Влияние инжекции

Влияние инжекции на течение газа около затупленных тел. Летательные аппараты с затупленными головными частями нашли широкое применение в случае очень больших сверхзвуковых скоростей их движения, когда необходимо обеспечить условия, при которых такие аппараты успешно противостоят действию высоких температур обтекаю- [c.268]

Влияние абляции на теплоотдачу к произвольному осесимметричному телу исследовалось в работе [775] с учетом инжекции массы (газа) и приближенной оценкой излучения от горячего слоя газа. Процессы, характерные для материалов типа тефлона, с учетом теплообмена и химической реакции исследовались Саттоном [772, 773]. Саттон исследовал также пиролиз армированных пластиков и нашел, что феноменологические характеристики существенно зависят от времени и степени нагрева [774]. Теплозащита с использованием массообмена рассмотрена в работе Ска- ла [681]. [c.371]

Основной причиной ухудшения свойств плоскостных транзисторов является влияние излучения на объемные рекомбинационные процессы. При инжекции неосновных носителей через область базы особенно важно, чтобы они не рекомбинировали прежде, чем пройдут эту область. Поэтому транзисторы с очень узкой областью базы могут выдержать большее облучение, чем транзисторы с широкой областью базы. Величина изменения времени жизни зависит от числа созданных дефектов и от сечения рекомбинации дефектов. Экспериментальные наблюдения наводят на мысль, что сечение рекомбинации дефектов в кремнии, облученном быстрыми нейтронами, значительно больше, чем в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии. [c.284]

На характеристику конденсирующего инжектора заданной геометрии оказывают влияние начальное давление пара Ро (рабочий диапазон коэффициентов инжекции сужается с ростом р а, при этом максимальные значения давления на выходе из инжектора Рд max увеличиваются и достигаются при меньших значениях и), начальное относительное массовое паросодержание х активного потока, длина камеры смешения /н. с, с ростом которой [c.135]

Сначала проанализируем влияние температуры Те. Ее рост, эквивалентный увеличению противодавления на выходе из эжектора, обусловливает уменьшение коэффициента инжекции (рис. 10.4, а) и оказывает неоднозначное влияние на кратность циркуляции у. Увеличению у способствует, как это видно из уравнения (10.5), сокращение разности энтальпий рабочего тела на рефрижераторе ijo — is и разности давлений — рв, а снижению — уменьшение коэффициента инжекции и при неизменной относительной холодопроизводительности ЭХУ. Под воздействием указанных факторов появляется максимум на графике зависимости у Те). Но это не нарушает монотонного характера возрастания коэффициента р, взаимосвязанного с у через коэффициент инжекции и (см. (10.4)). Рост коэффициента р, в свою очередь, [c.197]

Такой способ получения ВФХ и ВАХ характеристик, в рамках одного метода, позволил контролировать параметры зарядовой деградации сразу после туннельной инжекции, снизив влияние релаксационных процессов. Последующая реализация предложенного алгоритма при противоположной полярности токовых воздействий позволяет определить плотность, сечение захвата зарядовых ловушек и положение центроида заряда в диэлектрике. [c.127]

Согласно (4.49), в отсутствие инжекции поле вблизи отрицательного электрода неограниченно возрастает с увеличением экспозиции. Очевидно, что такое невозможно в реальной ситуации. В [4.52, 4.53] показано, что поле у электрода с напряженностью в несколько сот кВ/см вызывает заметную инжекцию электронов с электрода в кристалл BSO. После того как поле достигает такой напряженности, инжекция оказывает существенное влияние на дальнейшее формирование поля и заряда, что является основной особенностью третьего этапа их эволюции под воздействием записывающего света. На этом этапе инжекция сначала замедляет, а затем полностью останавливает рост плотности положительного заряда в приэлектродной области. Последнее в свою очередь стабилизирует поле у контакта и, следовательно, ток инжекции, который устанавливается равным фототоку в кристалле. Отрицательный заряд с контакта частично компенсирует положительный заряд в приэлектродной области. В результате этого поле в области узкого горла возрастает, что позволяет заметной части электронов проникать через узкое горло в примыкающую часть кристалла. За узким горлом электроны захватываются на ловушки и образуют отрицательно заряженную область кристалла. Таким образом, формируется двойной заряженный слой положительный заряд располагается непосредственно у поверхности кристалла, а отрицательный — за узким горлом электрического поля. Двойной заряженный слой не экранирует внешнего поля, поэтому на третьем этапе на достаточном удалении от отрицательного электрода возрастает до величины, близкой к [c.70]

