Дислокации взаимодействие с точечными дефектами

Стадия С. Здесь происходит снижение коэффициента упрочнения, которое, как и для стадии А, можно объяснить осаждением точечных дефектов на дислокациях. Плотность дислокаций здесь становится настолько большой, что точечные дефекты вступают во взаимодействие с дислокациями прежде, чем успевают коагулировать. На стадии С число случаев размытия следов скольжения, наблюдаемое по фотографиям линий скольжения, увеличивается. Это свидетельствует о переходе дислокаций на новые плоскости скольжения путем взаимодействия с точечными дефектами. Эксперименты показывают, что вклад Ts в деформирующее напряжение на стадии С больше, чем на стадиях А п В. Возможно, что вклад в [c.209]

При низкотемпературной деформации внутри стенок наблюдаются объемные скопления изогнутых дислокаций (см. рис. 23, г). Это объясняется их взаимодействием с точечными дефектами, в первую очередь вакансиями, которые в большом количестве образуются при пластической деформации, например при движении винтовых дислокаций с порогами, появляющимися в результате пересечения с другими дислокациями, аннигиляции краевых.дислокаций разных знаков и т. д. [c.62]

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИСЛОКАЦИЙ С ТОЧЕЧНЫМИ ДЕФЕКТАМИ [c.108]

Чрезвычайно важным результатом взаимодействия физических точечных дефектов (т. е, вакансий и междоузельных атомов) с дислокациями является их аннигиляция на дислокации. Механизм такого явления можно понять из рис. 3.27, где изображена краевая дислокация, переходящая из одной плоскости скольжения в другую, расположенную выше на одно межатомное расстояние. Такой переход называют ступенькой. Если к точке А подходит вакансия, то ступенька смещается в положение В, а сама вакансия [c.110]

ДВИЖЕНИЕ и ПЕРЕСЕЧЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИСЛОКАЦИЙ С ТОЧЕЧНЫМИ ДЕФЕКТАМИ [c.84]

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИСЛОКАЦИЙ С ТОЧЕЧНЫМИ ДЕФЕКТАМИ. Упругие поля напряжений вокруг дислокации и точечного дефекта взаимодействуют. Энергия взаимодействия краевой дислокации с примесным атомом [см. формулы (48)] тем больше, чем больше фактор размерного несоответствия е. [c.90]

Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами. Упрочнение твердого раствора под влиянием атомных (точечных) дефектов может быть качественно различным. Атомные дефекты можно подразделить на слабо взаимодействующие с дислокациями и сильно [c.221]

Поскольку основным механизмом упрочнения при программном нагружении является взаимодействие дислокаций с точечными дефектами и их компонентами, можно ожидать, что создание неравновесной концентрации точечных дефектов или их непрерывное генерирование должно увеличить эффекты программного упрочнения. Действительно, опыты с закаленными металлами[61,67, 681 при [c.93]

Перемещающиеся дислокации могут взаимодействовать как друг с другом, так и с точечными дефектами, которые играют роль препятствий. В зонах образования узлов дислокаций и их скоплений перед препятствиями местные искажения кристаллической решетки могут достигать такой степени, что происходят разрывы физических связей с образованием микроскопических трещин. Построено достаточное количество дислокационных моделей такого трещинообразования. [c.9]

Приведенный в статье большой обзорный материал, изложенный с позиций современной теории ползучести, а также подробный анализ движения и взаимодействия дислокаций с другими видами несовершенств прежде всего, с точечными дефектами — вакансиями, внедренными атомами, и кроме того частицами дисперсных фаз, является той необходимой базой, на основе которой станет возможным развитие теоретически обоснованных методов получения материалов с высоким сопротивлением ползучести. [c.7]

Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами. [c.105]

Различают три типа взаимодействия дислокаций с точечными дефектами упругое взаимодействие I рода (размерное) упругое взаимодействие II рода (взаимодействие по модулю упругости) электрическое взаимодействие (кулоновское). [c.108]

