Плотность диполей

Таким образом, поляризуемость можно вычислить, если известны значения элементарных дипольных моментов и плотность диполей. [c.276]

Величина Ws зависит от того, как именно распределение заряда в поверхностных ячейках отличается от распределения в глубине металла отличие в свою очередь зависит от характера рассматриваемой поверхности. В некоторых моделях (см. задачу 1, п. а ) искажения заряда в поверхностных ячейках описывают посредством постоянной макроскопической поверхностной плотности диполей имея в виду такие модели, о поверхностном слое в общем случае часто говорят как о двойном слое . [c.358]

Для немагнитной среды Кт = h а из соотношения (2.12) следует, что показатель преломления п равен (е/ео) при этом, согласно уравнению (2.6), отношение е/ео определяется плотностью диполей No. Если положить, что только часть атомов ifo 1) возбуждается на частоте соо, то [c.43]

Но найденное значение S равно средней плотности потока электромагнитной энергии в определенном направлении, характеризуемом углом. Для тоге, чтобы получить полную мощность излучающего диполя нужно просуммировать эти средние [c.60]

Рассмотрев пару параллельных поверхностей с расположенными на этих поверхностях зарядами таким образом, что заряд элемента одной поверхности равен по абсолютной величине и противоположен по знаку заряду элемента другой поверхности (оба элемента вырезаются общими нормалями к обеим поверхностям), и устремляя расстояние между поверхностями к нулю при сохранении момента диполя, можем считать, что на предельной поверхности Sj непрерывно распределены диполи с плотностью Общий потенциал всех диполей равен [c.100]

Поток электрического смещения Электрическое смещение Электрическая ёмкость Абсолютная диэлектрическая проницаемость Электрический момент диполя Плотность электрического тока Линейная плотность электрического тока Напряженность магнитного поля [c.27]

ПЛОТНОСТЬ распределения диполей, пол учим потенциал течения от диполей с площадки А5 [c.313]

Рассмотренные выше типы связи в кристаллах реализуются в тех случаях, когда все электроны распределены по замкнутым оболочкам, локализованным в окрестности ядер, электронная плотность в межионном пространстве весьма мала, и взаимодействие между ионами можно рассматривать как взаимодействие между заряженными сферами (точками), либо диполями. [c.38]

Если же имеется N плоских трещин, то каждую из них можно рассматривать как двухстороннюю поверхность, на которой размещены источники и диполи тепла соответственно с плотностями рй и (ft, а перемещения имеют скачок при переходе через эту поверхность. Тогда напряжения и перемещения в теле с трещинами равны сумме напряжений и перемещений, обусловленных всеми источниками и диполями тенла, а также скачками на каждой из трещин. [c.357]

На рис. 9-2, б схематически показан участок поверхности А5, помещенный внутрь диэлектрика и ориентированный перпендикулярно направлению электрического поля. Около этого участка выделим малый цилиндрический объем, высота которого равна плечу диполя I. В таком случае все диполи числом N, попавшие внутрь цилиндрического объема, окажутся перерезанными поверхностью Д5 так, что их положительные и отрицательные заряды окажутся по разные стороны поверхности. На внутренней стороне поверхности AS, считая по направлению нормали, окажется отрицательный связанный заряд, поверхностная плотность [которого "" — qM/AS. Вектор поляризации в рассматриваемом объеме имеет только одну нормальную составляющую Р,г, в соответствии с формулой (9-3) находим [c.137]

Адсорбционная способность синтезируемых ингибиторов связана с тем, что молекулы ингибиторов представляют собой диполи с значительным дипольным моментом, полученным за счет концентрирования на одном конце молекулы групп с повышенной электронной плотностью, а на другом — электроположительных групп. [c.171]

Во многих приложениях задачу об отыскании потенциала ф х, у, ) сводят к задаче об отыскании функций точек поверхности 2, входящих под знаки интегралов в формулах (12.7) или (12.8), т. е. к задаче об отыскании плотностей распределения источников д (М) или диполей р М). В этом случае неизвестные функции входят под знак интеграла, поэтому соответству- [c.160]

