Заряды концентрация напряжений

Импульсивная обработка. В ИЭС им. Е. О. Патона предложено использовать энергию взрыва малыми зарядами для локального пластического деформирования околошовной зоны сварного соединения и создания в местах высокой концентрации напряжений сжимающих остаточных напряжений [ПО, 175]. [c.248]

Оценка работоспособности заряда твердого топлива производится как по допускаемым перемещениям, так и по допускаемым напряжениям. Типичный пример расчета по допускаемым перемещениям — определение изменения геометрии заряда, вызванное ползучестью топлива под действием собственного веса во время хранения или перепадами давлений и инерционными нагрузками в момент старта ракеты [17]. При пониженных температурах топливо становится хрупким (пластические деформации отсутствуют) разрушение, растрескивание заряда может в результате резкого увеличения поверхности горения привести к взрыву всего двигателя. Поэтому при температуре ниже так называемой температуры стеклования расчет заряда твердого топлива следует производить по допускаемым напряжениям, учитывая концентрацию напряжений [17], [c.380]

Как указывалось выше, диффузия водорода к местам с максимальными растягивающими напряжениями вызывается смещением их заряда в отрицательную сторону. После снятия растягивающих напряжений, величина которых не превышает предела текучести, происходит перераспределение электронов и содержание водорода в местах концентрации напряжения с течением времени за счет обратной диффузии уменьшается. [c.212]

Концентрация напряжений в зарядах [16] [c.292]

Концентрация напряжений в зарядах 293 [c.293]

Константы равновесия, 149 Концентрация напряжений в топливных зарядах, 292—295 Кордит, 216 [c.786]

При приложении обратного напряжения к р-л-перехо-ду потенциальный барьер на переходе увеличивается и проникновение дырок из р-области и электронов из п-области в слой объемного заряда (с последующей рекомбинацией) уменьшается. Равновесие между током генерации и рекомбинации нарушается, ток генерации начинает превалировать. Физически это означает следующее так как при обратном напряжении на р-л-перехо-де в области объемного заряда концентрация свободных носителей заряда очень мала, то заполнение центров рекомбинации свободными электронами существен- [c.62]

При конечной же скорости переноса процесс идет необратимо чтобы заставить заряды двигаться обратно, их нужно сначала остановить. При этом конечной,будет и скорость изменения концентрации ионов в электролите. Поэтому их равновесное распределение по обе стороны полупроницаемой перегородки не будет успевать, как следует, устанавливаться и определяемая этим распределением разность потенциалов будет уменьшаться. Она будет становиться меньше, чем величина ЭДС. Такой же механизм уменьшения напряжения при конечной величине отбираемого тока действует во всех химических источниках тока, и его обычно учитывают, вводя представление о внутреннем сопротивлении источника. [c.112]

До сих пор, рассматривая электропроводность твердых тел, мы считали, что время релаксации т не зависит от электрического поля. В этих условиях плотность тока пропорциональна напряженности поля j=aS , т. е. электропроводность а является величиной, не зависящей от поля. Опыт показывает, однако, что независимость <г от наблюдается лишь в полях, напряженность которых меньше некоторого критического значения. При электропроводность изменяется по мере роста т. е. закон Ома перестает выполняться, Это является следствием изменения либо концентрации носителей заряда, либо их подвижности. [c.256]

В наиболее важном случае ионного поля среднее значение напряженности поля ё определяется концентрацией заряженных частиц в плазме и зарядом иона е [c.269]

Таким образом, измерив разность потенциалов Холла при известном токе/, напряженности магнитного поля, Я и толщине образца Ь рассчитываем Ry.. Далее, если известны коэффициент Холла и электропроводность, легко вычислить концентрацию носителей заряда и величину подвижности. [c.280]

Увеличение заряда поверхности, ведущее к повышению напряженности поля в двойном слое, — основная причина диэлектрического насыщения растворителя. По сути дела уменьшение толщины двойного слоя при условно неизменной величине скачка потенциала ведет к увеличению геометрической емкости двойного слоя и зарядов на его обкладках. Вместе с тем при неизменной толщине этого слоя, определяемой концентрацией электролита [18], заряд поверхности металла может изменяться и по другим причинам. [c.171]

ЭДС в элементе при нагрузке отличается от ЭДС разомкнутой иепи в основном из-за наличия у элемента внутреннего сопротивления. К снижению рабочего напряжения электрохимического элемента приводит также поляризация. Оба эти явления увеличивают в потери анергии в элементе. Поляризация может порождаться целым рядом причин как химической. так и физической природы. Например, концентрация молекул реагента в непосредственной близости от электрода при работе элемента становится ниже, чем при разомкнутой цепи, и это замедляет перенос заряда. Некоторые из видов потерь зависят от скорости процесса, т. е. они значительно больше сказываются при быстром разряде батареи, чем при малых рабочих токах. Изучение поляризационных потерь привело в последние годы к созданию усовершенствованных электрохимических элементов. Характеристики некоторых типов элементов перечислены в табл. 5.1 и 5.2. [c.89]