Следует подчеркнуть, что коэффициент инжекции и определяемый наряду с ним коэффициент избытка воздуха в топке котла не одно и то же понятие, так как величины И и могут сильно различаться как за счет подвода вторичного воздуха, так и вследствие неорганизованных присосов воздуха через неплотности. На величину И основное влияние оказывает размер диаметра сопла горелки. [c.81]

Плош,адь сопел для горючей смеси в мундштуке, как видно из фиг. 53, оказывает значительное влияние на степень инжекции. Диаметр смесительной камеры, соответствующий максимальному коэффициенту инжекции при данном отверстии в инжекторном сопле, также различен для разных мундштуков. [c.74]

Интересный результат получается при исследовании влияния на параметры пучка энергии инжекции. Повышение скорости инжектируемых электронов с 0,4 до 0,5 приводит к некоторому увеличению захвата, однако при этом снижается средняя энергия ускоренных частиц и увеличивается ширина энергетического спектра. Это можно наблюдать на рис. 11, где крестиками отмечено начальное распределение электронов при инжекции с = 0,5 и в конце ускорения. [c.43]

Из анализа кривых, приведенных на рис. 12, можно сделать качественные заключения относительно влияния энергии инжекции на выходные параметры. Так, увеличение энергии инжекции, очевидно, приведет к увеличению захвата и к возрастанию в конце группирователя фазовой протяженности сгустка и разброса в энергии частиц. Уменьшение энергии инжекции дает обратный эффект. На ос- [c.44]

Вопросы инжекции и устойчивости горения пламени применительно к этой аппаратуре еш е мало изучены. Нет также и точного определения понятий инжекции и эжекции и экспериментальных данных о влиянии изменения и точности изготовления основных размеров и сечений газовых каналов горелки на ее работу. [c.38]

Для оценки влияния диаметра смесительной камеры на коэффициент инжекции воспользуемся следующей формулой инжекции [5] [c.51]

Чанг выполнил анализ влияния инжекции воздуха в точке торможения па рекомбинацию на поверхности и на тепловой поток к затупленному телу с конечной каталитической активностью поверхности ( hung Р Л 1,, NASA TN D-27, 1959). Как и можно было ожидать, инжекция воздуха приводит к уменьшению теплового потока. [c.130]

Переменное Въ выбрано потому, что оно встречается в полезном выражений для которое еще будет выведено. При подготовке рис. 8.6 предполагалось, что Рг = 0,70 и 5т = 0,50, что является приемлемым для газовой смеси, состоящей из молекул и атомов, молекулярные и атомные веса которых близки к весам компонентов воздуха или простых молекул, таких, как СО2, СО, ВО2. Когда используются легкие газы, такие, как гелий или водород, выбор значений Рг и 5т будет зависеть от фракционной пропорции легкого газа к остальным компонентам в пограничном слое, и эти величины становятся переменными в пограничном слое. Рубезин и Паппас ) рассмотрели влияние инжекции легкого газа, такого, как Не или Нг, в изотермический пограничный слой воздуха, что ясно продемонстрировало зависимость величин Рг и 5т от фракционного [c.303]

Цель работы — исследовать аэродинамический спектр при сверхзвуковом обтекании тела вращения со сферическим затуплением в случае вдува (иижекции) газа через отверстие в точке полного торможения. Найти также путем измерений распределение давления по сферической поверхности и сравнить это распределение с тем, которое имеет место без инжекции. Определить изменение коэффициента волнового сопротивления за счет влияния инжекции. [c.268]

Рассмотрим влияние различных факторов на величину бокового управляющего усилия. Эксперименты показывают, что угол наклона оси отвер-ствия инжекции ау = п/2+Рсп+е (рис. 4.9.4) существенно влияет на величину Ру. Для получения ее наибольшего значения при > 1 принимают ау л (3/4)п. С ростом ау удлиняется передняя зона отрыва, растет среднее давление в ней, так как точка отрыва смещается вверх по потоку в область ббльщих давлений. Управляющее усилие при этом увеличивается. Вместе с тем становится больше и угол е, что уменьшает реактивную составляющую управляющего усилия. Кроме того, смещение передней границы застойной зоны к критическому сечению сопла приводит к повыщенному азимутальному (поперечному) расширению возмущенной области. Участки [c.341]

Высота псевдоожин еиного слоя и расстояние от места инжекции трассера не оказывали заметного влияния на D. Не установлено влияния рода материала. [c.200]