Дисперсионное взаимодействие. Рассмотрим простейший пример взаимодействия двух атомов гелия (рис. 1.14, а, б). Распределение электронной плотности в атоме гелия обладает сферической симметрией, вследствие чего его электрический момент равен нулю. Но это означает лишь, что равно нулю среднее значение электрического момента. В каждый же момент времени электроны располагаются в определенных точках пространства, создавая мгновенный быстро меняющийся электрический диполь. При сближении двух атомов гелия в движении электронов этих атомов устанавливается корреляция (согласование), которая и приводит к возникновению сил взаимодействия. [c.20]

Ленточный диполь (рис. 1, б). Магнитный заряд распределен по элементу поверхности dS грани с поверхностной плотностью а(т]) [c.84]

При сжатии число диполей на единицу объема увеличивается пропорционально увеличению плотности, а дипольный момент молекулы при умеренных давлениях мол<ет быть принят в первом приближении не зависящим от плотности. Тогда из выражения (5.4) при постоянной напряженности поля получим закон изменения диэлектрической проницаемости при сжатии [c.175]

Приближенное выражение для величины сигнала может быть получено из интегрального рассмотрения общего сжатия диэлектрического слоя ири прохождении волны нагрузки. Сжатие диэлектрика уменьшает его толщину и, следовательно, увеличивает среднюю плотность диэлектрика и число диполей в единице объема (общее число диполей при сжатии не меняется). Если пренебречь изменением момента диполя при сжатии, можно пренебречь и изменением их суммарного момента при постоянной напряженности электрического ноля. Суммарный момент не зависит от конкретного распределения деформации но толщине диэлектрика. Следовательно, средняя по толщине величина коэффициента поляризации х меняется пропорционально толщине диэлектрического слоя [c.189]

Запись чисел на программоносителях производится в определенном коде, понятном для машины. Наиболее простым является унитарный код. Всякое число в нем изображается одним и тем же допустимым знаком —1. На перфоленте ему соответствует одна пробивка, на магнитной ленте — один диполь. Для записи числа 41327, например, надо перфорировать на ленте 41327 отверстий или нанести столько же магнитных штрихов. Такой способ записи очень удобен тем, что упрощает управление перемещением рабочих органов, но применяется в основном при использовании магнитной ленты, допускающей, как отмечалось, высокую плотность записи (до 5 штрихов на 1 мм). Каждый диполь, будучи считанным, вызывает перемещение рабочего органа на определенную величину, допустим, на 0,01 мм, так что число диполей соответствует длине перемещения, а их частота — скорости перемещения. [c.183]

Возможность такой локальной формулировки, очевидно, зависит от механизма изучаемых необратимых процессов. Если столкновения между дипольными молекулами изменяют угол в на конечную величину, то нельзя ожидать, что уравнение (3.81) останется справедливым, так как в этом случае необратимое возрастание плотности энтропии (т в) определяется числом диполей с различными значениями угла в. Но если столкновения изменяют угол в на весьма незначительную величину и суммарный эффект обусловлен кумулятивным действием большого числа столкновений, то такая локальная формулировка будет точной. Этот пример поучителен в том отношении, что он показывает ограничения локальной формулировки второго закона. (Относительно подробностей и связи с обычным толкованием необратимых процессов, например, с вязкоупругим поведением полимеров, см. работу [19].) [c.56]

Поле стоячей волны расслаивает пучок атомов, проходящий сквозь луч света, т, к. диполи, колеблющиеся в противофазе, двигаются по разл. траекториям подобно атомам в Штерна — Герлаха опыте. В лазерных пучках на атомы, двигающиеся вдоль луча, действует радиальная сила Д. с., обусловленная радиальной неоднородностью плотности светового поля. [c.554]

Здесь q — плечо диполя, 0, = o V0 — плотность диполей дискли- [c.121]

