobin9o системы, отображающей объект. Тогда, согласно (18)i или (30), взаимная интенсивность освещающего пучка равна [c.488]

Аббе 1 показал, что максимальная разрешающая способность микроскопа достигается только тогда, когда изображение источника образуется в плоскости объекта, а падающий пучок покрывает приблизительно V., апертуры объектива. Эти условия могут быть обеспечены только критическим освещением по Кёлеру. В этом случае наименьший линейный размер, который может быть разрешен микроскопом, равен [c.12]

К числу таких гипотез относится и изложенная выше трактовка слухового восприятия импульсов с помощью эквивалентного контура Ь, С. Я. Вообще же восприятие импульса одна из Сложных и далеко не до конца исследованная проблема. Большой материал собран и критически освещен в гл. V книги Слух и речь С. Н. Ржевкина. [c.26]

Успехи, достигнутые в коррозионной науке и технике машиностроения с момента выхода первого издания, требуют обновления большинства глав настояш,ей книги. Детально рассмотрены введенное недавно понятие критического потенциала ииттингообразования и его применение на практике. Соответствующее место отводится также критическому потенциалу коррозионного растрескивания под напряжением и более подробному обзору различных подходов к изучению механизма этого вида коррозии. Раздел по коррозионной усталости написан о учетом новых данных и их интерпретации. В главу по пассивности включены результаты новых интересных экспериментов, проведенных в ряде лабораторий. Освещение вопросов межкристаллитной коррозии несенсибилизированных нержавеющих сталей и сплавов представляет интерес для ядерной энергетики. Книга включает лишь краткое описание диаграмм Пурбе в связи с тем, что подробный атлас таких диаграмм был опубликован профессором Пурбе в 1966 г. [c.13]

Длительность процесса отключения нагрузки была измерена с помощью шлейфового осциллографа и оказалась 0,03-Н 0,05 сек. Автомат фиксации критической нагрузки работал как в опытах при кипении в большом объеме, так и при вынужденной конвекции с водой и с спиртом. При этом были использованы тепловыделяющие элементы из нержавеющей стали 1Х18Н9Т и никеля. Во всех этих случаях автомат работал безотказно. Регулируя чувствительность автомата, можно добиться его срабатывания на разных стадиях кризиса, изменяя таким образом степень разогрева трубки, яркость и длительность вспышки в точке кризиса. В опытах с никелевой трубкой удавалось даже совершенно избежать появления пятна покраснения. Переход от пузырчатого кипения к пленочному наблюдался при этом совершенно отчетливо при лобовом освещении тепловыделяющего элемента. [c.224]

Для рассматриваемых задач условия закрепления краев играют более существенную роль, чем при сжатии. Влияние граничных условий на величину критического давлеиня исследовалось в [3, 261, а наиболее содержательные и полные результаты представлены в [12, 291. К сожалению, остается не освещенным учет упругости опорного контура оболочки. Теоретические зависимости в этой части отсутствуют. Особенно актуальна эта задача для конических днищ, где действуют значительные распорные усилия. [c.76]

Кроме того, в данной работе впервые проведена оценка активационных параметров в области деформации ниже макроскопического порога хрупкости Si. При этом полученные значения этих параметров, в частности, низкое критическое напряжение сдвига, малая величина энергии активации, большая величина активащюнного объема и более высокая подвижность дислокаций, свидетельствуют об аномальности механических свойств в приповерхностном слое Si [307- 314]. Обращает на себя внимание тот факт, что аномальность механических свойств проявляется именно в тонком поверхностном слое кристалла [рис. 101], глубина которого согласуется с данными работ по тонкой абразивной обработке полупроводников [96, 97 и их статическому нагружению инденторами различной формы [98- 100, 105]. Особая деформационная способность приповерхностного слоя по сравнению с объемом кристалла находит подтверждение в работах по абразивной обработке полупроводников [96, 97, 102, 553, 554], в которых показано, что при переходе к определенной степени дисперсности абразива (для Si порядка 0,25 мкм [96, 97]) можно полностью избежать хрупких трещин и получить чистые единичные дислокации. При более крупных частицах абразива, как правило, наблюдается хрупкое разрушение [96, 97, 102, 553, 554]. Аналогичная закономерность проявляется и при статическом нагружении полупроводниковых кристаллов, когда лишь при строго определенной величине нагрузки может протекать чисто пластическая деформация [98—100, 105], а при большей величине нагрузки, которая вовлекает в пластическую деформацию соответственно более глубокие слои приповерхностного слоя, наряду с образованием дислокаций наблюдается процесс хрупкого разрушения[102,554]. Кроме того, следует отметить, что именно в приповерхностных слоях кристаллов (порядка 2—5 мкм для S1 и Ge) проявляются обычно фотомеханический, электромеханический и концентрационный эффекты [423, 430, 431]. При объяснении природы этих эффектов в работах [430, 431] предполагалось понижение барьеров Пайерлса под действием тех или других внешних факторов (электрическое поле, освещение и т.п.). Поскольку в данной работе указанные внешние факторы отсутствовали, на основании полученных результатов можно 178 [c.178]