Опытные данные, характеризуюпще влияние и и д на выходное давление инжектора, полученные при роп = 0,3 МПа и /г, д = 0,01м, представлены на рис. 7.7. Зависимости Рд (и) имеют четко выраженный максимум, за исключением случая с fp. д = 0,609, при котором эта зависимость имеет пологий характер. С уменьшением fг. д величина Рд шах растет, при этом точки максимума смещаются в сторону меньших значений и. При пятикратном уменьшении площади проходного сечения горла диффузора значение рд, ах увеличивается более чем в два раза, а соответствующий ему коэффициент инжекции уменьшается с 18 до 9. [c.136]

Перейдем к анализу влияния температуры Tj на удельный расход охлаждающей воды учитывая, что при Г = T opt = = idem противодавление на выходе из эжектора, коэффициент инжекции и практически параметр N , в. х остаются постоянными. Кроме того, по мере роста температуры Г5 сокращается изоэн-тропный перепад энтальпий h—i2s, срабатываемый на турбине ПТП, что в соответствии с уравнениями (10.4) и (10.5) обусловливает уменьшение коэффициентов v и р, показанное на рис. 10.5, а. Однако в конечном итоге сокращение величины г —i2s приводит к незначительному уменьшению приведенной электрической мощности ЭХУ и обусловливает некоторое возрастание параметра No. a> как это видно из рис. 10.5, б. Таким образом, вид кривой [c.199]

Имеются многочисленные экспериментальные данные, свидетельствующие как о термической стабильности наноструктур, так и об их активной рекристаллизации даже при комнатных температурах. В последнее время появились работы (см. обзор [3]), в которых делается попытка оценить роль различных факторов роста зерен применительно к наноматериалам. Теоретически показано, например, что инжекция вакансий внутрь зерен, которая имеет место при движении межзеренной границы, повышая свободную энергию системы, делает термодинамически невыгодным рост зерен, но только в определенном интервале размеров последних. Наличие тройных етыков, доля которых в структуре наноматериала значительна (см. рис. 2.3, б), также замедляет рост зерен. Таким же образом действуют поры, сегрегации на границах и сжимающие напряжения. В то же время неоднородное начальное распределение зерен по размерам и растягивающие остаточные напряжения инициируют рост зерен. Здесь также следует иметь в виду, что в случае легированных наноструктур влияние размера кристаллитов на интегральную свободную энергию О может быть немонотонным [3, 82]. Характер зависимости 0= /(Т) означает, что из-за существования минимума при Т рит рост зерен в интервале Ь < Крит становится, так же как и в упомянутом выше случае инжекции вакансий, термодинамически невыгодным. [c.100]

Рис. 121 иллюстрирует механизм влияния инжекдии на поле течения в сопле. Кроме того, что впрыскиваемая жидкость замещает часть выхлопных газов, инжекция приводит к образованию системы скачков уплотнения (скачок отрыва и индуцированный головной скачок уплотнения). Боковая составляющая реактивной силы возникает как следствие двух эффектов во-первых, поток импульса вещества, впрыскиваемого через [c.206]

Туннельная инжекция заряда в диэлектрик может осуществляться как в режиме постоянного тока, так и в режиме постоянного напряжения. В первом случае в процессе инжекции постоянным остается катодное электрическое поле, а во втором — анодное. Поскольку на процес- an/n сы накопления зарадов диэлектрика существенное влияние оказывают локальные электрические поля и их изменение в ходе инжекции, то в общем случае изменение зарядового состояния диэлектрика должно зависеть от режима инжекции носителей. В МДП-структурах с [c.127]

Сильные электрические поля, туннельная инжекция носителей оказывают существенное влияние на зарядовое состояние МДП-структур. Повышение интереса к исследованию процессов зарядовой нестабильности МДП-структур в условиях инжекции носителей в настоящее время связано с тем, что с повышением степени интеграции МДП-БИС происходит уменьшение длины каналов и толщины подзат- [c.128]

Одновременно с накоплением в пленке Si02 положительного заряда начинает возрастать плотность поверхностных состояний. Многочисленные исследования данного явления показали, что увеличение плотности поверхностных состояний и генерация положительного заряда тесно взаимосвязаны. В работах М.Фишетти также предполагается, что ответственным за оба процесса зарядовой деградации являются одни и те же структурные нарушения в пленке двуокиси кремния у границы Si-Si02, что происходит, в основном, под влиянием электронных процессов, которые стимулируются действием электрического поля, вызываюш его инжекцию заряда в диэлектрик. [c.132]

В [42] приведены результаты исследования влияния толщины пленки ФСС на накопление отрицательного заряда для толщины 1...16 нм. Показано, что с ростом толщины происходит увеличение плотности отрицательного заряда, накопленного при туннельной инжекции. Однако зависимости процессов зарядовой нестабильности системы Si-Si02-Ф от толщины слоя ФСС еще до конца не исследованы. [c.135]