Из формул (8.111), (8.112) видно, что ослабление правильных отражений, связанное с наличием в кристалле дислокационных диполей, не зависит от направления вектора х, причем L пропорциональна квадрату модуля вектора величине и линейно зависит от плотности диполей Пдд Численное значение L может быть как больше, так и много меньше единицы. Например, когда V = 1/3 при Пдд Ю см 1 3-10 м, Я 10 I для отражения 200 Ь 3-10- , а для отражения 800 L 5,0-10 . Значения L при увеличении Пдд и I на порядок могут оказаться гораздо больше единицы. В зависимости от значения L можно говорить о сильно- и слабоискаженных кристаллах, картина распределения интенсивности рассеяния которых качественно отличается. Когда <С1, интенсивность правильных отражений ослабляется, появляется диффузное рассеяние при д Ф 2лКп- В области малых я, в которой интенсивность диффузного рассеяния резко возрастает, можно записать 1 (я) так [13] [c.257]

В этих условиях возможность процесса релаксации исключается. В противоположность этому создаются условия для накопления дислокационных диполей и достижения плотности диполей, достаточной для образования микротрещнны. На рис. 191 276 [c.276]

В случае адсорбции какого-либо поверхиостно-активного вещества на границе двух фаз появляется так называемый адсорбционный скачок потенциала. Механизм образования его состоит в том, что молекулы поверхностно-активного вещества, например какой-либо жирной кислоты [СНз(СН2)лСООН], представляющие со-бой диполи с положительной группой СНз и отрицательной группой СООН,. адсорбируются поверхностью, например поверхностью воды, одной стороной дипольной молекулы, а именно, гидрофильной группой СООН. Правильно выстроенные диполи в результате суммирования их электрических полей дают двойной электрический слой с положительной обкладкой наружу и отрицательной — внутрь. В зависимости от концентрации диполей на поверхности и дипольного момента молекул скачок потенциала может иметь различную величину. Скачок потенциала в двойном слое [ф1 — фг прямо пропорционален плотности диполей, т. е. числу диполей на 1 см поверхности (о) и расстоянию между зарядами в диполе (/), а именно, [c.124]

Здесь Ne — плотность электронов, см- г — расстояние от центра солнца, RQ. Свечение короны в непрерывном спектре обусловлено рассеянием света Солнца на электронах. Наблюдаются сильные запрещенные линии высокоионизованных тяжелых элементов (табл. 45.3). Соответствующие переходы запрещены правилами отбора в дипольиом приближении, поэтому их верхние состояния являются метастабильными. В обычных условиях они девозбуждаются столкновениями, но в среде малой плотности столкновения редки и девозбуждение происходит с излучением запрещенного кванта. Излучательная способность короны характеризуется ее мерой эмиссии ME = N dV стандартное значение меры эмиссии короны равно 4,4 10 см . Полный световой поток от короны за пределами 1,3 / при максимуме пятен составляет 1,3-10 полного потока от Солнца, при минимуме пятен — 0,8-10- солнечного потока [1]. [c.1199]

Расчет энергии связи в кристаллах — безусловно, квантово-механическая задача. Тем не менее установлено, что для некоторых типов твердых тел в достаточно хорошем приближении энергия связи может быть определена и на основе классического рассмотрения. К таким относятся кристаллы, распределение зарядов в которых может быть представлено в виде совокупности периодически расположенных точечных зарядов (ионов) или диполей. Возникающие в этих случаях типы связи называют соответственно ионной или ван-дер-ваальсовой (иногда — дипольной). В то же время сведение квантовомеханической задачи к классической оказалось невозможным в случае, когда плотность электронов в межионном пространстве достаточно велика, и электроны нельзя рассматривать как включенные в точечные (или почти точечные) ионы. Методы определения характеристик связи и физических свойств кристаллов с таким распределением электронов основываются непосредственно на квантовой теории (включая квантовую статистику). Анализ показал, что основными типами связи в этих случаях являются металлическая, характеризующаяся в первую очередь отсутствием направленности, и ковалентная, важным признаком которой является направленность. Помимо этого в последние годы выделяют в особый YHn водородную связь, имеющую важное значение при рассмотрении биологических соет динений. [c.20]