Ряд серьезных вибрационных проблем был изучен инженерами-практиками в связи с задачами проектирования паровых турбин. Первое экспериментально-теоретическое исследование биения вала, несущего диск, было выполнено А. Фёпплем ). Дальнейшее освещение этот вопрос получил в книге А. Стодолы по паровым турбинам. Учет влияния гистерезиса на критические скорости вала произвел А. Л. Кимболл ). Вибрации турбинных лопаток могут иногда быть чрезмерными и приводить к разрушению. Эта задача [c.502]

Рассмотрим теперь образование агрегатов из нейтральных дефектов. Новые представления о природе устойчивого скрытого изображения были развиты на основе предположения, что -центры могут образовывать плоскостные внутренние агрегаты, приобретающие положительный заряд по достижении определенных критических размеров. Такие же агрегаты атомов серебра могли бы возникать в результате соединения электронов с междуузельными ионами серебра, расположенными в соседних междуузлиях. Однако если соображения, приведенные в начале этого параграфа, верны, то образование внутренних агрегатов такого типа маловероятно. Такой вывод согласуется с результатами опытов по фотолизу крупных, хорошо образованных монокристаллов чистого галоидного серебра, которые не обнаруживают внутреннего изменения при освещении. В таких опытах серебро всегда выделяется на свободной поверхности или вблизи внутренних границ зерен и полос сдвига ), связанных с линейными смещениями. Это явление можно объяснить, во-первых, тем, что ионы серебра могут соединяться с электронами в таких нарушениях решетки, или, во-вторых, тем, что эти поверхности могут служить источниками вакантных галоидных узлов, способных улавливать электроны и образовывать / -центры. Понятно, что оба процесса могут протекать одновременно. [c.122]

Мы постулируем, что изолированные F-центры в серебряно-галоидных кристаллах неподвижны при комнатной температуре, но что они могут медленно мигрировать механизмом термической диффузии электрона (туннельный эффект) в соседний вакантный галоидный узел. Этим обусловливается возможность медленной термической агрегации изолированных /-центров, приводящей к образованию пар и полиагрегатов, причем скорость агрегации зависит от концентрации и подвижности вакантных галоидных узлов. Имеются два других возможных механизма образования агрегатов /-центров. Агрегаты /-центров ниже критического размера должны соединяться с вакантными галоидными узлами, образуя положительно заряженные агрегаты, обладающие некоторым временем жизни до момента их вторичной термической диссоциации. Если за это время жизни такому положительному агрегату будет передан электрон, то возникнет устойчивый нейтральный агрегат. Такой процесс может протекать при освещении кристалла, содержащего /-центры. Наконец, неподвижные пары /-центров и более крупные агрегаты также являются устойчивыми ловушками электронов, причем образующийся отрицательно заряженный центр способен притянуть положительно заряженный дефект решетки. [c.123]

Если во время нормального экспонирования один из соседних центров светочувствительности достигает критических размеров, при которых он приобретает положительный заряд, то можно думать, что ближайший поверхностный золотой центр сможет функционировать в качестве эффективного и устойчивого центра в механизме Герни и Мотта или Берга при дальнейшем освещении или в течение начальной стадии проявления. [c.132]