Из (10.16) видно, что если время жизни носителей заряда не изменяется с уровнем инжекции, то ток через диэлектрическую пленку пропорционален (кривая /, рис. 10.8, б). В тех случаях, когда время жизни носителей существенно зависит от уровня инжекции их в пленку, зависимость / Р нарушается. При этом, если время жизни т уменьшается с ростом концентрации инжектированных носителей п, ток с напряжением меняется медленнее, чем Р (кривая 2, рис. 10.8, б) если т увеличивается с ростом п, то 7 растет быстрее, чем Р. В последнем случае если время жизни растет с током достаточно быстро, то на ВАХ структуры может появиться участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, а сама ВАХ приобретает S-образный вид (кривая 3 на рис. 10.8, б). [c.282]

Приложение электрического поля к системе, в которой компоненты существенно отличаются по физико-механическим и электрофизическим свойствам, неизбежно приводит к концентрации полей в локальных областях внутри диэлектрика. Приложение постоянного электрического равномерного поля к диэлектрику с шаровым включением приводит к увеличению напряженности на его поверхности в 3 раза по фавнению со средней напряженностью в системе /75/. Импульсное воздействие напряжения на такие системы значительно усложняет картину электрического поля, так как время релаксации некоторых носителей заряда /76/ может быть сравнимо с временем воздействия напряжения. [c.128]

Весьма разнообразен круг задач, решаемых оптическими методами контроля ими можно определять толщины и диаметры, показатели преломления и поглощения материала, концентрацию свободных носителей заряда и их подвижность в полупроводниках, плоскостность и плоскопараллельность пластин, наличие анизотропии в элементах оптических систем, однородность отражения зеркал, величину и природу напряжений в материалах, дефекты в структурах интегральных схем и т. д. Однако до настоящего времени сделано очень мало для разработки и внедрения в производство лазерных методов контроля. Настоящая глава ставит своей целью ознакомить читателя с существующими лазерными методами контроля качества материалов и макетами приборов, созданных для решения конкретных задач. [c.178]

Механическое нагружение модели, эквивалентное равномерному и стационарному изменению температуры. Методика испытания. Изготовляют рамку с отверстием в форме наружного контура заряда из пластины плексигласа толщиной 12,7 мм. Из пластины мягкого уретанового каучука марки хизол 8530 СН изготовляют модель, наружный диаметр которой на 1,2% превышает диаметр отверстия в рамке из плексигласа. Слегка увеличенную модель запрессовывают в плексигласовую рамку. Возникающую при этом картину полос интерференции можно рассмотреть и сфотографировать в полярископе (фиг. 11.8). В картинах полос по наружному контуру видны мелкие полосы, указывающие на наличие неравномерности контакта. При этом подобные возмущения в картине полос не распространяются на вырезы внутреннего контура, так что при определении концентрации напряжений на них не следует обращать внимание. [c.328]

Специальные виды воздействий применяются не только для направленного изменения электрофизических свойств МДП-структур, но и для выявления дефектов диэлектрика и границы раздела диэлектрик—полупроводник, в том числе и зарядовых. Установлено, что воздействие импульсным магнитным полем (амплитуда 0,1...0,2 МА/м, длительность импульса 30 мкс) в течение 20 с позволяет существенно, почти в три раза повысить плотность зарядовых дефектов, выявляемую с помощью гистограмм зарядовой стабильности. Кроме того, воздействие импульсным магнитным полем вызывает у МДП-структур появление достаточно больших флуктуаций плотности заряда в диэлектрике. Эти флуктуации наиболее значительны в области микродефектов, характеризующихся повышенной концентрацией напряженных Si—Si и Si—О связей у фаницы раздела Si-SiOj. [c.141]

Пассивное предупреждение горных ударов. Разгрузка горных пород в зоне концентрации напряжений возможна при условии предварительного взрывания серии зарядов ВВ в шпурах для формирования в массиве щели достаточной ширины, на которую была бы возможна разгруз-ка перенапряженной породы. При этом серия зарядов В В должна быть до-статочна для оживления [c.211]