По теории Кульман-Вильсдорф предпочтение отдается пересечению дислокаций с дислокационными сплетениями, также наблюдаемыми при электронномикроскопических исследованиях. Механизм образования дислокационных сплетений называют процессом ветвления . Он заключается в том, что движущиеся дислокации оставляют за собой пересекаемые дефекты, в результате чего позади движущейся дислокации образуются дислокационные диполи, вакансий и небольшие дислокационные петли, которые возникают в результате осаждения вакансий. Указанные дефекты искривляют прямолинейные дислокации этому способствует также поперечное скольжение. В конце концов первоначальная форма прямолинейных дислокаций настолько изменяется, что они принимают вид сплетений. Дислокационные сплетения распределены неравномерно. Поэтому на стадии / упрочнения дислокации заполняют места между сплетениями, т. е. свободные области кристалла, создавая квазиравномерную плотность сплетений. Затем на стадии II плотность сплетений в результате пересечения с движущимися дислокациями возрастает, расстояние между сплетениями уменьшается, вызывая рост деформирующего напряжения. При этом стадия III объясняется преобладанием поперечного скольжения. [c.213]

Смола имеет пространственный рост молекул. Этим объясняется ее термореактивность. Бакелитовая смола представляет собой полярный диэлектрик, диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь которого в большей мере зависят от температуры и частоты. В стадии А это резко выражено, а в стадии С эта зависимость показана слабо, так как из-за плотности и жесткости молекулярной структуры диполи в интервале температур до 140° С мало подвижны. [c.98]

Намагничивающее поле Н, направленное параллельно граничной плоскости образца, создает на зубчатых стенках диполя магнитные заряды . Поверхностную плотность этих зарядов по глубине /г предполагаем одинаковой (0 = onst). В этом случае расчет магнитного поля зубчатого диполя (дефекта) сводится к вычислению магнитного поля по всем верхним и нижним граням зубцов и впадин. [c.64]

Кроме того, в твердых диэлектриках наблюдаются электроннорелаксационная, резонансная, структурная и самопроизвольная (спонтанная) поляризации, которые в полимерных материалах, как правило, не проявляются. Таким образом, пз всех рассмотренных видов поляризации стеклопластики на основе полиэфирных, эпоксидных, фенольно-формальдегидных и других смол следует отнести к материалам, которые обладают почти всеми видами поляризации одновременно, так как смолы обладают электронной и диполы-ю-релаксациоиной поляризациями одновременно, а стеклонаполнитель — ионно-релаксационной поляризацией. Основной предпосылкой для определения плотности полимерных материалов служит формула Клаузиуса—Моссоти, связывающая электрические свойства молекул, диэлектрическую проницаемость, поляризуемость и дипольный момент с плотностью и молекулярной массой [c.98]

Классическая теория. Произвольное распределение неподвижных или движущихся зарядов можно описать с помощью плотностей заряда р и тока j, удовлетворяющих ур нпю непрерывности Поле, создавае.мое такими источниками вне области их размещения, описывается как совокупность полей мультиполей. монополя (заряда), диполя, квадруполя и т. д. Однако такое описание продуктивно только тогда, когда размер I области, содержащей источники, мал по сравнению с длиной волны излучения К=2л1к = 2 кс1<а [c.630]

Одно из самых долгоживущих М. с.— состояние) ls2s 5i в Не и гелиеподобных ионах электрич. диполь- ) ные и электрич. квадрупольные переходы из них стро- го запрещены, а магн. дипольные и двухфотонные пере-1 ходы сильно подавлены. Наиб, вероятен релятивистский магн. дипольный переход. Для Не радиац. время жизни, в этом состоянии t = 5800 с и быстро уменьшается с i ростом кратности иона [г (ArXVII) — 170 нс]. Спектральные линии, соответствующие переходам из этих состояний, используются для диагностики электронной плотности в солнечной короне. М. с. и ls2 5i Не [c.122]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...