Такая формулировка связана со следующими обстоятельствами. Известные дислокационные модели зарождения микротрещин [4, 25, 170, 247] показывают, что они возникают при некотором критическом значении локальных напряжений в голове дислокационного скопления. Это соответствует критическому значению эффективного напряжения = Эффективное напряжение здесь определяется равенством a ff = ai — оо, в котором величина Оо есть так называемое напряжение трения, являющееся суммой напряжений Пайерлса—Набарро и сопротивления скольжению, обусловленного взаимодействием дислокаций с примесными атомами, точечными дефектами и исходными дислокациями [170]. Иными словами, оо есть напряжение, соответствующее началу пластического течения в зерне. С другой стороны, как известно, при температуре нулевой пластичности Т = = Tq условие наступления пластического течения (2.3) есть одновременно и условие разрушения сг/ = От(7 о) [170, 222]. Очевидно, что в данном случае выполнено условие зарождения микротрещины, и, следовательно, справедливо равенство [c.67]

Существенная перестройка исходной микроструктуры в результате облучения является, между прочим, результатом взаимодействия точечных дефектов с дислокациями, что влияет на эффект РУ стали, особенно в холоднодеформированном состоянии. [c.101]

Точечные дефекты и примесные атомы взаимодействуют также и с винтовыми дислокациями. В большинстве реальных кристаллов в силу анизотропии искажения, создаваемые дефектами, являются несимметричными. Это и приводит к взаимодействию их со скалывающими напрял ениями вокруг винтовой дислокации. Таким образом, разница между винтовой и краевой дислокациями в этом от-нощении не так велика, как может показаться сначала. [c.109]

Силы, действующие между дислокациями и растворенными атомами (точечными дефектами), обладают сферической симметрией. Энергия взаимодействия краевой дислокации с растворенным атомом [c.59]

Винтовая дислокация в отличие от краевой не создает зон гидростатического растяжения и сжатия, а поэтому не способна притягивать точечные дефекты. Однако если внедренный атом искажает кристаллическую решетку неодинаково в различных направлениях, то искажения и упругое поле напряжений кристаллической решетки не будут обладать чисто сферической симметрией. Такое поле напряжений точечного дефекта уже может взаимодействовать с касательными напряжениями поля напряжений вокруг винтовой дислокации. Например, атомы углерода в а-железе находятся в октаэдрических пустотах, занимая положение посередине ребер или в центре граней. Атом внедрения в центре грани (ПО) находится на расстоянии 0,5а от двух соседей в направлении [010] и на расстоянии а/ от четырех соседей в других направлениях. Внедренные в центре грани (010) атомы углерода удлиняют элементарную ячейку в направлении [010]. Когда внедренный атом, размещаясь в октаэдрической пустоте о. ц. к. решетки, находится в центре грани 100 или посередине ребра <100>, он тетрагонально искажает элементарную ячейку, удлиняя ее в направлении <100>. Такое тетрагональное искажение обусловливает взаимодействие примеси внедрения в о. ц. к. решетке с полем касательных напряжений винтовой дислокации. Результат взаимодействия — уменьшение касательных напряжений и притяжение атомов внедрения к винтовой дислокации. [c.92]

Ранее было высказано предположение, а в работе [45 ] установлено, что пленка имеет высокую концентрацию точечных дефектов (вакансий). Действительно, известно [12], что избирательное растворение легирующих компонентов медного сплава в кристаллической решетке твердых растворов и химических соединений вызывает избыточную концентрацию вакансий. Кроме того, вакансии возникают при деформировании пленки и при выходе дислокаций на поверхность. При толщине порядка 1 мкм пленка имеет пористость, которая еще более снижает ее толщину, делая ее соизмеримой с полями напряжений дислокаций. ПАВ, находящееся в порах пленки, понижает прочность стенок пор. Высокая подвижность дислокаций в пленке таким образом обеспечивается сочетанием способствующих этому факторов высокой избыточной концентрацией вакансий, адсорбционным эффектом Ребиндера и малой толщиной стенок пор пленки. Вместе с тем увеличение площади фактического контакта до значения, близкого к номинальному, с одной стороны, и снижение трения примерно на порядок до значений жидкостного, с другой, дает основание полагать, что трение идет не между твердыми поверхностями, а между дискретными частицами со слабым взаимодействием между ними. Затруднение в исследовании этого состояния пленки состоит в том, что оно существует в процессе трения в условиях всестороннего сжатия и нагрева при трибохимическом воздействии и при прекращении трения исчезает. [c.9]

