Свойства р-н-перехода

Частотные свойства р — к-нерехода. Помимо диффузионной емкости, электронно-дырочный переход обладает еще так называемой барьерной, или зарядовой, емкостью, связанной с изменением величины объемного заряда р — н-перехода под влиянием внешнего смещения. [c.234]

Сталь является многокомпонентным сплавом, содержащим углерод и ряд постоянных или неизбежных иримесей Мп, Si, S, Р, О, N, Н и др., которые оказывают влияние на ее свойства. Присутствие этих примесей объясняется трудностью удаления части из них при выплавке (Р, S), переходом их в сталь в процессе ее раскисления (Мп, Si) или из шихты — легированного металлического лома (Сг, Ni и др.). Этп же примеси, но в больших количествах, присутствуют и в чугунах. [c.128]

Электромагнитные свойства Н. Взаимодействие Н. с эл.-магн. полем обусловлено либо радиационными, поправками (Н. переходит в виртуальное состояние, содержащее заряж. частицы, напр. I + W ), либо возможной составной структурой самих Н. Т. о., у Н. возникает маги, момент (р. ) и распределение электрич. заряда, характеризуемое эл.-магн. радиусом (га ). [c.265]

Как правило, наблюдается фазовый переход непосредственно между сегнето- и параэлектрической (более симметричной) фазами. Однако есть кристаллы, в к-рых между этими фазами осуществляется промежуточная фаза с особыми свойствами — т. н. н е с о р а з-керная фаза (см. ниже). [c.477]

Такой метод определения предельной нагрузки называют кинематическим (разработан проф. А. А. Гвоздевым). Доказательство того, что действительной предельной нагрузкой системы является н а и м е н ь ш а я из соответствующих различным вариантам перехода системы в предельное состояние см. например, в работе А. Р. Ржаницына Расчет сооружений с учетом пластических свойств материала . Госстройиздат, 1954, [c.276]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД — двухэлектродный полупроводниковый прибор, действие к-рого основано на электрич. свойствах р—п-переходов. Существует песк. классов П. д. разнообразного наз-паченпя, отличающихся друг от друга как тем, что в них используются различные свойства р—лг-пере-хода, так н величинами преобразуемых мощностей,, токов, напряжений и дианазонами рабочих частот. Требования, предъявляемые к характеристикам П. д., удовлетворяются выбором полупроводниковых материалов, технологией изготовления р—я-пореходов, их размерами и конструкцией диода. [c.120]

Не при темп-рах ниже т.н. .-перехода (7 - =2,17 К при давлении насыщенных наров гелия). Сверхтекучесть Не II (его способность без трения протекать сквозь узкие капилляры и щели) Ландау связал со свойствами спектра элемеитарпых возбуждений Не П. При Т = 0 жидкий Не находится в осн. состоянии. При темп-рах 7 >0 К, но близких к абс. нулю жидкость переходит в одно из возбужденных состояний, к-рые можно представить как совокунность элементарных возбуждений квазичастщ). Простейшими элементарными возбуждениями жидкости являются колебания её плотности — фононы. Закон дисперсии фононов, т. е. зависимость их энергии от импульса р, имеет вид [c.573]

Необычные свойства М. п. делают их перспективными для создания ячеек памяти, для термомагн, и фото-магн.. чапнси, для вращения плоскости поляризации ол.-магн. излучения, в частности в диапазоне СВЧ. На М. п. реализованы р — п-переходы, Шоттки барьеры н др. структуры. [c.680]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников — однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих р — п-переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрич. и мвгн. полей п др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник — металл, полупроводник — диэлектрик н их сочетания). [c.47]

В работе Н. М. Крюковой [36] методом, изложенным в разделе 2в, исследовано напряженное состояние в упругой изотропной среде 5 + +5,Н-5г+5з, подверженной на бесконечности действию заданных сил Р "° и р °°. При этом 5о— бесконечная трехсвязная область, ограниченная окружностями 7) (/=1, 2, 3), центры которых расположены в вершине равнобедренного треугольника. Предполагается, что каждая из сред, заполняющих области 81 (/=0, 1, 2, 3), однородна, ио их упругие свойства изменяются при переходе из одной области в другую, а на контактных линиях приняты условия [c.431]