В разделах 5. 7. 3 и 5. 7. 4 были рассмотрены только заряды, выполненные в форме толстостенного кругового цилиндра. В действительности же, заряды часто имеют значительно более сложные формы (см. далее фиг. 6.1), в которых возникают концентрации напряжений. Например, заряды, горящие по внутренним поверхно стям,- обычно имеют очень сложную форму внутренних каналов поэтому им присущ тот недостаток, что в районах острых внутренних углов звезды возникает концентрация напряжений, что увеличивает восприимчивость топлива к механическим повреждениям (эффект концентрации напряжений в выемках). Напряжения, действующие в местах концентраций, могут в два-три раза превьь шать напряжения, возникающие в гладкой толстостенной трубе. Поэтому при конструировании заряда следует придавать ему такую форму, при которой концентрация напряжений была бы сведена к минимуму. [c.292]

В работе [16] содержится попытка систематического изучения коццентрлции напряжений в зарядах с внутренним звездообразным, каналом, горящих по внутренним поверхностям там приведены количественные зависимости, позволяющие оценить влияние различных геометрических параметров заряда на распределение упругих напряжений в топливе. В разделах 5.7.3 и 5.7.4 рассматривались напряжения, вызванные механическим и температурным воздействием. Коэффициент концентрации напряжений К. являющийся мерой концентрации напряжений, можно определить следующим отношением [c.292]

Фиг. 5.23. Влияние толщины свода и радиусов закруглений на коэффициент концентрации напряжений на внутренней поверхности зарядов со звездообразными шести- и восьмилучевыми каналами.

Уравнения (4.7) —(4,8) показывают, что причинами изменения концентрации носителей могут быть неодинаковость числа носителей, втекающих (и вытекающих) в элементарный объем полупроводника (тогда dlvJ O), и нарушение равновесия между процессами генерации и рекомбинации носителей. Уравнения (4.9) и (4.10), называемые уравнениями плотности тока, характеризуют причины протекания электрического тока в полупроводнике электрический дрейф под воздействием электрического поля (grad tp= 0) и диффузию носителей при наличии градиента концентрации. Уравнение Пуассона характеризует зависимость изменений в пространстве напряженности электрического поля Е=—gгadф от распределения плотности электрических зарядов pi [c.156]

Уравнения (6.32), (6.33), (6.39), (6.41), (6.43) и (6.46) учитывают общее движение, силовые поля, теплообмен и распределении по размерам. Логически можно обобщить их и на случаи с массо-обменом, химическими реакциями и т. д. Л1ожно было бы добавить, что в соответствии с обобщенным понятием многофазной среды в смеси газа с твердыми частицами, состоящими из одного вещества, частицы разных размеров, форм и масс, с разными электрическими зарядами, дипольными моментами или магнитными свойствами образуют разные фазы , помимо газовой. Для несферических частиц постоянные времени F ш G можно определить экспериментально. Поскольку учитывается взаимодействие между частицами, а внутренним напряжением в частицах прене-брегается, то эти соотношения применимы для объемных концентраций частиц в псевдоожиженном слое вплоть до 90 %, но неприменимы для плотных слоев (разд. 9.7). При этом нижний предел среднего расстояния между частицами до.чжен составлять от 2 до 3 диаметров частиц при расстоянии между частицами более 10 диаметров Fp и Gp можно не учитывать и Цт Рч Р lira о, = 0. [c.286]

Ударная ионизация. Увеличение электропроводности твердого тела в сильных полях связано с увеличением концентрации носителей заряда. При полях, напряженность которых превышает 10 В/м, электроны проводимости приобретают энергию, достаточную для ионизации атомов. В результате ионизации образуются электронно-дырочные пары, которые ускоряются полем до высоких энергий и тоже могут ионизовать атомы. Таким образом, концентрация свободных носителей лавинообразно нарастает. Этот процесс и получил название ударной иониза-ции. Ударная ионизация не приводит к немед- ленному пробою вещества, поскольку электроны (и дырки), рассеиваясь на фононах, передают свою энергию решетке и могут рекомбинировать. [c.259]

В области низких температур электроны и дырки, локализованные на диекретных уровнях, м огут перемещаться по кристаллу лишь путем прыжков (перескоков) с одного уровня на другой. Для преодоления потенциального барьера, разделяющего примесные атомы, требуется энергия активации. В случае малой концентрации примесных атомов расстояния между ними получаются большими, а поэтому вероятность перескока оказывается небольшой и значения подвижности (скорость дрейфа носителей заряда в электрическом поле с напряженностью 100 В/м) также очень малы. Прыжковую проводимость можно обнаружить лишь при настолько низких температурах, что концентрация свободных носителей заряда становится совсем небольшой (но при Т = 0 тепловая активация невозможна). Представление об изолированных атомах примеси оправдано лишь в том случае, если не перекрываются ни их силовые поля, ни волновые функции электронов, локализованных на этих уровнях. [c.120]