К критическому. Поэтому экспозидия, необходимая для получения плотности )==1,0, меньше для пластинки, хранившейся долгое время перед проявлением, чем для пластинки, проявленной сразу после освещения. Следовательно, хранение перед проявлением может рассматриваться так же, как и равномерная дополнительная экспозиция малой освещенности, т. е. как вспомогательное средство усиления субцентров. Таким образом, кривая Т на фиг. 7, б должна рассматриваться как кривая распределения по размерам всей совокупности центров и субцентров, образовавшихся во время освещения. Следует отметить, что наши кривые дают распределение центров по размерам непосредственно после освещения, но не после хранения скрытого изображения в течение некоторого времени перед проявлением. [c.179]

Центр скрытого фотографического изображения в серебряно-галоидном микрокристалле образуется в процессе освещения либо путем последовательного добавления атомов серебра к уже существующим центрам светочувствительности, либо путем последовательного добавления / -центров к растущему агрегату из /-центров. После достижения определенного критического состояния микрокристалл приобретает способность проявляться. Нам неясно, что собственно представляет собой это критическое состояние. Указывалось по крайней мере на три возможных фактора, определяющих достижение этого состояния. Первым является размер центра скрытого изображения. Часто утверждают, что растущий центр по достижении им определенного критического размера приобретает способность инициировать проявление. Однако Шеппард указал, что размер центра может иметь только второстепенное значение сравнительно со свойствами поверхности раздела между центрами скрытого изображения и [c.224]

И к этим положениям автора могут быть высказаны некоторые критические замечания. Во-первых, как ул- е говорилось, книга не содержит систематического изложения основных начал термодинамики — в отдельных главах ее рассматриваются самостоятельные вопросы во-вторых, большинство вопросов, излагаемых в книге, до сочинения Мостовича было уже рассмотрено в некоторых других учебниках, например в таких полных и серьезных учебниках, как учебники Радцига, Мерцалова, Зернова, Саткевича и Грузинцева. Некоторые же действительно новые вопросы, поставленные в сочинении Мостовича, по своему значению не дают основания автору говорить, что главной задачей его сочинения является стремление дать современное освещение основных начал термодинамики и эти.м отчасти заполнить ощущаемый в этой области в русской технической литературе недостаток . [c.177]

Единство построения изложения каждого раздела. Одно из основных направлений методической работы над учебником состоит в отработке изложения каждого раздела, каждой основной темы, обеспечивающей наиболее полное и ясное освещение их содержания, особенностей и значения. Она прежде всего требует, чтобы изложение основных разделов содержало введение и заключение. Во введении к рассматриваемому разделу курса целесообразно привести исторические данные, показать стоящие перед ним задачи и, если возможно, отметигь применяемые при построении его теории методы обоснования и доказательств. В заключительной части следует дать критический анализ полученных при исследовании результатов и аналитических соотношений, показать их общетеоретическое и практическое значение, а если возможно, то и отметить при этом перспективы и пути развития теории исследуемого явления. [c.293]

В за1слючение отметим следующее. Вполне очевидно, что во-первых, вопросы, относящиеся к анализу и критической оценке решения задачи, ни в коей мере не ограничиваются приведенными — их можно придумать больше, равно как и число примеров, их иллюстрирующих. И, во-вторых, не все вопросы нужно ставить во всех задачах, соблюдая, как и в любом другом деле, разумную меру. Тем более, что анализ и критическая оценка решения требуют дополнительного времени, которое, кстати, нужно предусмотреть при домашней подготовке преподавателя к занятию. Кроме того, можно требовать от студентов освещения отдельных вопросов анализа не только во время практических занятий, но и на контрольных работах и при выполнении и защите курсовых расчетнографических заданий. Несомненно одно анализ и критическая оценка решения — неотъемлемый элемент высококачественного способа обучения, резко активизирующий мыслительную деятельность и творческую работу студентов на практических занятиях. И это главное, что оправдывает дополнительные затраты времени. [c.48]

Следовательно, все элементы орбиты периодически изменяются. Значение го = бЗ°2б ( osio = 5 / ) определяет критическое наклонение плоскости орбиты. При г > го перигей движется в отрицательном направлении, при г < го — в положительном. При умеренном наклонении орбиты приращение Aw2 порядка 4° в сутки [24]. Фиксируя угол го, можно добиться того, что спутник будет двигаться по терминатору (от лат. terminare — ограничивать) — линии разграничения дня и ночи. В этом случае освещенность Земли в окрестности орбиты зависит только от широты и времени года. [c.440]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...