ФАЗА в термодинамике, термодинамически равновесное состояние в-ва, отличающееся пр физ. св-вам от др. возможных равновесных состояний (др. фаз) того же в-ва (см. Равновесие термодинамическое). Иногда неравновесное метастабильное состояние в-ва также наз. фазой (метастабиль-н р й). Переход в-ва из одной Ф. в другую — фазовый переход — связан с качеств. изменениями св-в в-ва. Напр., газовое, жидкре и крист, состояния (Ф.) в-ва различаются хар-ром движения структурных ч-ц (атомов, молекул) и наличием или отсутствием упорядоченной структуры (см. Агрегатные состояния). Различные крист. Ф. могут отличаться друг от друга типом крист, структуры, электропроводностью, электрич. и магн. св-вами, наличием или отсутствием сверхпроводимости и т. д. Жидкие Ф. отличаются друг от друга концентрацией, компонентов, наличием или отсутствием сверхтекучести, анизотропией упругих и электрич. св-в (у жидких кристаллов) и т. д. В ТВ. сплавах Ф. крист, структуры могут отличаться плотностью, модулями упругости, темп-рой плавления и др. свойствами. [c.798]

Легко убедиться в том, что, выбирая различные точки плоской фигуры за полюсы при перемещении ее из одного положения в другое, мы изменяем только поступательное перемещение плоской фигуры, угол же поворота и направление вращательного перемещения плоской фигуры от выбора полюса не зависят. В самом деле, тот же переход плоской фигуры (5) из положения I в положение 11 можно осуществить, приняв за полюс точку В и сообщив плоской фигуре поступательное перемещение, которое переводит полюс В в положение Вх, при этом отрезок АВ займет положение Ли все точки плоской фигуры получат перемещения, геометрически равные ВВ и отличные от АА , а затем, повернув плоскую фигуру вокруг точки Вх на А ВхАх в положение АхВх- Но по свойству поступательного перемещения отрезок АхВ параллелен АВ и точно так же отрезок А Вх параллелен АВ. Следовательно, АхВ и А Вх параллельны между собой, и В АхВх= = А ВхАх=<р. Вместе с тем поворот вокруг точек А н В в том и другом случае происходит в одну и ту же сторону (на рис. 200 против часовой стрелки). [c.324]

Структура и свойства В результате рентгеноструктурных исследований было установлено, что покрытия Со — W — Р в исходном состоянии представляют собой твердый раствор замещения W и Р в решетке гексагонального а-Со При нагреве до 100 С никаких изменений в структуре и свойствах покрытий не происходит В области температур 250—450 С протекает процесс распада tx-твердого раствора при одновременном образовании фазы С02Р В области температур 450—600С происходит переход гексагонального а-Со в кубический гранецентрированный р-Со н распад Р-твердого раствора с выделением фазы 03W При нагреве покрытий выше 600 С идут процессы коагуляции и рекристаллизации частиц образовавшихся фаз [c.70]

Свойства воды и водяного пара в интервале температур 0—700 °С и давлений до 30 МПа. Упрощенные соотношения для давлений от 5,0 до 18,0 МПа и температур от 150 до 600 °С (П.1.6)—(П.1.18) получены по данным [5, 7] Б. Н. Кокоревым и Н. Л. Бойко. Они просты для использования и обеспечивают необходимую точность и непрерывный переход из области недогретой воды в область перегретого пара через состояние насыщения. При заданной энтальпии / и давлении р температура недогретой воды /,к вычисляется по формуле [c.200]

Генерация Р. д. в твердотельных материалах сопровождается изменением их свойств. Так изменяются форма и размеры облучённых образцов (радиац. распухание), причём анизотропный характер этих изменений зависит как от концентрации, так и от конфигурации Р. д. Изменяются механич. свойства твёрдых тел, что проявляется в увеличении предела текучести пластичных материалов, век-ром повышения модуля упругости, ускорении ползучести. Накопление Р. д. изменяет степень упорядоченности структуры сплавов и ускоряет фазовые переходы. Электропроводность облучённых тел изменяется прежде всего нз-за появления заряж. дефектов. Особенно сильно это проявляется в полупроводниках, где Р. д. не только выступают как центры рассеяния носителей заряда, но способны изменить концентрацию н природу осн. носителей заряда. Нейтральные дефекты также влияют на проводимость, т. к. являются центрами рассеяния носителей. Для оптич. свойств характерно появление новых областей поглощения в разл. спектральных областях (см. Центры окраски). Специфически влияет облучение на поверхность твёрдых тел, не только вызывая образование иных, не свойственных объёму дефектных структур, но и изменяя физ.-хим. свойства поверхности (напр., кинетику окисления и адсорбции). [c.204]