Такое состояние не может быть равновесным, и электроны начнут диффундировать со стороны металла с большей концентрацией свободных электронов в сторону металла с меньшей концентрацией. В результате этого концентрация электронов в некоторой области вблизи границы со стороны металла с большей энергией Ферми уменьшается и эта область заряжается положительно, а с другой стороны границы концентрация электронов увеличивается и эта область заряжается отрицательно. Благодаря возникновению зарядов по разные стороны границы образуется электрическое поле, напряженность которого направлена со стороны металла с большей энергией Ферми в сторону металла с меньшей энергией Ферми. Сила, действующая со стороны этого поля на электроны, направлена против диффундирующего потока электронов и создает упорядоченное движение электронов в противоположном диффузии направлении, т. е. электрический ток. Когда диффузионный поток электронов и электрический ток электронов уравновесят друг друга, наступает стационарное состояние. Изменение концентрации элек- [c.347]

Подвижность носителей заряда зависит от многих факторов, важнейшими из которых являются температура Г, концентрация примесных атомов N и напряженность электрического поля при Е>Е . Зависимость подвижности от температуры опреде.чяется механизмом рассеяния носителей заряда. Рассмотрим основные из механизмов рассеяния - на тепловых колебаниях решетки и ионизированных примесях, учитывая, что первый из них является определяющим при высоких, а второй - при низких температурах. [c.60]

Одновременно с ростом стримера, направленного от катода к аноду, начинается образование встречного лавинного потока положительно заряженных частиц, направленного к катоду. Положительный стример представляет собой канал газоразрядной плазмы. Это объясняется тем, что электронные лавины оставляют на своем пути большое число вновь образованных положительных ионов, концентрация которьк особенно велика там, где лавины получили свое наибольшее развитие, т. е. около анода. Если концентрация положительньк ионов здесь достигает определенного значения (близкого к 10 ионов в 1 см ), то, во-первых, обнаруживается интенсивная фотонная ионизация, во-вторых, электроны, освобождаемые частицами газа, поглотившими фотоны, притягиваются положительным пространственным зарядом в головную часть положительного стргсмера и, в-третьих, вследствие ионизации концентрация положительных ионов на пути стримера увеличивается. Насыщение электронами пространства, заполненного положительными зарядами, превращает эту область в проводящую газоразрядную плазму. Под влиянием ударов положительных ионов на катоде образуется катодное пятно, излучающее электроны. В результате указанных процессов и возникает пробой газа. Обычно пробой газа совершается практически мгновенно длительность подготовки пробоя газа при длине промежутка 1 см составляет 10 - 10 с. Чем больше напряжение, пркближснпОс к газовому промежутку, тем быстрее может развиться прооой. Если длительность воздействия напряжения очень мала, то пробивное напряжение повышается. [c.119]

Идеальный диэлектрик. Рассмотрение начнем с идеального диэлектрика, не содержащего примесей, способных захватывать электроны. Концентрация собственных носителей заряда в таком диэлектрике ничтожно мала. Поэтому, казалось бы, внешнее смещение не может привести к появлению в пленке электрического тока. Однако это не так. Внешнее напряжение V, приложенное к подобной структуре (рис. 10.7, а), практически полностью падаем на диэлектрике и именно на той его части, в которую не заходят слои обогащения, и создает в нем электрическое поле (в дополнение к внутреннему полю у контактов). Так как слои обогащения не имеют резкой гргйицы, то это означает, что обогащенный слой при 278 [c.278]

Согласно [43], с ростом концентрации корунда от О до 200 кг/м в сульфатхлоридном электролите внутренние напряжения КЭП падают с 125 до 62 МПа, твердость растет с 28 до 40 ГПа. Содержание второй фазы в КЭП увеличивается от 1,3 до 5,3 /о (масс.) с повышением концентрации от 25 до 150 кг/м . Из суспензий силикагелей различных марок не удалось получить КЭП. Не- большое количество включений Si02 было обнаружено н в никелевых покрытиях. Это объясняется наличием у частиц отрицательного заряда в электролите (определялся по адсо рбции на них катионных красителей) [16]. [c.183]

Электрич. поле К. р. п. изменяет концентрации свободных носителей заряда (электронов, дырок) в при-контактном слое. Когда концентрация оси. носителей заряда Б полупроводниках понижается, прикоитактный слой представляет собой область повыш. сопротивления (запирающий слой). Т. к. концентрация носителей и, следовательно, сопротивление контакта изменяются несимметрично в зависимости от знака приложенного напряжения, то контакт двух полупроводников обладает вентильным (выпрямляющим) свойством. С К. р. п. связаны также вентильная фотоэдс, термоэлектричество В ряд др. электропных явлении. Па существовании [c.445]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...