Электронейтральности условие

Эвтектическая точка 226, 241, 264 Эйлера уравнение 147 Экстенсивная величина 14, 239 Электродвижущая сила 217, 218, 236, 243, 249 Электронейтральности условие 213 Электроны тепловые 243, 269 Электрохимический потенциал 218 Элемент электрохимический 216, 243 Энергия 14, 16, 17, 157 [c.302]

Полученные, выражения д я пир позволяют вычислять концентрацию электронов и дырок, если известно положение уровня Ферми. Поскольку положение уровня Ферми определяется условием электронейтральности собственного полупроводника, его можно найти, решив уравнение п=р или [c.247]

Образование дефектов в ионных кристаллах сопряжено с соблюдением дополнительного условия — необходимости сохранения электронейтральности кристалла. В этом случае возникают либо две одиночные вакансии противоположного знака (дефект Шот-тки), либо вакансия и межузельный атом (дефект Френкеля). При этом тип возникающих дефектов определяется спецификой кристалла. Например, для чистых щелочно-галоидных кристаллов типичны дефекты по Шоттки, а для галогенидов серебра — дефекты по Френкелю. Укажем, что если при образовании дефектов по Шоттки плотность кристаллов уменьшается, то при образовании дефектов по Френкелю она остается неизменной. [c.233]

Согласно условию электронейтральности алгебраическая сумма токов всех электродов, образующих данную систему, равна нулю (т.е. сумма всех анодных токов равна сумме всех катодных токов в любой системе электродов). [c.24]

Существенное значение дифференциации корродирующей поверхности на анодную и катодную зоны можно показать следующим путем. Пусть ig и 1,, соответственно означают плотность тока на анодных и катодных участках. Из условия электронейтральности непосредственно следует, что [c.145]

М+] -f [Н ] = [0Н ] (условие электронейтральности) (3.13) [Н+] [ОН"] = (диссоциация воды) (3.14) [c.40]

Концентрация ионов натрия остается неизменной. Остаточная концентрация Са2+ определяется условием электронейтральности раствора [c.81]

Из-за малых размеров и электронейтральности мезоатомы водорода ведут себя подобно нейтронам они свободно проникают сквозь электронные оболочки атомов и подходят на близкие расстояния к их ядра.м. При этом происходят многообразные р-атомные и р-молеку-лярные процессы перехват мюонов ядрами более тяжёлых изотопов рр б —г бр р, бр 1 1р - - б образование мюонных молекул бр - р — рбр и т. д. Образование мюонных молекул является решающим условием протекания М. к. В принципе (благодаря экранировке кулоновского поля ядра мюонов в мезоатоме водорода и значит, уменьшению ширины кулоновского барьера) реакции синтеза могли бы протекать на лету, т. е. при столкновениях свободных мезоатомов с ядрами изотопов водорода (напр., бр -(- Р Не + р", бр -Ь б Не + п 4- р"). Однако в мюонных молекулах ядра удалены друг от друга на расстояние порядка удвоенного боровского радиуса мезоатома 2Г(, 5 10" 229 [c.229]

Уровень Ферми р определяется из условия электронейтральности, согласно к-рому концентрация отри-цат. зарядов (электронов и заряж. доноров) должна быть равна концентрации положит, зарядов (дырок и нейтральных акцепторов) [c.39]

Правильность анализа воды проверяют по условию электронейтральности (IK = ХА), при этом суммы нормальных (эквивалентных) концентраций катионов и анионов должны быть равны или отличаться не более чем на 1 %. [c.553]

Вакуумный комплекс термоядерного реактора обеспечивает откачку газов в период рабочего импульса при соблюдении условий динамического равновесия между потоком инжектируемых быстрых нейтральных атомов дейтерия и потоком газов, выводимых из плазмы откачку газов из разрядной камеры в период энергетической паузы рабочий режим инжекторов электронейтральных атомов дейтерия и устройств дополнительного подогрева плазмы. [c.542]

Используя условие электронейтральности Пе = Пр, находим химический потенциал [c.286]

Как показывает анализ реальных кремниевых структур /1 - - +-типа для силовых полупроводниковых приборов [47], применение профилирующих фасок ttj и (Х2 не избавляет реальные приборы от поверхностного пробоя при приложении к / - -переходу обратного напряжения, так как это грубо нарушает условие электронейтральности структуры в абсолютных единицах заряда, Кл [c.162]