В последние годы были разработаны несколько физико-математических моделей зарядовой деградации МДП-структур в условиях туннельной инжекции. Эти модели описьшают процессы накопления заряда в диэлектрике на основе механизмов захвата носителей, учитывающих новые данные о распределении электронов по энергии в диэлектрических пленках в сильных электрических полях, и позволяют проводить сравнение зарядовой стабильности МДП-структур с различной толщиной двуокиси кремния (в том числе и многослойных), учитывать влияние изменений характеристик центров захвата, локальных электрических полей. Применение таких моделей позволяет оптимизировать параметры МДП-систем применительно к конкретным структурам МДП-ИС и БИС в рамках действующих типовых технологических процессов, а также совершенствовать технологии получения диэлектрических слоев с целью повышения устойчивости схем к токополевым, электронным и ионизационным воздействиям. [c.136]

Поскольку центроид отрицательного заряда, накапливаемого в пленке ФСС, находится дальше дистанции туннелирования, то при инжек-ции электронов из кремния он оказывает практически одинаковое влияние на сдвиги Vf Q и AFj. При инжекции электронов из алюминия зависимости и AVj от инжектированного заряда имеют тот же [c.144]

И.Н. Головин и Д.А. Панов под влиянием Курчатова хотели построить термоядерную электростанцию на основе открытой ловушки с нейтральной инжекци-ей частиц Огра-2 . Они заинтересовали Евграфа Сергеевича своим проектом. Евграф Сергеевич занимался расчетом накопления частиц в Огре вместе с И.Г. Крутиковой. В этой нелинейной задаче необходимо было найти критический параметр — ток перевала. Однако первые расчеты не учитывали развитие неустойчивостей в нлазме Огры и соответствуюгцих потерь частиц. Дальней-niee развитие привело к расчетам системы стабилизации плазмы с помогцью обратных связей в такой лову гаке. [c.768]

В разделе 4.6 рассматривалось формирование фотоиндуцирован ного заряда в ФРК с учетом влияния контактов при однородном освещении кристалла записывающим светом. Предполагалось, что контакт электрод—кристалл является неомическим и ограничивает инжекцию электронов в кристалл. С этим связаны существенные особенности механизма записи в ФРК при их использовании в ПВСМ. Мы рассмотрим, как динамика формирования заряда влияет на амплитуду модуляции света, т. е. будем иметь дело со случаем неоднородного освещения записывающим светом. [c.130]

Для того чтобы изменение силы тяги не оказывали влияния на инжекционную способность горелок и коэффициент инжекции первичного воздуха оставался постоянным, инжекторы горелок заключены в кожух, соединенный с поддувалом топки, и воздушные шайбы с горелок сняты. Необходимое для горения газа количество воздуха регулируется пропор-ционируюпцш клапаном воздуха 12, поступление воздуха в который происходит (как указывают стрелки) через профилированные окна, величина открытия которых изменяется диском, связанным штоком с мембраной, расположенной внизу клапана, в зависимости от величины давления газа под мембрану. [c.281]

Свойства материала оказывают основное влияние на отдельные параметры режима литья под давлением. Удельное давление инжекции обычно колеблется в пределах 60—210 Мн1мР. С увеличением степени пластикации материала, его температуры и сечения литниковых каналов удельное давление инжекции уменьшается. [c.284]

В данной работе рассмотрены особенности экранирования спонтанной поляризации при равенстве работ выхода из сегнетоэлектрика и металлов, т. е. в отсутствие инжекции носителей тока. Исследуется влияние деполяризующего поля на температуру фазового перехода из неполярного в полярное состояние в монодоменных одноосных сегнетоэлектриках с фазовым переходом первого и второго рода, [c.144]

Из проведенного рассмотрения сэндвичной системы с сегнетозле-ктриком при отсутствии инжекции носителей тока следует, что возникающее деполяризующее поле Е = -2( П/1 оказывает наиболее существенное влияние в тонких пластинках на температуру перехода из неполярного в полярное состояние, смещая ее (а следовательно, и максимум пирокоэффициента) в сторону низких температур. [c.152]

Это значение /р существенно превышает экспериментально измеренные значения плотности тока / = данного образца Т10а (на первом этапе / = 3,72-10 а/м , на третьем / = 2,63-10 а/ж , и на четвертом плотность тока достигла величины /=3,39-10 а/м ). Аналогичный результат получается при сравнении расчетных значений ]р с экспериментальными данными / также и для керамики ВаТЮд. Необходимо принять во внимание, что при расчете не учитывались условия инжекции у электродов, а также влияние электронных ловушек. Эти факторы могут существенно снизить расчетное значение / ,. [c.174]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...