Одним из важнейших критериев пригодности материала для применения его в элементах конструкции является способность сохранять в рабочих условиях необходимый уровень механических свойств. Поэтому явлениям этого класса в табл. 2 уделено первое место. Механические свойства сильно подвержены воздействию облучения, так как механизмы движения дислокаций весьма чувствительны к дефектам кристаллической решетки, В облученном кристалле движущимся дислокациям необходимо преодолевать, кроме обычного рельефа Пайерлса и сил взаимодействия с исходными дислокациями и другими несовершенствами структуры, еще целый спектр барьеров радиационного происхождения изолированные точечные дефекты и их скопления, кластеры и дислокационные петли вакансионного и межузельного типов, пары, выделения, возникающие в результате ядерных превращений. Облучение, как правило, вызывает повышение пределов текучести и прочности, ускоряет ползучесть материалов, снижает ресурс пластичности, повышает критическую температуру перехода хрупко-вязкого разрушения. [c.11]

В зависимости от условий облучения (температуры, дозы, вида излучения, энергетического спектра излучения) в материалах возникают различные типы дефектов, изменяется их плотность и распределение по размерам. Особую роль в радиационном упрочнении кристаллов играют механизмы взаимодействия радиационных дефектов с имеющимися в объеме дислокациями. Под воздействием поля упругих напряжений, существуюш,их вокруг дислокаций, точечные дефекты диффундируют к ним и образуют атмосферы , ступеньки, вакансионные и газонаполненные поры и другие вторичные дефекты. Все они могут быть центрами закрепления дислокаций или стопорами для движуш,ихся дислокаций. [c.61]

Для винтовой дислокации в изотропном кристалле Oq = О и поэтому взаимодействие с точечными дефектами не происходит. Однако в анизотропном кристалле в окрестности винтовой дислокации возникает гидростатическое напряжение. Например, в ОЦК кристалле около винтовой дислокации, параллельной диагонали куба, возникает гидростатическое напряжение, причем абсолютное значение Oq пропорционально отклонению параметра А = (Сц — j2)/(2 44) от единицы [55], так что вокруг такой дислокации [c.86]

Следует полагать, что явление отдыха даже при относительно невысоких температурах (особенно близких к комнатной) обусловлено не только упорядочением строения границ зерен, но в определенной мере и упорядочением внутризерепной структуры путем перераспределения дислокаций, образующих скопления внутри зерен. Дислокации перераспределяются преимущественно путем пластических сдвигов, приводящих к разрядке скоплений, а также вследствие анигиляции дислокаций разных знаков. При отрицательных температурах, когда возникновение тепловых флуктуаций, достаточных для осуществления сдвига (перемещения дислокаций), маловероятно, разрядка развивается слабо и возможна в основном за счет анигиляции дислокаций нри взаимодействии с точечными дефектами (вакансиями). При этом роль границ зерен становится определяющей. С повышением температуры низкого отпуска длительность процессов релаксации внутри зерна, наоборот, существенно снижается благодаря увеличению подвижности дислокаций. [c.209]

Известно несколько основных физических процессов, обусловливающих взаимодействие между точечными дефектами и дислокациями. Так, упругое взаимодействие обусловливает миграцию атомов примеси в областях ядра дислокаций и приводит к образованию сегрегаций (облака Коттрелла). Энергия взаимодействия дислокаций с примесями внедрения о. ц. к. решетки высокая ( 0,55 эВ для углерода и азота в а-же-лезе), а в г. ц. к. решетке низкая (Я = 0,08 эВ для водорода в никеле). Вакансии в металлах с кубической решеткой не вызывают заметных объемных искажений и не создают дальнодейству-ющих полей сдвиговых напряжений. Поэтому обычно взаимодействие между дислокациями и вакансиями в этих металлах слабое (f =0,02 эВ). [c.222]

Взаимодействие дислокации с дефектами кристаллической решётки. Упругое взаимодействие Д. с точечными дефектами (примесными атомами и вакансиями) приводит к повышению концентрации последних вблизи оси Д. и образованию вокруг неё т. в. облаков Котрелла. Сгущение атмосферы Котрелла в перенасыщенных твёрдых растворах может привести к коагуляции примесей на Д. В прозрачных кристаллах это приводит к декорированию Д.,что делает их визуально наблюдаемыми (рис, 7). Осевшие на Д. примеси блокируют её движение, как бы пришпиливая в пек-рых точках линию Д- В реальных условиях отрыв от примесей является осн. механизмом преодоления пре- [c.638]