Известно, что барьер Шоттки обладает выпрямительными свойствами при больших токах, обусловленных целиком основными носителями заряда, а условие электронейтральности по-прежнему определяется уравнением Qg + + 0 = 0. [c.167]

Условие (2.4) отличается от условия электронейтральности для одного кристалла без поверхностных эффектов, так как в кристалле полная сумма электрических зарядов подвижных носителей и примесных ионов д - А должна быть равна нулю. Если на единицу объема 1 см или 1 м приходится ЛАд донорных атомов, из которых не отдали свои электроны (следовательно, нейтральны), то оставшиеся доноров [c.167]

Проверка правильности анализа воды производится по условию электронейтральности раствора путем пересчета концентраций катионов и анионов, выраженных в мг-экв кг. Суммы эквивалентных концентраций катионов и анионов должны быть равны или отличаться не более чем на 1%. [c.627]

Условимся потенциал металла на берегах трещины считать равным нулю. Тогда ф(и,v) представляет собой скачок потенциала на границе металл — раствор при переходе через двойной слой от металла к электронейтральному раствору. Через фо будем обозначать потенциал слоя А на дне трещины (фо — заданная эмпирическая постоянная рассматриваемой системы). При этом автоматически учитывается также контактный потенциал на границе различных металлов. [c.411]

Важным фактором образования кристалла является соблюдение условия электронейтральности. Оно сводится к требованиям равенства положительных и отрицательных валентностей ионов в любом кристалле. [c.13]

Авторы [13, 14] обобщили условие электронейтральности на перовскиты сложного состава без вакансий. Они показали, что если формулу кислородсодержащего перов-скита представить в виде [c.13]

Условие электронейтральности решетки [c.126]

Найти дифференциальное уравнение, описывающее амбиполярную диффузию и дрейф распределения избыточных пар электрон — дырка внутри полупроводника, имеющего равновесные концентрации электронов По и дырок ро, которые сравнимы по величине при приблизительном выполнении условия электронейтральности внутри кристалла. [c.80]

Аналогично на единицу объема приходится М — ра отрицательно заряженных ионизованных акцепторов, где —число акцепторных атомов, не захвативших электроны. Условие электронейтральности можно тогда записать так [c.324]

Оно является не чем иным как условием электронейтральности плазмы. Наряду с кулоновской энергией взаимодействия между частицами [c.216]

В пространственно однородном случае вклад среднего поля равен нулю из-за условия электронейтральности. [c.285]

Используя условие электронейтральности [c.59]

Это очевидное требование очень важно для организации вычислительного процесса. В случае электрическ и заряженных составляющих может добавляться условие электронейтральности каждой из фаз [c.175]

Концентрация носителей. Предположим, что в полупроводнике имеются доноры с концентрацией N . Аналогично тому, как это было сделано для собственного полупроводника, можно записать условие электронейтральности и из него определить положение уровня Ферми в примесном полупроводнике. Так, в области низких термодинамических температур, когда процессами переброса элек- [c.251]

Использование в качестве активатора ионов хрома позволяет на переходах Е, р2 Аа создавать перестраиваемые лазеры в красной и ближней инфракрасной областях спектра. В решетку граната можно изоморфно вводить до 100% активаторных ионов некоторых редкоземельных элементов, например Ег + или Но +, что способствует созданию лазеров, генерирующих излучение с длиной волны около 3 мкм. Эти лазеры открывают новые возможности в лазерной хирургии и инженерной биологии. Трехподрешеточная структура граната позволяет изоморфно вводить ионы элементов практически всех групп периодической системы, что при условии сохранения локальной электронейтральности обеспечивает необходимое окружение активаторных центров. Монокристаллы гранатов выращивают методами Чохральского и Багдасарова. [c.77]

Всегда можно выбрать настолько тонкий слой металла у поверхности, чтобы считать пополнение недостатка электронов в этом слое происходящим полностью за счет внешнего облака электронов френкелевского двойного слоя с соответствующим изменением внешнего потенциала (выше была дана оценка толщины этого слоя). Поскольку и в этом случае расширение или сжатие решетки приводит к изменению химического потенциала Д л (в первый момент деформа- ции электронейтральность не нарушается и изменяется только химическая часть энергии), условие равновесия Д л = О может быть обеспечено путем перераспределения электронов за счет электронов френкелевского двойного слоя, что приведет к изменению поверхностного скачка потенциала Величина его [c.100]

