Диоды СВЧ — Характеристики

Характеристики некоторых диодов СВЧ [c.212]

Диод туннельный — диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению при прямом напряжении на характеристике участка, соответствующего отрицательному дифференциальному сопротивлению применяется в устройствах СВЧ и быстродействующих импульсных устройствах [З]. [c.143]

Первым каскадом в приемнике СВЧ часто является смеситель, в котором обычно используются точечные смесительные диоды или диоды с барьером Шоттки, имеющие превосходные частотные свойства, малую мощность потерь и подходящие шумовые характеристики. Для понимания шумовых характеристик необходимо сначала достаточно подробно обсудить работу этого прибора. Мгновенная проводимость смесительного диода g(t) как функция (i>pt показана на рис. 8.1,а, а схема смесителя на рис. 8.1,6. [c.180]

Наиболее перспективно применение обращенных диодов для детектирования и преобразования малых ( 1 мв) сигналов в СВЧ и миллиметровом диапазонах длин. воли. Это связано с тем, что обращенные диоды имеют существенно большую кривизну характеристики. а иостоянная времени Rg того же иорядка, что у полупроводниковых диодов СВЧ. [c.209]

Диод лавык о-про 1е/и ый — полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей зарядов при обратном смещении электрического перехода хотя его статическая характеристика не имеет участка, соответствующего отрицательному дифференциальному сопротивлению, однако в этом режиме сопротивление в узкой области диапазона СВЧ может стать отрицательным применяется для генерации колебаний в этой области частотного диапазона [9]. [c.142]

Электрические методы выпрямлеиия дают возможность преобразовать сигналы СВЧ в постоянный ток или ток низкой частоты. В качестве нелинейных элементов используют детекторы или преобразователи. Вследствие их простоты, высокой чувствительности и доступности детекторные устройства являются наиболее распространенными индикаторами. Нелинейность характеристики позволяет использовать кристаллические детекторы как для детектирования малых сигналов, так и в качестве преобразователей частоты. Если детектор используют в качестве преобразователя частоты, то на него совместно с измеряемым сигналом подается напряжение гетеродина и на выходе выделяется сигнал биений. При детектировании слабых сигналов в цепи детектора появляется выпрямленный ток. Характеристики диодов приведены в табл. 3. [c.212]

При классификации Д. т. по фи 1. принципу выделяют туннельные диодм, в к-рых толп ина обеднённого-слоя столь мала (- 100 А), что энергетич. барьер между р- и п-областями оказывается прозрачным для туннелирования. электронов из валентной зоны в зону проводимости и обратно. Они изготавливаются из высоко-легпров. (вырожденных) полупроводников. Суперпозиция туннельного и обыч юго зонного механизмов, проводимости обусловливает Л -образную вольт-ам-перную характеристику (В АХ) с участком отрм1 атель-ного дифференциального сопротивления. -Чта особенность ВАХ и определяет гл. область применения туннельных диодов — генерацию СВЧ-излучения небольшой мощности. [c.628]

ГГц, однако ирактнч. использование в технике в оси. получили только МШУ до / 40 ГГц, причём наиб, эффективными по совокупности характеристик являются МШУ на ПТШ, к-рые повсеместно вытесняют др. виды МШУ, в т. ч. в миллиметровом диапазоне радиоволн. Охлаждение МШУ на этих транзисторах приводит к существенному снижению величины Гщ, Из разновидностей входных каскадов Р, СВЧ ближайший к МШУ на ПТШ по величине шумовых параметров смеситель на диодах Шоттки (СДШ), к-рый является самым распространённым малошуиящим входным каскадом Р. СВЧ н наиб, продвинутым в КВ-часть радводиапазо-ва. В своих диапазонах частот СДШ, как и др. функцио-вальные элементы и узлы Р., изготавливают методами микроэлектроники в виде гибридно-интегральных схем [c.229]

Подобная схема измерения применена в СВЧ-влагомере Фосфор-К , принцип автоматического уравновешивания - в СВЧ-влагомере ВХС-2 для хлопка-сырца. Уравповешивапие производится электронным аттенюатором на 10 и-г-р-г-и-диодах, включенных параллельно [29]. Сравнение производится по принципу развертывающего преобразования, нри котором на вход аттенюатора подается линейно увеличивающееся напряжение, изменяющее его затухание. При достижении равенства напряжений в опорном и измерительном каналах процесс уравновешивания прерывается. Отсчет ведут по счетным импульсам, подаваемым сипхроппо с линейно увеличивающимся напряжением. К недостаткам этой измерительной схемы прежде всего относят наличие двух детекторных секций, идентичность характеристик которых достичь практически невозможно. [c.16]

Туннельные диоды применяются как активные элементы в СВЧ генераторах и усилителях, а также в качестве быстродействующих переключательных элементов (время переьапочения менее 1 не) в бистабильных устройствах. В зависимости от применения туннельные диоды делятся на усилительные, генераторные и переключательные. У усилительных диодов стремятся обеспечить минимальный коэффициент шума, у генераторных - большое значение тока в точке максимума вольт - амперной характеристики, а у переключательных - широкую область впадины и -UI на рис. 4.27). [c.92]

Диоды Гаииа имеют однородную полупроводниковую структуру (без перехода) с невыпрямляющими контактами выводов. Вольт-амперная характеристика диода Ганна, снятая на постоянном токе, в начальной части подобна характеристике обычного резистора. На СВЧ диод Ганна обладает отрицательным сопротивлением. Появление отрицательного сопротивления на отдельных определенных частотах СВЧ диапазона обусловлено объемными эффектами, возникающими при высокой напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых материалах (арсенид галлия). Упомянутые эффекты были обнаружены в 1963 г. английским физиком Д. Ганном, установившим, что при приложении электрического поля, превышающего некоторое критическое значение, к произвольно ориентированным однородным образцам с двумя омическими контактами во внешней цепи возникают колебания тока. Период колебаний приближенно равнялся времени пролета электронов от катода к аноду, и для использованных Ганном образцов частота колебаний лежала в СВЧ диапазоне. Полученные впоследствии объяснения этому эффекту говорят о том, что колебания в полупроводнике и отрицательное сопротивление диода определяются возбуждением носителей высоким напряжением, которые за счет возбуждения переходят из низколежащей долины зоны проводимости, где их подвижность велика, в обычно незаполненную долину, где их подвижность мала. [c.93]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...