За последние годы получены важнейшие данные о поведении и свойствах отдельных дислокаций—об их движении и расщеплении, об образовании скоплений и взаимодействии дислокаций между собой и с точечными дефектами [9]. Прямое экспериментальное наблюдение различных эффектов, предсказанных теорией дислокаций, явилось блестящим ее подтверждением. Открытие ряда новых эффектов, связанных с механизмом пластической деформации, структурой наклепанного металла и микромеханизмом разрушения, а также прямое наблюдение доменной структуры упорядочивающихся сплавов [10], — подлинный триумф электронной микроскопии. Прямое наблюдение зарожд.ения, дв1ижения, взаимодействия и выхода дислокаций из образца (с образованием ступенек — линий скольжения) непосредственно во время деформации образца внутри микроскопа [11, 16] открывает дополнительные замечательные возможности. [c.170]

Третий механизм — дислокационная релаксация — ответствен за появление низкотемпературных пиков поглош е-ния, впервые открытых П. Бор-дони. Этот вид поглош,ения не связан с точечными дефектами, а обусловлен взаимодействием дислокаций непосредственно с самой кристаллич. решёткой. В простейшем случае дислокационную релаксацию можно описать моделью, где два энергетич. состояния, соответствуюш ие минимумам энергии дислокации, разделены барьером Пайерлса. Если пренебречь квантовомеханпч. флюктуациями, то при темп-ре О К линии дислокаций целиком располагаются в одной из потенциальных ям вдоль направления плотной упаковки. Минимальные напряжения, необходимые для преодоления дислокацией барьеров, равны здесь напряжениям Пайерлса — [c.118]

При упругом же взаимодействии дислокаций с точечными-дефектами, атомами примесей, границами блоков и зерен, а также друг с другом возникает высокая локальная концентрация растягивающих напряжений, вызывающих развитие микротрещиноватости, облегчающей последующее разрушение тела, [c.10]

Авторы [9,28] отдают предпочтение полигонизационному механизму образования ячеистой структуры, согласно которому существенную роль в формировании дислокационных ячеек играют процессы переползания краевых компонент дислокаций. Этот процесс, как известно, является самым медленным звеном полигонизации, поскольку требует переноса массы за счет диффузии точечных дефектов [9]. Избыточная концентрация точечных дефектов в деформируемом кристалле обусловлена возникновением, движением и взаимодействием дислокаций в процессе деформации, поскольку каждая дислокация, пересекаясь с дислокациями леса высокой плотности, приобретает значительное число порогов, способных порождать при дальнейшем перемещении вакансии и междоузельные атомы. В работе [9] особо подчеркивается качественно различный характер ячеистой структуры, возникающей на ранних и конечных стадиях деформации, причем это различие проявляется как в механизме образования дислокационных ячеек, так и механизме передачи пластической деформации через границы ячеистой структуры. На ранних стадиях деформации границы ячеек представляют собой клубки, сплетения, вытянутые вдоль плоскостей скольжения и в направлении скольжения. При дальнейшей пластической деформации формируется разориентированная ячеистая структу- [c.123]

В отличие от закалки металлов с высоких температур при облучении образуется одинаковое количество вакансий и межузельных атомов. Если бы процесс нарушений при облучении сводился только к образованию пар Френкеля и их рекомбинации, то можно было бы относительно просто представить условия равновесной рекомбинации антинарушений и установить период самовосстановления структуры и свойств материала. В какой-то мере такая картина изменения дефектной структуры, по-видимому, может реализоваться после облучения до малых доз совершенных кристаллов ( усов ). В действительности даже при наличии только изолированных точечных дефектов в решетке реальных кристаллов наряду с рекомбинацией протекают более сложные процессы взаимодействия точечных дефектов друг с другом с образованием двойных, тройных и т. д. комплексов, кластеров. Каждый из первичных дефектов может взаимодействовать с примесными атомами, дислокациями, границами раздела. В результате этого возникают комплексы вакансия — атом примеси, внедренный атом — атом примеси, пороги и суперпороги на дислокациях, изменяется перераспределение элементов в растворе, состояние границ раздела, конфигурация дислокаций. [c.60]

Смотреть страницы где упоминается термин Дислокации взаимодействие с точечными дефектами : [c.93] [c.93] [c.301] [c.60] [c.509] [c.86] [c.90] [c.139] [c.8] [c.105] [c.218] [c.255] [c.273] [c.161] [c.4] [c.166] [c.178] [c.179] [c.145] [c.12]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...