Большая часть сухого остатка приходится на долю ионно-дисперсных соединений. Основное их количество обусловленно присутствием в воде трех катионов Na+ Са + Mg + и трех анионов НС0 С1- SO . Из условия электронейтральности вытекает необходимость при этом равенства эквивалентных концентраций катионов 30 [c.30]

Если в растворе количество отдельных электролитов превышает их предел растворимости, накипеобразование протекает с определенным проявлением цикличности. В частности, на поверхности нагрева из ионов ДЭС возникает кристаллический слой. Однако при поверхностном кипении нет условий для возникновения ЭП и неподвижного ПСБ. Паровые пузыри постоянно перемешивают ПСБ, и он не имеет ярко выраженного электроней-трального состава. Помимо частиц коагеля и геля, в нем имеется множество мицелл, ионов, кристаллических образований и т. п. Поэтому хотя паровые пузыри стимулируют отложение электролитов в накипь, это не означает, что в таких растворах наступает усиленное отложение в накипь только веществ ионной диссоциации. Паровые пузыри, сдвигая ионы ДЭС, одновременно с этим разрушают барьер на пути электронейтральных частиц к теплообменной поверхности. Это, а также неупорядоченность ПСБ приводит к защемлению органических и минеральных электронейтральных частиц в торосах кристаллов, которые возникают вокруг контактных пятен паровых пузырей. Поэтому образующаяся накипь состоит из электролитов, коагелей, гелей и студней. Она получается рыхлой, ее кольца могут превышать толщину граничного слоя несмотря на то, что для таких растворов толщина последнего значительно больше, чем у растворов ионной структуры. В этом случае на отложения действует гидродинамика потока и они могут разрушаться. [c.62]

Благоприятное действие на изменение ЗС М—N может оказать присутствие еще одного легирующего элемента. Так, ЗС А1—будет возрастать, если в рассматриваемый фрагмент вводят атом кислорода (О —> N). В этом случае будет вьшолняться условие электронейтральности системы (81—А1—О—К) в целом. Однако формальное соблюдение данного условия не всегда оказывается достаточным. Так, расчеты кластеров типа [8l2MgNlo], где электронейтральность системы учитьшали введением в N-пoдpe-шетку одного, двух атомов кислорода, атома фтора или наличием решеточной вакансии, показали, что ЗС Mg—N сохраняет отрицательное значение. [c.98]

В правой части (58,2) стоит число дырок в валентной зоне, а само равенство (58.2) ъыражй т условие электронейтральности, число электронов в зоне проводимости Пс равно числу дырок в валентной зоне Пр. Переходя к интегрированию, мы ограничимся случаем изотропной модели с квадратичным законом дисперсии. В этом случае выражения для числа электронов и числа дырок в единице объема и в интервале энергий е можно записать в виде [c.285]

Как при монополярной, так и при биполярной инжекции носители заряда оказываются неравновесными и нарушают электронейтральность кристалла (равновесные носители, например тепловые, генерируются парами и нейтральность не нарушают). Вследствие нарушения электронейтральности в диэлектрике образуется пространственный (объемный) заряд, который частично захватывается дефектами-ловушками. В условиях существования пространственного заряда зависимость плотности тока от напряженности поля становится нелинейной (закон Ома нарушается). [c.47]

Отрицательный объемный заряд, связанный с быстро продиф-фундировавшими электронами, и положительный объемный заряд, появившийся в области отставших дырок, создают внутреннее поле, направленное, очевидно, так, чтобы задержать быстро диффундирующие электроны и ускорить более медленные дырки. С того момента, как это внутреннее поле установится, электроны и дырки будут диффундировать и дрейфовать согласованно, но со скоростью, промежуточной между собственной скоростью электронов и собственной скоростью дырок. При обычных условиях в кремнии и в германии для образования этих внутренних полей требуется лишь очень небольшой относительный разбаланс в концентрациях электронов и дырок, и поэтому диффузия и дрейф избыточного распределения носителей характеризуются состоянием приблизительной электронейтральности, в котором [c.349]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...