Слабое и сильное отражение. СРТ-симметрия. Из свойств пространства Минковского и осн. положений квантовой теории поля следует, что для любой частицы, обладающей к.-л. зарядом, должна существовать симметричная ей античастица (обладающая той же массой, временем жизни и спшюм, но с противоположным значением заряда), а также необходимость определённой С. между движениями частиц и античастиц. Основой для указанной С. является то, что одновре.м. отражение всех пространственных осей (Р) и временной оси (Р) (т. е. переход к зеркальной системе пространственных координат и отсчёт времени в обратном направлении) формально сводится к повороту в пространстве Минковского на мнимый угол (в евклидовом пространстве чётное число отражений сводится к реальному повороту).,Поэтому теория, удовлетворяющая требованиям релятивистской инвариантности, т. е. инвариантная относительно иоворотов в пространстве Минковского, должна быть инвариантна и относительно т. н. слабого отражения (РТ). (То, что при этом поворот осуществляется на мнимый угол, не имеет принципиального значения, по крайней мере, для теорий с локальным взаимодействием частиц с конечным спином.) [c.506]

Они вместе с выражениями для поверхностных плотности мряда а н тока i через у получаются из (23) предельным переходом (я—нормаль к границе раздела, направленная из первой во вторую часть среды). Здесь для определённости пространство-время предполагается плоским, а ва-куум — однородным и изотропным, используется инерци-альная система отсчёта, к.-л. образом связанная со средой в целом. Все свойства среды, за исключением сторонних зарядов ptj и токов j , включены в новое поле электрич. индукции /)"( , г) или полной электрич. поляризации Р (Г, )] и задаются функционалом j[E, В]. В линейной Э. соответствующее материальное ур-ние имеет вид [c.529]

Вторая физическая система, которую мы будем рассматривать в 78, 79, это намагничивающееся вещество, которое при температурах ниже некоторой характерной для данного вещества — температуры Кюри Тк — является ферромагнетиком. В отсутствие внещнего поля он обладает спонтанным намагничением М, а при Т> Тк теряет ферромагнитные свойства и ведет себя как парамагнетик (М = 0 при Н= 0). Несмотря на то, что физические процессы в системе жидкость — газ не имеют ничего общего с процессами в магнетике, существует далеко идущее формальное сходство между поведением параметров, характеризующих эти две системы. В частности, спонтанное намагничение весьма сходно с разностью р — рг — обе эти величины стремятся к нулю при Г - Гк — о и не существуют при температурах выще точки перехода. В связи с этим принято характеризовать скорость убывания М по мере приближения к критической температуре критическим показателем, обозначаемым тем же символом Д что и в формуле (76.1) [c.410]

У С. 8 сильно изменяется с изменением напряженности поля, подобно магнитной проницаемости ферромагнетиков. С. роднит с ферромагнетиками и гистерезисная петля зависимости заряда от приложенного к обкладкам сегнетоконденсатора напряжения, аналогичная кривой пере-магничивания. Время установления поляризации в сегнетоэлектрич. области темп-р заметно больше, чем при др. темп-рах, и в сильной степени зависит от напряженности поля. Вследствие этих аналогий свойств с ферромагнетиками С. за рубежом нередко называют ферроэлектриками. Насыщение поляризации наступает при почти полной ориентации диполь-ных моментов в соответствии с полем. При возникновении спонтанной поляризации в точке Кюри, а также при изменении внешнего электрич. поля наблюдается деформация образца — электрострикция. Поляризованные С. в сегнетоэлектрич. области темп-р являются пьезоэлектриками. Потери С. обусловлены как токами утечки, так и электрострикционными деформациями. Выше или ниже сегнетоэлектрич. области вещество ведет себя как обычный диэлектрик— исчезает доменная структура и зависимость е от Е. Темп-ра перехода из сегнетоэлектрич. в несегнетоэлектрич. состояние наз. точкой Кюри (6). В точке Кюри осуществляется переход из одной кристаллография. модификации вещества в другую. Для точки Кюри характерен максимум в температурном ходе диэлектрич. проницаемости. Ввиду низкой механич. прочности, малого температурного интервала пьезосвойств, плохой влагостойкости и др. недостатков применение сегнетовой соли в качестве С. крайне ограничено. В основном применяется сегнетокерамика (см. Керамические радиотехнические материалы), ],ля к-рой характерна достаточная механич. прочность, тепло- и влагостойкость, возможность широкого изменения св-в в зависимости от состава и технология, режима получения материала. Диэлектрич. проницаемость е порядка 400—20 ООО может мало или весьма резко изменяться с изменением напряженности поля и темп-ры. Она резко снижается при частотах выше 10 гц. Тангенс угла диэлектрич. потерь порядка (20 н- 2000)-10 , номере приближения к точке Кюри уменьшается. Он также зависит от напряженности поля. Электрич. прочность пр=2—6 кв мм. [c.163]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...